MOS替换方法及流程之栅源阈值电压的mosfet源
1.1VGS_th栅源阈值电压
ØNXP:BUK7510-55AL:
ØIRF 3305:
Ø英飞凌:IPP 80 n06s2-05
1.2与最大栅极限电压进行比较
下表给出了V的计算。-GATEVbat = 16V，不同温度:
| Vbat = 16 V | |||||
| VGATE | 正常时 | 堵转时 | |||
| TYP | 最大 | 估计Tj | |||
| -40°C | 70 | 84 | 14°C | 16°C | |
| 25°C | 1、48 | 1,59 | 79°C | 81°C | |
| 100°C | 1、14 | 1、22 | 154°C | 156°C |
ØNXP:BUK7510-55AL:
ØIRF 3305:
Ø英飞凌:IPP 80 n06s2-05
结论:
VGSth所有mosfet源的特性都非常接近。关于计算，栅电压(V)GATE_max) 总是小于VGSth在所有mosfet中，那么模块将总是能够在关闭状态下开关MOS(如果MOS没有损坏)。R33/R86的比例已经选得很好。
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原文标题：MOS替换方法及流程之栅源阈值电压
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