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IC设计门槛垫高 NAND Flash控制晶片进入1X奈米时代

罗欣 来源:ETtoday新闻云 作者:周康玉 2018-09-21 11:50 次阅读

▲群联董事长潘健成表示,IC设计门槛越来越高。(图/资料照)

全球快闪记忆体(NAND Flash)控制晶片厂群联电子(8299)董事长潘健成表示,由于NAND Flash控制晶片的设计愈加复杂、所需人力及银弹越来越高,因此如果只卖IC,生意不好做,要赚钱变得更困难,NAND Flash控制晶片已正式进入1X奈米时代。

潘健成19日受邀于中国闪存市场峰会(CFMS 2018)进行演说,潘健成表示,NAND Flash控制晶片进入非常昂贵的1x奈米等级的晶圆製造阶段,垫高IC设计后来者的进入门槛,若单单只做IC设计的生意其获利是大不如从前,然而,这现况却能凸显群联电子的优势。

潘健成以「内存-闪存-存储 前世、今生、展望」为题演说,他说,以群联电子SSD控制晶片PS5012-E12来看,该颗晶片在研发人力、时间、设计工具、晶圆先进制程光罩费、3D NAND验证费…等等资源全数换算为可被评价的费用,总计超过1.55亿人民币(约当新台币6.6亿元),相较18年前、群联电子初创业时的成本多好几倍。

有鉴于5G物联网、车联网、以及人工智慧等多项创新与日俱增,储存需求只增不减,群联不只卖IC,更积极寻找长期策略伙伴,目前公司每年平均可出货6亿颗IC等,累积的自有专利达1,700件,一年营收逾13亿美元。

本文来源:ETtoday新闻云 周康玉

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