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IC Insights:预测2018年中国Pure-Play代工市场增长90%

渔翁先生 2018-09-28 09:54 次阅读

通过加密货币设备的驱动需求,台积电今年的中国销售额预计将增长79%。
 
根据IC Insights九月“McClean Report”的更新数据显示,由于今年中国纯晶圆代工市场预计增长51%(图1),中国2018年纯晶圆代工市场的总份额预计会增加增加了5个百分点至19%,超过了亚太地区其他地区的份额。总体而言,预计2018年中国整个纯晶圆代工市场将增加42亿美元中的90%。

随着近期中国无生产线IC公司的崛起,该国对代工服务的需求也在增加。总体而言,去年中国的纯晶圆代工销售额增长了26%,达到75亿美元,几乎是整个纯晶圆代工市场增长9%的三倍。此外,在2018年,预计对中国的纯晶圆代工销售额将激增51%,超过今年纯晶圆代工市场预期增长8%的6倍。
 
虽然预计所有主要的纯手工铸造厂今年都将在中国实现两位数的销售增长,但预计迄今为止增幅最大的是纯粹的代工厂商台积电。继2017年增长44%之后,台积电对中国的销售额预计将在2018年再增加79%至67亿美元。因此,预计中国将主要负责今年台积电的所有销售增长,中国在该公司销售额中的份额从2016年的9%增加到2018年的19%。
 
如图2所示,台积电在中国的大部分销售额在过去一年都有所增长,其中2017年第2季度的销售额几乎是2017年第3季度的两倍。该公司近期对中国的销售激增很大程度上是由于定制设备进入加密货币市场的需求增加所致。事实证明,许多大型加密货币无厂设计公司都设在中国,其中大部分已经转向台积电为这些应用生产先进的芯片。值得注意的是,台积电将其加密货币业务作为其高性能计算领域的一部分。

虽然台积电过去一年的加密货币业务销售额大幅上升,但该公司已表示预计今年下半年该业务将出现放缓。似乎对加密货币设备的需求高度依赖于各种加密货币的价格(其中最受欢迎的是比特币)。因此,最近比特币的价格暴跌(从今年1月份的每比特币超过15,000美元到9月份的不到7万美元),以及其他加密货币,正在降低对这些IC的需求。此外,由于台积电从一开始就意识到加密货币市场将会波动,公司没有根据最近强大的加密货币需求调整其容量计划,也没有将加密货币业务假设纳入其对未来长期增长的预测中。

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和特点 无源双平衡拓扑结构 高LO/RF隔离: 48 dB 低转换损耗: 7 dB 宽IF带宽: DC - 5 GHz 强劲的1 kV ESD保护,1C类 密封模块产品详情 HMC-C049是一款双平衡混频器,在7至14 GHz的频率下工作,提供低转换损耗、高隔离和宽IF带宽。 这款混频器不需要直流偏置,可在+9 dBm的LO功率水平下工作。 封装采用密封模块,其装配和测试符合MIL-883-STD要求。 该产品的标准配置包括三个可现场更换的SMA插口连接器,还可与SMP盲插连接器互换,或者可以拆卸,以便将I/O引脚直接连接到微带或共面电路。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 测试设备和传感器 军用最终用途 方框图...
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HMC788A 0.01 GHz至10 GHz、MMIC、GaAs、pHEMT RF增益模块

和特点 增益:14 dB(典型值) 工作频率范围:0.01 GHz至10 GHz 输入/输出内部匹配至50 Ω 高输入线性度 o1 dB压缩(P1dB):20 dBm(典型值)o输出三阶交调截点(IP3):33 dBm(典型值) 电源电压:5 V(典型值) 2 mm × 2 mm、6引脚引脚架构芯片级封装 HMC788A-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准) 下载HMC788A-EP数据手册(pdf) 扩展工业温度范围:-55°C至+105°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 产品详情 HMC788A是一款0.01 GHz至10 GHz、增益模块、单芯片微波集成电路(MMIC)放大器,采用砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)技术制造。 此款2 mm × 2 mm LFCSP放大器可用作级联50Ω增益级,或用于驱动输出功率高达20 dBm的许多ADI公司单平衡和双平衡混频器的本振(LO)端口。 HMC788A提供14 dB的增益,33 dBm的输出IP3,且采用5 V电源时功耗仅76 mA。达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。应用 蜂窝、3G、LTE、WiMAX和4G LO驱动器应用 微波无线电 测试和测...
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HMC635LC4 GaAs PHEMT MMIC驱动放大器,18 - 40 GHz

和特点 增益: 18.5 dB [1] P1dB: +22 dBm [1] 输出IP3: +27 dBm 饱和功率: +23.5 dBm (15% PAE [1]) 电源电压: +5V @280 mA 50 Ω匹配输入/输出 24引脚4x4mm SMT陶瓷封装: 16mm² 产品详情 HMC635LC4是一款GaAs PHEMT MMIC驱动放大器裸片,工作频率范围为18至40 GHz。 该放大器提供18.5 dB的增益、+27 dBm输出IP3及+22 dBm的输出功率(1 dB增益压缩时),功耗为280 mA(+5V电源)。 HMC635LC4非常适合作为微波无线电应用的驱动放大器,或用作工作频率范围为18至40 GHz的混频器LO放大器,可提供高达+23.5 dBm的饱和输出功率(15% PAE)。 隔直放大器I/O内部匹配50 Ω,非常适合集成到多芯片模块(MCM)中。 [1]增益、功率和噪声系数测量结果已经扣除板损耗。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 军事和太空 混频器LO驱动器 方框图...
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HMC8410-DIE 0.01 GHz至10 GHz,GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器

和特点 低噪声系数:1.1 dB(典型值) 高增益:19.5 dB(典型值) 高输出三阶交调截点(IP3):33 dBm(典型值) 裸片尺寸:0.95 mm × 0.61 × 0.102 mm 产品详情 HMC8410CHIPS是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、低噪声宽带放大器,工作频率范围为0.01 GHz至10 GHz。HMC8410CHIPS提供19.5 dB典型增益、1.1 dB典型噪声系数和33 dBm典型输出IP3,采用5 V电源电压时功耗仅为65 mA。22.5 dBm的饱和输出功率(PSAT)使低噪声放大器(LNA)可用作ADI公司许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC8410CHIPS还具有输入/输出(I/O),内部匹配50 Ω,非常适合基于表贴技术(SMT)的高容量微波无线电应用。应用 软件定义无线电 电子战 雷达应用 方框图...
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HMC1133 GaAs MMIC 6位数字移相器,4.8 - 6.2 GHz

和特点 低RMS相位误差: 2.8° 低插入损耗:5 dB 高线性度: +46 dBm 正控制逻辑 360°覆盖, LSB = 5.625° 32引脚5x5mm SMT封装25:mm2产品详情 HMC1133LP5E是一款6位数字移相器,额定频率范围为4.0至7 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC1133LP5E在所有相态具有2.8度的极低RMS相位误差及±0.4 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/+5V的正控制逻辑控制。HMC1133LP5E采用紧凑型5x5 mm塑料无引脚SMT封装,内部匹配50 Ohms,无需任何外部元件。 应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消方框图...
发表于 02-15 18:43 16次 阅读
HMC1133 GaAs MMIC 6位数字移相器,4.8 - 6.2 GHz

HMC8401-DIE DC至28 GHz,GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器

和特点 针对1 dB压缩(P1dB)的输出功率:16.5 dBm(典型值) 饱和输出功率(PSAT):19 dBm(典型值) 增益:14.5 dB(典型值) 噪声系数:1.5 dB 输出三阶交调截点(IP3):26 dBm(典型值) 电源电压:7.5 V (60 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸:2.55 mm × 1.5 mm × 0.05 mm 产品详情 HMC8401是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)。HMC8401是一款宽带低噪声放大器,工作频率范围为DC至28 GHz.该放大器提供14.5 dB增益、1.5 dB噪声系数、26 dBm输出IP3和16.5 dBm输出功率(1 dB增益压缩),同时功耗为60 mA(采用7.5 V电源时)。HMC8401还具有增益控制选项VGG2。HMC8401放大器输入/输出内部匹配50 Ω,可方便地集成至多芯片模块(MCM)。所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mils)的两条0.025 mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。应用 测试仪器仪表 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT) 军事与航天 电信基础设施 光纤产品 方框图...
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HMC8401-DIE DC至28 GHz,GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器

HMC8402-DIE 2 GHz至30 GHz,GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器

和特点 针对1 dB压缩(P1dB)的输出功率:21.5 dBm(典型值) 饱和输出功率(PSAT):22 dBm(典型值) 增益:13.5 dB(典型值) 噪声系数:2 dB 输出三阶交调截点(IP3):26 dBm(典型值) 电源电压:7 V (68 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸:2.7 mm × 1.35 mm × 0.05 mm 产品详情 HMC8402是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、低噪声放大器,工作频率范围为2 GHz至30 GHz。该放大器提供13.5 dB增益、2 dB噪声系数、26 dBm输出IP3和21.5 dBm输出功率(1 dB增益压缩),同时功耗为68 mA(采用7 V电源时)。HMC8402仅采用单正电源供电时具有自偏置以实现68 mA的漏极电流IDQ。HMC8402放大器输入/输出内部匹配50 Ω,可方便地集成至多芯片模块(MCM)。所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mils)的两条0.025 mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。应用 测试仪器仪表 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT) 军事与航天 电信基础设施 光纤产品 方框图...
发表于 02-15 18:43 6次 阅读
HMC8402-DIE 2 GHz至30 GHz,GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器

HMC8400-DIE 2 GHz至30 GHz,GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器

和特点 针对1 dB压缩(P1dB)的输出功率: 14.5 dBm(典型值) 饱和输出功率(PSAT): 17 dBm(典型值) 增益: 13.5 dB(典型值) 噪声系数: 2 dB 输出三阶交调截点(IP3): 26.5 dBm(典型值) 电源电压: 5 V (67 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.7 mm × 1.35 mm × 0.1 mm 产品详情 HMC8400是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)。 HMC8400是一款宽带低噪声放大器,工作频率范围为2 GHz至30 GHz. 该放大器提供13.5 dB增益、2 dB噪声系数、26.5 dBm输出IP3和14.5 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为67 mA(采用5 V电源时)。 HMC8400仅采用单正电源供电时具有自偏置以实现67 mA的漏极电流IDD。 HMC8400还具有增益控制选项VGG2。 HMC8400放大器输入/输出内部匹配50 Ω,可方便地集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mils)的两条0.025 mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。 应用 测试仪器仪表 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT ) 军事与太空 电信基础设施 光纤产品 方框图...
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HMC8400-DIE 2 GHz至30 GHz,GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器

HMC543A 22.5° MMIC 4位数字移相器,8 - 12 GHz

和特点 低RMS相位误差:4° 低插入损耗:6.5 dB 出色的平坦度 360°覆盖,LSB = 22.5° 24引脚陶瓷SMT封装:16mm2产品详情 HMC543ALC4B是一款4位数字移相器,额定工作频率范围为8至12 GHz,提供0至360度的相位覆盖,具有22.5度的LSB。HMC543ALC4B在所有相态具有4度的极低RMS相位误差及±0.8 dB的极低插入损耗变化。这种高精度移相器由0/-3V互补逻辑控制,无需固定偏置电压。HMC543ALC4B采用紧凑型4x4 mm陶瓷无引脚SMT封装,内部匹配至50 Ω,无需任何外部元件。简单的外部电平转换电路可用于将CMOS正控制电压转换为互补负控制信号。应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块方框图...
发表于 02-15 18:43 12次 阅读
HMC543A 22.5° MMIC 4位数字移相器,8 - 12 GHz

HMC7950 2 GHz至28 GHz,GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器

和特点 针对1 dB压缩(P1dB)的输出功率:16 dBm(典型值) 饱和输出功率(PSAT):19.5 dBm(典型值) 增益:15 dB(典型值) 噪声系数:2.0 dB(典型值) 输出三阶交调截点(IP3):26 dBm(典型值) 电源电压:5 V (64 mA) 50 Ω匹配输入/输出 产品详情 HMC7950是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)。HMC7950是一款宽带低噪声放大器,工作频率范围为2 GHz至28 GHz。该放大器通常提供15 dB增益、2.0 dB噪声系数、26 dBm输出IP3和16 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为64 mA(采用5 V电源时)。HMC7950仅采用单正电源供电时具有自偏置以实现64 mA的漏极电流IDD。HMC7950还具有增益控制选项VGG2。HMC7950放大器输入/输出内部匹配50 Ω,并经过隔直。它采用6 mm × 6 mm、16引脚LCC SMT陶瓷封装,易于处理和组装。应用 测试仪器仪表 军事与航天 方框图...
发表于 02-15 18:43 14次 阅读
HMC7950 2 GHz至28 GHz,GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器

HMC752 GaAs HEMT MMIC低噪声放大器,24 - 28 GHz

和特点 噪声系数: 2.5 dB 增益: 25 dB P1dB输出功率:+13 dBm 电源电压:+3V (70 mA) 输出IP3:+26 dBm 50 Ω匹配输入/输出 24引脚4x4mm SMT封装: 16mm² 产品详情 HMC752是一款GaAs MMIC低噪声宽带放大器,采用无引脚4x4 mm陶瓷表贴封装。 该放大器的工作频率范围为24至28 GHz,提供高达25 dB的小信号增益、2.5 dB噪声系数及+26 dBm输出IP3,同时采用+3V电源的功耗仅70 mA。 高达+13 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作平衡、I/Q或镜像抑制混频器的LO驱动器。 HMC752还具有隔直的I/O,内部匹配50 Ohms,因而非常适合高容量微波无线电或VSAT应用。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 军事和太空 测试仪器仪表 方框图...
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HMC752 GaAs HEMT MMIC低噪声放大器,24 - 28 GHz

HMC8410 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,0.01 GHz至10 GHz

和特点 低噪声系数:1.1 dB(典型值) 高增益:19.5 dB(典型值) 高输出三阶交调截点(IP3):33 dBm(典型值) 6引脚、2 mm × 2 mm LFCSP封装 产品详情 HMC8410是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器,工作频率范围为0.01 GHz至10 GHz。HMC8410提供19.5 dB典型增益、1.1 dB典型噪声系数和33 dBm典型输出IP3,采用5 V电源电压时功耗仅为65 mA。高达22.5 dBm的饱和输出功率(PSAT) 使低噪声放大器(LNA)可用作许多ADI公司平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC8410还具有输入/输出(I/O),内部匹配50 Ω,非常适合基于表贴技术(SMT)的高容量微波无线电应用。HMC8410采用符合RoHS标准的2 mm × 2 mm、LFCSP封装。多功能引脚名称可能仅通过相关功能来引用。应用 测试仪器仪表 点对点无线电 点对多点无线电方框图...
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HMC8410 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,0.01 GHz至10 GHz

HMC-C058 GaAs MMIC SPDT非反射式开关,DC - 18 GHz

和特点 高隔离度: >65 dB(最高6 GH频率下) >50 dB(最高18 GHz频率下) 低插入损耗: 2 dB (8 GHz) 2.8 dB (12 GHz) 快速开关: 3 ns的上升/下降时间 非反射式设计 密封模块 可现场更换的SMA连接器 工作温度范围为-55至+85 ℃ 产品详情 HMC-C058是一款通用的宽带高隔离度非反射式GaAs MESFET SPDT开关,封装在微型密封模块中,带有可现场更换的SMA连接器。 该开关频率范围为DC至18 GHz,具有高隔离和低插入损耗。 该开关在最高6 GHz频率下提供大于65 dB的隔离,在最高18 GHz频率下提供大于50 dB的隔离。 CMOS接口允许在很低直流电流条件下提供单个+5V偏置电压。 应用 光纤和宽带通信 微波无线电和VSAT 军用无线电、雷达和ECM 测试仪器仪表 方框图...
发表于 02-15 18:41 11次 阅读
HMC-C058 GaAs MMIC SPDT非反射式开关,DC - 18 GHz

一颗小小的驱动IC造就了一个行业的“战争之神”

此外,每个通道的输出电流大小可由外接电阻调整,同时芯片内置32级电流增益调节功能。SM16237DS....
的头像 高工LED 发表于 02-15 15:51 504次 阅读
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台积电积极推进7nm制程工艺 不惧苹果iPhone禁售影响

台积电是台湾领先的全球代工服务提供商,其历史长期以来一直与苹果有关。该公司是Apple的A系列处理器....
发表于 02-15 14:45 557次 阅读
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模拟集成电路设计精粹PDF电子书免费下载

这本书的目的是为了给试图深入理解模拟集成电路设计的人员提供知识上的帮助,他不是电子学方面的入门课程但....
发表于 02-15 10:28 99次 阅读
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台积电将在南科六厂旁新建一座8寸厂 用于客户特殊制程要求

台湾地区晶圆代工两大指标厂台积电、世界先进都看好8寸晶圆代工需求成长性,积极扩产。世界先进稍早宣布以....
的头像 半导体动态 发表于 02-14 16:55 1041次 阅读
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台积电要想保持优势,就必须要加快7nm EUV的进程!

所以,台积电要想保持优势,就必须要加快7nm EUV的进程。而7nm EUV工艺的关键在于EUV光刻....
的头像 芯智讯 发表于 02-14 16:04 1095次 阅读
台积电要想保持优势,就必须要加快7nm EUV的进程!

7纳米制程竞争激烈 台积电3月领先量产

延续7纳米制程领先优势,台积电支持极紫外光(EUV)微影技术的7纳米加强版(7+)制程将按既定时程于....
发表于 02-14 00:06 303次 阅读
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台积电将吃下ASML2019年18台EUV光刻机 7纳米销售占比将提升至25%

就在日前,半导体设备大厂荷兰商艾司摩尔 (ASML) 在财报会议上表示,2019 年 ASML 将把....
的头像 半导体动态 发表于 02-13 16:53 903次 阅读
台积电将吃下ASML2019年18台EUV光刻机 7纳米销售占比将提升至25%

如何减少IC的功耗

功耗是一个“机会均等”问题:从早期设计取舍到自动物理功耗优化,所有降低功耗的技术都彼此相互补充,并且....
发表于 02-13 14:37 57次 阅读
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7纳米EUV制程战火燃 台积电3月领先量产

延续7纳米制程领先优势,台积电支援极紫外光(EUV)微影技术的7纳米加强版(7+)制程将按既定时程于....
的头像 渔翁先生 发表于 02-13 10:08 1295次 阅读
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中国集成电路生产表现强劲 2018-2023年复合增长率达15%

自2005年以来,中国一直是集成电路最大的消费国,但根据新的500页的IC Insight(2019....
的头像 坚白 发表于 02-13 09:55 2155次 阅读
中国集成电路生产表现强劲 2018-2023年复合增长率达15%

新iPhone芯片A13第二季度量产 台积电再次独揽

11日消息,尽管芯片代工巨头台积电今年很可能依旧是苹果最新 A 系列芯片的独家代工商,但是该公司还是....
的头像 高工智能未来 发表于 02-13 08:51 545次 阅读
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nRF52840蓝牙芯片的产品数据手册免费下载

本产品规范根据集成电路中可用的模块和外围设备组织成章节。 外围设备描述分为单独的部分,包括以下信息....
发表于 02-13 08:00 57次 阅读
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公司要闻:苹果再遭集体诉讼 2018年华为购买芯片支出超210亿美元

很早之前应该是在2015年,苹果就已经推出了双因素认证方法,也就是说苹果在进行密码认证的同时还加入了....
发表于 02-12 16:24 421次 阅读
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PCB分层堆叠是如何控制EMI辐射的

就我们电路板上的IC而言,IC周围的电源层可以看成是优良的高频电容器,它可以收集为干净输出提供高频能....
发表于 02-12 15:15 103次 阅读
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盘点紫光展锐8大创新技术

创新是IC产业发展的基石!展锐自创立以来,始终将创新作为企业的核心竞争力及驱动力。从2G到5G,展锐....
的头像 芯智讯 发表于 02-12 10:33 495次 阅读
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台积电议价大砍 数家供应链咬牙苦撑

据半导体业者透露,台积电在2018第4季底已提前知晓2019年上半市况能见度不佳、业绩成长动能将停滞....
的头像 DIGITIMES 发表于 02-12 09:48 399次 阅读
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台积电水逆来袭 上万晶圆报废

2018年8月,台积电被爆厂区计算机遭病毒感染事件,引起业内一片哗然。时隔半年不到,台积电又出事故了....
的头像 DIGITIMES 发表于 02-12 09:45 513次 阅读
台积电水逆来袭 上万晶圆报废

DW1000低功耗单芯片CMOS无线电收发器IC的中文手册免费下载

DW1000 是一款符合 IEEE 802.15.4-2011 超宽带(UWB)标准的完全集成的低功....
发表于 02-12 08:00 41次 阅读
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台积电南科晶圆厂发生了晶圆污染事件,预估报废上万片晶圆

问题是在生产过程中检查不到瑕疵晶圆,只能等生产后才能确认,所以台积电目前也不知道到底影响有多大,但传....
的头像 中国半导体论坛 发表于 02-11 16:02 1844次 阅读
台积电南科晶圆厂发生了晶圆污染事件,预估报废上万片晶圆

华为已要求全球最大晶圆代工厂台积电,将部分晶圆生产线移至大陆!

华为先前在深圳召开核心应用商大会时,首度公布核心供应商名单,华为核心供应商共有92家,其中台湾厂商有....
的头像 中国半导体论坛 发表于 02-11 15:53 2124次 阅读
华为已要求全球最大晶圆代工厂台积电,将部分晶圆生产线移至大陆!

台积电晶圆被不合格原料污染,预估损失上万片晶圆

更详细的消息称这次晶圆污染事件发生于南科科技园的Fab 14晶圆厂,去年的病毒事件中这座晶圆厂也是被....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-11 15:47 1601次 阅读
台积电晶圆被不合格原料污染,预估损失上万片晶圆

FinFET(鳍型MOSFET)简介

1、半导体的工艺尺寸 在我们谈到半导体工艺尺寸的时候,通常对于下面的一串数字耳熟能详:3um、2um、1.5um、1um、0.8um、0.5um、...
发表于 01-06 14:46 3217次 阅读
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论工艺制程,Intel VS台积电谁会赢?

  SRAM,即静态随机存取存储器,比我们常见的DRAM(动态随机存取存储器)更快,常用于CPU缓存等,也是研发测试新...
发表于 01-25 09:38 6794次 阅读
论工艺制程,Intel VS台积电谁会赢?

分析师对IC市场前景预测不同 但都看好中国

  对于2016年半导体产业营收预测以及市场的长期动力,各家分析师有非常不同的看法;他们在一场于美国举行的晶片业高层年度聚会...
发表于 01-14 14:51 2201次 阅读
分析师对IC市场前景预测不同 但都看好中国

各类常用工艺库台积电,中芯国际,华润上华

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发表于 12-17 19:52 8758次 阅读
各类常用工艺库台积电,中芯国际,华润上华

[转]台积电借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特尔苹果

转自http://www.eet-china.com/ART_8800697889_480201_NT_08124b24.HTM 台积电借16nm FinFET Plus及InFO WL...
发表于 05-07 15:30 2545次 阅读
[转]台积电借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特尔苹果