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围绕着“嘉楠耘智”和“7nm芯片”的争论

2018-08-16 10:16 次阅读

也许很多人都知道比特币,但却从未听过“嘉楠耘智”这家公司。全球首个7nm芯片成功量产的消息,让这家来自中国杭州的公司走进了很多人的视野。

如果用一句话来介绍:这家公司发明了矿机,是全球第二大的矿机供应商。一些新媒体以“国产7nm芯片打响第一枪”的夸张宣传,使得嘉楠耘智的关注度在一夜之间暴增,其百度指数在8月8日期间骤然激增1000%。

“树大招风”的古语再次得到了应验,围绕着“嘉楠耘智”和“7nm芯片”的争论却由此展开。我们汇总整理了网上的一些热门的观点,如下:

反方观点:

Asic芯片功能单一,设计难度较手机电脑上的通用处理器难度低很多;

② 芯片是自己设计的,但代工依然是台积电,不能算“完全自主”量产;

③ “挖矿”没有实际意义,浪费电力能源,虚拟货币毫无实际价值可言;

“反方观点”认为矿机芯片在实际应用中用途不大且设计较为简单,因此对这颗国产7nm芯片持怀疑的态度,甚至对挖矿和虚拟货币都表现出极为不认同的态度。在他们眼中,或许只有国产的手机电脑处理器腾飞才具有真正的意义吧。

正方观点:

① 先进工艺首发量产需要简单的芯片实现,以前是内存,如今是矿机芯片;

② 芯片设计同样需要较高的技术水平,这里面绝不是你们想的那么简单;

③ 实现芯片自主不是这么简单,路要一步一步走,有些人见不得我们领先;

而“正方观点”则显得比较务实:芯片设计和生产要由简入繁,虽然目前仅仅是矿机领域的领先,但至少可以看到我们的芯片企业正在进步。想要最终实现国产芯片的崛起,过程会无比的艰难,矿机芯片或许是一个良好的开端。

虚拟货币“挖矿”行为真的没有意义吗?

双方争论的焦点落在了“7nm矿机芯片究竟有无价值?”的关键节点,同时也反映出民众对于区块链就是“挖矿”的误区。区块链的核心机制是“去中心化”,那么想要实现这个宏伟的构想,必须要让提供算力的节点“有利可图”,而虚拟货币作为区块链分布式计算的奖励机制,是不可或缺的一环。

麦肯锡研究表明:区块链技术是继蒸汽机、电力、信息和互联网科技之后,目前最有潜力触发第五轮颠覆性革命浪潮的核心技术。7nm芯片无疑对区块链算力的提升和整个行业的发展具有了极大的推动作用,是区块链技术应用发展的一座里程碑。或许当前区块链还没有太多的用武之地,但随着软硬件技术的不断迭代,未来应用前景不可小觑。

唯一需要提出批评的,或许就是有些新媒体为了吸引眼球,极大的渲染了民族情感,报道的确实有些夸张失真了。

对于一家企业来讲,盈利是其生存和发展的根本。在区块链风口上的嘉楠耘智虽然成立时间不长,但却实现了年复合盈利增长率达423.7%的高速增长。公司2017年营收13亿,净利润3.6亿,同比增长6.9倍。此前嘉楠耘智赴港IPO,市场预期估值高达1000亿。

嘉楠耘智或许就是中国芯片企业依靠盈利从而形成良性循环的典型案例,如果没有出色盈利能力作为依托,那么7nm芯片全球首发量产也就无从谈起。

区块链硬件未来市场预期(引自弗若斯特沙利文)

未来区块链硬件市场大有可为,足够广阔的市场前景和良好的利润增长才能确保企业的持续发展壮大。或许未来矿机会逐步消失,取而代之的是各类区块链硬件,比如嘉楠耘智此次率先发布的“区块链智能电视机”。

这些区块链硬件的算力不及专业矿机,但星火可以燎原,更符合区块链“去中心化”构想,同时也让更多的人拥抱区块链成为可能性。

强大的WINTEL联盟绝非一日可以撼动

反观通用处理器市场,即使我们能够跨越各种技术专利垄断,开发出在工艺和性能上都超越IBM、intel、amd、NVIDA、高通这些巨头的处理器,但是仍旧需要微软、谷歌、苹果那样优秀的操作系统以及各种应用软件的支持和优化才会有用武之地。

美国自上世纪80年代信息革命以来,科技产业经历长达数十年的发展,技术壁垒已无可撼动。“Wintel”联盟这种强大的存在,是地球上任何一个国家都无法在短期内轻易撼动的。

或许“弯道超车”才是我们发展国产芯片的唯一可行路径,虽然有些人对“弯道超车”颇有微词,但这却是无奈的事实,也是唯一的机会。我们若强硬“攻城”不仅会耗损天量的研发资金,且未必会获得良好的结果。

都说苹果产品好,可苹果今年的研发费用超过100亿美元。如果不在产品上获取丰厚的利润,又有什么能够支持苹果如此烧钱研发?要知道对于企业而言研发是具有极高风险的,走错方向或未达成预期从而导致资金断链、企业破产的案例比比皆是。

嘉楠耘智布局人工智能 实现“弯道超车”

而在5G网络、人工智能,以及区块链等新兴技术的催生下,市场格局面临着全新洗牌,ASIC专用芯片的市场空间将会呈现爆发的趋势。在人工智能芯片领域,中国企业已经走在世界前列。华为、百度等企业已经发布AI处理器。矿机芯片和人工智能芯片在设计角度有着异曲同工之妙,因此我们看到嘉楠耘智已经在该领域积极布局。

苹果A12同样采用台积电7nm技术

至于谈到芯片“代工”的问题,其实他们或许有些“完美主义”了。代工生产是全球经济发展形势下的必然趋势,也是利润最大化的有效途径。

苹果iPhone的芯片同样由台积电代工,来自全球的配件由富士康组装。全球分工是经济开放的必然产物,如果一味的追求“完全自主”,难道我们又要回到闭门造车的“大清朝”吗?那些倡导“完全自主”的人或许拥有较强的“民族自尊”情怀,但情怀不能当饭吃,企业盈利才能推动良性循环。

原文标题:国产7nm芯片引发热议 靠情怀做不好中国芯

文章出处:【微信号:IC-008,微信公众号:半导体那些事儿】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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BAS16H 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 S汽车及其他应用的前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 30次 阅读
BAS16H 100 V开关二极管

BAS116L 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 8 mm卷带和卷盘 - 使用BAS116LT1订购7英寸/ 3,000单位卷轴 Pb - 免费套餐。 汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 32次 阅读
BAS116L 75 V开关二极管

BAR43 肖特基二极管

信息 BAR43 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 30次 阅读
BAR43 肖特基二极管

BAR43C 肖特基二极管

信息 BAR43C 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 35次 阅读
BAR43C 肖特基二极管

BAR43S 肖特基二极管

信息 BAR43S 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 38次 阅读
BAR43S 肖特基二极管

BAL99L 70 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 44次 阅读
BAL99L 70 V开关二极管

A5191HRT 工业HART协议调制解调器

信息 A5191HRT是一款单芯片CMOS调制解调器,适用于高速公路可寻址远程传感器(HART)现场仪表和主机。调制解调器和一些外部无源组件提供满足HART物理层要求所需的所有功能,包括调制,解调,接收滤波,载波检测和发送信号整形。 A5191HRT与SYM20C15引脚兼容。有关引脚与SYM20C15兼容性的详细信息,请参见引脚说明和功能描述部分。 A5191HRT使用每秒1200位的相位连续频移键控(FSK)。为了节省功率,接收电路在发送操作期间被禁用,反之亦然。这提供了HART通信中使用的半双工操作。 低功耗 Bell 202移位频率为1200 Hz和2200 Hz 单芯片,半 - 双工1200比特FSK调制解调器 发送信号波形整形 接收带通滤波器 满足HART物理层要求 CMOS兼容 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 26次 阅读
A5191HRT 工业HART协议调制解调器

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...
发表于 04-18 19:13 32次 阅读
CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
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CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
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CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
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CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器

信息 MC10 / 100EP32是一个集成的2分频器,具有差分CLK输入。 V 引脚是内部产生的电源,仅适用于该器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01μF电容去耦V 和V ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V 应保持开路。复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP32。 100系列包含温度补偿。 350ps典型传播延迟 最大频率> 4 GHz典型 PECL模式工作范围:V = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态< / li> 输入安全钳位 Q输出打开或V 无铅封装可用时默认为低电平 < / DIV>...
发表于 04-18 19:13 26次 阅读
MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器