0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

三星采取保守策略,DRAM投资大减,NAND闪存持续增投

BN7C_zengshouji 来源:未知 作者:胡薇 2018-10-10 16:13 次阅读

集微网消息,据日媒报道指出,因市场预期DRAM价格将在2019年之后呈现下跌趋势,三星恐将采取更为保守的策略。2019年,三星恐将减少在半导体设备上的投资额,其中DRAM的投资额预估减少20%以上,而在NAND Flash上的投资仍将持续增加。

DRAM增长趋势或将放缓

今年1-8月,DRAM的均价不断上扬,对此,半导体调研机构IC Insights认为,DRAM的平均售价(以及随后的市场增长)已达到顶峰,随着DRAM市场的产能扩充和资本支出增长,2019年DRAM市场的上升趋势或将停止。

IC Insights指出,去年DRAM产业的资本支出增加81%,今年持续攀升40%,预计未来会出现供给过剩的情况。但是与以往历史记录稍有不同的是,虽然DRAM产业的资本支出过高,但预期产能过剩的情况可能没有以往严重。因为,目前各大存储器大厂都在升级20nm制程,成本的增加意味着资本投入后的增加的产能比前几代制程少。

值得一提的是,随着合肥长鑫和福建晋华等两家大陆存储器厂商今年释出产能,或将为全球内存市场带来些许未知变数。

不过,作为全球DRAM龙头厂商,三星电子设备解决方案部门总裁金奇南 (Kim Ki-nam)稍早接受韩国联合通讯社采访时表示,今年底前DRAM芯片需求不会发生重大变化,似乎对今年DRAM价格持稳深具信心。

至于DRAM连续数季抢货的情况是否会在明年止步,金奇南则强调明年DRAM需求仍持续强劲,也暗示对明年DRAM产业持续成长维持乐观态度。

三星或大幅减少DRAM投资

三星电子近日公布的第3季财报显示,其第3季营收达17.5兆韩元(约154.7亿美元),较2017年同期大涨20%以上,创下单季历史新高纪录。由于移动业务不断下滑,三星第3季度的主要获利依然来源于半导体业务的大幅增长。

根据《日本经济新闻》 采访业内5位分析师的看法,其中4位都认为三星2019年会下调半导体设备投资,另外1位则认为三星会持续增加投资,其中增加的投资主要针对于晶圆代工业务,而存储器的投资还是会减少。

报道进一步指出,三星2019年针对存储器的投资总体会减少,但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星将大减20%资本支出;而在NAND Flash部分,三星的投资仍将持续增加。

除此之外,SK证券指出,三星2019年的半导体策略主要是重视DRAM的价格,以及NAND闪存的市占率。为了避免获利率较高的DRAM陷入极端供应过剩局面,三星将藉由抑制投资,借此舒缓2019年DRAM价格的下跌速度。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • DRAM
    +关注

    关注

    40

    文章

    2126

    浏览量

    181820
  • NAND
    +关注

    关注

    16

    文章

    1525

    浏览量

    134570
  • 三星电子
    +关注

    关注

    34

    文章

    15583

    浏览量

    180046

原文标题:三星采取保守策略?明年DRAM投资大减20%,NAND闪存投资持续增加

文章出处:【微信号:zengshouji,微信公众号:MCA手机联盟】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20%

    三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下
    的头像 发表于 03-14 15:35 244次阅读

    铠侠终止减产或致NAND芯片市场再动荡

    据统计,铠侠是全球第二大NAND芯片制造商,市场份额约为15%-20%,紧随其后的是韩国的三星。面对之前NAND报价持续下跌的困境,铠侠率先采取
    的头像 发表于 03-05 09:23 154次阅读

    DRAM涨价启动!Q1涨幅高达20%

    有存储模组厂收到三星2024年第一季度将DRAM价格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND闪存定价,但预计
    的头像 发表于 01-08 16:43 471次阅读

    DRAM价格上涨因存储巨头减产,供需紧张料持续至年底

    据报道,近期三星宣布自明年第一季度起,DRAM价格将上涨至少15%;尽管NAND闪存涨价迹象尚不明显,但预测同样存在跟进上涨的可能。据IT之家引用集邦观点预计,
    的头像 发表于 01-03 14:31 477次阅读

    三星与美光拟提DRAM价格,以求盈利回暖

    部分存储模组厂已接到三星通知,要求明年年初至少将DRAM价格上调15%以上,且该通知并未涉及NAND闪存定价,故预计后者将会持续上涨。
    的头像 发表于 01-03 10:46 555次阅读

    dramnand的区别

    dramnand的区别  DRAMNAND是两种不同类型的存储器。DRAM(Dynamic Random Access Memory)是
    的头像 发表于 12-08 10:32 4132次阅读

    三星计划NAND闪存芯片每个季度涨价20%

    三星采取此举的目的很明确,希望通过此举逆转整个闪存市场,稳定NAND闪存价格,并实现明年上半年逆转市场等目标。
    的头像 发表于 11-03 17:21 1222次阅读

    #美国 #三星 美国彻底放弃卡脖子吗?美国同意三星电子向中国工厂提供设备!

    三星电子
    深圳市浮思特科技有限公司
    发布于 :2023年10月11日 13:47:16

    三星将削减NANDDRAM平泽P3晶圆厂投资

     平泽p3 晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道,三星原计划将p3工厂的生产能力增加到8万个dram和3万个nand芯片,但目前已将生产能力减少到5万个
    的头像 发表于 10-08 11:45 766次阅读

    三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存

    三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,
    发表于 08-21 18:30 290次阅读

    三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产

    三星已经减少了主要nand闪存生产基地的晶圆投入额。这就是韩国的平泽、华城和中国的西安。业内人士认为,三星nand
    的头像 发表于 08-16 10:23 427次阅读

    三星或提高512Gb NAND闪存晶圆报价 涨幅为15%

    据《电子时报》报道,三星提出的512gb nand闪存晶片单价为1.60美元,比2023年初的1.40美元约上涨15%。但消息人士表示,由于上下nand
    的头像 发表于 08-02 11:56 766次阅读

    8倍密度,像做3D NAND一样做DRAM

    Semiconductor。   X-NAND   相信去年的闪存峰会上,除了铠侠、SK海力士、长江存储、三星等大厂所做的技术分享外,大家也都注意到了这家名为NEO Semiconductor的初创企业。这是一家专为
    的头像 发表于 05-08 07:09 1992次阅读
    8倍密度,像做3D <b class='flag-5'>NAND</b>一样做<b class='flag-5'>DRAM</b>

    什么是3D NAND闪存

    我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,
    的头像 发表于 03-30 14:02 2155次阅读