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基于SystemC的存储器模型设计与性能分析

电子设计 2018-12-05 07:43 次阅读

1 引言

建立芯片模型是在早期进行芯片架构决策的有效方法,通过建模不仅可以对芯片的性能做出分析,还可以在硬件没有完成之前开发软件,不仅提高了产品成功率,而且缩短了研发周期。设计人员早期采用C/C++语言进行硬件建模。但是随着软硬件复杂度的提高,C/C++语言难以再满足要求。OSCI适时推出了SystemC语言来适应新的需求。如今SystemC已经被广泛应用于SoC软硬件建模中。

目前大部分SystemC建模方面是设计芯片整体模型的描述,这种针对特定芯片设计的文献虽然都有参考价值,但是其模型本身借鉴性有限。另一方面,构成SoC硬件的基本组件因为可重用的缘故,其模型设计具有更好的可借鉴性。这方面的研究成果相对较少,而且集中在总线建模方面,也可以看到多核设计方面的建模方法。

除了上述总线、CPU 架构外,片内或片外存储器同样是系统关键模块,对系统性能有着至关重要的影响。文献[6]对SystemClick框架做了扩展,从而通过存储器模型能够分析共享存储器对性能的影响。文献[7]针对多通道DRAM 做了建模,并且分析了不同的配置和使用情况对性能的影响。这两篇文献都对所设计的模型做了详尽的分析,具有很好的参考价值,但是两者的通用性欠佳。本文提出了一个可配置的通用存储器SystemC模型。

2 SystemC

SystemC可被视作C++硬件建模和仿真的扩展库,特别适合集成电路的建模,但它事实上可以用来描述更多的系统。SystemC通过确定仿真核心(simulation kernel)算法定义了处理并行事件和仿真时间的机制。SystemC还定义了模块、端口、接口、通道等概念来组成一个复杂SoC的连接关系和层次结构。因此,它解决了标准C++语言用于复杂硬件建模时的难题。

3 存储器的建模

3.1 存储器模型概述

为了能帮助设计人员分析系统性能并选择最合适的存储器构造,存储器模型需要反映出对性能造成影响的关键参数,即带宽、延时和仲裁机制。而这些参数又是由存储器的结构以及其它参数决定的。另一方面,本文希望提出一个通用的存储器模型,因此会有更多的参数用于配置存储器以模拟某种特定类型的存储器特征,比如多端口SRAM

图1给出了所设计的存储器模型的结构。它包括三个部分:一是模型接口;二是端口及bank可配置的存储器;三是由读写通路及仲裁机制构成的存储器控制器。接口部分采用了事务级建模,而内部模块采用了时钟精准的建模,这样在保证时间精度的同时,方便了接口连接以及提高了仿真速度。

基于SystemC的存储器模型设计与性能分析

图1 可配置存储器模型结构

3.2 存储器接口

基于SystemC的存储器模型接口,由SystemC定义的接口基类派生而来。整个存储器模型是一个SystemC模块,由于实现了所定义的存储器模型接口,它成为SystemC概念中的hierarchal channel。因此,该存储器模型将如同其它SystemC定义的通道,比如FIFO,一样作为基本组件来连接其它的模块从而构造出SoC硬件系统。所设计存储器具有如下所述事务级SystemC接口。

阻塞读接口:该接口用来读取给定地址的给定大小的数据,当数据没有读出时,调用这个接口的模块线程将被堵塞,直到数据读出为止。除了地址和数据,该接口还包含调用者的标志信息。

非阻塞读接口:与阻塞读接口不同的是,如果在调用时读指令不能被接受,则返回失败。否则,不等待数据返回便成功退出。这样调用接口的模块线程可以在等待时间做其它事情。调用者通过监听存储器模型广播的当前读出数据多对应调用者标记来在之后读出数据。

阻塞写接口:该接口用来向存储器给定地址写入给定大小的数据。当指令或写数据不能被存储器模型接收时,调用的线程被堵塞直到接受为止。除了地址和数据,该接口还包含调用者的标志信息。

非阻塞写接口:与阻塞写接口不同的是,当指令或数据不能被接受时,返回失败而不等待。否则返回成功。

复位接口:用于复位存储器模型。

为了不强制要求外部提供存储器模型需要的时钟,存储器模型接口中不包含时钟输入。模型内部有一个专门的时钟产生线程。

3.3 存储器实体

存储器模型中的存储器实体可以由多个bank组成,并构成一个子模块。根据bank的数量和种类,该存储器子模块具有不同数量的只读端口、只写端口和读写端口。为了能尽可能模拟不同的存储器类型,存储器子模块可配置参数如表1所示。

表1 存储器配置参数

基于SystemC的存储器模型设计与性能分析

3.4 存储器控制器

存储器控制器由指令队列、数据缓存、以及仲裁器构成。这一部分对系统的性能有重要影响。读指令队列和写指令队列用来分别缓存读写指令。当它们写满时,新的读写操作将失败或堵塞。指令队列的数量取决于访问存储器模型的模块有几个优先级。相同优先级的指令会被放到同一个队列。读仲裁器和写仲裁器分别根据队列中的读地址和写地址,读写数据缓存器的状态,以及指令优先级来决定发送哪个指令到哪个端口。而如果读指令和写指令指向了相同的读写端口,读写仲裁器将再一次做出仲裁。这里的每个仲裁器除了上述功能外,具体的仲裁机制以虚函数的形式由具体的实现来决定。在该存储器模型中实现了默认的基于优先级的轮询算法。存储器控制器的配置参数如表2所示。

表2 存储器控制器的配置参数

基于SystemC的存储器模型设计与性能分析

3.5 参数配置

存储器模型的众多参数需要在构造函数中配置完成。在运行阶段,不能再更改配置。运行阶段的配置更改将是我们下一步的研究内容,可以用于类似于文献[8]的自演化系统。

4 应用实例

图2所示为一个H.264解码器模块框图。该解码器共包括四个模块以流水线方式工作在宏块级别。其中熵解码产生运动矢量,变换系数等信息。残差恢复模块通过反量化、反变换操作得到残差。宏块预测模块进行帧内或帧间预测并和残差一起重建出宏块数据。去快效应模块实现H.264去块效应滤波。这四个模块通过一个共享的SRAM 来交换数据。RTL设计人员根据设计指标率先完成了各模块微架构的设计,平均解码每个模块所需时间在指标范围内。

基于SystemC的存储器模型设计与性能分析

图2 H.264解码器使用共享存储器在解码模块间交换数据

为了确定共享SRAM 引入的性能损失和确定SRAM 的设计,采用本文存储器模型进行分析。存储器的大部分参数已经被确定,需要决定采用几个bank(每个bank是一个单端口SRAM)。另一方面,各模块读写存储器的时间也基本确定从而有了可靠地负载模型。通过改变存储器模型的bank数,得到结果如图3所示。

基于SystemC的存储器模型设计与性能分析

图3 不同bank数所对应的单个宏块平均解码时间占允许时间的比例

由于bank的增加可以减少访问存储器的冲突,模型仿真得到的处理时间随bank数量的增加而减少。但是可以看到bank数量对所消耗的时间影响不大,这说明各解码模块访问存储器的时间分布已经比较均匀。由于一个bank的情况已经可以满足要求,所以最后确定bank数为1。RTL全部完成后的仿真结果所消耗的时间比模型所给出的略少一些,原因是RTL设计对访问共享SRAM 的时间安排做了进一步细化的工作。

5 结束语

本文提出了一个通用的存储器SystemC模型,该模型采用统一的事务级接口,和可配置的时钟精准的内部控制逻辑以及存储器构成。通过一系列的参数配置,该模型能够帮助设计人员快速实现系统建模并在存储器设计和选择上做出合理判断。借助其通用性,它还可以帮助保持一致性和减少重复劳动。该模型被应用于视频解码案例中,成功预测了共享SRAM 的bank数对性能的影响,证明了其有效性。

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HMC396 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 8 GHz

和特点 增益: 12 dB P1dB输出功率: +14 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC396芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至8 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+16 dBm的HMC混频器LO。 HMC396提供12 dB的增益,+30 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供56 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC396可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
发表于 02-22 12:07 0次 阅读
HMC396 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 8 GHz

HMC-APH196 中等功率放大器芯片,17 - 30 GHz

和特点 输出IP3: +31 dBm P1dB: +22 dBm 增益: 20 dB (20 GHz) 电源电压: +4.5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.3 x 1.95 x 0.1 mm 产品详情 HMC-APH196是一款两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为17至30 GHz。 HMC-APH196在20 GHz下提供20 dB增益,采用+4.5V电源电压时具有+22 dBm输出功率(1 dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-APH196 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 军事和太空 方框图...
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HMC-APH196 中等功率放大器芯片,17 - 30 GHz

HMC-ABH241 中等功率放大器芯片,50 - 66 GHz

和特点 输出IP3: +25 dBm P1dB: +17 dBm 增益: 24 dB 电源电压: +5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.2 x 1.42 x 0.1 mm 产品详情 THMC-ABH241是一款四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为50至66 GHz。 HMC-ABH241提供24 dB增益,采用+5V电源电压时具有+17 dBm输出功率(1dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-ABH241 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 军事和太空 方框图...
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HMC-ABH241 中等功率放大器芯片,50 - 66 GHz

HMC-MDB277 DBL-BAL混频器芯片,70 - 90 GHz

和特点 宽IF带宽: DC - 18 GHz 无源双平衡拓扑结构 LO输入功率: +14 dBm 裸片尺寸: 1.55 x 1.4 x 0.1 mm 产品详情 HMC-MDB277是一款无源双平衡MMIC混频器,采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术,可用作上变频器或下变频器。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB277双平衡混频器可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 这款紧凑型MMIC可以取代混合型双平衡式混频器,而且体积要小得多,性能更加稳定。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量无线电 FCC E波段通信系统 汽车雷达 传感器 测试和测量设备 方框图...
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HMC-MDB277 DBL-BAL混频器芯片,70 - 90 GHz

ADM691A 微处理器电源监控器,内置备用电池切换、可调复位周期与可调看门狗周期、芯片使能信号、看门狗、备用电池功能和4.65V阈值电压、低VCC状态输出、250MA输出电流特性

和特点 低功耗 精密电压监控器 ADM800L/M容差:±2% 复位时间延迟:200 ms或可调 待机电流:1 µA 备用电池电源自动切换 芯片使能信号快速片内选通 同时提供TSSOP封装(ADM691A)产品详情 ADM691A/ADM693A/ADM800L/ADM800M系列监控电路均为完整的单芯片解决方案,可实现微处理器系统中的电源监控和电池控制功能。这些功能包括微处理器复位、备用电池切换、看门狗定时器、CMOS RAM写保护和电源故障警告。该系列产品是MAX691A/93A/800M系列的升级产品。所有器件均提供16引脚DIP和SO封装。ADM691A同时提供节省空间的TSSOP封装。主要提供下列功能:启动、关断和掉电情况下的上电复位输出。即使VCC低至1 V,电路仍然可以工作。CMOS RAM、CMOS微处理器或其它低功耗逻辑的备用电池切换。如果可选的看门狗定时器在指定时间内未切换,则提供复位脉冲。1.25 V阈值检波器,用于电源故障警告、低电池电量检测或+5 V以外电源的监控。 方框图...
发表于 02-22 12:06 0次 阅读
ADM691A 微处理器电源监控器,内置备用电池切换、可调复位周期与可调看门狗周期、芯片使能信号、看门狗、备用电池功能和4.65V阈值电压、低VCC状态输出、250MA输出电流特性

MAT14 匹配单芯片四通道晶体管

和特点 低失调电压:400 μV(最大值) 高电流增益:300(最小值) 出色的电流增益匹配度:4%(最大值) 低电压噪声密度(100 Hz、1 mA):3 nV/√Hz(最大值) 出色的对数一致性:体电阻 rBE = 0.6 Ω (最大值) 所有晶体管保证匹配产品详情 MAT14是一款四通道单芯片NPN型晶体管,具有出色的参数匹配性能,适合精密放大器和非线性电路应用。MAT14的性能特征包括:在很宽的集电极电流范围内提供高增益(最小300)、低噪声(在100 Hz、IC = 1 mA条件下最大值为3 nV/√Hz)以及出色的对数一致性。失调电压典型值低至100 μV,精密电流增益匹配度可达4%以内。MAT14的每个晶体管均经过独立测试,符合数据手册性能规格。为使参数匹配(失调电压、输入失调电流和增益匹配),双晶体管组合中的每个晶体管均经过验证,达到了规定的限制要求。在25°C的环境温度和工业温度范围内保证器件性能。匹配参数的长度稳定性由各晶体管基极-发射极结上的保护二极管保证。这些二极管能够防止反向偏置基极-发射极电流导致β和匹配特性下降。MAT14的出色对数一致性和精确匹配特性使它非常适合用于对数和反对数电路。MAT14是需要低噪声和高增益的应用的理想选...
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MAT14 匹配单芯片四通道晶体管

Zynq UltraScale Rfsoc数据手册的详细资料概述

Zynq UltraScale+™RFSOC系列将多波段、多模式蜂窝无线电和电缆基础设施(docsi....
发表于 02-22 11:47 12次 阅读
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Xilinx的成本优化的产品组合和产品选择指南资料免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是Xilinx的成本优化的产品组合和产品选择指南资料免费下载。包括了:1.....
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C++程序设计教程之程序结构的详细资料说明

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C++程序设计教程之从c到c++的发展资料说明

C的优点 语言简洁、紧凑,使用方便、灵活 丰富的运算符和数据类型 能访问内存地址和位操作等硬件....
发表于 02-22 11:24 6次 阅读
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C++程序设计教程之函数机制的详细资料说明

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发表于 02-22 11:24 5次 阅读
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C++程序设计教程之计算表达的详细资料说明

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发表于 02-22 11:24 7次 阅读
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C++程序设计教程之继承的详细资料说明

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发表于 02-22 11:24 8次 阅读
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C++程序设计教程之对象生灭的详细资料课件说明

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C++程序设计教程之多态的详细资料说明

本文档详细介绍的是C++程序设计教程之多态的详细资料说明主要内容包括了:1.继承召唤多态 (Inhe....
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全球半导体市场数据分析_芯片设计演化历史和趋势

“芯片国产化”是国家未来长期重要发展战略。十九大报告提出,我国经济已由高速增长阶段转向高质量发展阶段....
的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 02-22 10:36 556次 阅读
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C++程序设计教程之类的详细资料说明

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发表于 02-22 09:44 8次 阅读
C++程序设计教程之类的详细资料说明

主控芯片的用途

主控芯片是主板或者硬盘的核心组成部分,是联系各个设备之间的桥梁,也是控制设备运行工作的大脑。在主板中....
的头像 发烧友学院 发表于 02-22 08:41 151次 阅读
主控芯片的用途

KU5529A雷达感应吸顶灯的详细资料合集介绍

本文档的主要内容详细介绍的是KU5529A雷达感应吸顶灯的详细资料合集介绍。包括了:KU5529,K....
发表于 02-22 08:00 16次 阅读
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C++程序设计教程之性能的详细资料课件说明

本文档的详细介绍的是C++程序设计教程之性能的详细资料课件说明主要内容包括了: 1. 内联函数 ( ....
发表于 02-21 17:19 11次 阅读
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C++程序设计教程之数据类型的详细资料说明

本文档的主要内容详细介绍的是C++程序设计教程之数据类型的详细资料说明。1. 整型 ( int Ty....
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澳洋顺昌2018年年度报告显示 2019年芯片行业整体形势依旧不容乐观但LED产业已经逐步走向成熟

2月20日,澳洋顺昌2018年度业绩网上说明会在全景网举办,总经理陈锴表示,根据公司2018年实际经....
发表于 02-21 17:18 75次 阅读
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比特大陆正式发布第二代7nm芯片BM1397

全球第一大加密货币矿机公司——比特大陆今日正式发布第二代7nm芯片BM1397。据悉,该芯片支持SH....
的头像 芯智讯 发表于 02-21 16:41 270次 阅读
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澳洋顺昌预计LED业务出现亏损 净利大幅下滑

在澳洋顺昌2018年度业绩网上说明会上,总经理陈锴在本次说明会上介绍,根据公司2018年实际经营情况....
的头像 高工LED 发表于 02-21 15:45 267次 阅读
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广州再签约一重磅芯片项目 期还将引进千亿级芯片项目

2月20日,广州高新区、开发区、黄浦区举行重大项目集中签约活动,活动中共有23个重大项目签约落户,总....
的头像 工程师人生 发表于 02-21 15:22 424次 阅读
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行业需求回暖 美国芯片股强势上涨

芯片巨头英伟达2月14日发布2019年超预期业绩指引后,盘后股价一度大涨逾9%。除英伟达外,多家芯片....
的头像 集成电路园地 发表于 02-21 15:12 348次 阅读
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2022年中国光元件与模块市场规模将达171亿

自2019年起全球4G建置已进入尾声,5G尚未正式启动部署,目前电信运营商多削减资本支出,但在资料中....
的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 02-21 14:30 366次 阅读
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Zynq-7000全可编程SoC产品中文简介资料免费下载

Zynq-7000 All Programmable (全可编程) SoC 重新定义了嵌入式系统的可....
发表于 02-21 14:26 17次 阅读
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高通发布第二代5G基带芯片

5G手机的设计与4G手机截然不同,尤其是在天线与射频方面,比起4G手机要复杂得多。而为了提供2G到5....
的头像 满天芯 发表于 02-21 14:00 423次 阅读
高通发布第二代5G基带芯片

Xilinx的Zynq UltraScale Rfsoc数据手册及直流和交流开关特性

Xilinx Zynq UltraScale+™RFSOC有-2和-1个速度等级,其中-2e设备具有....
发表于 02-21 10:37 13次 阅读
Xilinx的Zynq UltraScale Rfsoc数据手册及直流和交流开关特性

探究集成电路产业规模情况及未来投资思考

当前,在市场拉动和政府政策支持下,我国集成电路产业持续保持高速增长,技术创新能力不断提高,骨干企业实....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-21 09:48 376次 阅读
探究集成电路产业规模情况及未来投资思考

TDA7297芯片功放模块电路图免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是TDA7297芯片功放模块电路图免费下载。
发表于 02-21 08:00 40次 阅读
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华大北斗新一代SoC HD8040芯片

华大北斗新一代HD8040芯片双频高灵敏度、高容错率、窄带小报文(支持强电磁干扰环境下2K字节上传,....
的头像 工程信号完整性 发表于 02-20 18:52 474次 阅读
华大北斗新一代SoC HD8040芯片

苹果打算开发自有基带调制解调器芯片配置在iPhone及iPad上

有监于此前,苹果调制解调器芯片开发团队系隶属于供应链部门,由Ruben Caballero与Dan ....
的头像 DIGITIMES 发表于 02-20 16:15 1532次 阅读
苹果打算开发自有基带调制解调器芯片配置在iPhone及iPad上

高通发布新一代SnapdragonX55的5G基频芯片 预计2019年底将能看到相关商用产品问世

就在下周即将展开的世界通讯大会 (MWC) 之前,行动处理器大厂高通 (Qualcomm) 正式发表....
的头像 半导体动态 发表于 02-20 15:17 744次 阅读
高通发布新一代SnapdragonX55的5G基频芯片 预计2019年底将能看到相关商用产品问世

芯片测试产业详细分析

从IDM到垂直分工,IC产业专业化分工催生独立测试厂商出现。集成电路产业从上世纪60年代开始逐渐兴起....
的头像 EDA365 发表于 02-20 14:52 459次 阅读
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比特大陆正式发布第二代7nm芯片

距离上一代7nm芯片发布不到半年,比特大陆第二代7nm芯片正式出炉,在币圈寒冬与众多谣言之中,这家低....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-20 13:52 348次 阅读
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5G给无线通讯芯片行业带来哪些商机

在智能手机普及的带动下,2012-2017五年无线通信芯片实现9.7%的复合增长率,根据iHS的数据....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-20 10:28 665次 阅读
5G给无线通讯芯片行业带来哪些商机

当今科学家对2100年生活的十大预测

100年前,当时的人们一定无法想象到如今繁荣的互联网。那么在接下来的100年内,又有哪些可能会出现的....
的头像 物联网前沿 发表于 02-20 10:24 395次 阅读
当今科学家对2100年生活的十大预测

GT20L16S1Y标准点阵汉字库芯片的数据手册免费下载

GT20L16S1Y是一款内含16x16点阵的汉字库芯片,支持GB2312国标简体汉字(含有国家信标....
发表于 02-20 08:00 21次 阅读
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外资看好2019 年半导体产业:第一季触底,低潮期将比预期短得多

许多半导体公司预计 2019 年第 1 季前景不佳,但该季可能会触及周期的底部,并且至此开始复苏。
发表于 02-20 07:55 214次 阅读
外资看好2019 年半导体产业:第一季触底,低潮期将比预期短得多

比特大陆发第二代7纳米芯片BM1397 云麦智能训练手表上架

据消息称,中国第二大无晶圆厂芯片公司比特大陆在昨日推出第二代采用7纳米技术芯片BM1397。
的头像 牵手一起梦 发表于 02-19 16:46 1066次 阅读
比特大陆发第二代7纳米芯片BM1397 云麦智能训练手表上架

华为进入全球芯片买家的第三位

市场研究公司Gartner Inc日前指出,中国网络设备和智能手机供应商华为去年的半导体支出暴增45....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-19 15:25 599次 阅读
华为进入全球芯片买家的第三位

罗德与施瓦茨进一步奠定了在WLAN信令测试领域的领导地

在信令模式下,R&S®CMW270综测仪模拟支持802.11ax技术WLAN的接入点,待测件是WLA....
的头像 罗德与施瓦茨资讯 发表于 02-19 15:14 848次 阅读
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C++语言的基本构成详细资料说明

C++语言中的数据类型、运算、语句结构、数组、指针、函数是C++程序设计的基础。掌握这些基本内容,对....
发表于 02-19 14:49 29次 阅读
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GPU芯片巨头英伟达意外下调2018财年第四季度营收预期

作为全球知名的芯片巨头,英伟达在芯片行业确实有强劲的竞争实力。在一众科技股之中,英伟达属于一支价格较....
的头像 TechSugar 发表于 02-19 14:22 958次 阅读
GPU芯片巨头英伟达意外下调2018财年第四季度营收预期

深圳领跑5G时代 三大产业掘金蓝海

今年以来,5G发展持续提速,工信部计划加快5G商用步伐,深圳将新增5G基站数1955座,实现5G小规....
的头像 深圳市汽车电子行业协会 发表于 02-19 14:20 415次 阅读
深圳领跑5G时代 三大产业掘金蓝海

一文教你读懂芯片后端报告

动态功耗和电压强相关。公式里面本身就是2次方,然后频率变化也和电压相关,在跨电压的时候就是三次方的关....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-19 10:59 522次 阅读
一文教你读懂芯片后端报告

在Vivado下如何判断芯片是多die芯片

SSI芯片必须了解的基本问题
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-19 10:16 1198次 阅读
在Vivado下如何判断芯片是多die芯片

请问谁有汽车点火芯片逆向算法方面的资料,有偿!

需要汽车点火芯片算法(46,48,96位48等)的资料,有偿,有的请留言或私信 ...
发表于 02-18 15:47 198次 阅读
请问谁有汽车点火芯片逆向算法方面的资料,有偿!

请教关于STC单片机烧录一定次数程序后时芯片损坏问题

自从使用STC的51单片机以来,觉得STC不仅功能强大,而且烧写方便。现在一直是爱不释手。但是在使用过程当中也遇到烧写次数...
发表于 02-18 10:09 160次 阅读
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请问有认识图中芯片的吗?

最近研究一个东西,遇到一款芯片,有没有大神知道这是哪个系列的芯片?芯片的大小尺寸是:1.1mm*2.1mm。...
发表于 02-13 10:53 39次 阅读
请问有认识图中芯片的吗?

0-3.3V输入,4-20mA输出,3.3V或5V或12V供电的芯片选型

最近需要一款0-3.3V输入,4-20mA输出,3.3V或5V或12V供电的芯片,有什么好推荐的吗...
发表于 01-29 10:35 95次 阅读
0-3.3V输入,4-20mA输出,3.3V或5V或12V供电的芯片选型

请问用什么12V降5V的芯片比较好?

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发表于 01-28 06:36 89次 阅读
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【MAX32660试用申请】Maxim MAX32660 低功耗Arm Cortex-M4 FPU SOC开发板试用

项目名称:Maxim MAX32660 低功耗Arm Cortex-M4 FPU SOC开发板试用 试用计划:1.可穿戴医疗设备,主要用于研究可...
发表于 01-25 11:47 306次 阅读
【MAX32660试用申请】Maxim MAX32660 低功耗Arm Cortex-M4 FPU SOC开发板试用

推荐一个和M74HC138 PIN对PIN的芯片型号?

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发表于 01-24 15:01 346次 阅读
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请问软件读出来的信息怎么看批次

C:\Users\Tom.chan\Desktop用软件读出以下信息,怎么能看出芯片的生产日次(年+周) CPU 96bits ID: 0X30343934...
发表于 01-24 08:22 244次 阅读
请问软件读出来的信息怎么看批次

一组 UART_CTS,UART_RTS,这有什么区别?

芯片管脚有两组UART,一组UART_TX,UART_RX。一组 UART_CTS,UART_RTS,这有什么区别?都是作为I/O...
发表于 01-23 11:23 253次 阅读
一组 UART_CTS,UART_RTS,这有什么区别?

以太网控制器外部PHY芯片模拟程序代码实现

模拟程序模拟了简化的 LXT971A 芯片(Inter 公司的外部 PHY 芯片)。PHY 芯片通过 MIIM(媒体无关接口管理模块)...
发表于 01-18 14:20 191次 阅读
以太网控制器外部PHY芯片模拟程序代码实现