首届“青山湖”杯微纳智造创新挑战赛报名正式开始

2018-10-08 14:35 次阅读

2018年10月8日,由浙江杭州青山湖科技城管理委员会主办的首届“青山湖”杯微纳智造创新挑战赛正式面向社会公开报名。大赛旨在努力吸引上游微纳器件设计与下游应用方案企业,逐步在青山湖科技城形成百亿级微纳电子元器件、千亿级软硬件终端产品企业集群。本次大赛由浙江杭州青山湖科技城管委会、摩尔精英共同承办,科钛网、《电子产品世界》杂志社、电子发烧友、瑞同科技等近20家机构共同协办。

浙江杭州青山湖科技城位于杭州西湖以西二十公里,其作为浙江省委省政府着力打造的科研机构集聚区与创新基地,以科技创新、技术产业化为目标,致力打造国际化的创新平台和产业化基地。青山湖微纳智造小镇,与浙江大学、之江实验室、阿里达摩院相邻,是浙江打造智能传感器创新中心、省级集成电路产业基地等微纳智造产业集群的综合载体,承担杭州发展数字经济核心技术的重任,致力于电子信息与人工智能领域的商用核心技术产业化。自成立起半年内累计引进22个总投资65亿元的微纳项目、13位“千人计划”专家,成为杭州市集成电路专项政策发布地!

首届“青山湖”杯微纳智造创新挑战赛报名正式开始

为进一步促进微纳智造创新项目、集成电路与智能软硬件开发人才和市场化VC创投基金等产业发展要素向青山湖科技城集聚。2018“青山湖”杯微纳智造创新挑战赛(以下简称“大赛”)即将于2018年10月至12月在杭州青山湖科技城盛大举行。此次大赛由浙江杭州城西科创产业集聚区管委会、杭州市临安区人民政府主办,杭州青山湖科技城管委会、摩尔精英共同承办,科钛网、《电子产品世界》杂志社、电子发烧友、瑞同科技、芯云汇、IC咖啡等近20家机构共同协办。

赛程安排及项目征集:

本次大赛分为四个阶段,项目征集阶段自现在起至11月底进行,大赛将根据海选标准筛选出约72个入围项目,并通过初赛、复赛、决赛最终决出12到15个项目的名次。邀请参赛的项目范围包括:

A、微纳智造应用项目

含各类嵌入式系统、物联网模块、机器视觉、工控系统、电子终端、传感器应用、通讯系统、Lora/NB-IoT解决方案、智能设备、POCT精准检测仪、AR/VR系统、智能制造系统等等;

B、微纳器件设计项目

含各类软硬IP核设计、集成电路设计、传感器开发、光电器件开发、功率器件开发、FPGA原型设计、算法硬件实现、人工智能芯片、微流控生物芯片、5G通讯芯片、其它高端芯片开发等等;

C、微纳集成与智能制造项目

含高端模组生产、半导体高端装备开发、技术先进的封装测试、环保的半导体材料加工、新型显示与柔性电子制造、微纳智造软件与云服务、传感器与集成电路专业技术服务等等。

参赛资格:

1、成长企业:

(1)属于新一代信息技术、智能制造领域,具有高成长性和较强创新能力的科技型中小企业,经营规范,无不良记录;

(2)注册成立10年以内(2008年1月1日之后注册),2018年1月1日前不属于杭州市临安区,且有在一年内迁入青山湖科技城发展的意向。

2、初创团队:

(1)从事新一代信息技术和智能制造相关领域,拥有或经授权使用项目的核心发明创造或专利技术,且项目尚未在其他地区实质落地;

(2)拥有科技创新成果、核心成员合作稳定的创业团队,要求主申请人年龄在55周岁以下且学位在硕士及以上,并有意来青山湖科技城创业。

奖金与政策:

特等奖1到3名:无奖金,给予1000万元到3000万元资助额度,特别重大的一事一议;一等奖2名:50万元奖金;二等奖4名:30万元奖金;三等奖6名:20万元奖金。

以上一、二、三等奖项目,于大赛结束后一年内落地的,可不经额外评审直接签约入驻,决赛现场奖励为奖金总额的20%,剩余80%奖金在入驻签约后一个月内拨付。另外,根据签约时约定的人才引进和投产营收任务目标,再给予最高600万、400万、200万的资助额度。

入围奖12名:无奖金,复赛中未进入决赛的约20个项目,根据落地情况,可不经额外评审直接签约入驻,给予不超过100万元的资助额度,先入驻先得,满12个名额为止。

关于青山湖科技城

青山湖科技城是浙江建设科技强省和创新型省份的重大工程,也是杭州城西科创产业集聚区的核心组成部分。2009年5月15日被批准设立,同年11月30日正式奠基建设。青山湖科技城规划面积115平方公里,分为四大功能区:研发区将集聚大批科研机构和研发人才;产业化区是高端产业和高新企业的集聚地;现代服务和综合生活配套区是企业总部、中介机构、现代服务业的集聚地;生态休闲区将围绕青山湖适度开发生态休闲旅游业。 

青山湖科技城将坚持“高起点、高标准、高水平”目标,按照“特色鲜明、品质一流、作用突出”要求,推进高新技术及其产品的研究开发,加快高新技术成果的中试转化,培育孵化高新技术企业及科技型中小企业,集聚培养研发创新人才,辐射带动全省乃至长三角地区经济转型升级。力争通过几年乃至更长时间 努力,把科技城建设成为国际先进、国内一流的科技资源集聚区、技术创新源头区、高新企业孵化区、低碳经济示范区,成为“科技新城、品质新区”。

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LOG2112 片上电压参考为 2.5V 的精密对数和对数比放大器

LOG112和LOG2112是多功能集成电路,可计算输入电流相对于参考电流的对数或对数比。 LOG112和LOG2112的V LOGOUT 被调整为每十倍输入电流0.5V,确保在宽动态范围的输入信号上具有高精度。 LOG112和LOG2112具有2.5V基准电压源,可用于使用外部电阻产生精密电流基准。 低直流偏移电压和温度漂移可在指定温度范围内精确测量低电平信号。 °C至+ 75°C。 特性 易于使用的完整功能 输出缩放放大器 片上2.5V电压参考 高精度:0.2%FSO超过5个十年 宽输入动态范围: 7.5十年,100pA至3.5mA 低电流电流:1.75mA 宽电源范围:±4.5V至±18V 封装:SO-14(窄)和SO-16 应用 日志,日志比率: 通信,分析,医疗,工业,测试,一般仪器 光电信号压缩放大器 模拟信号压缩模拟前后的模拟信号压缩-DIGITAL(A /D)转换器 吸光度测量 ...

发表于 09-06 17:29 23次 阅读
LOG2112 片上电压参考为 2.5V 的精密对数和对数比放大器

LMX2485Q-Q1 用于射频个人通信的汽车类 Δ-Σ 低功率双路 PLL

LMX2485Q-Q1是一款带有辅助性整数N PLL的低功耗,高性能Δ-Σ分数N PLL。该器件采用TI高级工艺制造。 凭借Δ-Σ架构,低偏移频率下的分数杂波被推至回路带宽之外的更高频率。将杂波和相位噪声能量推至更高频率的能力是调制器阶数功能的直接体现。与模拟补偿不同,LMX2485Q-Q1采用的数字反馈技术对于温度变化和晶圆制造工艺变化的抗扰度较高.LMX2485Q-Q1Δ-Σ调制器经编程最高可达四阶,允许设计人员根据需要选择最优调制器阶数,从而满足系统对于相位噪声,杂波和锁定时间的要求。 对LMX2485Q-Q1进行编程的串行数据通过三线制高速(20MHz)MICROWIRE接口进行传输.LMX2485Q-Q1提供精确的频率分辨率,低杂波,快速编程以及改变频率的单字写入功能。这使其成为直接数字调制应用的理想选择。此类应用的N计数器通过信息直接调制.LMX2485Q-Q1采用4.0mm×4.0mm×0.8mm 24引脚超薄型四方扁平无引线(WQFN)封装。 特性 实现低分频系数分频的四模预分频器 射频(RF)锁相环(PLL ):8/9/12/13或16/17/20/21 中频(IF)PLL:8/9或16/17 < li>高级Δ-Σ分频补偿 12位或22位可选分频模量 最高可...

发表于 08-06 17:13 149次 阅读
LMX2485Q-Q1 用于射频个人通信的汽车类 Δ-Σ 低功率双路 PLL

LMX2615-SP 具有相位同步功且支持 JESD204B 的航空级 40MHz 至 15GHz 宽带合成器

LMX2615-SP是一款高性能宽带锁相环(PLL),集成了电压控制振荡器(VCO)和稳压器,可输出40MHz的任何频率和没有倍频器的15 GHz,无需½谐波滤波器。此设备上的VCO覆盖整个八度音程,因此频率覆盖范围可达40 MHz。高性能PLL具有-236 dBc /Hz的品质因数和高相位检测器频率,可以实现非常低的带内噪声和集成抖动。 LMX2615-SP允许用户同步设备的多个实例的输出。这意味着可以从任何用例中的设备获得确定性阶段,包括启用分数引擎或输出分频器的设备。它还增加了对生成或重复SYSREF(符合JESD204B标准)的支持,使其成为高速数据转换器的理想低噪声时钟源。 该器件采用德州仪器制造?先进的BiCMOS工艺,采用64引脚CQFP陶瓷封装。 特性 辐射规格 单一事件闩锁> 120MeV-cm 2 /mg < /li> 总电离剂量达到100krad(Si) 40 MHz至15 GHz输出频率 -110 dBc /Hz相位采用15 GHz载波的100 kHz偏移噪声 8 GHz(100 Hz至100 MHz)时54 fs RMS抖动 可编程输出功率 PLL关键规格 品质因数:-236 dBc /Hz 归一化1 /f噪声:-129dBc /Hz 高达200 MHz相位检测器频率< /li> 跨多个设...

发表于 08-03 17:56 64次 阅读
LMX2615-SP 具有相位同步功且支持 JESD204B 的航空级 40MHz 至 15GHz 宽带合成器