中国存储器产业发展需要跨过“融入市场”与 “自主可控”两道门槛

一、中国存储器产业发展需要跨过“融入市场”与 “自主可控”两道门槛

1.发展传统存储器是要快速融入市场，是中国产业 积累经验的探索之路

在目前的存储体系中，WUM内存和1UND闪存占主导地位，产业规模超过整体存储产业的90%。然而全球市场规模超700亿美元的DRAM市场被韩、美企业所瓜分，NAND市场也被韩、美、日企业所瓜分，我国存储产业严重受制于人。

虽然随着实现摩尔定律的脚步放缓，DRAM和NAND技术发展都面临严重瓶颈，但未来一定时期内仍将占据市场主导地位。因此，我国此时发展传统存储器DRAM和NAND可以快速融入市场，积累技术和人才的同时，实现国内存储产业全面国产化，缩小和国外龙头企业之间的差距，逐步实现存储产业弯道超车。

2. 发展新型存储器是中国未来具备技术独立和产业独立的必经之路

大数据、云计算和人工智能的出现要求容量大、速度快的非易失存储器。然而在现有的存储体系中，DRAM虽然数据访问速度快，但容量太小，而且断电后数据丢失。NAND虽然容量大，但访问速度太慢，无法适应新兴产业的需求。在此情况下，基于新的存储机理的新型存储器不断涌现，目前业界主要的新型存储器包括相变存储器、阻变存储器以及磁阻存储器。

对于上述三种新型存储器类型，各大存储器大厂也都在纷纷参与布局，不断推出产业化产品及测试芯片，都希望能在未来成为存储产业新的主导。对于这些有望在未来改 变存储产业格局的新型存储技术，大力加强产业投入，逐步实现技术自主可控，是我国未来具备技术独立和产业独立的必经之路。

3.传统存储器关注专利风险防范与化解，新型存储器关注专利战略谋划与布局

目前我国已经开始投入大量资金和人力用于研发制造 DRAM和NAND芯片。之前的分析表明我国NAND产业存在知识产权风险。在DRAM存储器领域，各公司之间专利诉讼非常频繁，相较于国外DRAM寡头近万件的专利储备，我国企业的专利储备相当薄弱。

2017年12月存储寡头美国美光已经向我国DRAM企业发起诉讼，可见我国发展传统存储器DRAM 和NAND专利风险的防范与化解迫在眉睫。

另一方面，新型存储器可能成为未来产业新的主导，国内发展该产业势在必行。但是，我国目前在新型存储产业投入较少，主要是科研院所进行研究，企业介入程度较低，产业化进程滞后；同时，新型存储器类型多，产业化进程各不相同，产业路径和模式还不明确。

如何基于国内已有的技术和人才资源，合理进行专利战略谋划与布局，在新型存储时 代逐步实现我国存储产业的自主可控是目前亟待解决的问题。

二、传统DRAM存储器产业化存在风险，需有效化解

1.全球DRAM专利布局基本完成

1）全球专利申请量达十万余件，申请由美曰韩主导，技术步入成熟期

图1：DRAM全球专利申请趋势

图1是DRAM全球专利申请趋势图，可以看出，自上世纪六七十年代DRAM技术出现开始，DRAM技术的发展经历了技术萌芽期，至八十年代进入快速发展期，形成稳定的技术格局。

自本世纪开始，DRAM技术专利申请量呈现断崖式下降， 在2010年左右，该项技术的申请量有过短时间的波动，但是整体依然呈现下降趋势。同时，图1还显示出美曰韩三国企业历年申请趋势，其与全球整体趋势基本一致。

此外，虽然当前DRAM主场份额主要由美国美光以及韩国三星、海力士占据，但是就专利申请来看，曰本企业仍在布局DRAM专利技术，以维持在该产业中的威慑力。

2）国内专利申请平稳有降，国内申请人布局力度不足

图2：DRAM国内专利申请趋势

图2是DRAM国内专利申请趋势图，整体专利趋势平稳有降。国内申请人从2000年之后才开始进行专利申请，且每年专利申请占比较小，布局力度明显不足。

3）三星、海力士、美光处于领先地位，我国专利储备极其薄弱

图3：DRAM全球重要专利申请人

从全球申请人排名的情况来看，如图3所示，DRAM存储寡头三星、海力士、美光具有接近万件以上的专利申请，即便已经退出市场的厂商依然有至少超过4000件以上的专利储备，而国内申请人专利申请仅在200件以下，专利储备极其薄弱。

2.专利诉讼一触即发，产业护航势在必行

我国DRAM产业处于起步期，与三星起步期相比资金、 政策、人才条件都已经初步具备，但缺少来自DRAM大厂的有效授权。同时由于随着dram技术趋于成熟，产业开始进入到诉讼高发期，与三星起步期相比，外部环境发生了巨大的变化，图4给出了专利申请量与诉讼量的对比情况。

图4：专利申请量与诉讼量的对比

随着时间的推进，包括三巨头三星、海力士、美光在内的国外存储器厂商积累了大量专利，而我国dram产业由于还处于起步期，专利积累极为薄弱，在产业进入诉讼高发期的背景下，我国既未获得有效技术授权，专利储备又严重不足，难以与巨头形成交叉许可，因此存在专利风险。

1）我国将同时面临三重专利诉讼风险

DRAM产业由群雄并起发展为寡头垄断，但是除了三巨头(三星、海力士、美光）外，退市厂商也持有大量有效专利。如图5所示，三巨头在全球存储器重要市场美国拥有超过2000件授权有效专利，同时已经退出市场的英飞凌、富士通、 IBM、东芝等都持有数量相当可观的美国授权有效专利。

图5：DRAM美国授权有效专利持有人分布情况

另一方面，从诉讼的统计情况来看，专利除了成为实体制造商排挤对手的武器外，还是NPE攫取利润的工具。由此可知，我国将同时面临来自三巨头、退出市场的厂商以及NPE的三重专利诉讼风险。

2）制造技术和控制技术诉讼频发

图6：DRAM专利诉讼技术分支分布

图6给出了DRAM专利诉讼技术分支分布情况，可以看出DRAM诉讼中包括半导体制造技术和控制技术，其中半导体制造技术占比30%，控制技术占比70%，存储单元结构、架构和制造工艺是半导体制造技术的诉讼热点，占比分别达 到54%、27%、17%。DDR接口技术是控制技术的诉讼热点，占比达到58%。

3.制造技术凤险评估

1）存储单元结构、制造工艺和整体架构存在一定数量的核心专利

对于常规的半导体制造技术，最重要的晶圆芯片内部的阵列整体架构变化不大，无电容架构虽有专利申请但未实现产业化，目前主流产品均采用1晶体管1电容（1T1R）的架构，该基础专利已经过期，架构变化严重依赖存储单元结构的变化。

同时，存储单元结构、制造技术的演进均是为了减小存储单元面积、增大容量，对于40nm以下DRAM半导体制造技术，存在一定数量的核心专利。

对于整体封装架构，传统二维打线封装架构和倒装封装架构基础专利均已过期。对于目前产业应用前景较广的三维 DRAM封装架构，虽然三维堆叠封装架构基础专利已经过期，但是能实现高带宽DRAM产品的三维TSV封装架构以及5D/3D封装架构都存在一定数量的核心专利。

2）40nm以下的核心专利构成知识产权风险

图7：国内企业专利布局情况

图7示出了国内企业已公开专利的技术分布情况，其中红色部分是40mn以下制程专用制造技术，蓝色部分为通用制造工艺。由此可知，未来主要采用的是40mn以下的制造技术，对涉及这些技术的核心专利申请人进行分析发现， DRAM生产厂商半导体制造核心专利占比达到66%，风险专利主要被DRAM生产厂商美光、三星、海力士掌握，如图8所示。

加上H1R的整体架构基础专利已经过期，对于DRAM大厂而言，当前几乎垄断了市场，而我国企业则属于新进入的竞争者，这些DRAM大厂很有可能利用手中的专利武器发起诉讼从而达到排除竟争者的目的。

因此这些大厂所掌握的40mn以下的制造技术和相应的存储单元结构核心专利对我国产业构成较高知识产权风险。此外，退出市场的厂商也持有相当比例的核心制造技术专利，其专利风险也同样不可忽视。

图8：核心制造技术专利权人分布

4.控制技术风险评估

1）DRAM的DDR接口标准必要专利成为诉讼利器

DRAM发展的历史上发生过大量的专利诉讼，图9给出了DRAM发展史上主要的诉讼发起者的诉讼规模（诉讼规模=诉讼专利件数*被告数量）排名情况。

图9：主要诉讼发起者规模排名

其中Rambus发起的专利诉讼规模最大。对Rambus涉诉的专利进行分析发现，全部的21项专利都属于DDR接口标准必要专利，其中US7287109B2、US6591353BKUS6470405B2 涉诉规模最大，被告企业达29家。由于标准必要专利的控制力强，取证容易，成为了DRAM领域的诉讼利器。

2）DDR接口标准必要专利已发展至DDR4

DDR接口从DDR1发展到DDR4已历经4代，DDR2-DDR4 在DDR1的基础上引入了 一系列特征从而实现带宽的不断增加和电压的不断降低。因此，DDR接口标准必要专利由DDR1 基础型专利和DDR2-4改进型专利构成。

3） DDR2-DDR4改进型专利构成知识产权风险

由于DDR的基础专利已经过期，对DDR2-DDR4改进型专利进行分析，主要权利人排名情况如图10所示。

图10：DDR核心专利权利人排名

DDR2-DDR4改进型专利主要掌握在现存的DRAM厂商海力士、三星、美光和CPU厂商英特尔手中，占比达到53%，因此被这些DRAM厂商所掌握的DDR核心专利对我国DRAM产业构成了较大的专利风险。此外，已经退出市场的厂商、NPE和小型存储企业也持有相当部分的DDR核心专利，其风险也不可忽视。

5. 建议积极引进合作，化解专利风险

1）寻求专利许可，合理控制授权许可费

国内企业在寻求专利许可时，应通过谈判将授权许可费控制在合理范围内，不应超过该许可费最高估值。

2） 寻求核心专利收储

DRAM历史上发生过专利收购的价格并不统一，但专利的价值主要取决于市场上是否存在侵权的产品，同时这些侵权产品的侵权证据是否容易收集。除此之外，专利许可买卖历史及价格、专利的寿命、市场容量以及消费需求等也是影响专利价值评估的至关重要的因素。

6.布局核心专利，参与标准制定，化解专利风险

积极布局易于侵权判定的存储单元结构及DDR接口技术核心专利，跟随JEDEC标准组织的DDR接口标准加强专利布局。

虽然DRAM半导体制造和控制技术核心专利主要被国外存储厂商把控，我国DRAM企业仍需要在存储单元结构、DDR 接口技术等易于侵权判定的专利技术上积极布局，增加可以进行反诉甚至可以主动诉讼的专利，即具备进攻属性的专利储备。

一方面，半导体制造上布局垂直晶体管、杯状电容、 高K电容、蜂巢电容结构等40nm以下存储单元结构核心技术。另一方面，如图11所示>DDR技术产业的布局重点是 SRT、ODT、ASR等降低功耗的技术，我国应加强这些分支的研究和专利布局，最终努力参与DDR接口技术新标准的制定。

图11：控制技术专利布局

三、新型存储器格局未定，各国争先布局

1.全球存储寡头加大新型存储器投入，相变、磁阻、阻变存储器并行研发

国际存储器巨头对新型存储器体现出了巨大的热情，纷纷加大研发投入。如图12所示，从专利申请数量上来看，国际存储器巨头，例如三星、美光、海力士等，均在相变、 阻变、磁阻存储器上投入了较大的研究力量，布局大量专利。

图12：国际存储器巨头新型存储器专利布局情况

2.全球相变存储器主要分为三大阵营，中国具备一定的研发实力

通过梳理相变存储器全球技术发展路线，发现存储材料趋向三元合金材料GST;存储单元结构趋向集成度高的1S1R; 存储阵列趋向实现大容量的垂直堆叠；制造工艺包括光刻、 掩膜等工艺，控制技术集中在读写性能的提高和多值控制。

如图13，通过对相变存储器的专利按照联合申请和转让的情况进行共现分析。根据专利体现出的关联度并结合产业信息，相变存储器的申请人主要集中为三大阵营。

分别是三星和相关科研机构组成的三星阵营，英特尔、美光联合意法半导体和OVONYX组成的英特尔、美光阵营，以及以IBM、英飞凌、旺宏电子和奇梦达为代表的IBM阵营，当然还存在如海力士、东芝等其他研究力量。中国方面，中科院也与中芯国际联合进行研发，具备一定实力。

图13：相变存储器申请人联合申请与许可关联图

1）英特尔与美光阵营善用全球资源，共享优质人才， 把控核心专利，实现产业领先

英特尔与美光密切关注掌握核心技术的小型创新型企业。如图14所示，1970年英特尔和能源转换装置公司合作研发了世界上第一个256位半导体相变存储器。1999年，能量转换装置公司则与美光前副主席建立了新的子公司 0V0NYX。

图14：荚特尔/美光与其它公司的合作关系

2000年，英特尔与OVONYX发表了合作与许可协议; 2012年美光收购破产的能量转换公司，获得其下OVONYX关于相变存储器的所有知识产权。

英特尔与美光共享优质人才，深度合作。如图15所示，在相变存储器领域英特尔与美光的主要发明人存在着大量交叉的现象，这说明英特尔与美光进行了深度合作研发。

图15：英特尔与美光的相变存储器专利中发明人的交叉情况

英特尔与美光基于收购的原型技术持续改进，抢占关键节点。英特尔在存储材料中全面进行布局。在存储单元结构中，英特尔主要在存储单元结构中的控制单元上进行深入研究，提出了以双向阈值开关（OTS)为基础的存储单元结构。

在存储阵列中，英特尔先后在平面堆叠和垂直堆叠上进行专利布局，并基于1D1R结构的三维平面堆叠方式为大容量奠定基础。在存储材料和存储单元结构相继得到突破后，英特尔注重制造工艺以及控制技术的专利布局。

和英特尔的专利布局策略相似，在存储材料方面，美光同时在二元合金和三元合金积极进行布局。在存储单元结构上，基于Ovonyx的双向阈值开关技术进行改进，申请双向阈值开关以及1S1R相关专利技术。为了提高相变存储器的存储容量，美光主要专注于垂直堆叠技术。

图16：美光与英特尔收储OTS核心专利，加以改进并实现技术突破

如图16所示，美光还进一步在与英特尔的合作研发过程中对核心专利加以改进，进行继续研发，布局了多篇OTS选通管改进型专利，实现技术突破。

基于在多个重要技术节点上取得的突破和技术的全面性，英特尔和美光于2015年率先量产容量为128Gb的相变存储器一3DXPoint,在新型存储领域占得优势。

2）三星关键技术节点研发受挫，当前重新跟随英特尔、美光脚步

三星仅实现较小容量的相变存储器产品。2008年，三星公司基于90nm工艺成功制备了 512Mb相变存储器芯片，2011年基于58nm工艺制备1Gb相变存储器芯片，2012年基于20nm工艺制备8Gb相变存储器芯片，而随后几年没有在相变存储器实现更大容量的突破。

三星产品容量受限，后续紧跟英特尔美光步伐。在相变材料上三星布局较为均匀，在二元合金、三元 金材料中均有布局。在存储单元结构方面，三星的专利技术主要集中在1T1R以及1D1R结构，并在这两种结构上广泛布局，直到2013年开始追随英特尔美光在1S1R结构上有所申请。

三星在2012年以前主要采用了传统的晶体管或二极管作为相变存储器的选择器件，限制了相变存储器容量的提升。在英特尔与美光宣布3DXPoint技术实现了相变存储器的技术突破后，三星在2016年以后分别对3DXPoint的存储单元、热绝缘层、0TS控制管等结构布局了一批3DXPoint的外围技术。

3）我国有望实现大容量相变存储器

中科院微系统所是我国相变存储器产业创新主体。相变存储器领域，我国创新主体的专利申请量排名如下图所示。中科院上海徽系统与信息所合作中芯国际研发生产Kb级打印机用相变存储器芯片，是目前我国相变存储器发展的主要力量。

图17：我国相变存储器申请人排名

中科院微系统所技术有望实现大容量产品，但部分核心技术被英特尔、美光抢先布局。

中科院徽系统所作为我国相变存储器领域申请量排名第一的创新主体，具有深厚的专利技术储备，其专利布局特点在于：（1)规模性：在相变存储器各技术分支上均有完备的布局，能够形成大容量相变存储器的完整技术链；（2)多样性：在相变材料等关键技术分支上具有差异化的布局，具有多种技术路径，具有规避知识产权风险的可能。

但相变存储器三大核心技术存储材料、存储单元结构和存储阵列的基础专利都牢牢掌握在英特尔和美光手中，釆用上述技术均会导致知识产权风险。

其中，仅相变材料具有多种可选的独立自主技术路径，一方面，我国应当在自主技术的基础上努力寻求专利许可来发展相变存储器产业；同时，还应当加大研发投入，在结构及阵列技术领域形成拥有自主知识产权的技术。

3.全球半导体制造企业联合创新研发主体，共同推进阻变存储器产业化

1）存储器巨头美光联手索尼，海力士联手惠普

如图18所示，国外阻变存储器产业的现状是，各大存储器行业巨头已经分别生产出各自的测试芯片，但至今没有一家公司实现量产。为了实现技术的优势互补和强强联合， 国外各大存储器公司釆用公司合作的方式进行阻变存储的研发。

具体地，惠普的材料技术联合海力士先进的半导体制造工艺，共同实现技术突破；索尼借助美光制造技术，共同研发推出16Gb (2GB)阻变存储器芯片；闪迪和东芝共同 进行专利申请，率先推出32GB阻变存储器测试晶片； CROSSBAR利用自主研发结合中芯国际的制造力量，产出1TB 存储器。

图18：国外主要公司合作态势

2）中芯国际合作创新企业CROSSBAR

CROSSBAR公司借助密歇根大学卢伟教授团队的阻变存储器研发力量，实现阻变存储器快速发展的同时，与中芯国际达成合作。中芯国际利用自家低温BE0L制程，帮助CROSSBAR代工试产阻变存储器，将多层阻变存储器单元结构整合至CMOS晶圆之上，正式出样的40ntn工艺的阻变存储器芯片实现级存储，是目前阻变存储器领域离商业化进程最近的产品。

但在与创新企业CROSSBAR合作过程中，中芯国际没有在相关技术的核心节点上进行专利布局。

4.全球半导体巨头联合小型创新企业，共推磁阻存储器产业化

1）三星收购磁阻存储创新型公司GRANDIS，快速切入磁阻存储产业

如图19所示，三星在2010年转入磁阻存储器领域，在2018年即将实现磁阻存储器（STT-MRAM类型）的量产，三 星短时间内切入磁阻存储器领域并实现量产的原因之一在于其寻找到合适的收购目标GRANDIS。通过收购，三星获得磁阻存储器（STT-MRAM类型）核心专利一百佘件。

图19：Grandis 合作以及被并购情况

2）制造巨头格罗方德合作创新主体EVERSPIN，共享专利技术

Everspin成立于2008年，是一家专业从事磁阻存储器研发的创新型企业，目前市场上有两种类型的磁阻存储器已经量产，均为Everspin公司的产品。

如图20所示，Everspin和半导体制造大厂格罗方德从2014年就STT-MRAM类型磁阻存储器技术进行合作推动 STT-MRAM商业化进程，Everspin提供芯片技术，格罗方德则提供生产线以及制造工艺，并为Everspin注资2900万美元进行STT-MRAM 的研发，二者之间共享所有知识产权。

图20：Everspin 以及格罗方德合作模式

5.小结

1）国际存储巨头纷纷联手创新型科技机构

图21：国外相变存器产业发模式

如图21所示，相变存储器三大阵营中的英特尔、美光 阵营和IBM阵营都釆取研发型科技机构+存储器制造厂的合作模式。英特尔、美光通过合作、并购获取了 OVONYX和能 源转换公司的核心技术，并在此基础上加以改进实现技术领先，同时进行相应专利布局；旺宏电子通过与IBM进行合作， 充分利用两家企业的研发优势，通过联合申请大量布局专利。

此外，在磁阻、阻变存储器领域，该模式也被广泛采用，如图22所示。在磁阻领域，三星收购了 Grandis，获取其关键技术，格罗方德则与Everspin签署了合作协议。在阻变领域，中芯国际则与Crossbar取得了合作，并推出了样片。

图22：国外磁阻、阻变存储器产模式

在新型存储器领域，一些研发型科研机构有能力在技术上取得突破，但存储器的制造，甚至仅仅是研发产品的流片都具有十分高的门槛，因此仅仅靠科研机构无法让新型存储器跨越实验室与产业化之间的鸿沟。而对于存储器大厂而言，由于新型存储技术路线还不明朗，研发投入巨大且技术产出成果难以预计，研发风险大。

因此业内优秀的科研机构均乐于与存储器制造厂合作，存储器制造厂也常常通过收 购、并购科研机构，以将原型技术进行产业化，占据新的领域高点。

通过这种合作模式，业内的创新主体们在新型存储领域取得了一个又一个的突破，甚至有的已经率先实现大容量新型存储器产业化，如图23所示，“研发型科研机构+存 储器制造厂”这种模式已成为业内实现产业化的主流模式。

图23：新型存储国际主流合作模式

依托这种合作模式，存储器厂通过专利收储、联合申请等方式，获取了研发型科研机构的核心技术，同时也增强了自身的专利布局，提升产业控制力。比如，在三星收购Grandis的同时也收储了其100余件专利；英特尔和美光在收购能源转换公司（ECD)的同时也收储其20余件专利，实现了技术突破，并基于收储专利进行进一步专利布局；旺宏电子和其合作伙伴IBM也进行了100余件专利的联合申请， 实现技术的互利共赢。

国际存储器制造大厂与研发型科研机构合作的这种方式，迅速抢占专利高地，完善自身布局结构，为今后产业控制力的较量奠定基础。

2）我国初步形成半导体厂联合创新型机构的新型存储研发模式

在我国，中芯国际也开始尝试这种“研发型科研机构+ 存储器制造厂”的合作模式，如图24所示，中芯国际在三个存储器领域均有涉猎，在相变、磁阻、阻变分别与中科院徽系统所、中科院物理所以及国外企业CROSSBAR进行合作。

但我国的这种合作模式与国外相比仍存在一些问题。下面将以相变领域中芯国际和中科院微系统所的合作与英特尔和 0V0NYX的合作进行对比，分析国内合作存在的问题。

图24：中芯国际新型存储合作情况

如图25所示，中芯国际的申请量仅为英特尔的不足四分之一，独立权利要求特征较多，保护范围较小，同时权利要求数量不多，未形成层次化保护。

图25：中芯国际、英特尔专利情况对比

不仅仅是在专利数量和质量上，在专利布局结构上也有较大的缺失，如图26所示，中芯国际的专利布局主要分布在制造工艺，占比近一半，而在存储阵列和控制技术方面缺失严重。

图26：中芯国际专利布局情况

如图27所示，在专利数量上中科院微系统所虽然有一定的积累，但仍仅为0V0NYX的一半不到，在保护范围和权利要求数量方面也暴露了高校申请专利的短板，保护范围小，权利要求数量少，未能形成层次化保护。

图27：中科院微系统所、OVONYX专利情况对比

因此，在我国“研发型科研机构+存储器制造厂”的合作模式并未充分地运转起来，存储器厂并未真正有效地消化、吸收科研机构的技术，并借此完善专利布局，提升产业控制力。具体表现为存储器厂和科研机构的专利数量少、质量低、布局结构不合理等。

四、我国存储器产业知识产权战略规划

1.科学制定分阶段知识产权战略目标

1）传统DRAM存储器采取“防守进攻”专利策略

目前存储寡头全球拥有超过万件专利申请，在国内拥有接近400件的专利申请。基于此，为保障我国DRAM产业安全，先力求国内市场实现与存储寡头企业在专利上的抗衡，累积专利申请，国内申请总量和有效专利数量基本与存储寡头达到同一竟争体量。

随后力求在全球市场实现与存储寡头企业在专利上的抗衡。增强专利海外布局，力争在我国涉及存储产品的主要贸易目的地实现与存储寡头专利量达到同 一竞争体量。

2）新型存储器采取“攻守兼备”专利策略

对于新型存储器，我国必须从现在开始有计划地进行战略专利储备。

2.多措并举，提升关键技术专利质量，培育高价值专利

通过加强地方专利申请扶持政策的方向性引导、强化专利质量监控和反馈等多种方式培育dram、新型存储器高价值专利。

重点培育涉及dram易于侵权判定技术、高带宽产品封 装架构的高价值专利；重点培育新型存储核心技术分支的高价值专利。

3.引导建立我国存储器产业知识产权联盟，应对专利风险，增强产业控制力

引导建立我国存储器产业知识产权联盟，通过联盟应对风险。力争在未来的新型存储时代确立知识产权优势，产业联盟完成从“风险防御”阶段向“产业主导”阶段转型。