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三星推新车载芯片产品线,特斯拉宣布2019年一季度发布自家设计芯片

TechSugar 2018-10-22 10:30 次阅读

三星推新车载芯片产品线

据外媒报道,三星将新应用处理其及图像处理器品牌引入汽车行业。Eyxnos Auto已应用于汽车业,而Isocell Auto则是新的车用图像传感器品牌。

Exynos Auto的车载处理器将细分为Exynos Auto V、Exynos Auto A和Exynos Auto T,其中V定位车载信息娱乐系统,而A和T则分别定位先进驾驶辅助系统及车载资通讯系统。

Exynos Auto早前被引入汽车行业,而三星自2017年起就持续为奥迪提供车载信息娱乐系统方案。三星自2011年起就使用了Exynos品牌,将其自主设计、生产的应用处理器用于其Galaxy智能手机中。而Isocell品牌则于去年被三星用于CMOS图像传感器产品。

我国自动驾驶牌照已发60多张客车重卡均有

9月28日,金旅客车拿到了平潭综合实验区授予的无人驾驶汽车测试牌照;10月16日消息,奥迪中国获得北京市L4级自动驾驶车辆道路测试牌照,我国自动驾驶路测牌照总数增长至64张。(注:北京市所颁布自动驾驶路测牌照数量以国家智能汽车与智慧交通(京冀)示范区官网公布的数量统计,其余城市牌照数量统计来自公开资料,仅供参考。)

日前,全国第一张针对自动驾驶重卡的道路测试牌照也在上海颁出。上海图森未来人工智能科技有限公司获得上海智能网联汽车道路测试牌照,将以自动驾驶重卡在上海临港地区投入测试。

目前全国共计8座城市颁发自动驾驶路测牌照,北京数量最多,重庆和福建平潭紧随其后。北京的35张牌照中,主要颁给百度,共占据25辆的名额。

特斯拉宣布

2019年一季度发布自家设计芯片

本周,伊隆·马斯克宣布,特斯拉的定制AI芯片还有6个月就要发布了。也就是说,半年之后特斯拉车主们就可以装上AI芯片了。

这款芯片最早是去年12月,马斯克在NIPS上提及。 为了表明特斯拉对AI是认真的,马斯克决定开发定制的AI芯片,“我们认为将会是世界上最好的定制AI硬件。”

另外,马斯克还说,待到明年出这款芯片面世后,将能使特斯拉车辆的自动驾驶性能提升500%~2000%,并且,还会为已经为完全自动驾驶付过款的客户免费安装,同时升级到Hardware 3,也就是特斯拉自动驾驶系统的第三版硬件。

韩国开发

低成本铝空气电池

据外媒报道,韩国蔚山国际科学技术研究所(Ulsan National Institute of Science and Technology)的研究人员利用名为“锰酸盐银纳米片”的催化剂研发了一款铝空气电池,该电池可解决现今电动汽车(EV)电池技术的常见问题,让电动汽车车主拥有续航里程更高、且可更换的电池组,无需慢慢充电。

与现有锂离子电池相比,该新型电池具更高的能量密度、成本更低、循环寿命更好、安全性也更高。此外,它重量轻,几乎没有着火或爆炸的风险。铝空气电池是原电池,不能使用常规方法对其进行充电。当应用于电动汽车时,此类电池只需通过更换铝板和电解液来产生电力。相同重量的铝和汽油,铝的实际能量密度高于汽油。

曹在弼(Jaephil Cho)教授在一份声明中表示:“汽油的能量密度为1,700 Wh/kg,凭借着可更换的电解液和铝板,一个铝空气电池的能量密度高达2,500 Wh/kg,此意味着,使用1公斤的铝,我们就可以生产一个电池,而此电池可让电动汽车行驶700公里。”

与传统的铝空气电池相比,该研究团队的铝空气电池放电容量提高了17倍。与其他金属空气电池的运行方式类似,该款电池通过空气中的氧气与铝发生反应,从而产生电能。虽然铝空气电池是所有电池中能量密度最高的电池之一,但是由于在使用传统电解液时,其阳极成本高,会产生副产物,它们并未得到广泛应用。

为了克服该障碍,研究人员开发了一款电池,可以减轻电池芯中副作用,在电池芯中,电解液会不断循环。研究人员制备了银纳米粒子晶种锰氧化物银纳米片结构用于氧还原反应。该电池的寿命得以增长,能量密度得以提高,将有助于更多电动车辆的普及,并且配备该电池的车辆续航里程将更长、重量更轻,且不会发生爆炸。

苹果公开新车载电源设计专利

10月18日,美国专利商标局(U.S. Patent and Trademark Office)公布了苹果公司最新专利申请-“转化器架构”(Converter Architecture),该专利讨论如何将高压电源的功率转换为较低电压,与汽车系统密切相关,可确保乘客享受舒适的驾驶体验,保证汽车空调gps和信息娱乐系统等有足够的电力运行。

电动汽车和混合动力车通常由高压电池或另一个“高能量存储器”提供动力,但是虽然可供汽车行驶,汽车也需要使用相同的能源为空调系统、仪表板、信息娱乐系统和电池控制器等部件和子系统提供动力。

虽然转换器通常用于将高压电源转换成较低电压,但是苹果认为转换器效率低,并且受到负载瞬变的影响,可能对低压电池造成损害。简而言之,它们效率不高,电力输出不同,可能影响其他与之连接的低压元件。

因此,苹果的解决方案是使用多个直流(DC)转换器来完成任务,使用未经调节的DC-DC转换器将原先高能量电源转换成可为总线供电的较低电压。然后,将该负载传递到第二个经过调节的DC-DC转换器,用于调节总线的电压。电池等第二个较低电压源可以连接到经过调节的转换器,并可一直充电。如果提供给经调节的转换器的功率低于可接受水平,第二个电源可用于补充功率,使总线达到更合适的功率水平,以便连接组件可以正常运行。

虽然苹果提出了专利申请,但是不能保证苹果将在未来产品中使用该概念。但是,可以肯定苹果该专利来源与其自动驾驶车辆项目-泰坦(Project Titan)。

Nvidia和VisionLabs

人脸识别引入汽车

据外媒报道,英伟达(Nvidia)和VisionLabs公司正合作制造一辆名为“BB8”的自动驾驶汽车,该车与电影《星球大战》中同名机器人无任何关系,但是可能是首批将面部识别作为汽车钥匙替代品的车辆之一。上周,该车在慕尼黑举行的英伟达GTC开发者大会首次亮相。

英伟达和VisionLabs公司表示,他们在自动驾驶汽车中配备面部识别技术的原因是为了改善驾驶体验,让驾驶员的生活更安全、更轻松。该车将扫描驾驶员的面部,当有人接近汽车时识别车辆所有者,然后,重新确认驾驶员和乘客的身份,实现智能无钥匙访问、个性化以及对汽车的控制。

该车设计师表示,由于没有钥匙,汽车被盗的风险也得以降低。有一份模糊的声明表示,该系统会监控驾驶员状况,以确保驾驶安全性。虽然现在尚不清楚具体情况,但是等待一段时间,该技术或许会推广至商用车队。

面部识别功能背后技术受后台运作的英伟达DRIVE AGX超级计算机驱动,可用作英伟达DRIVE IX智能用户体验平台的插件。

VisionLabs公司创始人兼首席执行官Alexander Khanin表示:“面部识别在我们的日常生活中变得越来越普遍,让我们有机会获得全新的日常体验。”

英伟达软件高级总监兼Drive IX平台负责人Ratin Kumar表示:“DRIVE IX为汽车制造商、合作伙伴以及开发商提供基于人工智能(AI)的功能,帮助实现下一代车内体验。研发用于面部识别功能的汽车人工智能非常具有挑战,因为该功能必须在稳健运行的同时,以安全和人性化的方式进行识别。英伟达和VisionLabs公司已经携手合作,利用DRIVE IX软件实现各种创新便利功能。”

无锡将推车联网服务,

手机可查红绿灯实时信息

预计12月初,用户在手机APP上,可以实时看到无锡市主城区、太湖新城主要道路240个路口、1246个信号灯的灯态和倒计时读秒信息,以及101个路口、道路总长度约为42公里的绿波带实时信息,而且支持的路口和信号灯数量,还将不断增加。

2017年9月,工业和信息化部、公安部、江苏省政府在无锡共同建设国家智能交通综合测试基地。截至目前,无锡已建设完成现阶段全球最大规模的车联网LTE-V2X城市级应用。预计12月初,居民将能够体验这一智慧出行服务。届时,高德地图在手机端和车机端将陆续上线这一功能,居民可通过高德地图,实时查看无锡市主城区、太湖新城主要道路信号灯的灯态信息,误差不超过0.5秒。

原文标题:三星推新车载产品线;我国自动驾驶牌照发放60多张;无锡将提供车联网服务,手机可查交通灯信息 ▏每周汽车电子新闻

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各位大神,有没有谁能推荐下5V转-5V的芯片,芯片输出电流最小100ma,好像我之前有用一款叫TPS60400,但是电流输出最大60ma,...
发表于 05-13 00:26 51次 阅读
请问能推荐下5V转-5V的芯片,芯片输出电流最小100ma

BAS16XV2 开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 引线表面处理:100%哑光锡(锡) 合格回流温度:260°C 极小型SOD-523封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:14 0次 阅读
BAS16XV2 开关二极管

BAS16T 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 可提供无铅封装* 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:14 0次 阅读
BAS16T 100 V开关二极管

BAS16W 100 V开关二极管

信息开关二极管设计用于超高速开关应用。该器件采用SC-70封装,专为低功耗表面贴装应用而设计。 可提供无铅封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:14 14次 阅读
BAS16W 100 V开关二极管

BAS16SL 小信号二极管

信息小信号二极管 低正向压降 快速开关 非常小的薄型 最大剖面高度为0.43mm 尺寸为1.0 x 0.6mm
发表于 04-18 19:14 26次 阅读
BAS16SL 小信号二极管

BAS16P2 100 V开关二极管

信息 BAS16P2T5G开关二极管是我们广受欢迎的SOT-23三引线器件的衍生产品。它专为开关应用而设计,安装在SOD-923表面该封装非常适合低功率表面贴装应用,其中电路板空间非常宝贵。 极小的SOD-923封装
发表于 04-18 19:13 20次 阅读
BAS16P2 100 V开关二极管

BAS16 (Legacy Fairchild)开关二极管,85 V 200 mA

信息 SOT-23封装中的开关二极管。 高 - 速度切换应用
发表于 04-18 19:13 22次 阅读
BAS16 (Legacy Fairchild)开关二极管,85 V 200 mA

BAS16DXV6 双开关二极管,100 V

信息采用SOT-563封装的双开关二极管。 引脚表面处理:100%无光泽锡(锡) 合格回流焊温度:260°C 超小型SOD-523封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 26次 阅读
BAS16DXV6 双开关二极管,100 V

BAS116T 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SC-75表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 这些器件是无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准
发表于 04-18 19:13 32次 阅读
BAS116T 75 V开关二极管

BAS16H 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 S汽车及其他应用的前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 30次 阅读
BAS16H 100 V开关二极管

BAS116L 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 8 mm卷带和卷盘 - 使用BAS116LT1订购7英寸/ 3,000单位卷轴 Pb - 免费套餐。 汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 32次 阅读
BAS116L 75 V开关二极管

BAR43 肖特基二极管

信息 BAR43 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 30次 阅读
BAR43 肖特基二极管

BAR43C 肖特基二极管

信息 BAR43C 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 35次 阅读
BAR43C 肖特基二极管

BAR43S 肖特基二极管

信息 BAR43S 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 38次 阅读
BAR43S 肖特基二极管

BAL99L 70 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 44次 阅读
BAL99L 70 V开关二极管

A5191HRT 工业HART协议调制解调器

信息 A5191HRT是一款单芯片CMOS调制解调器,适用于高速公路可寻址远程传感器(HART)现场仪表和主机。调制解调器和一些外部无源组件提供满足HART物理层要求所需的所有功能,包括调制,解调,接收滤波,载波检测和发送信号整形。 A5191HRT与SYM20C15引脚兼容。有关引脚与SYM20C15兼容性的详细信息,请参见引脚说明和功能描述部分。 A5191HRT使用每秒1200位的相位连续频移键控(FSK)。为了节省功率,接收电路在发送操作期间被禁用,反之亦然。这提供了HART通信中使用的半双工操作。 低功耗 Bell 202移位频率为1200 Hz和2200 Hz 单芯片,半 - 双工1200比特FSK调制解调器 发送信号波形整形 接收带通滤波器 满足HART物理层要求 CMOS兼容 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 26次 阅读
A5191HRT 工业HART协议调制解调器

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...
发表于 04-18 19:13 32次 阅读
CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 32次 阅读
CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 32次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
发表于 04-18 19:13 36次 阅读
CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器

信息 MC10 / 100EP32是一个集成的2分频器,具有差分CLK输入。 V 引脚是内部产生的电源,仅适用于该器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01μF电容去耦V 和V ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V 应保持开路。复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP32。 100系列包含温度补偿。 350ps典型传播延迟 最大频率> 4 GHz典型 PECL模式工作范围:V = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态< / li> 输入安全钳位 Q输出打开或V 无铅封装可用时默认为低电平 < / DIV>...
发表于 04-18 19:13 26次 阅读
MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器