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自主可控不是口号,中国电子展有话说

2018-10-24 14:12 次阅读

虽然中兴事件得以平息,但代价太大了。是什么卡住了我们的脖子而必须接受那些苛刻的条件?一句话,我国在关键电子元器件尤其是高端芯片的研发、生产、制造领域长期无法自主可控。

国产电子元器件的发展现状

根据海关统计,2017年中国集成电路进口量高达3770亿块,同比增长10.1%;进口金额2601亿美元,同比增长14.6%。今年1到6月份,整个半导体行业的进口额,集成电路约为1467亿美元,同比增长32%。作为全球最大的消费市场,我国在电子元器件上进口依赖严重。其中集成电路的进口额最大,尤其是高端芯片,国产芯片的市场占有率几乎可以忽略不计。

自主可控不是口号,中国电子展有话说

图1 核心集成电路中国产芯片的占有率情况

图片来源:清华大学魏少军教授在2017 IC China的演讲

从细分市场看,2013年和2014年我国集成电路芯片进口额最高的前两位均为微处理器/控制器及存储器,特别是微处理器/控制器约占集成电路进口额的一半。而计算机系统中的核心芯片MPU、通用电子系统中的FPGADSP、通信设备中的嵌入式MPU和DSP,以及DRAM和NAND Flash等存储芯片,在这些核心芯片领域,均是我们最薄弱的环节。时间已经过去几年,虽然我们没有看到最新的分类统计数据,相信总体情况不会有太大改变。

自主可控不是口号,中国电子展有话说

图2 2013年和2014年,微处理器/控制器及存储器高居芯片进口额的前两位

图片来源:清华大学魏少军教授在2017 IC China的演讲

在IC Insight公布的2017年全球前十大无晶圆IC设计公司中,中国的海思和紫光集团(包含紫光展锐)跻身其中,标志着我国在IC设计领域已经取得突破。不过,虽然海思、紫光展锐在移动通信应用处理器、通信芯片等领域有了长足进步,要实现核心元器件的自给自足还有很长的路要走。从目前产业发展整体情况看,我国所需核心芯片主要依赖进口的局面并没有较大改观。

自主可控不是口号,中国电子展有话说

图3 全球前十大无晶圆IC设计公司中,中国的海思和紫光集团位列其中

在模拟芯片、功率半导体、被动元器件领域,矽力杰、圣邦股份、扬杰科技、士兰微,以及中国电子元件百强企业风华高科、顺络电子、宁波松乐、蚌埠双环、四川永星、沈阳兴华航空、中航光电、福建火炬、贵州航天电器、陕西华星等是元器件自主可控的主力军,他们从通信、汽车、工控、消费、军工等领域入手,不断加快产品研发和生产工艺技术升级的步伐。其中,中国电子展的忠实拥趸中航光电的专利发明数达到284项,专攻连接器、开关、插座、端子的贵州航天电器的专利数为92项,这两家企业分列中国电子元件百强专利水平排名前十。

自主可控是产业发展的根基

今年3月份,美国全面打响了全球贸易战的第一枪。在中美贸易摩擦不断的今天,半导体产业首当其冲成为争端的焦点。只有实现真正的自主可控才能在市场中赢得话语权,凸显了高端芯片研发和制造能力的重要性。据公开数据,国家集成电路产业投资基金(基金)自2014年9月成立至2017年底,一期募集资金达到1387亿元,项目数量超过62个,涉及上市公司24家,投资范围涵盖集成电路产业上下游,在制造、设计、封测、设备材料等产业链各环节均有不同比例的投资。中国在大力发展高端芯片的自主可控道路上正在有条不紊地推进。

自主可控不是口号,中国电子展有话说

分立器件在全球半导体市场中的地位非常奇特。若以市场占比来计算,分立器件只占到6%左右份额。然而分立器件又是所有电子设备和系统中不可或缺的一部分,尤其是在军工、航空航天领域,一颗小小的分立器件的失效就可能引发一场大事故。

我国在模拟芯片和分立器件上一直保持较高的投入,尤其是在军工、航空航天等领域,国产化率相对较高。但是,若从整个产业来看,2016年中国分立器件进口金额为278.6亿美元,出口金额为266.5亿美元,离真正的自主可控还有很远的路要走,尤其是在IGBT等高端分立器件领域,中国企业仍处在较为落后的地位。

技术水平只是产品的一个方面,供货能力受制于人同样是我们需要面对的另一个问题。持续近两年的MLCC电容缺货潮,让不计其数的中国整机企业很受伤。电容在分立器件中占有重要地位,有数据表明,它的市场规模甚至超过全球被动元件的一半还多。这个市场中主要被村田、国巨、太阳诱电、TDK等企业垄断。国内的宇阳科技、风华高科虽已具备较强的技术能力,但与行业巨头们的相比还需进一步加强实力。

近年来,国家对于信息安全问题的重视可谓空前,从软件到硬件,保障信息安全逐渐切入到核心,那就是核心器件的国产化。在此过程中,只有做到知识产权自主可控、发展自主可控、供应链自主可控、制造自主可控,我们的产业发展才有了根基。

CEF是电子元器件自主可控企业合作交流的主场

中国电子展(CEF)是一家拥有50多年历史的电子行业专业展会,是展览行业的国家队,电子元器件及其相关产业链一直是展会展示的重点。军民融合展区更是我国电子元器件自主可控企业的集中展示和合作交流的平台。即将于2018年10月31日--11月2日在上海新国际博览中心举办的第92届中国电子展,恰逢中美贸易摩擦不断升温之时,电子元器件的自主可控势必成为整个行业关注的焦点。本届展会的军民融合展区汇聚了超过160余家长期坚持走自主可控之路的国内电子元器件领军企业,由福建火炬、北京航天微电、北方华创、七星华创微波电子、北京元六鸿远、贝迪斯电子、成都天奥、广东风华邦科、贵阳顺络、贵州航天电器、福建欧中、陕西华星、中电科第三十三研究所、中电科第三十二研究所、中电科第三十八研究所、天津飞腾、深圳振华等部分中国电子元件百强企业及其行业领军企业组成的豪华参展阵容所带来的参展产品将是本届展会最大看点之一。

自主可控不是口号,中国电子展有话说

位于我国三大电子元器件生产基地之一陕西省咸阳市的华星电子,生产的各类线绕电阻器早已用于载人航天发射系统、航空发动机等关键系统;四川永星的电阻器、电位器、传感器、微波元件等产品广泛运用于广电网络、移动通信、风力发电、自动化设备、轨道交通、新能源汽车等领域;东芯半导体是目前国内唯一可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片无晶圆企业,在中小容量NAND,NOR闪存市场占有一席之地,产品则早已用于路由器、网络摄像机等系统中。

常州同惠是中国测试测量行业的开拓者,它不仅打破了国外仪器厂商在国内的垄断,公司的测试方案在新能源、电动汽车等行业均占有重要地位。

元器件自主可控离不开制造业的强大支撑。中电科第三十八研究所在行业中素有中国军工电子“国家队”的美誉,展会期间将首发一款全新的高端无损检测装备——超级针X射线成像系统。该系统采用独特的超级针电子源发射技术自主研制微焦点X射线成像系统,它的问世将有力推动芯片封装质量的显著提升,对集成电路制造行业意义非凡。

完备的供应链是产业健康发展的保障。这一点恰恰是中国电子展的优势之一。不仅展示的产品覆盖了电子信息全产业链,在展会现场重点打造的一系列连接电子信息产业供应链的活动,如一对一采购洽谈会、高端买家亲临展会现场并现场签订合作意向、新产品新技术发布等,必将助力产业供应链的健康发展。

中国电子展主办方中国电子器材有限公司总经理陈雯海表示:“现在,电子元器件已成为大国博弈的焦点,核心元器件的自主可控是产业发展的根基。中国电子展长期致力于服务中国电子制造业,服务于实体经济。我们时刻牢记肩负的使命,无论市场如何变幻,始终坚持

自主可控是产业发展的基石这一信念,为供需双方搭建一个面对面交流的平台。可以说,服务于自主可控的上下游企业是中国电子展的使命。这也是经过几十年的发展和探索,中国电子展逐步形成的最鲜明的特色。”

中兴事件是为我们敲响了一记警钟,科技立国必须自主可控。电子元器件的自主可控是刻不容缓的大事情。中国电子展上没有眩目的首发新车,也没有令人仰止的超大型机器人,虽然这里展示的都是电子信息行业最基础、最核心的元器件,但这里并不缺乏热点。现在我们可以说,经过几十年的发展和积累,在市场竞争越来越激烈的今天,中国电子展始终立于不败之地的最大秘密,就是坚持为中国的电子元器件行业的自主可控代言,为夯实行业发展的根基站台。

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这四个原因,让台湾拥有了世界级的半导体企业!

半导体集成电路的三个经典问题资料说明

本文档的主要内容详细介绍的是半导体集成电路的三个经典问题资料说明包括了:1.名词解释:隐埋层,寄生晶....
发表于 03-15 08:00 77次 阅读
半导体集成电路的三个经典问题资料说明

L6562校正控制器芯片的中文数据手册免费下载

L6562是一种电流模式pfc控制器,用于过渡模式。 (TM)。 与L 6561相比,它提供了更好的....
发表于 03-15 08:00 38次 阅读
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AD53509G 单芯片、高性能驱动器/比较器有源负载

和特点 产品详情 AD53509是一款单芯片器件,用于在ATE VLSI和存储器测试仪中执行驱动器、比较器和有源负载的引脚电子功能。此外,它还内置一个用于有源负载的肖特基二极管桥和一个VCOM缓冲器。 驱动器采用专有设计,提供三种有源状态:数据高电平状态、数据低电平状态和期限状态,以及一种抑制状态。输出电压范围为−2 V至+7 V,支持多种测试设备。整个信号范围内的输出漏电流典型值小于250 nA。 双通道比较器的输入范围与驱动器输出范围相同,内置锁存器并提供ECL兼容型输出。输出能够驱动端接到−2 V电压的50 Ω信号线路。信号跟踪能力大于>5 V/ns。有源负载可以用来提供最高40 mA的负载电流,整个设置范围内的线性度误差小于10 μA。IOH、IOL和缓冲VCOM均可独立调整。片上肖特基二极管具有高速开关和低电容特性。 片内还集成温度传感器,其作用是指示DCL的表面温度。可以利用此信息来测量θJC和θJA,或者在失去正常冷却功能时提示报警。传感器输出是一个与绝对温度成比例的吸电流。增益被调整到1.0 μA/K的标称值。例如,可以利用一个连接在10 V电压与THERM引脚之间的10 kΩ电阻来检测输出电流。该电阻上的压降为...
发表于 02-22 12:31 0次 阅读
AD53509G 单芯片、高性能驱动器/比较器有源负载

ADATE305 250 MHz双通道集成DCL,提供电平设置DAC、单引脚PMU和单芯片(Per Chip) VHH功能

和特点 驱动器欲了解更多信息,请参考数据手册比较器窗口和差分比较器输入等效带宽:500 MHz负载最大±12 mA电流能力单引脚PMU欲了解更多信息,请参考数据手册电平欲了解更多信息,请参考数据手册HVOUT输出缓冲器输出范围:0 V至13.5 V100引脚14 mm × 14 mm TQFP_EP封装功耗:每通道900 mW(空载) 产品详情 ADATE305是一款完整的单芯片解决方案,用于在ATE应用中执行驱动器、比较器和有源负载(DCL)、单引脚(Per Pin) PMU、直流电平的引脚电子功能。它还内置一个HVOUT驱动器和VHH缓冲器,能够产生最高13.5 V的电压。驱动器提供三种有源状态:数据高电平状态、数据低电平状态和期限状态,以及一种抑制状态。抑制状态与集成动态箝位一起使用时,有利于实现高速有源端接。通过调整正负电源电压,ADATE305支持两种输出电压范围:−2.0 V至+6.0 V和−1.5 V至+6.0 V。ADATE305既可以用作双单端驱动/接收通道,也可以用作单差分驱动/接收通道。每个通道都提供用于功能测试的高速窗口比较器,以及带FV/FI和MV/MI功能的单引脚PMU。DCL功能所需的全部直流电平都由片内14位DAC产生。单引脚PMU具有一...
发表于 02-22 12:31 16次 阅读
ADATE305 250 MHz双通道集成DCL,提供电平设置DAC、单引脚PMU和单芯片(Per Chip) VHH功能

ADATE304 200 MHz双通道集成DCL,提供电平设置DAC、单引脚PMU和单芯片(Per Chip) VHH功能

和特点 驱动器3电平驱动器,提供高阻态模式和内置箝位电路精密调整的输出电阻低泄漏模式:<10 nA(典型值)电压范围:−2.0 V至+6.0 V脉冲宽带:2.4 ns(最小值),2 V端接比较器窗口和差分比较器输入等效带宽:500 MHz负载最大±12 mA电流能力单引脚PMU驱动电压范围:−2.0 V至+6.0 V5种电流范围:32 mA、2 mA、200 µA、20 µA、2 µA电平14位DAC提供DCL电平校准的INL典型值小于±5 mV16位DAC提供PMU电平FV模式下校准的INL线性度典型值小于±1.5 mVHVOUT输出缓冲器输出范围:0 V至13.5 V84引脚、9 mm × 9 mm倒装芯片BGA封装 功耗:每通道900 mW(空载) 产品详情 ADATE304是一款完整的单芯片解决方案,用于在ATE应用中执行驱动器、比较器和有源负载(DCL)、单引脚(Per Pin) PMU、直流电平的引脚电子功能。它还内置一个HVOUT驱动器和VHH缓冲器,能够产生最高13.5 V的电压。驱动器提供三种有源状态:数据高电平状态、数据低电平状态和期限状态,以及一种抑制状态。抑制状态与集成动态箝位一起使用时,有利于实现高速有源端接。通过调整正负电源电压,ADATE304支持两种输出电压范围:...
发表于 02-22 12:31 29次 阅读
ADATE304 200 MHz双通道集成DCL,提供电平设置DAC、单引脚PMU和单芯片(Per Chip) VHH功能

LTC2942-1 具内部检测电阻器和温度/电压测量功能的 1A 电池电量测量芯片

和特点 可指示累积的电池充电和放电电量 SMBus/I2C 接口 集成 50mΩ 高端检测电阻器 ±1A 检测电流范围 高准确度模拟积分 ADC 负责测量电池电压和温度 集成化温度传感器 1% 电压和充电准确度 可配置报警输出/充电完成输入 2.7V 至 5.5V 工作范围 静态电流小于 100μA 小外形 6 引脚 2mm x 3mm DFN 封装 产品详情 LTC®2942-1 可测量手持式 PC 和便携式产品应用中的电池充电状态、电池电压和芯片温度。其工作范围非常适合于单节锂离子电池。一个精准的库仑计量器负责对流经位于电池正端子和负载或充电器之间的一个检测电阻器的电流进行积分运算。电池电压和片内温度利用一个内部 14 位无延迟增量累加 (No Latency ΔΣ™) ADC 来测量。所测量的三种物理参数值 (电荷、电压和温度) 被存储于可通过板上 SMBus/I2C 接口进行存取的内部寄存器中。 LTC2942-1 具有针对所有三种测量物理量的可编程高门限和低门限。如果超过了某个编程门限,则该器件将采用 SMBus 报警协议或通过在内部状态寄存器中设定一个标记来传送一个报警信号。 集成检测电阻 LTC2942 否 LTC2942-1 是 应用 低功率手持式产品 蜂窝电话 M...
发表于 02-22 12:23 0次 阅读
LTC2942-1 具内部检测电阻器和温度/电压测量功能的 1A 电池电量测量芯片

HMC655-DIE 固定、6 dB无源衰减器芯片,DC - 50 GHz

和特点 宽带宽: DC - 50 GHz 9款衰减器产品:固定电平:0、2、3、4、6、10、15和20 dB 功率处理: +25 dBm HMC651和HMC658裸片尺寸: 0.57 x 0.45 x 0.1 mm HMC650, HMC652, HMC653, HMC654, HMC655, HMC656 和HMC657裸片尺寸: 0.42 x 0.45 x 0.1 mm产品详情 HMC650/651/652/653/654/655/656/657/658是一系列宽带固定值50 Ω匹配衰减器芯片,提供0、2、3、4、6、10、15和20 dB相对衰减电平。 这些无源旋转器和衰减器非常适合需要极端平坦衰减和出色的VSWR与频率关系的微带、混合及多芯片模块应用。 宽带衰减器采用低电感片内过孔,无需额外的接地连接。 HMC650至HMC658背面镀金,适合共晶或环氧树脂芯片贴装。 所有9款产品均可通过相应的产品型号单独购买,或购买HMC-DK006固定衰减器芯片设计套件(含10件)。应用 光纤产品 微波无线电 军事和太空混合器件 测试与测量 科研仪器 RF/微波电路原型制作 方框图...
发表于 02-22 12:18 16次 阅读
HMC655-DIE 固定、6 dB无源衰减器芯片,DC - 50 GHz

HMC365-DIE InGaP HBT 4分频芯片,DC - 13 GHz

和特点 超低SSB相位噪声: -151 dBc/Hz 宽带宽 输出功率: 5 dBm 单直流电源: +5V 小尺寸: 1.30 x 0.69 x 0.1 mm 产品详情 HMC365是低噪声的4分频静态分频器,使用InGaP GaAs HBT技术,拥有1.30 x 0.69 mm的小巧尺寸。此器件在DC(使用方波输入)至13 GHz的输入频率下工作,使用+5V DC单电源。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-151 dBc/Hz,有助于用户保持良好的系统噪声性能。 应用 卫星通信系统 光纤产品 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT方框图...
发表于 02-22 12:17 5次 阅读
HMC365-DIE InGaP HBT 4分频芯片,DC - 13 GHz

HMC-ABH209 中等功率放大器芯片,55 - 65 GHz

和特点 输出IP3: +25 dBm P1dB: +16 dBm 增益: 13 dB 电源电压: +5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.2 x 1.22 x 0.1 mm 产品详情 THMC-ABH209是一款高动态范围、两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为55至65 GHz。 HMCABH209提供13 dB增益,采用+5V电源电压时具有+16 dBm输出功率(1dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 /p>HMC-ABH209 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:15 0次 阅读
HMC-ABH209 中等功率放大器芯片,55 - 65 GHz

HMC-AUH320 中等功率放大器芯片,71 - 86 GHz

和特点 增益: 16 dB (76 GHz) P1dB: +15 dBm 电源电压: +4V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.20 x 0.87 x 0.1 mm 产品详情 HMC-AUH320是一款高动态范围的四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,在71至86 GHz的频率下工作。 HMC-AUH320在74 GHz频率下提供16 dB的增益,在1 dB压缩点提供+15 dBm的输出功率,采用+4V电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-AUH320 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 汽车雷达 军事和太空 E波段通信系统 方框图...
发表于 02-22 12:15 0次 阅读
HMC-AUH320 中等功率放大器芯片,71 - 86 GHz

HMC562 宽带驱动放大器芯片,2 - 35 GHz

和特点 P1dB输出功率: +12 dBm 增益: 12.5 dB 输出IP3: +19 dBm 电源电压: +8V (80 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸:3.12 x 1.42 x 0.1 mm 产品详情 HMC562是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驱动放大器裸片,在2至35 GHz的频率下工作。 该放大器提供12.5 dB增益,+27 dBm输出IP3和12 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为80 mA(采用+8V电源)。 HMC562非常适合EW、ECM和雷达驱动放大器应用。 HMC562放大器I/O是隔直的,内部匹配50 Ω阻抗,方便集成到多芯片模块(MCM)。 所有数据均由通过最短0.31mm (12 mil)的两条0.075mm (3 mil)线焊带连接的芯片获取。应用 军事和太空 测试仪器仪表 光纤产品 方框图...
发表于 02-22 12:15 0次 阅读
HMC562 宽带驱动放大器芯片,2 - 35 GHz

HMC-ALH376 低噪声放大器芯片,35 - 45 GHz

和特点 噪声系数: 2 dB 增益: 16 dB (40 GHz) P1dB输出功率: +6 dBm 电源电压: +4V (87 mA) 裸片尺寸: 2.7 x 1.44 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH376是一款GaAs MMIC HEMT三级、自偏置、低噪声放大器芯片,工作频率范围为35至45 GHz。该放大器提供16 dB增益、2 dB噪声系数和+6 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+4V单电源时功耗仅为87 mA。由于尺寸较小(3.9 mm²),这款自偏置LNA适合集成到混合组件或多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 测试设备和传感器 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:14 0次 阅读
HMC-ALH376 低噪声放大器芯片,35 - 45 GHz

HMC519-DIE GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器芯片,18 - 32 GHz

和特点 噪声系数: 2.8 dB 增益: 15 dB OIP3: 23 dBm 单电源: +3V (65 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.27 x 1.32 x 0.1 mm 产品详情 HMC519是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器芯片,工作频率范围为18至32 GHz。 HMC519提供15 dB小信号增益、2.8 dB噪声系数及高于23 dBm的输出IP3。 由于尺寸较小,该芯片可轻松集成到混合组件或多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.075 mm (3 mil)、最小长度0.31 mm (12 mil)的焊线连接。 也可用两根直径为0.025mm (1 mil)的焊线进行RFIN和RFOUT连接。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:14 19次 阅读
HMC519-DIE GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器芯片,18 - 32 GHz

HMC-ALH508 低噪声放大器芯片,71 - 86 GHz

和特点 噪声系数: <5 dB P1dB: +7 dBm 增益: 13 dB 电源电压: +2.4V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.2 x 1.6 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH508是一款三级GaAs HEMT MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为71至86 GHz。 HMC-ALH508具有13 dB小信号增益、4.5 dB噪声系数和+7 dBm输出功率(1 dB压缩),分别采用2.1V和2.4V两个电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 这款多功能LNA兼容传统的芯片贴装方式以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线局域网(LAN) 汽车雷达 军事和太空 E波段通信系统 方框图...
发表于 02-22 12:13 0次 阅读
HMC-ALH508 低噪声放大器芯片,71 - 86 GHz

AD847 高速、低功耗、单芯片运算放大器

和特点 出众的性能高单位增益带宽:50 MHz低电源电流:5.3 mA高压摆率:300 V/µs出色的视频特性驱动任何容性负载快速的0.1%建立时间(10 V步进):65 ns出色的直流性能5.5 V/mV高开环增益(PLOAD = 1 kΩ)低输入失调电压:0.5 mV额定工作电压:±5 V和±15 V提供多种选择塑料DIP和SOIC封装Cerdip封装裸片形式MIL-STD-883B工艺卷带和卷盘(EIA-481A标准)提供双通道版本:AD827(8引脚)LM6361的增强替代产品 产品详情 AD847代表高速放大器的一个突破,实现了低成本、低功耗的出众交流和直流性能。出色的直流性能表现在它±5 V的规格值,包括3500 V/V的开环增益(500Ω负载)和0.5 mV的低输入失调电压。共模抑制最低为78 dB。输出电压摆幅为±3 V(负载低至150Ω)。ADI公司还提供其他超过30种高速放大器,从低噪声AD829(1.7nV/√Hz)到终极的视频放大器AD811(差分增益0.01%,差分相位0.01°)。 方框图...
发表于 02-22 12:12 0次 阅读
AD847 高速、低功耗、单芯片运算放大器

HMC-ALH216 低噪声放大器芯片,14 - 27 GHz

和特点 噪声系数: 2.5 dB (20 GHz) 增益: 18 dB P1dB输出功率: +14 dBm 电源电压: +4V (90 mA) 裸片尺寸: 2.25 x 1.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH216是一款GaAs MMIC HEMT宽带低噪声放大器芯片,工作频率范围为14至27 GHz。该放大器提供18 dB增益、2.5 dB噪声系数和+14 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+4V电源电压时功耗仅为90 mA。由于尺寸较小,HMC-ALH216放大器适合集成到多芯片模块(MCM)中。应用 点对点无线电 点对多点无线电 军事和太空 测试仪器仪表 方框图...
发表于 02-22 12:08 0次 阅读
HMC-ALH216 低噪声放大器芯片,14 - 27 GHz

HMC396 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 8 GHz

和特点 增益: 12 dB P1dB输出功率: +14 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC396芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至8 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+16 dBm的HMC混频器LO。 HMC396提供12 dB的增益,+30 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供56 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC396可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
发表于 02-22 12:07 15次 阅读
HMC396 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 8 GHz

HMC-APH196 中等功率放大器芯片,17 - 30 GHz

和特点 输出IP3: +31 dBm P1dB: +22 dBm 增益: 20 dB (20 GHz) 电源电压: +4.5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.3 x 1.95 x 0.1 mm 产品详情 HMC-APH196是一款两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为17至30 GHz。 HMC-APH196在20 GHz下提供20 dB增益,采用+4.5V电源电压时具有+22 dBm输出功率(1 dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-APH196 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:07 0次 阅读
HMC-APH196 中等功率放大器芯片,17 - 30 GHz

HMC-ABH241 中等功率放大器芯片,50 - 66 GHz

和特点 输出IP3: +25 dBm P1dB: +17 dBm 增益: 24 dB 电源电压: +5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.2 x 1.42 x 0.1 mm 产品详情 THMC-ABH241是一款四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为50至66 GHz。 HMC-ABH241提供24 dB增益,采用+5V电源电压时具有+17 dBm输出功率(1dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-ABH241 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:07 0次 阅读
HMC-ABH241 中等功率放大器芯片,50 - 66 GHz

HMC-MDB277 DBL-BAL混频器芯片,70 - 90 GHz

和特点 宽IF带宽: DC - 18 GHz 无源双平衡拓扑结构 LO输入功率: +14 dBm 裸片尺寸: 1.55 x 1.4 x 0.1 mm 产品详情 HMC-MDB277是一款无源双平衡MMIC混频器,采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术,可用作上变频器或下变频器。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB277双平衡混频器可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 这款紧凑型MMIC可以取代混合型双平衡式混频器,而且体积要小得多,性能更加稳定。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量无线电 FCC E波段通信系统 汽车雷达 传感器 测试和测量设备 方框图...
发表于 02-22 12:07 15次 阅读
HMC-MDB277 DBL-BAL混频器芯片,70 - 90 GHz

ADM691A 微处理器电源监控器,内置备用电池切换、可调复位周期与可调看门狗周期、芯片使能信号、看门狗、备用电池功能和4.65V阈值电压、低VCC状态输出、250MA输出电流特性

和特点 低功耗 精密电压监控器 ADM800L/M容差:±2% 复位时间延迟:200 ms或可调 待机电流:1 µA 备用电池电源自动切换 芯片使能信号快速片内选通 同时提供TSSOP封装(ADM691A)产品详情 ADM691A/ADM693A/ADM800L/ADM800M系列监控电路均为完整的单芯片解决方案,可实现微处理器系统中的电源监控和电池控制功能。这些功能包括微处理器复位、备用电池切换、看门狗定时器、CMOS RAM写保护和电源故障警告。该系列产品是MAX691A/93A/800M系列的升级产品。所有器件均提供16引脚DIP和SO封装。ADM691A同时提供节省空间的TSSOP封装。主要提供下列功能:启动、关断和掉电情况下的上电复位输出。即使VCC低至1 V,电路仍然可以工作。CMOS RAM、CMOS微处理器或其它低功耗逻辑的备用电池切换。如果可选的看门狗定时器在指定时间内未切换,则提供复位脉冲。1.25 V阈值检波器,用于电源故障警告、低电池电量检测或+5 V以外电源的监控。 方框图...
发表于 02-22 12:06 0次 阅读
ADM691A 微处理器电源监控器,内置备用电池切换、可调复位周期与可调看门狗周期、芯片使能信号、看门狗、备用电池功能和4.65V阈值电压、低VCC状态输出、250MA输出电流特性

MAT14 匹配单芯片四通道晶体管

和特点 低失调电压:400 μV(最大值) 高电流增益:300(最小值) 出色的电流增益匹配度:4%(最大值) 低电压噪声密度(100 Hz、1 mA):3 nV/√Hz(最大值) 出色的对数一致性:体电阻 rBE = 0.6 Ω (最大值) 所有晶体管保证匹配产品详情 MAT14是一款四通道单芯片NPN型晶体管,具有出色的参数匹配性能,适合精密放大器和非线性电路应用。MAT14的性能特征包括:在很宽的集电极电流范围内提供高增益(最小300)、低噪声(在100 Hz、IC = 1 mA条件下最大值为3 nV/√Hz)以及出色的对数一致性。失调电压典型值低至100 μV,精密电流增益匹配度可达4%以内。MAT14的每个晶体管均经过独立测试,符合数据手册性能规格。为使参数匹配(失调电压、输入失调电流和增益匹配),双晶体管组合中的每个晶体管均经过验证,达到了规定的限制要求。在25°C的环境温度和工业温度范围内保证器件性能。匹配参数的长度稳定性由各晶体管基极-发射极结上的保护二极管保证。这些二极管能够防止反向偏置基极-发射极电流导致β和匹配特性下降。MAT14的出色对数一致性和精确匹配特性使它非常适合用于对数和反对数电路。MAT14是需要低噪声和高增益的应用的理想选...
发表于 02-22 12:01 24次 阅读
MAT14 匹配单芯片四通道晶体管