【四旋翼飞行器】76小时吃透四轴算法!史上最强软硬结合实战项目,👉戳此立抢👈

基于PC104嵌入式平台的MAX1308AD数据采集系统设计与实现

电子设计 2018-12-06 08:29 次阅读

1 引言

随着微电子技术和网络的发展,人们对网络的认识日益深入。网络终端产品也越来越受到人们的关注,嵌入式操作系统的应用也得到了前所未有的发展。PC104是一种嵌入式平台,它与IBM的PC机兼容,具有灵活的可扩展性,其小巧的尺寸非常适合嵌入式系统的应用。

本文基于PCM-3350型PC104嵌入式开发平台,最高采集速度可达1Msps,分辨率为12bit,能够进行通道扫描采集和单通道采集的数据采集系统。

2 数据采集系统设计

数据采集系统主要由放大电路、光藕隔离电路、带采样保持器的AD模数转换器时钟电路、CPLD控制电路、数据缓存(FIFO)等部分组成,总结构框图如图1所示:

基于PC104嵌入式平台的MAX1308AD数据采集系统设计与实现

图1 总结构框图

2.1 A/D转换数据采集电路

A/D转换选用max1308AD芯片,它是一种采样速率最高可达1Msps,分辨率为12bit的采集芯片,多达8个通道的同时采样,+5V模拟电源,+3V至+5V数字电源,其硬件系统连接如图2所示:

基于PC104嵌入式平台的MAX1308AD数据采集系统设计与实现

图2 max1308AD硬件连接

2.2 FIFO存储电路

FIFO电路芯片选用IDT公司的IDT7203,它是一个双端口的存储缓冲芯片,有2048×9 的存储结构,12ns 的高速存取时间,结构简单便于操作,内部读、写指针在先进先出的基础上可进行数据的自动写入和读出。

2.3 CPLD控制电路设计

CPLD(EPM7160STC100-6)的设计是本采集系统的核心,它能够对PC104地址总线进行译码,所产生的逻辑控制信号对各个单元的工作状态起控制作用。

数据的读取可以采用查询的方式。在PC104 ISA部分,用到ISA的16位数据总线D[0..15]。A[0..9]是PC104的地址总线;IOW和IOR是对指定设备的读写信号;AEN是允许DMA控制地址总线、数据总线及读写命令线进行DMA传输及对存储器和IO设备的读写。系统工作流程如图3所示:

基于PC104嵌入式平台的MAX1308AD数据采集系统设计与实现

图3 系统工作流程

数据采集系统的工作逻辑框图如图4所示:

基于PC104嵌入式平台的MAX1308AD数据采集系统设计与实现

图4 数据采集系统的逻辑框图

其中,地址译码、控制器:只有地址选中该模块时,A/D 才能工作,同时使PC104工作在16位数据线方式,A0到A3分别控制着转换通道的选择;启动触发器和中断响应寄存器都位于状态控制器内部;读数据寄存器:当FIFO不为空,在FIFO中的转换结果直接进人数据总线,第12位到15位 由CPLD提供,使数据与其相等再进入16位数据总线,完成整个转换过程。

2.4 采集卡的地址分配

由于该数据采集卡是作为PC104的标准外设进行工作的。PC104规定,外设的操作地址为A[9:0],在系统软件设计中要防止地址冲突。PC104中使用A0~A9地址位来表示I/O端口地址,即可有1024个口地址,前512个供系统板使用,后512个供扩充插槽使用,当A9=0时表示为系统板上的口地址;当A9=1时表示扩充插槽接口卡上的口地址[2]。

采集卡的基地址分配和译码地址分配见表1,本文设计的数据采集卡的地址范围是:2E0H—2F7H,不会发生地址冲突。

表1:数据采集卡的地址分配及译码

基于PC104嵌入式平台的MAX1308AD数据采集系统设计与实现

3 PC104平台

PC104平台硬件采用PC/104总线标准结构设计的产品PCM一3350主板。它是研华新一代高速低耗PC/104系列的代表产品。控制器模块包括一个主控32位微处理器单元,具有32MRAM和内置的非易失存储器用于数据和程序存储,提供VGA,LCD显示器接口;该模块还具有一系列标准通讯口从而提供多种通讯方式,包括串行通讯(RS232,RS485)、以太网等以及一个PC104总线接口。

4 软件设计

本系统中,根据固态盘的特点,操作系统软件采用DOS6.22,以TuborC 2.O作为开发环境,应用程序采用C语言和汇编语言相结合来实现除此在编写软件时,首先要设置好I/0板卡的基地址,再根据基地址来确认其他外围寄存器端口地址,包括读写端口、控制字和通道选择等地址。

5 结束语

数据采集技术是信息科学的重要组成部分,已广泛应用于国民经济和国防建设的各个领域,并且随着科学技术的发展,数据采集技术将有广阔的发展前景。本文基于PC104的嵌入式平台,采用MAX1308AD转换芯片,设计了一个16通道,最高采集速度可达1Msps, 分辨率为12bit的数据采集系统,由于其小型化易携带的特点,此数据采集系统可方便地用于野外作业。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

东芝存储器着手准备IPO 上市后市值将超过2万亿日元

据报导,多位关系人士透露,从东芝独立出来的全球第二大NAND型快闪存储器(Flash Memory)....
发表于 02-24 10:09 52次 阅读
东芝存储器着手准备IPO 上市后市值将超过2万亿日元

一个简易的log记录工具

输入数据比如:设置命令,响应数据,数据描述。 可以将其数据写入到txt文本中,并保存。 ...
发表于 02-23 22:17 167次 阅读
一个简易的log记录工具

如何设计嵌入式应用软件架构

把API分为驱动层和应用层API,而不是所有程序都调用驱动层API。(整个应用中都调用驱动层API会....
的头像 嵌入式ARM 发表于 02-22 15:13 184次 阅读
如何设计嵌入式应用软件架构

目前国内在ARM CPU上广泛采用的三种嵌入式操作系统浅析

嵌入式操作系统是ARMCPU的软件基础,从8位/16位单片机发展到以ARMCPU核为代表的32位嵌入....
发表于 02-22 15:03 77次 阅读
目前国内在ARM CPU上广泛采用的三种嵌入式操作系统浅析

ADSP-BF514F16 集成16 MB FLASH存储器和RSI的BLACKFIN嵌入式处理器

和特点 高达400MHz的高性能Blackfin处理器2个16位MAC、2个40位ALU、4个8位视频ALUs、40位移位器RISC式寄存器和指令模型,简化编程并提供编译器相关支持 宽工作电压范围 通过汽车应用认证 168引脚CSP_BGA封装或176引脚LQFP_EP封装(裸露焊盘) 存储器116KB片内存储器外部存储器控制器无缝支持SDRAM和异步8/16位存储器带引导选项的可选16Mb SPI闪存 外设IEEE 802.3兼容型10/100以太网MAC,支持IEEE 1588(仅限ADSP-BF518/ADSP-BF518F16)并行外设接口(PPI),支持ITU-R 656视频数据格式 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情 ADSP-BF512、ADSP-BF514/ADSP-BF514F16、ADSP-BF516、ADSP-BF518/ADSP-BF518F16处理器属于Blackfin®系列产品,采用ADI公司/Intel公司的微信号架构(MSA)。 Blackfin处理器将先进的双MAC信号处理引擎、干净且正交的RISC式微处理器指令集的优势和单指令、多数据流(SIMD)多媒体能力结合为一个指令集架构。ADSP-BF514F16产品可代替现已停产的ADSP-BF51xF产品。 这些处理器与其它Blackfin处理...
发表于 02-22 14:50 0次 阅读
ADSP-BF514F16 集成16 MB FLASH存储器和RSI的BLACKFIN嵌入式处理器

ADSP-BF518F16 集成16 MB FLASH存储器并支持IEEE-1588的BLACKFIN嵌入式处理器

和特点 高达400MHz的高性能Blackfin处理器2个16位MAC、2个40位ALU、4个8位视频ALUs、40位移位器RISC式寄存器和指令模型,简化编程并提供编译器相关支持 宽工作电压范围 通过汽车应用认证 168引脚CSP_BGA封装或176引脚LQFP_EP封装(裸露焊盘) 存储器116KB片内存储器外部存储器控制器无缝支持SDRAM和异步8/16位存储器带引导选项的可选16Mb SPI闪存 外设IEEE 802.3兼容型10/100以太网MAC,支持IEEE 1588(仅限ADSP-BF518/ADSP-BF518F16)并行外设接口(PPI),支持ITU-R 656视频数据格式 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情 ADSP-BF512、ADSP-BF514/ADSP-BF514F16、ADSP-BF516、ADSP-BF518/ADSP-BF518F16处理器属于Blackfin®系列产品,采用ADI公司/Intel公司的微信号架构(MSA)。 Blackfin处理器将先进的双MAC信号处理引擎、干净且正交的RISC式微处理器指令集的优势和单指令、多数据流(SIMD)多媒体能力结合为一个指令集架构。ADSP-BF518F16产品可代替现已停产的ADSP-BF51xF产品。 这些处理器与其它Blackfin处理...
发表于 02-22 14:49 0次 阅读
ADSP-BF518F16 集成16 MB FLASH存储器并支持IEEE-1588的BLACKFIN嵌入式处理器

NAND-FLASH S34ML08G1编写和读取不成功

你好 这是第一次在8位配置与s34ml08g1 nand-flash记忆工作。 读数据存储器时总的数据是一样的:b0001000(0x10)。 WP为高,...
发表于 02-22 14:45 147次 阅读
NAND-FLASH S34ML08G1编写和读取不成功

东芝存储器的上市或将成为日本今年最大规模IPO

据日本共同社21日报道,日本半导体巨头东芝存储器最快将于今年9月在东京证券交易所首次公开募股(IPO....
的头像 中国半导体论坛 发表于 02-22 14:38 440次 阅读
东芝存储器的上市或将成为日本今年最大规模IPO

LTC3676 面向应用处理器的电源管理解决方案

和特点 4 通道 I2C 可调高效率降压型 DC/DC 转换器:2.5A、2.5A、1.5A、1.5A3 个 300mA LDO 稳压器 (有 2 个是可调的)具有 VTT 和 VTTR 基准的 DDR 电源解决方案具有系统复位功能的按钮 ON / OFF 控制独立的使能引脚搭接或 I2C 排序可编程自主型断电控制动态电压调节电源良好和复位功能可选的 2.25MHz 或 1.12MHz 开关频率始终保持运行的 25mA LDO 稳压器12μA 待机电流扁平 40 引线 6mm x 6mm QFN 和 48 引线裸露焊盘 LQFP 封装 产品详情 LTC®3676 是一款完整的电源管理解决方案,适合基于高级便携式应用处理器的系统。该器件包含 4 个用于内核、存储器、I/O 和片上系统 (SoC) 电源轨的同步降压型 DC/DC 转换器,以及 3 个用于低噪声模拟电源的 300mA LDO 稳压器。LTC3676-1 具有一个专为支持 DDR 终端和一个 VTTR 基准输出而配置的 ±1.5A 降压型稳压器。一个 I2C 串行端口用于控制稳压器使能、断电排序、输出电压电平、动态电压调节、操作模式和状态报告。稳压器启动的排序操作通过按期望的次序将其输出连接至使能引脚或通过 I2C 端口来完成。系统上电、断电和复位功能受控于按钮接口、...
发表于 02-22 14:30 0次 阅读
LTC3676 面向应用处理器的电源管理解决方案

LTC3612 3A、4MHz、单片式同步降压型 DC/DC 转换器

和特点 3A 输出电流 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 低输出纹波突发模式 (Burst Mode®) 操作:IQ = 70μA ±1% 输出电压准确度 输出电压低至 0.6V 高效率:达 95%低压差操作:100% 占空比停机电流:≤1μA可调开关频率:高达 4MHz可任选的有源电压定位 (AVP) 和内部补偿可选的脉冲跳跃 / 强制连续 / 具可调突发箝位的突发模式操作可编程软起动用于启动跟踪或外部基准的输入DDR 存储模式,IOUT = ±1.5A采用耐热性能增强型 20 引脚 (3mm x 4mm) QFN 和 TSSOP 封装 产品详情 LTC®3612 是一款低静态电流、单片式、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。睡眠模式中的无负载 DC 电源电流仅为 70μA,并在无负载条件下保持了输出电压 (突发模式操作),在停机模式中电流降至零。2.25V 至 5.5V 的输入电源电压范围使 LTC3612 非常适合于单节锂离子电池和固定低电压输入应用。100% 占空比能力可提供低压差操作,从而延长了电池供电型系统中的工作时间。该器件的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。对于那些对开关噪声敏感的应用,可以使 LTC3612 同步至一个频率高达 4MHz 的外部时...
发表于 02-22 14:28 0次 阅读
LTC3612 3A、4MHz、单片式同步降压型 DC/DC 转换器

LTC3616 6A、4MHz、单片式同步降压型 DC/DC 转换器

和特点 6A 输出电流 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 低输出纹波突发模式 (Burst Mode®) 操作:IQ = 75μA ±1% 输出电压准确度 输出电压低至 0.6V 高效率:达 95% 低压差操作:100% 占空比 SW 节点上的可编程转换速率降低了噪声和 EMI 可调开关频率:高达 4MHz 可任选的有源电压定位 (AVP) 和内部补偿 可选的脉冲跳跃 / 强制连续 / 具可调突发箝位的突发模式操作 可编程软起动 用于启动跟踪或外部基准的输入 DDR 存储模式,IOUT = ±3A 采用耐热性能增强型 24 引脚 3mm x 5mm QFN 封装 产品详情 LTC®3616 是一款低静态电流、单片式、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。睡眠模式中的无负载 DC 电源电流仅为 70μA,并在无负载条件下保持了输出电压 (突发模式操作),在停机模式中降至零电流。2.25V 至 5.5V 的输入电源电压范围使 LTC3616 非常适合于单节锂离子电池和固定低电压输入应用。100% 占空比能力可提供低压差操作,从而延长了电池供电型系统中的工作时间。 该器件的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。对于那些对开关噪声敏感的应用,可以使 LTC3616 同步至...
发表于 02-22 14:28 0次 阅读
LTC3616 6A、4MHz、单片式同步降压型 DC/DC 转换器

LTC3614 4A、4MHz、单片式同步降压型 DC/DC 转换器

和特点 4A 输出电流 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 低输出纹波突发模式 (Burst Mode®) 操作:IQ = 75μA ±1% 输出电压准确度 输出电压低至 0.6V 高效率:达 95%低压差操作:100% 占空比SW 节点上的可编程转换速率降低了噪声和 EMI可调开关频率:高达 4MHz可任选的有源电压定位 (AVP) 和内部补偿可选的脉冲跳跃 / 强制连续 / 具可调突发箝位的突发模式操作可编程软起动用于启动跟踪或外部基准的输入DDR 存储模式,IOUT = ±3A采用耐热性能增强型 24 引脚 3mm x 5mm QFN 封装 产品详情 LTC®3614 是一款低静态电流、单片式、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。睡眠模式中的无负载 DC 电源电流仅为 75μA,并在无负载条件下保持了输出电压 (突发模式操作),在停机模式中降至零电流。2.25V 至 5.5V 的输入电源电压范围使 LTC3614 非常适合于单节锂离子电池和固定低电压输入应用。100% 占空比能力可提供低压差操作,从而延长了电池供电型系统中的工作时间。 该器件的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。对于那些对开关噪声敏感的应用,可以使 LTC3614 同步至一个频率高达 4M...
发表于 02-22 14:27 0次 阅读
LTC3614 4A、4MHz、单片式同步降压型 DC/DC 转换器

LTC3617 用于 DDR 终端的 ±6A、单片式、同步降压型稳压器

和特点 ±6A 输出电流 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 ±10mV 输出电压准确度 专为低至 0.5V 的低输出电压而优化 高效率 用于 VTTR = VDDQIN • 0.5 的集成型缓冲器 停机电流:<1μA 可调开关频率:高达 4MHz 任选的内部补偿 内部软起动 电源良好状态输出 输入过压保护 耐热性能增强型 24 引脚 3mm x 5mm QFN 封装 产品详情 LTC®3617 是一款高效率、单片式、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。该器件的工作输入电压范围为 2.25V 至 5.5V,并提供了一个等于 0.5 • VDDQIN 的稳定输出电压,同时可供应和吸收高达 6A 的负载电流。内部放大器可提供一个等于 0.5·VDDQIN 的 VTTR 输出电压,并具有 ±10mA 的输出电流能力。此 IC 的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。对于那些对开关噪声敏感的应用,可以使 LTC3617 同步至一个频率高达 4MHz 的外部时钟。LTC3617 中的强制连续模式操作可降低噪声及 RF 干扰。可调的外部补偿使得能够在一个很宽的负载和输出电容范围内优化瞬态响应。内部同步开关提升了效率,并免除了增设一个外部箝位二极管的需要,从而最大...
发表于 02-22 14:24 0次 阅读
LTC3617 用于 DDR 终端的 ±6A、单片式、同步降压型稳压器

LTC3615 双通道、4MHz、3A、同步降压型 DC/DC 转换器

和特点 高效率:达 94% 具 2 x 3A 输出电流能力的双路输出 低输出纹波突发模式 (Burst Mode®) 操作:IQ = 130μA 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 ±1% 输出电压准确度 输出电压低至 0.6V 开关引脚上的可编程转换速率 低压差操作:100% 占空比 停机电流:≤1μA 可调开关频率:高达 4MHz 内部或外部补偿 可选的脉冲跳跃 / 强制连续 / 具可调突发箝位的突发模式操作 可任选的有源电压定位 (AVP) 和内部补偿 通道之間的 0° / 90° / 180° (LTC3615) 或 140° / 180° 可選相移 固定内部和可编程外部软起动 准确的启动跟踪能力 DDR 存储模式的 IOUT = ±1.5A 采用 4mm x 4mm QFN-24 封装和 TSSOP-24 封装   产品详情 LTC®3615 / LTC3615-1 是一款双通道、3A、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。DC 电源电流仅为 130μA (在无负载时执行突发模式操作),并保持了输出电压,在停机模式中降至零电流。2.25V 至 5.5V 的输入电源范围使器件非常适合于单节锂离子电池应用。100% 占空比能力可提供低压差操作,从而延长了电池供电式系统中的工作时间。 该器件的工作频率可在外部设置至高达 4MHz...
发表于 02-22 14:23 0次 阅读
LTC3615 双通道、4MHz、3A、同步降压型 DC/DC 转换器

LTM4632 用于 DDR-QDR4 存储器的超薄、三路输出、降压型 μModule 稳压器

和特点 包括 VDDQ、VTT、VTTR (或 VREF) 的完整 DDR-QDR4 SRAM 电源解决方案占板面积为 0.5cm2 (双面 PCB) 的解决方案宽输入电压范围:3.6V 至 15V3.3V 输入可兼容连接至 INTVCC 的 VIN0.6V 至 2.5V 输出电压范围双路 ±3A DC 输出电流 (具有提供和吸收能力)±1.5%、±10mA 缓冲 VTTR = VDDQ/2 输出3A VDDQ + 3A VTT 或双相单路 6A VTT在整个负载、电压和温度范围内具有 ±1.5% 的最大总输出电压调节误差电流模式控制,快速瞬态响应外部频率同步多相可并联和均流可选的突发模式 (Burst Mode®) 操作过压输入和过热保护电源良好指示器超薄型 6.25mm x 6.25mm x 1.82mm LGA 封装和超薄型 6.25mm x 6.25mm x 2.42mm BGA 封装 产品详情 LTM®4632 是一款超薄的三路输出降压型 μModule® (电源模块) 稳压器,可提供用于 DDR-QDR4 SRAM 的完整电源解决方案。LTM4632 可在一个 3.6V 至 15V 的输入电压范围内运作,支持两个用于 VDDQ 和 VTT 的 ±3A 输出电源轨 (两者均可吸收和提供电流) 和一个 10mA 低噪声基准 VTTR 输出。VTT 和 VTTR 皆跟踪并等于 VD...
发表于 02-22 14:14 0次 阅读
LTM4632 用于 DDR-QDR4 存储器的超薄、三路输出、降压型 μModule 稳压器

LTC3876 用于 DDR 电源的双通道 DC/DC 控制器具有差分 VDDQ 检测功能和 ±50mA VTT 基准

和特点 具 VTT 基准的完整 DDR 电源解决方案 宽 VIN 范围:4.5V 至 38V,VDDQ:1V 至 2.5V ±0.67% VDDQ 输出电压准确度 VDDQ 和 VTT 终端控制器 ±1.2% ±50mA 线性 VTTR 基准输出 受控导通时间、谷值电流模式控制 频率可编程范围:200kHz 至 2MHz 可同步至外部时钟 tON(MIN) = 30ns,tOFF(MIN) = 90ns RSENSE 或电感器 DCR 电流检测 电源良好输出电压监视器 过压保护和电流限值折返 耐热性能增强型 38 引脚 (5mm x 7mm) QFN 封装和 TSSOP 封装产品详情 LTC®3876 是一款完整的 DDR 电源解决方案,可兼容 DDR1、DDR2、DDR3 及未来的较低电压 DDRX标准。LTC3876 包括 VDDQ 和 VTT DC/DC 控制器和一个高精度线性 VTT 基准。一个差分输出检测放大器与高精度的内部基准相组合,可提供一个准确的 VDDQ 电源。VTT 控制器负责跟踪高精度的 VTTR 线性基准,并具有 <20mV 的总 DC 误差。对于一个 ±50mA 基准负载,当跟踪二分之一 VDDQ 时,高精度的 VTTR 基准可在整个温度范围内保持 1.2% 的调节准确度。LTC3876 允许在 4.5V 至 38V (最大...
发表于 02-22 14:11 0次 阅读
LTC3876 用于 DDR 电源的双通道 DC/DC 控制器具有差分 VDDQ 检测功能和 ±50mA VTT 基准

LTC3831-1 用于 DDR 存储器终端的高功率同步开关稳压控制器

和特点 VOUT低至 0.4V 用于 DDR 存储器终端的高功率开关稳压控制器 VOUT跟踪 1/2 of VIN或外部VREF 无需电流检测电阻器 低 VCC 电源:3V 至 8V 在整个温度范围内的最大占空比 >91% 驱动全 N 沟道外部 MOSFET 高效率:达 95% 可编程固定频率操作:100kHz 至 500kHz 外部时钟同步操作 可编程软启动 低停机电流:<10μA 过热保护 采用 16 引脚窄体 SSOP 封装   产品详情 LTC®3831-1 是一款专为 DDR 存储器终端而设计的高功率、高效率开关稳压控制器。LTC3831-1 可产生一个等于 1/2 外部电源或基准电压的输出电压。LTC3831-1 采用同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外,该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流,因而能够在无需使用电流检测电阻器的情况下提供一个可调电流限值。 LTC3831-1 可在输入电源电压低至 3V 的条件下运作,并具有一个 >91% 的最大占空比。该器件包括一个固定频率 PWM 振荡器,用于实现低输出纹波操作。300kHz 的自由运行时钟频率可从外部进行调节,或利用一个外部信号进行同步处理 (同步范围为 100kHz 至高于 500kHz)。在停机模式...
发表于 02-22 14:11 0次 阅读
LTC3831-1 用于 DDR 存储器终端的高功率同步开关稳压控制器

LTC3717 用于 DDR/QDR 存储器终端的宽工作范围、No RSENSE 降压型控制器

和特点 VOUT = 1/2 VIN (电源分离器) 可调和对称的吸收 / 供应电流限值 (高达 20A) ±0.65% 输出电压准确度 效率高达 97% 无需检测电阻器 超快的瞬态响应 真正的电流模式控制 2% 至 90% 的占空比 (在 200kHz) tON(MIN) ≤ 100ns 可在采用陶瓷输出电容器 COUT 时保持稳定 双路 N 沟道 MOSFET 同步驱动 电源良好输出电压监视器 宽 VCC 范围:4V 至 36V 高达 1.5MHz 的可调开关频率 输出过压保护 任选的短路停机定时器 采用 16 引脚窄体 SSOP 封装 产品详情 LTC®3717 是一款用于双倍数据速率 (DDR) 和四倍数据速率 (QDR) 存储器终端的同步降压型开关稳压控制器。该控制器采用一种谷值电流控制架构以提供非常低的占空比,并不需要使用一个检测电阻器。工作频率利用一个外部电阻器来选择,并针对 VIN 的变化进行补偿。强制连续操作可降低噪声及 RF 干扰。输出电压在内部设定为 VREF 的一半,这可由用户设置。故障保护由一个输出过压比较器和任选的短路停机定时器提供。针对电源排序的软启动能力采用一个外部定时电容器来实现。稳压器电流限制水平是对称的并可由用户设置。宽电源范围允许器件在 4V 至 36V 的 VCC...
发表于 02-22 14:10 0次 阅读
LTC3717 用于 DDR/QDR 存储器终端的宽工作范围、No RSENSE 降压型控制器

LTC3831 用于 DDR 存储器终端的高功率同步开关稳压控制器

和特点 用于 DDR 存储器终端的高功率开关稳压控制器 VOUT 跟踪 1/2 VIN 或外部 VREF 无需电流检测电阻器 低输入电源电压范围:3V 至 8V 在整个温度范围内的最大占空比 >91% 驱动全 N 沟道外部 MOSFET 高效率:可达 95% 以上 可设置固定频率操作:100kHz 至 500kHz 外部时钟同步操作 可设置软起动 低停机电流:<10μA 过热保护 采用 16 引脚窄体 SSOP 封装  产品详情 LTC®3831 是一款专为 DDR 存储器终端而设计的高功率、高效率开关稳压控制器。LTC3831 可产生一个等于 1/2 外部电源或基准电压的输出电压。LTC3831 采用同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外,该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流,因而能够在无需使用电流检测电阻器的情况下提供一个可调电流限值。 LTC3831 可在输入电源电压低至 3V 的条件下运作,并具有一个 >91% 的最大占空比。它包括一个固定频率 PWM 振荡器,用于实现低输出纹波操作。200kHz 的自由运行时钟频率可从外部进行调节,或利用一个外部信号进行同步处理(同步范围为 100kHz 至 500kHz 以上)。在停机模式中,LTC3831 的电...
发表于 02-22 14:10 0次 阅读
LTC3831 用于 DDR 存储器终端的高功率同步开关稳压控制器

LTC3776 用于 DDR/QDR 存储器终端的双输出、两相、No RSENSE™ 同步控制器

和特点 无需电流检测电阻器 异相控制器减小了所需的输入电容 VOUT2 跟踪 1/2 VREF 对称的输出电流供应/吸收能力 (VOUT2) 扩频操作 (当被使能时) 宽 VIN 范围:2.75V 至 9.8V 恒定频率电流模式操作 0.6V±1.5% 电压基准 (VOUT1) 低压差操作:100% 占空比 用于频率锁定或调节的真正 PLL 内部软起动电路 电源良好输出电压监视器 输出过压保护 微功率停机模式:IQ = 9μA 纤巧型扁平(4mm x 4mm)QFN 封装和窄体 SSOP 封装 产品详情 LTC®3776 是一款面向 DDR/QDR 存储器终端应用的两相、双输出同步降压型开关稳压控制器。第二个控制器负责将其输出电压调节至 1/2 VREF,并提供了对称的输出电压供应和吸收能力。 无检测电阻器 (No RSENSE) 型恒定频率电流模式架构免除了增设检测电阻器的需要,并改善了效率。通过使两个控制器异相工作,最大限度地降低了由输入电容的 ESR 所引起的功耗和噪声。 开关频率可被设置为高达 750kHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器和电容器。对于那些对噪声敏感的应用,可以从外部对 LTC3776 的开关频率进行同步处理 (同步范围为 250kHz 至 850kHz),也可启用...
发表于 02-22 14:10 0次 阅读
LTC3776 用于 DDR/QDR 存储器终端的双输出、两相、No RSENSE™ 同步控制器

LTC3718 用于 DDR/QDR 存储器终端的低输入电压 DC/DC 控制器

和特点 非常低的 VIN(MIN):1.5V 超快的瞬态响应 真正的电流模式控制 用于 N 沟道 MOSFET 的 5V 驱动免除了 5V 辅助电源 无需检测电阻器 采用标准的 5V 逻辑电平 N 沟道 MOSFET VOUT(MIN):0.4V VOUT 跟踪 1/2 VIN 或外部 VREF 对称的供应和吸收输出电流限制 可调的开关频率 tON(MIN) < 100ns 电源良好输出电压监视器 可编程软启动 输出过压保护 任选的短路停机定时器 小外形 24 引脚 SSOP 封装 产品详情 LTC®3718 是一款用于 DDR 和 QDR™ 存储器终端的高电流、高效率同步开关稳压控制器。该器件采用一个低至 1.5V 的输入工作,并提供一个等于 (0.5)VIN 的稳定输出电压。该控制器采用一种谷值电流控制架构以实现高工作频率和非常低的接通时间,而无需使用一个检测电阻器。工作频率利用一个外部电阻器来选择,并针对 VIN 及 VOUT 中的变化进行补偿。LTC3718 采用一对标准的 5V 逻辑电平 N 沟道外部 MOSFET,从而免除了增设昂贵 P 沟道或低门限器件的需要。强制连续操作可降低噪声及 RF 干扰。故障保护由内部折返电流限制、一个输出过压比较器和任选的短路停机定时器提供。针...
发表于 02-22 14:10 0次 阅读
LTC3718 用于 DDR/QDR 存储器终端的低输入电压 DC/DC 控制器

LTC3717-1 用于 DDR/QDR 存储器终端的宽工作范围、No RSENSE™ 降压型控制器

和特点 VOUT = 1/2 VREF 可调和对称的吸收 / 供应电流限值 (高达 20A) 真正的电流模式控制,可选择使用检测电阻器 VON 和 ION 引脚在输入和输出电压变化期间允许执行恒定频率操作 ±0.65% 输出电压准确度 效率高达 97% 超快的瞬态响应 2% 至 90% 的占空比 (在 200kHz) tON(MIN) ≤ 100ns 可在采用陶瓷输出电容器 COUT 时保持稳定 电源良好输出电压监视器 宽 VIN 范围:4V 至 36V 高达 1.5MHz 的可调开关频率 输出过压保护 任选的短路停机定时器 采用 5mm x 5mm QFN 封装 产品详情 LTC®3717-1 是一款用于双倍数据速率 (DDR) 和四倍数据速率 (QDR) 存储器终端的同步降压型开关稳压控制器。该控制器采用一种谷值电流控制架构,以在采用和未采用检测电阻器的情况下提供非常低的占空比。工作频率利用一个外部电阻器来选择,并针对 VIN 和 VOUT 中的变化进行补偿。强制连续操作可降低噪声及 RF 干扰。输出电压在内部被设定为 VREF 的一半,这可由用户设置。故障保护由一个输出过压比较器和任选的短路停机定时器提供。针对电源排序的软启动能力采用一个外部定时电容器来实现。稳压器电流限制水平是对称的,并可由用户...
发表于 02-22 14:09 0次 阅读
LTC3717-1 用于 DDR/QDR 存储器终端的宽工作范围、No RSENSE™ 降压型控制器

LTC1262 12V、30mA 闪速存储器编程电源

和特点 稳定的 12V ±5% 输出电压无电感器电源电压范围:4.75V 至 5.5V有保证的 30mA 输出低功率:ICC = 500μA停机模式中的 ICC:0.5μA8 引脚 PDIP 封装或 SO-8 封装 产品详情 LTC®1262 是一款稳定的 12V、30mA 输出 DC/DC 转换器。该器件专为提供对字节宽闪速存储器进行编程所必需的 12V ±5% 输出而设计。输出将从低至 4.75V 的输入电压提供高达 30mA 电流,并未采用任何电感器。只需 4 个外部电容器即可构成一款尺寸极小的完整表面贴装型电路。TTL 兼容型停机引脚可以直接连接至一个微处理器,并把电源电流减小至低于 0.5μA。LTC1262 提供了改善的停机电流性能,且所需的外部组件少于同类竞争解决方案。LTC1262 采用 8 引脚 PDIP 封装或 SO-8 封装。应用12V 闪速存储器编程电源紧凑型 12V 运放电源电池供电型系统 方框图...
发表于 02-22 13:42 0次 阅读
LTC1262 12V、30mA 闪速存储器编程电源

LTC1263 12V、60mA 闪速存储器编程电源

和特点 有保证的 60mA 输出稳定的 12V ±5% 输出电压无电感器电源电压范围:4.75V 至 5.5V停机模式中的 ICC 为 0.5μA (典型值)低功率:ICC = 300μA8 引脚 SO 封装引出脚配置与 LTC1262 和 MAX662 相同 产品详情 LTC®1263 是一款稳定的 12V、60mA 输出 DC/DC 转换器。该器件可提供对双字节宽闪速存储器进行编程所必需的 12V ±5% 输出。输出将从低至 4.75V 的输入电压提供 60mA 电流,并未采用任何电感器。只需 4 个外部电容器即可构成一款尺寸极小的完整表面贴装型电路。输出可以短促地短接至地,并不会损坏器件。高电平有效的 TTL 兼容型停机引脚可以直接连接至一个微处理器。在停机模式中,电源电流通常降至 0.5μA。 LTC1263 采用 8 引脚 SO 封装。应用 12V 闪速存储器编程电源 紧凑型 12V 运放电源 电池供电型系统方框图...
发表于 02-22 13:42 0次 阅读
LTC1263 12V、60mA 闪速存储器编程电源

LTC3634 用于 DDR 电源的 15V、双通道、3A、单片式、降压型稳压器

和特点 3.6V 至15V 输入电压范围每通道的输出电流为±3A效率高达 95%通道之间的 90°/180° 可选相移可调开关频率范围:500kHz 至 4MHzVTTR = VDDQ / 2 = VTT基准准确度为 ±1.6% 的 VTTR (在 0.75V)最佳 VOUT范围:0.6V 至 3V±10mA 缓冲输出负责提供 VREF 基准电压旨在实现超卓的电压和负载瞬态响应的电流模式操作外部时钟同步短路保护输入过压和过热保护电源良好状态输出采用 (4mm x 5mm) QFN-28 封装和耐热性能增强型 28 引脚 TSSOP 封装 产品详情 LTC®3634 是一款高效率、双通道、单片式、同步降压型稳压器,可为 DDR1、DDR2 和 DDR3 SDRAM 控制器提供电源及总线终端电压轨。该器件的工作输入电压范围为 3.6V 至 15V,从而使其适合于那些采用一个 5V 或 12V 输入的负载点电源应用以及各种电池供电型系统。VTT 稳定输出电压等于 VDDQIN • 0.5。一个能驱动 10mA 负载的片内缓冲器可提供一个也等于 VDDQIN • 0.5 的低噪声基准输出 (VTTR)。此 IC 的工作频率可利用一个外部电阻器在 500kHz 至 4MHz 的范围内进行设置和同步处理。两个通道能够 180°...
发表于 02-22 12:18 0次 阅读
LTC3634 用于 DDR 电源的 15V、双通道、3A、单片式、降压型稳压器

LTC3618 用于 DDR 终端的双通道、4MHz、±3A、同步降压型稳压器

和特点 DDR 电源、终端和基准高效率:达 94% 具 ±3A 输出电流能力的双通道输出 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 ±1% 输出电压准确度 VTT 输出电压低至 0.5V 停机电流:≤1μA VTTR = VDDQIN/2,VFB2 = VTTR 可调开关频率:高达 4MHz 内部补偿或外部补偿 通道之间的 0° / 90° / 180° 可选相移 内部或外部软起动用于 VDDQ,内部软起动用于 VTT 电源良好状态输出 扁平 4mm x 4mm QFN-24 封装和 TSSOP-24 封装产品详情 LTC®3618 是一款双通道、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。该器件提供了一款完整的 DDR 解决方案,具有一个 2.25V 至 5.5V 的输入电压范围。第一个降压型稳压器的输出提供了一个高准确度的 VDDQ 电源。一个缓冲基准可产生等于 50% VDDQIN 的 VTTR,并驱动高达 ±10mA 的负载。第二个稳压器可产生等于 VTTR 的 DDR 终端电压 (VTT)。在 1MHz 开关频率下,两个稳压器均能够提供 ±3A 的负载电流。此 IC 的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。在两个通道之间可以选择 0°、90°或 180°的相移,以最大限度地减小输...
发表于 02-22 12:05 2次 阅读
LTC3618 用于 DDR 终端的双通道、4MHz、±3A、同步降压型稳压器

电子技术基础知识存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列的介绍

本文档的详细介绍的是电子技术基础知识存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列的介绍主要内容包括了: ....
发表于 02-22 08:00 7次 阅读
电子技术基础知识存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列的介绍

中国晶圆制造厂现状跟踪报告

根据芯思想研究院的统计,截止2018年底我国12英寸晶圆制造厂装机产能约60万片;8英寸晶圆制造厂装....
的头像 集成电路园地 发表于 02-21 17:59 1087次 阅读
中国晶圆制造厂现状跟踪报告

2019内存市场趋势 价格下降成为趋势

三星电子在存储器上的投资在2018年降至99亿美元,其中DRAM投资81亿美元,NAND投资18亿美....
的头像 半导体观察IC 发表于 02-21 16:59 368次 阅读
2019内存市场趋势 价格下降成为趋势

Zynq UltraScale MPSOC数据手册免费下载

Zynq UltraScale+™ MPSOC系列基于Xilinx UltraScale™MPSOC....
发表于 02-21 16:48 13次 阅读
Zynq UltraScale MPSOC数据手册免费下载

如何使用8051的微控制器在系统进行编程

Dallas Semiconductor基于8051的微控制器类产品中,许多型号都支持通过通用RS-....
发表于 02-21 16:48 14次 阅读
如何使用8051的微控制器在系统进行编程

嵌入式产品开发流程详细分析

嵌入式产品,与普通电子产品一样,开发过程都需要遵循一些基本的流程,都是一个从需求分析到总体设计,详细....
的头像 单片机精讲吴鉴鹰 发表于 02-21 15:55 163次 阅读
嵌入式产品开发流程详细分析

如何使用DSP和FPGA进行高精度数据采集卡的设计资料说明

本文介绍了一种基于DSP和FPGA结构的高精度数据采集卡的设计方法,包括数据采集、数据处理和PCL总....
发表于 02-21 15:33 27次 阅读
如何使用DSP和FPGA进行高精度数据采集卡的设计资料说明

什么是单片机?MCS51单片机和8051、8031、89C51等的关系说明

一台能够工作的计算机要有这样几个部份构成:CPU(进行运算、控制)、RAM(数据存储)、ROM(程序....
发表于 02-21 15:04 54次 阅读
什么是单片机?MCS51单片机和8051、8031、89C51等的关系说明

初学者如何学习嵌入式Linux底层系统

做应用门槛低,特别是现在的ANDROID,纯JAVA。做应用的发展路径个人认为就是业务纯熟。比如在通....
的头像 嵌入式ARM 发表于 02-21 14:12 245次 阅读
初学者如何学习嵌入式Linux底层系统

如何使用LPC2210进行供水管网无线监控系统的设计方案说明

研究具有自动化程度高、运行可靠的供水管网监控系统是供水行业信息化建设的一个主要方向。文中介绍了一种基....
发表于 02-21 11:54 12次 阅读
如何使用LPC2210进行供水管网无线监控系统的设计方案说明

富士通在存储器领域的另类崛起 用20年专注演绎丛林法则

FRAM的非易失性对于当时业界可以说是颠覆性的,存储器的非易失性指在没有上电的状态下依然可以保存所存....
的头像 人间烟火123 发表于 02-21 11:32 447次 阅读
富士通在存储器领域的另类崛起 用20年专注演绎丛林法则

Micronas推出嵌入式电机控制器HVC 4420F 目的是用于汽车应用

TDK集团成员Micronas公司推出新的嵌入式电机控制器HVC 4420F ,产品特色是具有用于驱....
发表于 02-21 08:40 40次 阅读
Micronas推出嵌入式电机控制器HVC 4420F 目的是用于汽车应用

请问有人熟悉AT49BV163DT的操作吗?

请问 有谁熟悉AT49BV163DT的操作?
发表于 02-21 04:45 11次 阅读
请问有人熟悉AT49BV163DT的操作吗?

Altera SOPC嵌入式系统设计教程

Altera SOPC嵌入式系统设计教程第1章 概述 SOPC(System On Programmable Chip,可编程的片上系统)是Altera公司提...
发表于 02-21 04:38 63次 阅读
Altera SOPC嵌入式系统设计教程

请问向嵌入式软件工程师发展,计算机等级考试往哪个方向考好?

嗯、、前段时间考了计算机2级,下次要考3级,我对嵌入式软件工程师方面比较感兴趣,做系统或者底层驱动都喜欢,相对而言更喜欢底...
发表于 02-21 03:23 42次 阅读
请问向嵌入式软件工程师发展,计算机等级考试往哪个方向考好?

单片机入门程序之发光二极管的流水灯实验和应用片外数据存储器程序

本文档的主要内容详细介绍的是单片机入门程序之发光二极管的流水灯实验和应用片外数据存储器程序资料免费下....
发表于 02-20 17:58 38次 阅读
单片机入门程序之发光二极管的流水灯实验和应用片外数据存储器程序

三星电子即将开展大规模的收并购(M&A)活动

三星电子是存储器半导体行业全球第一的企业,由于最近存储器半导体需求不振、价格下跌,转为强调发展晶圆代....
的头像 芯闻社 发表于 02-20 17:06 2417次 阅读
三星电子即将开展大规模的收并购(M&A)活动

Xilinx的Xa Zynq UltraScale MPSOC数据手册免费下载

Xa Zynq UltraScale+™ MPSOC系列基于Xilinx UltraScale™MP....
发表于 02-20 15:57 17次 阅读
Xilinx的Xa Zynq UltraScale MPSOC数据手册免费下载

基于和欣嵌入式操作系统实现的一个构件化的网络协议栈设计浅析

嵌入式Internet是随着嵌入式系统的广泛应用和计算机网络技术的发展而产生的一种新概念和技术。嵌入....
发表于 02-20 14:59 66次 阅读
基于和欣嵌入式操作系统实现的一个构件化的网络协议栈设计浅析

一位嵌入式工程师的自述

当初迁移CSDN的博客到OSCHINA的主要原因是CSDN的博客加载速度慢,而且隔三差五的不能写文章....
的头像 工程师人生 发表于 02-20 14:25 202次 阅读
一位嵌入式工程师的自述

嵌入式工程师的发展前景与现状

根据IEEE(国际电气和电子工程师协会)的定义,嵌入式系统是“控制、监控或者辅助设备、机器和车间运行....
的头像 工程师人生 发表于 02-20 14:18 153次 阅读
嵌入式工程师的发展前景与现状

嵌入式工程师的发展方向有哪些

嵌入式工程师分布在各行各业上面。这其中包括了消费电子、工业电子、汽车电子和军用电子等等。从功能上面看....
的头像 工程师人生 发表于 02-20 14:12 185次 阅读
嵌入式工程师的发展方向有哪些

一款嵌入式物联网开发神器---Microchip的 CEC1x02开发板

这里请大家注意,CEC1x02开发板有两个扩展排针兼容MikroElektronika MikroB....
的头像 贸泽电子设计圈 发表于 02-20 10:06 508次 阅读
一款嵌入式物联网开发神器---Microchip的 CEC1x02开发板

库存仍高+需求疲软,第二季DRAM合约价季跌幅达15%

2019年上半年DRAM产业仍处于供过于求的状态,导致价格持续下跌。
发表于 02-20 09:12 268次 阅读
库存仍高+需求疲软,第二季DRAM合约价季跌幅达15%

全球车用嵌入式影像传感器市场需求暴增,复合成长率将达19%

预期原先仅配备在高级汽车中的环景影像(surround view)功能,将会在未来5~6年内被广泛采....
发表于 02-19 16:21 94次 阅读
全球车用嵌入式影像传感器市场需求暴增,复合成长率将达19%

资本和政策保驾护航 促进我国存储器产业化布局完善

存储器是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。在数字系统中,能保存二进制数据的设备可被称为存储器;在....
发表于 02-19 15:59 182次 阅读
资本和政策保驾护航 促进我国存储器产业化布局完善

三星电子至去年底的现金保有额约为880亿美元,比去年的740亿美元增加了24.7%

去年8月三星电子曾公布了至2021年1600亿美元的投资计划,其中AI、5G、生物、电子等4大成长事....
的头像 皇华电子元器件IC供应商 发表于 02-19 15:21 987次 阅读
三星电子至去年底的现金保有额约为880亿美元,比去年的740亿美元增加了24.7%

物联网与嵌入式系统在人工智能时代如何发展

作为支撑人工智能、物联网和5G 发展,作为连接芯片与应用粘结剂的嵌入式技术也将迎来新的机遇。
的头像 嵌入式资讯精选 发表于 02-19 15:07 280次 阅读
物联网与嵌入式系统在人工智能时代如何发展

浅析七款嵌入式Linux操作系统

除了智能数字终端领域以外,Linux在移动计算平台、智能工业控制、金融业终端系统,甚至军事领域都有着....
发表于 02-19 14:58 112次 阅读
浅析七款嵌入式Linux操作系统

工业化工具改变PIC16F1705存储器地址的内容

对于工业化进程,我需要改变特定PIC16F1705地址的内容。是否有一些特定的工具来实现这种内存更改,或者我需要直接更改“No....
发表于 02-19 14:30 52次 阅读
工业化工具改变PIC16F1705存储器地址的内容

下一代Armv8.1-M架构能够提升最小型边缘设备的机器学习能力

Arm Helium技术作为一种全新的M-Profile Vector Extension矢量扩充方....
发表于 02-19 13:58 354次 阅读
下一代Armv8.1-M架构能够提升最小型边缘设备的机器学习能力

如何使用PCI总线DSP进行数据采集系统的设计资料说明

文中提出基于PCI 局部总线DSP 通用数据采集系统设计方案, 该方案采用TMS320VC5416 ....
发表于 02-19 11:25 30次 阅读
如何使用PCI总线DSP进行数据采集系统的设计资料说明

与90年代的辉煌相比,日本的半导体行业看似进入了萧条期

全球半导体产业1950s起源于美国,于1970s-1980s完成了第一次由美国到日本的产业转移。在产....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-19 11:01 3195次 阅读
与90年代的辉煌相比,日本的半导体行业看似进入了萧条期

怎么将外部SRAM存储器芯片连接到ML605 virtex 6

这是我在这个论坛上的第一篇文章 我想检查是否有任何方法可以将外部SRAM存储器芯片连接到ML605 virtex 6,因为它不像旧的...
发表于 02-19 10:39 28次 阅读
怎么将外部SRAM存储器芯片连接到ML605 virtex 6

[转]搞嵌入式驱动开发一年多的感触

一年多来,搞嵌入式驱动开发项目做的不少: 从网络驱动到CAN驱动、从Dataflash驱动到NAND/NOR FLASH驱动、从C...
发表于 02-19 10:01 450次 阅读
[转]搞嵌入式驱动开发一年多的感触

DS2784独立式单节电池电量计IC的数据手册免费下载

DS2784 采用 2.5V 至 4.6V 电源工作,可集成在单节锂离子(Li+)或 Li+聚合物电....
发表于 02-19 08:00 31次 阅读
DS2784独立式单节电池电量计IC的数据手册免费下载

存储器市况需求冷淡 电竞SSD价格快速走跌

存储器市况需求冷淡,受到库存水位偏高,首季价格跌幅达到双位数,由于预期市场价格持续下探,模块厂及终端....
的头像 DIGITIMES 发表于 02-18 16:32 411次 阅读
存储器市况需求冷淡 电竞SSD价格快速走跌

英特尔在嵌入式领域有大展宏图的信心和决心

“我认为中国可能是一个引发点,现在中国嵌入式市场有一个很大的发展,然后辐射到全球的地区。”英特尔首席....
发表于 02-18 14:14 231次 阅读
英特尔在嵌入式领域有大展宏图的信心和决心

在C51中嵌入式汇编的详细步骤资料说明编详细步骤 

本文档的主要内容详细介绍的是在C51中嵌入式汇编的详细步骤资料说明编详细步骤 。
发表于 02-18 09:53 32次 阅读
在C51中嵌入式汇编的详细步骤资料说明编详细步骤 

需要labview程序开发员

有没有人愿意做兼职labview程序开发员与长期实验室技术支持?联系方式: 李老师 ...
发表于 02-17 23:55 132次 阅读
需要labview程序开发员

一种基于嵌入式TCP/IP软件体系结构的优化设计和实现方案详解

随着计算机网络技术和电子信息技术的迅猛发展,Internet的普及,接入Internet的非PC设备....
发表于 02-16 11:24 81次 阅读
一种基于嵌入式TCP/IP软件体系结构的优化设计和实现方案详解

嵌入式一体化的智能化产品在智能交通领域内的应用获得广泛认同

随着世界经济和我国经济的不断发展,交通运输越来越成为国民经济生活中的一个极其重要、不可缺少的因素,现....
发表于 02-16 11:12 167次 阅读
嵌入式一体化的智能化产品在智能交通领域内的应用获得广泛认同

32位单片机与嵌入式操作系统的测试复习题和答案资料免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是32位单片机与嵌入式操作系统的测试复习题资料免费下载。
发表于 02-15 17:19 92次 阅读
32位单片机与嵌入式操作系统的测试复习题和答案资料免费下载

单片机教程之MCS51单片机的资料结构说明

本文档的主要内容详细介绍的是单片机教程之MCS51单片机的资料结构说明主要内容包括了:1.MCS-5....
发表于 02-15 15:59 55次 阅读
单片机教程之MCS51单片机的资料结构说明

基于ARM11平台的智能火灾监测报警系统研究

随着我国城镇化建设进程的加快,城镇的火灾隐患越来越大,每年我国都因为火灾而造成巨大的经济损失。尽管目....
发表于 02-15 15:45 101次 阅读
基于ARM11平台的智能火灾监测报警系统研究

随着成本的逐步降低 中国的智能家居最终将走向嵌入式

后PC时代的到来完全依赖于嵌入式技术的诞生与发展,传统的IT设备逐渐转变为嵌入式设备,这是一个大趋势....
发表于 02-15 15:38 255次 阅读
随着成本的逐步降低 中国的智能家居最终将走向嵌入式

了解虚拟内存和内存分页的概念

应用程序来说对物理内存地址一无所知。它只可能通过虚拟内存地址来进行数据读写。程序中表达的内存地址,也....
的头像 马哥Linux运维 发表于 02-15 14:19 1998次 阅读
了解虚拟内存和内存分页的概念

潘建伟在量子网络研究方面取得重要进展——实现基于冷原子的多节点量子存储网络

除量子科技外,我国在芯片领域也传来一好消息。据上海市有关方面透露,备受业界关注的中芯国际14纳米生产....
的头像 掌上科技频道 发表于 02-15 13:37 315次 阅读
潘建伟在量子网络研究方面取得重要进展——实现基于冷原子的多节点量子存储网络

单片机与嵌入式的详细资料总结免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是单片机与嵌入式的详细资料总结包括了:1.嵌入式系统概述,2.常用嵌入式平....
发表于 02-15 10:28 66次 阅读
单片机与嵌入式的详细资料总结免费下载

请问如何用labview实现两个程序相互嵌套使用?

拟实现一个自动采集程序:电机运动一段距离后开始采集数据,采集完这一点的数据之后再回到电机程序,使电机继续运动到达下一测试点...
发表于 02-15 09:59 220次 阅读
请问如何用labview实现两个程序相互嵌套使用?

单片机执行指令过程详解

因为指令是要求把取得的数送到A累加器,所以取出的数字经内部数据总线进入A累加器,而不是进入指令寄存器....
的头像 玩转单片机 发表于 02-15 09:53 1473次 阅读
单片机执行指令过程详解

位运算让嵌入式系统更快更稳定

本方法可以让C语言指令进一步接近汇编指令的执行效率,提高单片机、嵌入式系统的速度和稳定性,但编程时应....
的头像 嵌入式资讯精选 发表于 02-15 08:56 166次 阅读
位运算让嵌入式系统更快更稳定

单片机教程之单片机总线与存储器的扩展资料说明

本文档的详细介绍的是单片机教程之单片机总线与存储器的扩展资料说明主要内容包括了:1.单片机系统总线和....
发表于 02-14 17:34 60次 阅读
单片机教程之单片机总线与存储器的扩展资料说明

嵌入式产品的研发流程详解

当一个项目做完的时候,如果客户突然又增加需求,增加功能,将导致你的项目周期严重拖延,成本剧烈上升,并....
的头像 玩转单片机 发表于 02-14 15:42 330次 阅读
嵌入式产品的研发流程详解