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Ku波段高速宽带射频通信系统利用波束赋形技术

微波射频网 2018-11-06 16:26 次阅读

本文射频通信系统基于Ku波段,综合运用了多通道MIMO技术、智能电扫阵列天线、OFDM波束成形、超高速跳频、低相噪低杂散频率合成等先进性技术,可用于干线节点实现超高速数传、组网、中继,并具有较好的抗干扰能力,可广泛应用于多种通信领域。

引言

当今的信息大爆炸时代,媒质承载的信息量越来越大,特别是高清多媒体视频流,对信息传输的实时性要求越来越高,这些需求促使信息传输速率逐步攀升,现阶段无线通信技术蓬勃发展,LTE、5G技术接踵而至。由香农定理我们可知,无线通信的速率与信道带宽相互关联,带宽越宽,速率就越高,容量也就越大。而在VHF、UHF、L、S等较低频段,频谱资源拥挤,可用带宽有限,因此向更高的频段发展,以获得更宽的信道带宽,是未来通信系统发展的必然趋势。

1、系统方案设计

本文提出的Ku波段高速宽带射频通信系统利用波束赋形技术,用呈90°分布的4面阵列天线覆盖全360°范围,每面阵列天线由4列阵元组成,分别连接4个TR组件,经幅度及相位加权后汇集到同1路变频通道,组成4*4 射频MIMO系统。公共资源及上层管理全部集中到中央单元,以方便互联。在车载型结构中,中央单元通过连接器与各TR组件相连,以信令交互进行控制,各TR组件具有独立的基带处理单元,也可将数字中频送到中央处理器集中处理(实现空间分集),总体框图如下图1所示。

图1、系统总体框图

与传统的单收单发系统相比,本系统方案基于军事战术应用抗干扰、保密、高速、大容量、自适应的整体需求,综合考量Ku波段信号自身波长短,方向性较强、传输损耗大等不利因素,采用了主流的OFDM调制技术,使得系统的抗干扰能力更强,同时可以获得较高的频谱利用率;采用了MIMO及智能天线技术,合理利用波束分集和天线空间复用的性能,使得系统能够尽可能地支持多用户,多方向、自适应的大容量数据传输的前提下,可以有效

抵抗信号传输过程中多径衰落对系统性能造成的影响。系统的初步布局如下图2所示:

图2、系统初步布局图

2、子系统方案设计

2.1天线设计

为了降低系统整体轮廓,天线部分采用均匀线阵形式的微带天线,可利用阵列波束赋形技术,实现高定向性、宽覆盖和抗衰落。该种类型天线设计通过对天线阵元的激励源进行幅/相加权,实现多扇面扫描。此外还可以实现对干扰源测向,若检测到干扰,则通过波束赋形,使天线方向图在干扰方向形成零陷,抑制干扰。天线系统的主副辦扫描示意图如下图3所示。

图3、天线阵列及主副辦扫描示意图

2.2收发链路设计

收发链路包括TR组件及变频通路,可根据需求灵活裁剪,在微波射频前端采用了全数字的移相衰减器,在变频电路中,采用了超外差二次变频电路,混频方式为高射频低本振,降低频率合成器的实现难度,此外电路中设计AGC控制电路、保护隔离电路,频率选择电路对接收的信号进行选频、变频、线性化放大处理,最终提供给基带处理器进行信号解调。收发链路的原理框图如下图4所示。

图4、收发链路原理框图

2.3频率合成器设计

通常来说,可用的频率合成方式有直接频率合成(DS)、间接频率合成(PLL)以及直接数字式频率合成(DDS)三种。

本设计中的频率合成器通过方案最终采用DDS倍频与PLL点频源混频实现最终的跳频源一本振输出,而接收和发射相位校准参考源则直接采用了PLL跳频输出的方式实现,总的频率源合成方案如图5所示,方案的整体思想是将晶振信号经一分四的功分器分成4路,一路信号作为发射和接收相位校准参考频率源的时钟,经PLL跳频定产生C波段的信号,然后经滤波和二倍频输出Ku波段的参考频率源;另一路信号作为基带处理器的参考时钟;第三路信号作为C波段点频源的参考时钟,经PLL锁定产生C波段的点频信号,然后与DDS输出的跳频信号混频产生上变频C波段的射频信号,再经二倍频最终产生X波段的一本振信号;最后一路信号作为L波段点频源的参考时钟,经PLL锁定产生L波段的点频信号,再功分两路,一路经滤波放大作为系统二本振,另一路作为跳频DDS的参考时钟,产生VHF频段的跳频信号,经滤波、放大及两次2倍频产生L波段的跳频信号与C波段点频源进行混频、滤波、放大、倍频产生X波段一本振信号。在频率源实现过程中,由于涉及到了较多的PLL频率合成、倍频、混频、放大等电路,因此变频过程中的杂散抑制或者规避就显得尤为重要,否则杂散信号的干扰将影响系统的通信质量。

图5、频率合成器原理框图

3、散热设计

经过模型仿真,在大功率连续波情况下,若散热性能不佳,不但会降低功放输出的功率,严重时甚至还会使功率器件烧毁,因此功放局部的热设计同样是系统设计成败的关键。一般将功放器件有源区称为结或者沟道,器件的有源区温度称为结温或者沟道温度Tch。为了保证器件不被烧毁,其沟道温不能超过一个最高允许温度Tchmax,其大小由晶体管机构、管芯材料、衬底材料等因素决定。功率器件自身的散热能力用热阻Rt来表征,定义为Rt=Δt/Q,其中Δt代表温差,Q为热流量。Rt的单位为℃/W,热阻与管芯和衬底材料的导热率、厚度、截面积、加工工艺以及封装形式都有关系。通过热阻可以计算出沟道温度Tch,其计算公式为:

Tch = Rt x Pdiss+ T0

其中Pdiss 为耗散功率,T0 为环境温度。从公式中可以看出,热阻越大功放的散热能力就越差。实际情况中,除了功放器件自身的热阻外,还有安装功放的腔体热阻R1 、散热器热阻R2 以及各个部分之间接触不紧密或材料导热系数差异带来的接触热阻Rc ,因此完整的沟道温度Tch 的计算公式为:

Tch= ( Rt + R1 + R2 + Rc )x Pdiss+ T0

除了功率器件自身的热阻Rt 之外,其它的热阻都难以得到,因而为了方便计算,将上述公式中不容易得到的参数项合并到最后一项中,使其表征为一个相对的环境温度,得到如下计算公式:

Tch= Rt x Pdiss + [( R1 + R2 + Rc )x Pdiss+ T0] = Rt x Pdiss +T’0

其中T’0 为功放器件管壳的温度,若器件和腔体紧密接触能够良好地传热,即可忽略器件与腔体的接触电阻,这是T’0 表示的是与功放器件相接触位置腔壁的温度。将Tch 取为Tchmax ,通过上述公式可以计算出耗散功率Pdiss 的情况下,功放器件可承受的最高腔壁温度。通过极限温度以及耗散功率即可对散热结构进行仿真设计。理论上,只要保证Tch

目前工程上常用的散热方式有肋片散热、相变冷却、热管传热、温差电制冷等。使用最多的散热方式是肋片散热齿,按照散热齿结构的不同又可分为片式散热齿和柱式散热齿。柱式散热齿风道不封闭,散热效果不如片式散热齿明显,故在本系统方案中采用了片式散热齿的散热方式,理论上散热齿越高散热效果越好,但是齿本身的宽度和齿间距也会对散热效果有影响,其散热效果可通过热设计软件来仿真优化(Flotherm)。散热齿采用铝材,兼顾系统减重的要求,系统设计的散热底座设计结构如下图6所示,基本可以满足系统的散热需求。

图6、散热底座外形结构图

除上述辅助散热设计策略外,工程中还在功放底部增加了导热硅脂、导热胶等,同时各T/R组件分散布局,降低热源的集中,增强系统的可靠性。

4、工程设计验证

依据系统设计方案,我们测试天线,频率合成器工程测试结果与设计基本相当,典型的频率合成器DDS+PLL的相位噪声及跳频时间测试曲线如下图7-8所示:

图7、DDS相位噪声及跳频时间测试曲线

图8、PLL相位噪声及跳频时间测试曲线

测试收发链路指标,当中频输入140MHz调制信号,调制方式为64QAM,滚降因子设置0.3,符号率30Mbps时,其典型的发射EVM为6.09%,邻道抑制比优于-35dBC@50MHz offset,测试结果如图9所示:

图9、发射EVM及邻道抑制比测试结果

5、应用场景

现阶段基于Ku波段的高速宽带射频通信系统主要应用于点对点,点对多点,中继及多级自组网等领域,可以极大的拓展节点通信的性能和系统容量,其主要的应用场景示意如下图10所示。

图10、应用场景示意

6、结束语

本文提出的Ku波段高速宽带射频通信系统设计综合运用了多通道MIMO技术、智能电扫阵列天线、OFDM波束成形、超高速跳频、低相噪低杂散频率合成等先进性技术,采用微波平面阵列,可用于干线节点实现超高速数传、组网、中继,并具有较好的抗干扰能力,可广泛应用于多种通信领域,已研制样机性能基本上符合预期的设计需求,实际工程验证结果良好。

原文标题:Ku波段高速宽带射频通信系统设计与实现

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CC1200 低功耗高性能射频收发器

信息描述CC1200 器件是一款全集成单芯片射频收发器,此器件设计用于在成本有效无线系统中实现极低功耗和低压运行的高性能。 所有滤波器都已集成,因此无需昂贵的外部表面声波 (SAW) 和中频 (IF) 滤波器。 该器件主要用于 ISM(工业、科学和医疗)以及处于 164-190MHz,410-475MHz 和 820-950MHz 的 SRD(短程设备)频带。 CC1200 器件提供广泛硬件支持,以实现数据包处理、数据缓冲、突发传输、空闲信道评估、链路质量指示和无线电唤醒。 CC1200 器件的主要运行参数可由 SPI 接口控制。 在典型系统中,CC1200 器件将与一个微控制器和极少的外部无源组件配合使用。 CC1200 和 CC1120 器件都是高性能收发器系列产品。 CC1120 器件多针对窄带应用进行了优化,而 CC1200 器件则针对宽带应用进行了优化,但是它也能够有效涵盖低至 12.5kHz 信道的窄带应用。特性RF 性能和模拟特性:高性能、单芯片收发器 出色的接收器灵敏度:1.2kbps 时为 -123dBm 50kbps 时为 -109dBm阻断性能:10MHz 时为 86dB邻道选择性:12.5kHz 偏移时高达 60dB极低相位噪声:10kHz 偏移 (169 MHz) 时为-114dBc/Hz步长为 0.4dB,高达 +16dBm 的可编...
发表于 04-18 22:32 25次 阅读
CC1200 低功耗高性能射频收发器

TPS795 超低噪声、高 PSRR、快速、射频、500mA 低压降线性稳压器

信息描述 The TPS795 family of low-dropout (LDO), low-power linear voltage regulators features high power-supply rejection ratio (PSRR), ultralow noise, fast start-up, and excellent line and load transient responses in small outline, 6-pin SOT-223 and 3-mm × 3-mm WSON packages. Each device in the family is stable with a small 1-µF ceramic capacitor on the output. The family uses an advanced, proprietary BiCMOS fabrication process to yield extremely low dropout voltages (for example, 110 mV at 500 mA). Each device achieves fast start-up times (approximately 50 µs with a 0.001-µF bypass capacitor) while consuming very low quiescent current (265 µA, typical). Moreover, when the device is placed in standby mode, the supply current is reduced to less than 1 µA. The TPS79530 device exhibits approximately 33 µVRMS of output voltage noise at 3-V output with a 0.1-µF bypass capacitor. Applications with analog components that are noise-sen...
发表于 04-18 22:20 29次 阅读
TPS795 超低噪声、高 PSRR、快速、射频、500mA 低压降线性稳压器

TPS730 低噪声、高 PSRR、射频 200mA 低压降线性稳压器

信息描述The TPS730 family of low-dropout (LDO) low-power linear voltage regulators features high power-supply rejection ratio (PSRR), low noise, fast start-up, and excellent line and load transient responses in a small SOT-23 package. NanoStar packaging gives an ultrasmall footprint as well as an ultralow profile and package weight, making it ideal for portable applications such as handsets and PDAs. Each device in the family is stable, with a small, 2.2-µF ceramic capacitor on the output. The TPS730 family uses an advanced, proprietary BiCMOS fabrication process to yield low dropout voltages (for example, 120 mV at 200 mA, TPS73030). Each device achieves fast start-up times (approximately 50 µs with a 0.001-µF bypass capacitor) while consuming low quiescent current (170 µA typical). Moreover, when the device is placed in standby mode, the supply current is reduced to less than 1 µA. The TPS73018 exhibits approximately 33 µVRMS ...
发表于 04-18 22:19 31次 阅读
TPS730 低噪声、高 PSRR、射频 200mA 低压降线性稳压器

5G的到来 Skyworks和Qorvo开辟了智能手机之外的广阔市场空间

进入2019年,半导体股票在经历了2018年的大幅下挫之后触底回升。2018年,中美贸易战爆发,叠加....
发表于 04-18 15:11 312次 阅读
5G的到来 Skyworks和Qorvo开辟了智能手机之外的广阔市场空间

HMC939ALP4E 1.0 dB LSB GaAs MMIC 5位数字衰减器,0.1 - 33 GHz

和特点 衰减范围:1 dB LSB步进至31 dB 插入损耗:典型值6 dB(33 GHz) 衰减精度:±0.5 dB(典型值) 输入线性度o0.1 dB压缩(P0.1dB):24 dBm(典型值)o三阶交调点(IP3):40 dBm(典型值) 功率处理:27 dBm 双电源供电:±5 V CMOS/TTL兼容并行控制 24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装HMC939ATCPZ-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准) 下载HMC939ATCPZ-EP数据手册(pdf) 军用温度范围:-55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 产品详情 HMC939ALP4E是一款5位数字衰减器,以1 dB步长提供31 dB的衰减控制范围。HMC939ALP4E在100 MHz至33 GHz的指定频率范围内提供最佳的插入损耗、衰减精度和输入线性度。HMC939ALP4E需要VDD = +5 V和VSS = −5 V双电源电压供电,通过集成片内驱动器提供CMOS/TTL兼容并行控制接口。该器件采用符合RoHS标准的紧凑型4 mm × 4 mm LFCSP封装。有关HMC939ALP4E的裸片版本,请参见HMC939A-DIE。应用 测试仪器仪表 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT) 军...
发表于 02-22 12:16 63次 阅读
HMC939ALP4E 1.0 dB LSB GaAs MMIC 5位数字衰减器,0.1 - 33 GHz

ADL5367 900 MHz 平衡混频器,内置高端本振(LO)缓冲器和RF巴伦

和特点 功率转换损耗:7.0 dB RF频率范围:500 MHz至1500 MHz IF频率范围:DC至450 MHz 10 dBm阻塞单边带噪声指数:17 dB 输入IP3:37 dBm 输入P1dB :25 dBm 本振驱动:0 dBm(典型值) 单端50Ω RF与本振输入端口 高隔离度单刀双掷(SPDT)本振输入开关 单电源电压:3.3至5 V 5 mm × 5 mm,20引脚裸露焊盘LFCSP封装 2000V HBM / 500V FICDM ESD性能产品详情 ADI参考设计:混合信号数字预失真(MSDPD)平台ADL5367利用一个高线性度双平衡无源混频器内核以及集成的RF与本振平衡电路来实现单端工作。ADL5367内置一个RF巴伦,能够利用高端本振注入,在700至1000 MHz的RF输入频率范围内实现最佳性能。(用于低端本振注入的引脚兼容器件也已供应。)平衡的无源混频器提供良好的本振至射频泄漏(典型值优于-20 dBm),以及出色的互调性能。在手机应用中,带内阻塞信号可能会导致动态性能下降,ADL5367的平衡混频器内核能够提供极高的输入线性度,非常适合于要求严苛的手机应用。对于低压应用,ADL5367能在低至3V的电压下工作,并大幅降低直流电流。两个数字逻辑输入使得用户能够控制一个内部电阻串数模...
发表于 02-22 12:16 66次 阅读
ADL5367 900 MHz 平衡混频器,内置高端本振(LO)缓冲器和RF巴伦

AD8346 2.5 GHz 直接变频正交调制器

和特点 输出频率范围:800 MHz至2.5 GHz I/Q基带频率范围:DC至70 MHz 输出功率:–3 dBm P1 dB 本底噪声:–147 dBm/Hz 正交相位精度:1°(均方根值) 振幅平衡:0.2 dB 低功耗,具有省电功能 2.7 V至5.5 V单电源 与 AD8345 / AD8349引脚兼容 产品详情 AD8346是一款硅I/Q正交调制器,设计用于800 MHz至2.5 GHz频率范围。该器件针对低功耗应用进行了优化,对于给定的电源电流,仍能提供极低的本底噪声和高输出功率。AD8346只需要–10 dBm LO驱动电平,提供额定50 Ω缓冲输出。该器件可提供出色的振幅和相位平衡以及边带抑制特性,支持高阶/高容量QAM调制无线电。此外,AD8346已经过测试,用于直接上变频CDMA IS95调试器时,可提供–72dBc ACPR。AD8346采用16引脚超薄紧缩小型(TSSOP)封装,额定温度范围为–40°C至+85°C。供货提供样片和评估板,产品型号分别为AD8346ARU和AD8346-EVAL。其它调制器/解调器产品AD8345 - 250MHz - 1GHz RF / IF正交调制器AD8347 – 800MHz - 2.7 GHz RF / IF正交解调器AD8349 – 800MHz - 2.7 GHz直接上变频正交调制器 方框图...
发表于 02-22 12:15 6次 阅读
AD8346 2.5 GHz 直接变频正交调制器

HMC1040-DIE 20 GHz 至 44 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器

和特点 低噪声指数:2 dB(典型值) 高增益:25.0 dB(典型值) P1dB 输出功率:13.5 dBm,24 GHz 至 40 GHz 高输出 IP3:25.5 dBm(典型值) 裸片尺寸:1.309 mm × 1.48 × 0.102 mm 产品详情 HMC1040CHIPS 是一款砷化镓 (GaAs)、赝晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、微波单片集成电路 (MMIC) 低噪声宽带放大器,工作范围为 20 GHz 至 44 GHz。HMC1040CHIPS 具有自偏置功能,并提供 25.0 dB 的典型增益、2 dB 的典型噪声指数和 25.5 dBm 的典型输出三阶交调点 (IP3),只需要 65 mA 电流,2.5 V 电源电压。15.5 dBm 的典型饱和输出功率 (PSAT) 可以使低噪声放大器 (LNA) 用作 Analog Devices, Inc. 众多平衡式同样正交 (I/Q) 或镜频抑制混频器的本地振荡器 (LO) 驱动器。HMC1040CHIPS 还具有可在内部匹配至 50 Ω 的输入和输出,使其适用于基于表面安装技术 (SMT) 的高容量微波无线电应用。应用 软件定义无线电 电子战 雷达应用 卫星通信 电子战 仪器仪表 电信 方框图...
发表于 02-22 12:14 10次 阅读
HMC1040-DIE 20 GHz 至 44 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器

ADL5541 射频/中频( RF/IF)增益模块,工作频率50 MHz 至6 GHz ,增益15 dB

和特点 固定增益:15 dB 工作频率:6 GHz 内部匹配的50Ω输入/输出电阻 内置偏置控制电路 输出IP3 44 dBm @ 500 MHz 40 dBm @ 900 MHz 输出1 dB压缩点:19.7 dBm @900 MHz 噪声系数:3.5 dB @ 900 MHz 单电源供电:5V 8引脚LFCSP小尺寸封装 与20 dB增益的ADL5542 引脚兼容 1 kV静电放电(ESD)保护(Class 1C) 产品详情 ADL5541是一款15 dB宽带的线性放大器,工作频率高达6 GHz。该放大器可以用于各种有线电视、手机以及仪器设备。 ADL5541可以提供15 dB增益,在频率、温度与电源范围内稳定工作, 器件一致性好。该增益模块内部匹配输入电阻为50Ω,在6 GHz以内其输入回波损耗为10 dB以下。它工作时只要求输入/输出交流耦合电容器、电源去耦合电容器以及外部电感。 ADL5541采用InGaP HBT工艺制作,静电放电(ESD)保护额定值为1 kV (Class 1C)。它采用3 mm × 3 mm LFCSP封装,带裸露焊盘,具有出色的热阻性能。 ADL5541采用5 V单电源供电,功耗90 mA,工作温度范围:-40°C至+85°C。 现在可以供应完全符合RoHS标准的评估板。 ADL5542为系列产品,可提供增益20 dB,与ADL55...
发表于 02-22 12:14 38次 阅读
ADL5541 射频/中频( RF/IF)增益模块,工作频率50 MHz 至6 GHz ,增益15 dB

AD8341 RF矢量调制器,1.5 GHz 至2.4 GHz

和特点 工作频率范围:1.5 GHz至2.4 GHz 幅度控制范围:30 dB 笛卡尔I/Q基带频率范围:DC至230 MHz 输出三阶交调截点:+17.5 dBm 相位控制范围:360° 输出1dB压缩点:+8.5 dBm 输出开关禁用功能 5V单电源 与AD8340引脚兼容 产品详情 单芯片RF振幅与移相器AD8341是一款高性能RF矢量调制器,输入频率范围为1.5 GHz至2.4 GHz,可连续、独立地调整振幅和相位。通过宽带笛卡尔I/Q接口,可实现完整的360°相位调整和30 dB以上的增益控制。I和Q接口提供230 MHz的全功率信号带宽,可通过单端或差分方式驱动,具有±500 mV满量程输入。AD8341采用24引脚LFCSP封装,额定温度范围为–40°C至+85°C。供货提供样片和评估板,产品型号分别为AD8341ACP和AD8341-EVAL。同类产品AD8302 - 低频至2.7 GHz RF/IF增益相位检波器AD8340 - RF矢量调制器,700 MHz至1000 MHz其它调制器/解调器产品AD8345 - 250 MHz至1000 MHz低噪声RF/IF调制器AD8346 - 800 MHz至2.5 GHz低功耗直接上变频调制器AD8347 - 800 MHz至2.7 GHz直接变频解调器AD8348 - 50 MHz至1000 MHz RF/IF正交解调器AD...
发表于 02-22 12:13 0次 阅读
AD8341 RF矢量调制器,1.5 GHz 至2.4 GHz

ADL6010 快速响应、45 dB 范围、 0.5 至 40 GHz 功率检波器

和特点 具有线性度的肖特基二极管检波器 宽带50 Ω输入阻抗 具有最小斜率变化的精确响应范围:0.5 GHz至43.5 GHz 输入范围:−30 dBm至+15 dBm,参考50 Ω 出色的温度稳定性 2.1 V/VPEAK(输出电压根据输入峰值电压)斜率(10 GHz) 快速包络带宽: 40 MHz 快速输出上升时间: 4 ns 低功耗: 1.6 mA (5.0 V) 2 mm x 2 mm、6引脚LFCSP封装 产品详情 ADL6010是一款多功能微波频谱宽带包络检波器, 以单个易于使用的6引脚封装提供一流的精度和极低的功耗(8 mW)。 该器件输出的基带电压与射频(RF)输入信号的瞬时幅度成正比。 它的RF输入具有非常小的斜率变化,以便包络从0.5 GHz到43.5 GHz的输出传递函数检波器单元使用专利的八肖特基二极管阵列,后接新颖的线性化电路,可创建相对于输入电压幅度,总比例因子(或传递增益)标称值为?2.2的线性电压表虽然ADL6010本质上并不是一款功率响应器件,但以这种方式指定输入依然是很方便的。 因此,相对于50 Ω源输入阻抗,允许的输入功率范围为−30 dBm至+15 dBm。 对应的输入电压幅度为11.2 mV至1.8 V,产生范围从25 mV左右到4 V以上共模(COMM)的准直流输出。平衡检波器拓扑...
发表于 02-22 12:12 59次 阅读
ADL6010 快速响应、45 dB 范围、 0.5 至 40 GHz 功率检波器

HMC253AQS24 GAAS MMIC SP8T非反射式开关,DC - 2.5 GHz

和特点 低插入损耗(2 GHz):1.1dB 单正电源:Vdd = +5V 集成式3:8 TTL解码器 24引脚QSOP封装 产品详情 HMC253AQS24和HMC253AQS24E均为低成本非反射SP8T开关,采用24引脚QSOP封装,宽带工作频率范围为DC至2.5 GHz。该开关提供单正偏置和真TTL/CMOS兼容性。该开关上集成了3:8解码器,仅需三个控制线和一个正偏置即可选择每个路径。HMC253AQS24和HMC253AQS24E SP8T将替代SP4T和SPDT MMIC开关的多种配置。应用 CATV/DBS CDMA 蜂窝/PCS 方框图...
发表于 02-22 12:10 78次 阅读
HMC253AQS24 GAAS MMIC SP8T非反射式开关,DC - 2.5 GHz

HMC647A GaAs MMIC 6位数字移相器,2.5-3.1 GHz

和特点 低RMS相位误差: 1.5° 低插入损耗: 4 dB 高线性度: +50 dBm 正控制逻辑 360°覆盖,LSB = 5.625° 28引脚QFN无引脚SMT封装: 36mm2产品详情 HMC647ALP6E是一款6位数字移相器,额定频率范围为2.5至3.1 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC647ALP6E在所有相态具有1.5度的极低RMS相位误差及±0.4 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/+5V的正控制逻辑控制。HMC647ALP6E采用紧凑型6x6 mm塑料无引脚SMT封装,内部匹配50 Ohms,无需任何外部元件。 应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消 方框图...
发表于 02-22 12:07 49次 阅读
HMC647A GaAs MMIC 6位数字移相器,2.5-3.1 GHz

ADMV1011 17 GHz至24 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上变频器

和特点 RF输出频率范围:17 GHz至24 GHz IF输入频率范围:2 GHz至4 GHz LO输入频率范围:8GHz至12 GHz,集成2×乘法器 边带抑制:32 dB(下边带) P1dB:25 dBm 增益调节:30 dB 输出IP3:33 dBm 匹配50 Ω RF输出、LO输入和IF输入 32引脚、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装 产品详情 ADMV1011是一款采用紧凑的砷化镓(GaAs)设计、单芯片微波集成电路(MMIC)、双边带(DSB)上变频器,采用符合RoHS标准的封装,针对工作频率范围为17 GHz至24 GHz的点对点微波无线电设计进行优化。ADMV1011提供21 dB的转换增益,具有针对下边带和上边带的32 dBc和23 dBc边带抑制性能。ADMV1011采用射频(RF)放大器,前接由驱动放大器驱动集成2×乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)双平衡混频器。还提供IF1和IF2混频器输入,需通过外部90°混合选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带的滤波要求。ADMV1011为混合型DSB上变频器的小型替代器件,它无需线焊,可以使用表贴制造装配。ADMV1011上变频器采用紧凑的散热增强型、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装。ADMV1011工作温度范围为−40°C至+85°...
发表于 02-22 12:06 67次 阅读
ADMV1011 17 GHz至24 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上变频器

AD8343 DC至2.5 GHz 、高IP3有源混频器

和特点 高性能有源混频器 宽带操作,频率最高达2.5 GHz 转换增益:7 dB 输入IP3:16.5 dBm LO驱动:–10 dBm 噪声系数:14 dB 输入P1dB:2.8 dBm 差分LO、IF和RF端口 50 Ω LO输入阻抗 单电源供电:5 V(50 mA,典型值) 省电模式:20 µA(典型值)产品详情 AD8343是一款高性能、宽带有源混频器,具有极低交调失真,所有端口均具有宽带宽,非常适合要求严格的发射应用或接收通道应用。AD8343的典型变频增益为7 dB。集成的LO驱动器以低LO驱动电平,支持50 Ω差分输入阻抗,有助于将外部元件数降至最少。开发差分输入可以直接与差分滤波器接口,或通过平衡-不平衡变换器(变压器)驱动,由单端源提供平衡驱动。开集差分输出可以用来驱动差分中频信号接口,或通过匹配网络或变压器转换为单端信号。以VPOS电源电压为中心时,输出摆幅为±1 V。LO驱动器电路的典型功耗为15 mA。可利用两个外部电阻来设置混频器内核电流,以达到要求的性能,总电流为20 mA至60 mA。采用5 V单电源供电时,相应的功耗为100 mW至300 mW。AD8343采用ADI公司的高性能25 GHz硅双极性IC工艺制造,提供14引脚TSSOP封装,工作温度范围为−...
发表于 02-22 12:06 43次 阅读
AD8343 DC至2.5 GHz 、高IP3有源混频器

ADF7023 高性能、低功耗ISM频段FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收发器IC

和特点 超低功耗、高性能收发器 工作频段862 MHz至928 MHz431 MHz至464 MHz 支持的数据速率:1 kbps至300 kbps 电源电压范围:2.2 V至3.6 V 单端和差分PA 中频带宽可编程的低中频接收机:100 kHz、150 kHz、200 kHz、300 kHz 接收机灵敏度(BER)−116 dBm(1.0 kbps,2FSK、GFSK)−107.5 dBm(38.4 kbps,2FSK、GFSK)−102.5 dBm(150 kbps,GFSK、GMSK)−100 dBm(300 kbps,GFSK、GMS)−104 dBm(19.2 kbps,OOK) 极低功耗 RF输出功率范围:−20 dBm至+13.5 dBm(单端PA) 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情 ADF7023是一款工作在862 MHz至931 MHz和431 MHz至464 MHz频段的极低功耗、高集成度2FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收发器,这些频段覆盖免许可的433MHz、868MHz和915MHz ISM频段。它适合欧洲ETSI EN300-220、北美FCC (Part 15)、中国短程无线监管标准或其它类似地区标准下的电路应用。支持1 kbps至300 kbps的数据速率。发射RF频率合成器包含一个VCO和一个输出通道频率分辨率为400 Hz的低噪声小数N分频锁相环(PLL)。VCO的工作频...
发表于 02-22 12:06 60次 阅读
ADF7023 高性能、低功耗ISM频段FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收发器IC

HMC-C584 0.1 GHz至40 GHz、31 dB、5位数字衰减器

和特点 1.0 dB LSB步进至31 dB 每位单正控制线 误码率:±1.0 dB(典型值) 输入IP3: 43 dBm CMOS兼容控制 密封模块 可现场更换的K型连接器 工作温度: -55℃至+85℃ 产品详情 HMC-C584是一款0.1 GHz至40 GHz、5位、砷化镓(GaAs) IC数字衰减器,封装在微型密封模块中。 这款宽带衰减器具有7 dB的典型插入损耗和43 dBm的输入IP3,位值为1 dB (LSB)、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB,总衰减范围为31 dB。 该器件的衰减精度很高,典型步长误差为±1.0 dB。 五个控制电压输入在0 V和5 V之间切换,用于选择每个衰减状态。 可移除的K型连接器可以拆卸,以便将模块的输入/输出引脚直接连接到微带或共面电路。应用 光纤和宽带电信 微波无线电和VSAT 军用无线电、雷达和电子对抗(ECM) 空间系统 测试仪器仪表 方框图...
发表于 02-22 12:06 54次 阅读
HMC-C584 0.1 GHz至40 GHz、31 dB、5位数字衰减器

ADRF6601 750 MHz至1160 MHz接收混频器,集成小数N分频PLL和VCO

和特点 集成小数N分频PLL的接收混频器 RF输入频率范围:300 MHz至2500 MHz 内部LO频率范围:750 MHz至1160 MHz 输入P1dB:14.5 dBm 输入IP3:31 dBm 通过外部引脚优化IIP3 SSB噪声系数IP3SET引脚断开:13.5 dBIP3SET引脚接3.3 V电压:14.6 dB 电压转换增益:6.7 dB 200 Ω IF输出匹配阻抗 IF 3 dB带宽:500 MHz 可通过三线式SPI接口进行编程 40引脚、6 mm × 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6601是一款高动态范围有源混频器,集成锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO)。PLL/频率合成器利用小数N分频PLL产生fLO输入,供给混频器。基准输入可以进行分频或倍频,然后施加于PLL鉴频鉴相器(PFD)。PLL支持12 MHz至160 MHz范围内的输入基准频率。PFD输出控制一个电荷泵,其输出驱动一个片外环路滤波器。然后,环路滤波器输出施加于一个集成式VCO。VCO输出(2 × fLO)再施加于一个LO分频器和一个可编程PLL分频器。可编程PLL分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在1至2047范围内编程。有源混频器可将单端50 Ω RF输入转换为200 Ω差分IF输出。...
发表于 02-22 12:06 72次 阅读
ADRF6601 750 MHz至1160 MHz接收混频器,集成小数N分频PLL和VCO

ADRF6720-27 宽带(400 MHz至3 GHz)正交调制器,集成PLL/VCO和2.68 V输入偏置

和特点 集成小数N分频PLL的I/Q调制器 RF输出频率范围: 400 MHz至3,000 MHz 内部LO频率范围: 356.25 MHz至2855 MHz 输出P1dB: 10.8 dBm (2140 MHz) 输出IP3: 31.1 dBm (2140 MHz) 载波馈通: −44.3 dBm (2140 MHz) 边带抑制: -40.8 dBc(2,140 MHz) 噪底: −159.5 dBm/Hz (2140 MHz) 基带1 dB调制带宽: >1000 MHz 基带输入偏置电平: 2.68 V 电源: 3.3 V /425 mA 集成式RF可调谐巴伦,允许单端RF输出 多核集成式VCO HD3/IP3优化 边带抑制和载波馈通优化 高端/低端LO注入 可通过三线式串行端口接口(SPI)进行编程 40引脚6 mm x 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6720-27是一款集成频率合成器的宽带正交调制器,非常适合用于3G和4G通信系统。 ADRF6720-27内置一个高线性度宽带调制器、一个集成式小数N分频锁相环(PLL),以及四个低相位噪声多核压控振荡器(VCO)。 ADRF6720-27本振(LO)信号可从内部通过片内整数N分频或小数N分频频率合成器产生,也可从外部通过高频、低相位噪声LO信号产生。 内部集成式频率合成器利用多核VCO,实现356.25 MHz到28...
发表于 02-22 12:06 55次 阅读
ADRF6720-27 宽带(400 MHz至3 GHz)正交调制器,集成PLL/VCO和2.68 V输入偏置

ADRF6658 集成IF放大器的宽带双通道RX混频器

和特点 宽带、双通道、有源下变频混频器 低失真、快速建立、IF DGA RF输入频率范围:690 MHz至3.8 GHz RF输入端的可编程巴伦 差分和单端LO输入模式 差分IF输出阻抗:100 Ω 可通过三线式串行端口接口(SPI)进行编程 对于RF=1950 MHz、IF=281 MHz、高线性度模式: 电压转换增益,包括IF滤波器损耗:−5至+26.5 dB (更多详细信息,请参见数据手册) 灵活的省电模式,针对低功耗操作 通道使能后的上电时间:100 ns,典型值 3.3 V单电源 高线性度模式:440 mA 低功耗模式:260 mA 产品详情 ADRF6658是一款高性能、低功耗、宽带、双通道无线电频率(RF)下变频器,集成中频(IF)数字控制放大器(DGA),适用于宽带、低失真基站无线电接收机。 双通道Rx混频器为双平衡吉尔伯特单元混频器,具有高线性度和出色的图像抑制能力。 两款混频器均可将50 Ω RF输入转换为开集宽带IF输出。 在混频器输入前,RF输入端的内部可调谐巴伦可抑制RF信号谐波并衰减带外信号,从而减少输入反射和带外干扰信号。 灵活的本振(LO)架构允许使用差分或单端LO信号。 双通道IF DGA基于ADL5201和ADL5202,固定差分输出...
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ADRF6658 集成IF放大器的宽带双通道RX混频器

HMC6300 60 GHz毫米波发射器,57 GHz - 64 GHz

和特点 频段:57 - 64 GHz RF信号带宽:最高达1.8 GHz 针对1 dB压缩的输出功率:15 dBm 增益:5 - 35 dB 数字和模拟RF和IF增益控制 集成频率合成器 集成镜像抑制滤波器 部分外置的环路滤波器 支持外部LO 片内温度传感器 支持256-QAM调制 集成MSK调制器 通用模拟I/Q基带接口 三线式串行数字接口 符合RoHS标准的65引脚晶圆级球栅阵列封装 产品详情 HMC6300BG46是一款完整的毫米波发射器集成电路,采用符合RoHS标准的6 mm x 4 mm晶圆级球栅阵列(WLBGA)封装,工作频率范围为57 GHz至64 GHz,调制带宽高达1.8 GHz。集成式频率合成器在250、500或540 MHz步长下进行调谐,具有出色的相位噪声,支持高达64-QAM的调制。或者,可以注入外部LO,它支持用户可选LO特性或相位相干发射和接收操作以及高达256-QAM的调制。通过通用模拟基带IQ接口提供对各种调制格式的支持。发射器芯片还支持专用FSK、MSK、OOK调制格式,从而实现更低成本和功耗的串行数据链路,而无需使用高速数据转换器。差分输出向100 Ω负载提供高达15 dBm的线性输出功率。同时支持单端操作,最高12 dBm。与HMC6301BG46一起,完整的60 G...
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HMC6300 60 GHz毫米波发射器,57 GHz - 64 GHz