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国内芯片投资要避免大而全、半途而废、短期超越三大误区

芯智讯 2018-10-17 09:58 次阅读

在10月11日举行的广州2018小蛮腰科技大会上,中国芯片如何破局成为热点话题之一。厚生利用投资创始合伙人兼总裁栾凌预测,中国半导体投资未来十年将增至10000亿元。而深圳半导体协会秘书长常军锋提醒说,国内芯片投资要避免大而全、半途而废、短期超越三大误区。

芯片投资将达万亿

栾凌介绍说,半导体芯片短板已成为中国人工智能产业发展的挑战之一。随着互联网、社交媒体、移动设备的大量普及,以及5G和物联网的快速发展,市场对存储芯片的需求增加,而人工智能芯片技术的高速迭代又催生出各类AI专用芯片。

目前在集成电路领域,美国拥有英特尔高通德州仪器博通、Nvidia、美光等半导体巨头。2017年公开数据显示,总部设在美国的半导体公司销售额占了全球销售份额的46%。

中国代表性的半导体企业,正在奋起追赶。2000年成立的中芯国际,目前14纳米制程已接近研发完成,距离2019年量产的目标似乎已经不远,一旦实现目前由海外代工的部分产品将有望回归国内代工。华为海思,2017年以47.15亿美元的销售额成为全球第七大芯片设计公司,增长率达到21%;海思的麒麟980芯片是全球首款7纳米人工智能手机芯片,在AI运算能力上领先。

在人工智能芯片领域,出现了寒武纪、深鉴科技、地平线多家芯片公司。如寒武纪今年6月完成数亿美元B轮融资,投后估值25亿美元;阿里巴巴成立平头哥半导体有限公司,四个主攻方向包括AI芯片、嵌入式芯片、量子计算芯片和物联网芯片。

国内资本快速进入半导体领域,包括北京、上海、广东等在内的十几个省市已成立专门扶植半导体产业发展的地方政府性基金,撬动地方集成电路产业投资基金超过5000亿元。栾凌预测,“考虑政府资金对产业资本和金额资本的带动,未来十年投向集成电路产业的资金预计达到万亿级别”。

避免三大误区

面对国内涌现的半导体投资热潮,深圳半导体协会秘书长常军锋冷静地说,半导体产业链很长:一是半导体支撑业,包含半导体材料、半导体设备;二是半导体行业,包括分立器件、集成电路,集成电路又分IC设计、制造和IC封测三个环节;三是PC、通信、消费电子、汽车等应用终端。

常军锋指出,在半导体产业链里,中国目前最薄弱的环节,是基础材料研究和先进设备制造;其中,集成电路领域,2000年后中国飞速追赶,设计、制造和封测三个环节里最薄弱是制造;相比之下,中国或者说珠三角最有优势在于庞大的半导体应用产业链。

芯片制造的关键设备领域,包括光刻机、刻蚀机和EUV设备。目前荷兰ASML占了光刻机市场80%的份额;尼康、佳能占了余下20%的份额;德国蔡司镜片、荷兰ASML生产的EUV设备获得了英特尔、三星、台积电三大客户。中国半导体设备由于技术差距,市场份额仅为全球的15%。

半导体材料领域,据SEMI(国际半导体产业协会)的报告,2017年全球半导体材料市场销售额469亿美元,增幅为9.6%。生产半导体芯片需要的19种材料中,日本企业在硅晶圆等14种重要材料方面均占有50%及以上的份额,而中国半导体材料的销售额占全球比重不足5%。

集成电路制造领域,据拓墣产业研究院报告,2017年全球晶圆代工总产值约573亿美元,同比增长7.1%。2017年10纳米制程开始放量,成为晶圆代工产值增长最重要的引擎。目前,台湾地区的台积电是全球晶圆代工的龙头,占了全球市场份额的59.7%。

所以,常军锋对中国半导体投资提出几点建设:一是半导体设备和材料,国家主导引导,科研参与,企业产业化,要有长期奋斗10~30年的目标;二是半导体设计,社会投资资本介入,争取5~10年有设计能和核心技术突破;三是半导体封测,社会投资资本介入,争取做大做强;四是半导体制造,国家引导,社会投资资本介入,争取在5~10年内缩小与世界先进水平的差距;五是半导体应用,配合半导体产业国产化的发展进程。另外,半导体产业的人才培养机构和公司,也有投资价值。

针对全国各地、多个行业都涌现的半导体投资热潮,常军锋在接受第一财经记者采访时特别提醒,要避免三大误区。首先,投资不要大而全。全球半导体产业已经形成生态链,各地投资不要大而全,要“有所为、有所不为”,形成全国一盘棋,有的地方连教师工资也发不出更不宜盲目跟风。

其次,投资要防备昙花一现。一些企业没有充分认识到芯片行业的水有多深,可能要爬50楼,它爬20楼就不爬了,那么前面的投入就会打水漂。像英特尔2017年研发投入131亿美元,占全球半导体研发投入前十强企业的研发投入总额的36%,所以要有持续投入的准备和能力才出手。

第三,弯道超车不易。物联网时代,人工智能芯片碎片化的需求给中国企业更多机会。但是,国外半导体巨头的投入也在持续增加,还通过国际标准、行业标准、专利保护建立了技术壁垒,所以很难弯道超车。中国企业可以在5G通讯芯片设计等领域重点突破,尽力补上芯片材料、设备和制造等短板,要打持久战,花5~10年缩小芯片设计差距,花10~30年缩小芯片材料、设备差距。

原文标题:中国半导体投资有望增至万亿,专家提醒避免三大误区

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和特点 P1dB输出功率: +12 dBm 增益: 12.5 dB 输出IP3: +19 dBm 电源电压: +8V (80 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸:3.12 x 1.42 x 0.1 mm 产品详情 HMC562是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驱动放大器裸片,在2至35 GHz的频率下工作。 该放大器提供12.5 dB增益,+27 dBm输出IP3和12 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为80 mA(采用+8V电源)。 HMC562非常适合EW、ECM和雷达驱动放大器应用。 HMC562放大器I/O是隔直的,内部匹配50 Ω阻抗,方便集成到多芯片模块(MCM)。 所有数据均由通过最短0.31mm (12 mil)的两条0.075mm (3 mil)线焊带连接的芯片获取。应用 军事和太空 测试仪器仪表 光纤产品 方框图...
发表于 02-22 12:15 0次 阅读
HMC562 宽带驱动放大器芯片,2 - 35 GHz

HMC-ALH376 低噪声放大器芯片,35 - 45 GHz

和特点 噪声系数: 2 dB 增益: 16 dB (40 GHz) P1dB输出功率: +6 dBm 电源电压: +4V (87 mA) 裸片尺寸: 2.7 x 1.44 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH376是一款GaAs MMIC HEMT三级、自偏置、低噪声放大器芯片,工作频率范围为35至45 GHz。该放大器提供16 dB增益、2 dB噪声系数和+6 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+4V单电源时功耗仅为87 mA。由于尺寸较小(3.9 mm²),这款自偏置LNA适合集成到混合组件或多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 测试设备和传感器 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:14 0次 阅读
HMC-ALH376 低噪声放大器芯片,35 - 45 GHz

HMC519-DIE GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器芯片,18 - 32 GHz

和特点 噪声系数: 2.8 dB 增益: 15 dB OIP3: 23 dBm 单电源: +3V (65 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.27 x 1.32 x 0.1 mm 产品详情 HMC519是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器芯片,工作频率范围为18至32 GHz。 HMC519提供15 dB小信号增益、2.8 dB噪声系数及高于23 dBm的输出IP3。 由于尺寸较小,该芯片可轻松集成到混合组件或多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.075 mm (3 mil)、最小长度0.31 mm (12 mil)的焊线连接。 也可用两根直径为0.025mm (1 mil)的焊线进行RFIN和RFOUT连接。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:14 0次 阅读
HMC519-DIE GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器芯片,18 - 32 GHz

HMC-ALH508 低噪声放大器芯片,71 - 86 GHz

和特点 噪声系数: <5 dB P1dB: +7 dBm 增益: 13 dB 电源电压: +2.4V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.2 x 1.6 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH508是一款三级GaAs HEMT MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为71至86 GHz。 HMC-ALH508具有13 dB小信号增益、4.5 dB噪声系数和+7 dBm输出功率(1 dB压缩),分别采用2.1V和2.4V两个电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 这款多功能LNA兼容传统的芯片贴装方式以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线局域网(LAN) 汽车雷达 军事和太空 E波段通信系统 方框图...
发表于 02-22 12:13 0次 阅读
HMC-ALH508 低噪声放大器芯片,71 - 86 GHz

AD847 高速、低功耗、单芯片运算放大器

和特点 出众的性能高单位增益带宽:50 MHz低电源电流:5.3 mA高压摆率:300 V/µs出色的视频特性驱动任何容性负载快速的0.1%建立时间(10 V步进):65 ns出色的直流性能5.5 V/mV高开环增益(PLOAD = 1 kΩ)低输入失调电压:0.5 mV额定工作电压:±5 V和±15 V提供多种选择塑料DIP和SOIC封装Cerdip封装裸片形式MIL-STD-883B工艺卷带和卷盘(EIA-481A标准)提供双通道版本:AD827(8引脚)LM6361的增强替代产品 产品详情 AD847代表高速放大器的一个突破,实现了低成本、低功耗的出众交流和直流性能。出色的直流性能表现在它±5 V的规格值,包括3500 V/V的开环增益(500Ω负载)和0.5 mV的低输入失调电压。共模抑制最低为78 dB。输出电压摆幅为±3 V(负载低至150Ω)。ADI公司还提供其他超过30种高速放大器,从低噪声AD829(1.7nV/√Hz)到终极的视频放大器AD811(差分增益0.01%,差分相位0.01°)。 方框图...
发表于 02-22 12:12 0次 阅读
AD847 高速、低功耗、单芯片运算放大器

HMC-ALH216 低噪声放大器芯片,14 - 27 GHz

和特点 噪声系数: 2.5 dB (20 GHz) 增益: 18 dB P1dB输出功率: +14 dBm 电源电压: +4V (90 mA) 裸片尺寸: 2.25 x 1.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH216是一款GaAs MMIC HEMT宽带低噪声放大器芯片,工作频率范围为14至27 GHz。该放大器提供18 dB增益、2.5 dB噪声系数和+14 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+4V电源电压时功耗仅为90 mA。由于尺寸较小,HMC-ALH216放大器适合集成到多芯片模块(MCM)中。应用 点对点无线电 点对多点无线电 军事和太空 测试仪器仪表 方框图...
发表于 02-22 12:08 0次 阅读
HMC-ALH216 低噪声放大器芯片,14 - 27 GHz

HMC396 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 8 GHz

和特点 增益: 12 dB P1dB输出功率: +14 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC396芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至8 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+16 dBm的HMC混频器LO。 HMC396提供12 dB的增益,+30 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供56 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC396可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
发表于 02-22 12:07 0次 阅读
HMC396 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 8 GHz

HMC-APH196 中等功率放大器芯片,17 - 30 GHz

和特点 输出IP3: +31 dBm P1dB: +22 dBm 增益: 20 dB (20 GHz) 电源电压: +4.5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.3 x 1.95 x 0.1 mm 产品详情 HMC-APH196是一款两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为17至30 GHz。 HMC-APH196在20 GHz下提供20 dB增益,采用+4.5V电源电压时具有+22 dBm输出功率(1 dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-APH196 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:07 0次 阅读
HMC-APH196 中等功率放大器芯片,17 - 30 GHz

HMC-ABH241 中等功率放大器芯片,50 - 66 GHz

和特点 输出IP3: +25 dBm P1dB: +17 dBm 增益: 24 dB 电源电压: +5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.2 x 1.42 x 0.1 mm 产品详情 THMC-ABH241是一款四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为50至66 GHz。 HMC-ABH241提供24 dB增益,采用+5V电源电压时具有+17 dBm输出功率(1dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-ABH241 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:07 0次 阅读
HMC-ABH241 中等功率放大器芯片,50 - 66 GHz

HMC-MDB277 DBL-BAL混频器芯片,70 - 90 GHz

和特点 宽IF带宽: DC - 18 GHz 无源双平衡拓扑结构 LO输入功率: +14 dBm 裸片尺寸: 1.55 x 1.4 x 0.1 mm 产品详情 HMC-MDB277是一款无源双平衡MMIC混频器,采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术,可用作上变频器或下变频器。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB277双平衡混频器可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 这款紧凑型MMIC可以取代混合型双平衡式混频器,而且体积要小得多,性能更加稳定。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量无线电 FCC E波段通信系统 汽车雷达 传感器 测试和测量设备 方框图...
发表于 02-22 12:07 0次 阅读
HMC-MDB277 DBL-BAL混频器芯片,70 - 90 GHz

ADM691A 微处理器电源监控器,内置备用电池切换、可调复位周期与可调看门狗周期、芯片使能信号、看门狗、备用电池功能和4.65V阈值电压、低VCC状态输出、250MA输出电流特性

和特点 低功耗 精密电压监控器 ADM800L/M容差:±2% 复位时间延迟:200 ms或可调 待机电流:1 µA 备用电池电源自动切换 芯片使能信号快速片内选通 同时提供TSSOP封装(ADM691A)产品详情 ADM691A/ADM693A/ADM800L/ADM800M系列监控电路均为完整的单芯片解决方案,可实现微处理器系统中的电源监控和电池控制功能。这些功能包括微处理器复位、备用电池切换、看门狗定时器、CMOS RAM写保护和电源故障警告。该系列产品是MAX691A/93A/800M系列的升级产品。所有器件均提供16引脚DIP和SO封装。ADM691A同时提供节省空间的TSSOP封装。主要提供下列功能:启动、关断和掉电情况下的上电复位输出。即使VCC低至1 V,电路仍然可以工作。CMOS RAM、CMOS微处理器或其它低功耗逻辑的备用电池切换。如果可选的看门狗定时器在指定时间内未切换,则提供复位脉冲。1.25 V阈值检波器,用于电源故障警告、低电池电量检测或+5 V以外电源的监控。 方框图...
发表于 02-22 12:06 0次 阅读
ADM691A 微处理器电源监控器,内置备用电池切换、可调复位周期与可调看门狗周期、芯片使能信号、看门狗、备用电池功能和4.65V阈值电压、低VCC状态输出、250MA输出电流特性

MAT14 匹配单芯片四通道晶体管

和特点 低失调电压:400 μV(最大值) 高电流增益:300(最小值) 出色的电流增益匹配度:4%(最大值) 低电压噪声密度(100 Hz、1 mA):3 nV/√Hz(最大值) 出色的对数一致性:体电阻 rBE = 0.6 Ω (最大值) 所有晶体管保证匹配产品详情 MAT14是一款四通道单芯片NPN型晶体管,具有出色的参数匹配性能,适合精密放大器和非线性电路应用。MAT14的性能特征包括:在很宽的集电极电流范围内提供高增益(最小300)、低噪声(在100 Hz、IC = 1 mA条件下最大值为3 nV/√Hz)以及出色的对数一致性。失调电压典型值低至100 μV,精密电流增益匹配度可达4%以内。MAT14的每个晶体管均经过独立测试,符合数据手册性能规格。为使参数匹配(失调电压、输入失调电流和增益匹配),双晶体管组合中的每个晶体管均经过验证,达到了规定的限制要求。在25°C的环境温度和工业温度范围内保证器件性能。匹配参数的长度稳定性由各晶体管基极-发射极结上的保护二极管保证。这些二极管能够防止反向偏置基极-发射极电流导致β和匹配特性下降。MAT14的出色对数一致性和精确匹配特性使它非常适合用于对数和反对数电路。MAT14是需要低噪声和高增益的应用的理想选...
发表于 02-22 12:01 0次 阅读
MAT14 匹配单芯片四通道晶体管

全球半导体市场数据分析_芯片设计演化历史和趋势

“芯片国产化”是国家未来长期重要发展战略。十九大报告提出,我国经济已由高速增长阶段转向高质量发展阶段....
的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 02-22 10:36 895次 阅读
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日本半导体走向衰退的4个原因

《日经》2月18日发表作者西条都夫的文章「日本半导体行业没落的4个原因」指出,对平成年代(1989年....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-22 09:20 403次 阅读
日本半导体走向衰退的4个原因

主控芯片的用途

主控芯片是主板或者硬盘的核心组成部分,是联系各个设备之间的桥梁,也是控制设备运行工作的大脑。在主板中....
的头像 发烧友学院 发表于 02-22 08:41 237次 阅读
主控芯片的用途

KU5529A雷达感应吸顶灯的详细资料合集介绍

本文档的主要内容详细介绍的是KU5529A雷达感应吸顶灯的详细资料合集介绍。包括了:KU5529,K....
发表于 02-22 08:00 30次 阅读
KU5529A雷达感应吸顶灯的详细资料合集介绍

澳洋顺昌2018年年度报告显示 2019年芯片行业整体形势依旧不容乐观但LED产业已经逐步走向成熟

2月20日,澳洋顺昌2018年度业绩网上说明会在全景网举办,总经理陈锴表示,根据公司2018年实际经....
发表于 02-21 17:18 121次 阅读
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聚飞光电宣布拟以自有资金人民币2000万元认购南京俱成秋实股权的1.8%基金份额

2月20日,聚飞光电发布公《关于公司拟参与设立产业投资基金的议案》的公告称,根据公司战略发展的需要,....
发表于 02-21 17:05 107次 阅读
聚飞光电宣布拟以自有资金人民币2000万元认购南京俱成秋实股权的1.8%基金份额

比特大陆正式发布第二代7nm芯片BM1397

全球第一大加密货币矿机公司——比特大陆今日正式发布第二代7nm芯片BM1397。据悉,该芯片支持SH....
的头像 芯智讯 发表于 02-21 16:41 405次 阅读
比特大陆正式发布第二代7nm芯片BM1397

2019半导体商如何在IoT市场顺势而行

2019年半导体产业在AIoT、5G、自动驾驶、边缘计算的“潮流”中可望迎来新的发展高度。与此同时,....
的头像 SiliconLabs 发表于 02-21 16:33 448次 阅读
2019半导体商如何在IoT市场顺势而行

电学原理入门详细教程之前漫画电学原理PDF中文版免费下载

电是推动现代生活不可或缺的元素,它提供的热、光、力被广泛应用于各种电器产品中,为我们的生活提供了极大....
发表于 02-21 16:22 73次 阅读
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一文看懂2018全球半导体市场数据

“芯片国产化”是国家未来长期重要发展战略。十九大报告提出,我国经济已由高速增长阶段转向高质量发展阶段....
的头像 传感器技术 发表于 02-21 15:59 677次 阅读
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澳洋顺昌预计LED业务出现亏损 净利大幅下滑

在澳洋顺昌2018年度业绩网上说明会上,总经理陈锴在本次说明会上介绍,根据公司2018年实际经营情况....
的头像 高工LED 发表于 02-21 15:45 422次 阅读
澳洋顺昌预计LED业务出现亏损 净利大幅下滑

华虹位列全球头部代工厂的地位得到巩固 再出发拥抱未来挑战和机遇

2019农历新年之际,一条新春贺词和祝福刷爆业内朋友圈。在这份来自华虹集团党委书记、董事长张素心的新....
的头像 工程师人生 发表于 02-21 15:32 545次 阅读
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如何加速中国本土半导体供应链成长?华强芯城给出了方案

前段时间,粤港澳大湾区半导体产业联盟宣布成立,拟集结三地优质资源,加速构建半导体产业新生态。这让我们看到了一个积极信号:...
发表于 02-20 10:11 110次 阅读
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发表于 02-20 10:11 110次 阅读
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请问谁有汽车点火芯片逆向算法方面的资料,有偿!

需要汽车点火芯片算法(46,48,96位48等)的资料,有偿,有的请留言或私信 ...
发表于 02-18 15:47 212次 阅读
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请教关于STC单片机烧录一定次数程序后时芯片损坏问题

自从使用STC的51单片机以来,觉得STC不仅功能强大,而且烧写方便。现在一直是爱不释手。但是在使用过程当中也遇到烧写次数...
发表于 02-18 10:09 170次 阅读
请教关于STC单片机烧录一定次数程序后时芯片损坏问题

HP 4155B半导体参数分析仪/HP 4156B精密半导体参数分析仪

4155B/4156B datasheet.
发表于 02-15 16:34 90次 阅读
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维修小家电快速精通(详细图解)

《图解小家电维修快速精通》以图解文的形式系统地讲解了小家电维修的相关知识与技能,具体包括:机械控制型小家电、电子控制型...
发表于 02-15 15:59 991次 阅读
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微波集成电路需要掌握的微带电路

相关课程: 本资料包括,微带线基础、微波网络基础、耦合微带线、微带线的不均匀性、微带滤波器和变阻器以及微带线电桥、定向...
发表于 02-14 11:32 338次 阅读
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用于LTC6803-3演示板的电池监视器

评估电路DC1653A是一个电池监控系统,用于演示LTC6803-3集成电路的功能操作。该设计包括以内置板对板带状电缆互连...
发表于 02-14 09:39 121次 阅读
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请问有认识图中芯片的吗?

最近研究一个东西,遇到一款芯片,有没有大神知道这是哪个系列的芯片?芯片的大小尺寸是:1.1mm*2.1mm。...
发表于 02-13 10:53 45次 阅读
请问有认识图中芯片的吗?