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国内芯片投资要避免大而全、半途而废、短期超越三大误区

芯智讯 2018-10-17 09:58 次阅读

在10月11日举行的广州2018小蛮腰科技大会上,中国芯片如何破局成为热点话题之一。厚生利用投资创始合伙人兼总裁栾凌预测,中国半导体投资未来十年将增至10000亿元。而深圳半导体协会秘书长常军锋提醒说,国内芯片投资要避免大而全、半途而废、短期超越三大误区。

芯片投资将达万亿

栾凌介绍说,半导体芯片短板已成为中国人工智能产业发展的挑战之一。随着互联网、社交媒体、移动设备的大量普及,以及5G和物联网的快速发展,市场对存储芯片的需求增加,而人工智能芯片技术的高速迭代又催生出各类AI专用芯片。

目前在集成电路领域,美国拥有英特尔高通德州仪器博通、Nvidia、美光等半导体巨头。2017年公开数据显示,总部设在美国的半导体公司销售额占了全球销售份额的46%。

中国代表性的半导体企业,正在奋起追赶。2000年成立的中芯国际,目前14纳米制程已接近研发完成,距离2019年量产的目标似乎已经不远,一旦实现目前由海外代工的部分产品将有望回归国内代工。华为海思,2017年以47.15亿美元的销售额成为全球第七大芯片设计公司,增长率达到21%;海思的麒麟980芯片是全球首款7纳米人工智能手机芯片,在AI运算能力上领先。

在人工智能芯片领域,出现了寒武纪、深鉴科技、地平线多家芯片公司。如寒武纪今年6月完成数亿美元B轮融资,投后估值25亿美元;阿里巴巴成立平头哥半导体有限公司,四个主攻方向包括AI芯片、嵌入式芯片、量子计算芯片和物联网芯片。

国内资本快速进入半导体领域,包括北京、上海、广东等在内的十几个省市已成立专门扶植半导体产业发展的地方政府性基金,撬动地方集成电路产业投资基金超过5000亿元。栾凌预测,“考虑政府资金对产业资本和金额资本的带动,未来十年投向集成电路产业的资金预计达到万亿级别”。

避免三大误区

面对国内涌现的半导体投资热潮,深圳半导体协会秘书长常军锋冷静地说,半导体产业链很长:一是半导体支撑业,包含半导体材料、半导体设备;二是半导体行业,包括分立器件、集成电路,集成电路又分IC设计、制造和IC封测三个环节;三是PC、通信、消费电子、汽车等应用终端。

常军锋指出,在半导体产业链里,中国目前最薄弱的环节,是基础材料研究和先进设备制造;其中,集成电路领域,2000年后中国飞速追赶,设计、制造和封测三个环节里最薄弱是制造;相比之下,中国或者说珠三角最有优势在于庞大的半导体应用产业链。

芯片制造的关键设备领域,包括光刻机、刻蚀机和EUV设备。目前荷兰ASML占了光刻机市场80%的份额;尼康、佳能占了余下20%的份额;德国蔡司镜片、荷兰ASML生产的EUV设备获得了英特尔、三星、台积电三大客户。中国半导体设备由于技术差距,市场份额仅为全球的15%。

半导体材料领域,据SEMI(国际半导体产业协会)的报告,2017年全球半导体材料市场销售额469亿美元,增幅为9.6%。生产半导体芯片需要的19种材料中,日本企业在硅晶圆等14种重要材料方面均占有50%及以上的份额,而中国半导体材料的销售额占全球比重不足5%。

集成电路制造领域,据拓墣产业研究院报告,2017年全球晶圆代工总产值约573亿美元,同比增长7.1%。2017年10纳米制程开始放量,成为晶圆代工产值增长最重要的引擎。目前,台湾地区的台积电是全球晶圆代工的龙头,占了全球市场份额的59.7%。

所以,常军锋对中国半导体投资提出几点建设:一是半导体设备和材料,国家主导引导,科研参与,企业产业化,要有长期奋斗10~30年的目标;二是半导体设计,社会投资资本介入,争取5~10年有设计能和核心技术突破;三是半导体封测,社会投资资本介入,争取做大做强;四是半导体制造,国家引导,社会投资资本介入,争取在5~10年内缩小与世界先进水平的差距;五是半导体应用,配合半导体产业国产化的发展进程。另外,半导体产业的人才培养机构和公司,也有投资价值。

针对全国各地、多个行业都涌现的半导体投资热潮,常军锋在接受第一财经记者采访时特别提醒,要避免三大误区。首先,投资不要大而全。全球半导体产业已经形成生态链,各地投资不要大而全,要“有所为、有所不为”,形成全国一盘棋,有的地方连教师工资也发不出更不宜盲目跟风。

其次,投资要防备昙花一现。一些企业没有充分认识到芯片行业的水有多深,可能要爬50楼,它爬20楼就不爬了,那么前面的投入就会打水漂。像英特尔2017年研发投入131亿美元,占全球半导体研发投入前十强企业的研发投入总额的36%,所以要有持续投入的准备和能力才出手。

第三,弯道超车不易。物联网时代,人工智能芯片碎片化的需求给中国企业更多机会。但是,国外半导体巨头的投入也在持续增加,还通过国际标准、行业标准、专利保护建立了技术壁垒,所以很难弯道超车。中国企业可以在5G通讯芯片设计等领域重点突破,尽力补上芯片材料、设备和制造等短板,要打持久战,花5~10年缩小芯片设计差距,花10~30年缩小芯片材料、设备差距。

原文标题:中国半导体投资有望增至万亿,专家提醒避免三大误区

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BAS116L 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 8 mm卷带和卷盘 - 使用BAS116LT1订购7英寸/ 3,000单位卷轴 Pb - 免费套餐。 汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 30次 阅读
BAS116L 75 V开关二极管

BAR43 肖特基二极管

信息 BAR43 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 28次 阅读
BAR43 肖特基二极管

BAR43C 肖特基二极管

信息 BAR43C 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 31次 阅读
BAR43C 肖特基二极管

BAR43S 肖特基二极管

信息 BAR43S 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
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BAR43S 肖特基二极管

BAL99L 70 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
BAL99L 70 V开关二极管

A5191HRT 工业HART协议调制解调器

信息 A5191HRT是一款单芯片CMOS调制解调器,适用于高速公路可寻址远程传感器(HART)现场仪表和主机。调制解调器和一些外部无源组件提供满足HART物理层要求所需的所有功能,包括调制,解调,接收滤波,载波检测和发送信号整形。 A5191HRT与SYM20C15引脚兼容。有关引脚与SYM20C15兼容性的详细信息,请参见引脚说明和功能描述部分。 A5191HRT使用每秒1200位的相位连续频移键控(FSK)。为了节省功率,接收电路在发送操作期间被禁用,反之亦然。这提供了HART通信中使用的半双工操作。 低功耗 Bell 202移位频率为1200 Hz和2200 Hz 单芯片,半 - 双工1200比特FSK调制解调器 发送信号波形整形 接收带通滤波器 满足HART物理层要求 CMOS兼容 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 26次 阅读
A5191HRT 工业HART协议调制解调器

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...
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CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
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CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
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CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
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CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器

信息 MC10 / 100EP32是一个集成的2分频器,具有差分CLK输入。 V 引脚是内部产生的电源,仅适用于该器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01μF电容去耦V 和V ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V 应保持开路。复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP32。 100系列包含温度补偿。 350ps典型传播延迟 最大频率> 4 GHz典型 PECL模式工作范围:V = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态< / li> 输入安全钳位 Q输出打开或V 无铅封装可用时默认为低电平 < / DIV>...
发表于 04-18 19:13 22次 阅读
MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器