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盘点国外IDM企业在华布局

半导体行业联盟 2018-08-13 16:41 次阅读

改革开放以来,中国的电子产业飞速发展。庞大的需求也推动国外半导体企业在国内的生根落户。在本文,作者总结了国外知名半导体公司在国内的布局,让大家对这部分有深刻的了解。另外,如果文中有错漏,请各位读者补充。谢谢!

一、国外IDM企业在华布局

(一)三星电子(Samsung)

三星在中国的发展可追溯到上世纪70年代,在中韩还没有建交的历史背景下,经香港从中国大陆进口煤炭,这是韩国企业在新中国成立以后和中国进行的第一笔贸易。

1992年8月,中韩两国建交以后,在中国的发展开始加速。三星电子1993年4月在天津成立第一家合资企业。1994年三星电子的半导体业务进入中国。1995年1月,为增强在华业务,三星集团中国总部成立,1996年三星(中国)投资有限公司成立。

三星在中国布局沿袭了其国内的战略思路,即不仅是单纯的投资,而是打造一个贯穿于产品策划、设计、研发到生产、销售全过程的本土化体系,进行上下游全产业链的延伸。从更深层次讲,三星在中国市场的投资布局对于拉动中国电子产业往上游延伸与技术提升意义重大。

2017年三星电子芯片业务销售额达690亿美元,超过英特尔的同年销售额627.6亿美元,首次成为全球最大芯片制造商。

三星电子近年来业绩的飙升,主要得益于旗下的芯片业务。虽然三星电子Note 7的爆炸事件对公司智能手机业务构成极大影响,不过凭借着内存芯片业务,三星电子在利润上却出现了大涨。

表1:三星电子在华成立公司列表

1.三星电子中国研究院

三星电子中国研究院成立于2000年,是三星电子在华投资设立的第一个具有独立法人资格的研发机构,是国家批准认定的高科技软件企业,具有博士后科研工作站运营资质,现有研发人员800余名。

研究院自2010年起,在强化研发成果商用化的同时,更加注重未来前沿关键技术的研究和开发。 研究院十分重视与国内著名高校的技术合作,目前已与清华、中科院、上海交大等十余所著名大学及科研机构密切合作,并成功将合作成果商用化。

三星电子中国研究院以人工智能关键技术,包括模式识别、多媒体处理、人机交互、计算机视觉等;下一代无线通信核心技术,包括无线通信网络、芯片和终端技术等研发为目标。2013年9月13日,"清华大学(计算机系)—三星电子中国研究院 智能媒体计算联合实验室"正式揭牌。2013年5月6日,与三星电子株式会社共同成立"清华-三星半导体联合实验室"。三星电子中国研究院在人工智能技术有一定的储备,同时也在业界积极寻求优秀人才。三星每年从清华、北大、中国科学院自动化研究所以及各大高校的计算机系招募AI人才。三星电子中国研究院第一位研究人工智能的专家15年以前就已经加入该研究院。这些AI专家刚进入时做的是技术储备工作,之后做相应的研究工作,现在做的是产品。三星电子看好AI未来的发展,一方面,AI技术在手机领域发展非常迅猛。

另一方面,未来5到10年,基于自然语言的理解,AI技术会结合典型的生活场景以实现万物互联。

2.在华投资

1996年3月,三星(中国)投资有限公司成立,在国内目前有14家公司由其直接控股。

表 2三星(中国)投资有限公司在华投资公司列表

三星电子有三个风投业务,分别是三星催化剂基金、NEXT和“三星风投”(Samsung Ventures)。NEXT部门,创办于2017年1月,总投资额为1.5亿美元,专注于虚拟现实、人工智能、物联网,以及其他新的前沿技术企业。

2016年10月,GE、三星、沙特基础工业等外资企业与上海市宝山区政府共同合作参与的创投基金正式启动运营,基金主要投资领域将为新材料及应用,投资对象以创业为主,海外技术引进为辅。

2017年10月,国内AI芯片初创公司深鉴科技完成A+轮融资,本轮融资由蚂蚁金服与三星风投领投,招商局创投与华创资本跟投,共融资约4000万美元。三星具体投资金额未知。三星与深鉴科技之间侧重于存储等方面的合作,为AI芯片打造以深度学习处理器为核心的智能化解决方案和高效的整体系统,以便多领域拓宽和产品落地,加速深鉴科技迈进商业化阶段。这次三星第二次投资海外的AI新创公司,2016年10月三星曾向英国的Graphcore 投资3000万美元。

3.重要事件

2012年9月,西安高新区成功引进三星电子存储芯片项目,其一期项目总投资达100亿美元。该项目成为三星海外投资历史上投资规模最大的项目,也是改革开放以来我国电子信息行业最大外商投资项目,陕西乃至西部地区引进的最大外商投资高新技术项目。

2017年8月30日,三星电子株式会社与陕西省政府签署了投资合作协议,决定追加投资70亿美元,在西安高新综合保税区内建设三星(中国)半导体有限公司存储芯片二期项目。2018年3月28日,三星(中国)半导体有限公司存储芯片二期项目开工奠基仪式在西安举行。这个项目早就已敲定,萨德风波导致的压力延缓了三星在华发展的步伐。

2017年3月,三星官方正式宣布以80亿美元的价格完成对哈曼国际的收购。本次收购案三星斥资80亿美元,是三星历史上最大的一次收购案。三星收购哈曼加强自己在娱乐电子领域的地位,同时哈曼旗下拥有有AKG、HarmanKardon、Infinity、JBL等知名品牌也被三星收入囊中。哈曼对三星的吸引力在于汽车互联业务,包括汽车导航服务,车载娱乐系统以及车联网能力。三星电子表示,该交易将帮助三星电子进军汽车电子领域,开拓车联网市场。哈曼国际在华旗下12家公司均收于三星旗下。

(二)英特尔Intel

公司自1985年开始进入中国,在北京设立代表处。英特尔在中国的三十几年中,共经历了三大阶段,每•个阶段又都面临不同的拐点。

第一个阶段是学习期,从上世纪80年代中期到上世纪90年代中期的十年间,英特尔和其他跨国公司一样,刚来到中国,对中国的市场、产业、技术发展、用户需求,在学习过程中有了深入的了解;

第二个阶段是高速发展期,从1995年到2005年的十年,是英特尔在中国快速发展的十年,英特尔与联想、方正、同方、紫光、TCL、海尔等本地PC厂商一起推动中国PC产业发展。

第三个阶段是共同发展和未来探索期,从2014年开始,英特尔进入一个全新阶段,英特尔开始找到新的踏板。在这个阶段,英特尔与中国产业有了更加紧密的对接与合作。

英特尔2017年全球总销售额为627.6亿美元。其中在中国销售额为147.9亿美元,占比23.6%。

表 3 英特尔在华成立公司列表

1.英特尔中国研究院

作为英特尔研究院在海外设立的三个“地区性的研究机构”之一,英特尔中国研究院目前主要聚焦于研究与未来自主系统相关的关键技术,包括人工智能算法、自主系统平台和智能基础设施三大部分。1.人工智能算法,主要是视觉和人脸技术,从识别、跟踪、到表情分析、物体检测、场景理解等等对应到一些硬件上,例如Movidius芯片或者FPGA。2.自主系统平台,是人工智能相关的一个研究方向,目标是推出一套基于CPU+FPGA异构计算的自主智能机器人开发平台,帮助研究人员基于此平台进行开发。3.智能基础设施,即通信、智能存储。

2.在华投资

1998年开始在中国投资,至今投资了140多家中国技术公司,总额超过19亿美元,近 40家公司已经上市或被收购,目前有40家投资组合公司,分布在北京、上海、深圳、广州、天津、重庆、杭州、无锡、苏州等地。

2014年9月,英特尔公司和紫光集团有限公司签署一系列协议,英特尔同时将向紫光旗下持有展讯通信和锐迪科微电子的控股公司投资人民币90亿元(约15亿美元),并获得20%的股权。双方称,上述协议旨在通过联合开发基于英特尔架构和通信技术的手机解决方案,在中国和全球市场扩展英特尔架构移动设备的产品和应用。两家公司预计,此次投资将在2015年初完成。这是迄今为止,英特尔在中国投给第三方最大的投资金额。

英特尔在中国的重点投资领域主要关注在云计算、大数据分析、物联网、智能设备、可穿戴技术、智能机器人技术、无人机、车联网、虚拟现实和增强现实技术等。

专项投资基金有:

2015年4月设立“英特尔投资-中国天使基金”,总额8000万人民币;作为 “英特尔众创空间加速器”计划的一部分,天使基金为有潜力的创客提供创业基金和孵化服务;已经投资多家创业公司;

2014年4月设立“英特尔投资-中国智能设备创新基金”,总额1亿美元;该基金重点投资智能设备,包括平板电脑、智能手机、个人电脑、2合1、可穿戴设备、物联网及其他相关技术;基金已全部投出;

2008年4月设立5亿美元的“英特尔投资-中国技术基金II期”;该基金主要投资云计算、大数据、软件服务和解决方案及半导体设计生产等领域;

2005年6月设立2亿美元的“英特尔投资-中国技术基金”;该基金主要投资互联网设施和服务、无线宽带通信、半导体设计和生产、数字多媒体等领域。

3.重要事件

英特尔希望在人工智能、无人驾驶5G、虚拟现实、中国制造2025、精准医疗、体育、机器人等8个领域与中国展开合作。目前英特尔已在芯片、5G、无人驾驶和人工智能等领域与中国企业展开合作,包括其与紫光集团旗下的芯片厂商展讯在无线通讯和手机芯片的合作,与清华大学合作推展数位芯片领域的研发,与中国移动等电信业者及一些电信设备企业在5G方面深入合作,与上汽、四维图新在自动驾驶和高清地图领域展开合作。

2014年5月,英特尔与瑞芯微达成合作,这是英特尔与中国集成电路产业的首次战略合作。双方的合作将有助于提升全球入门级Android平板电脑的产品数量和上市速度。

2014年10月,大华股份联合英特尔(中国)有限公司举行发布会,正式宣布达成战略合作,结合自身优势强强联合,围绕视频监控领域展开新的探索,加快其在物联网及智能家居行业的全面布局。

2015年 4月9日,清华大学与英特尔公司正式签署备忘录建立战略合作,宣布以英特尔的处理器架构和清华大学的可重构计算研究成果为基础,携手推动拥有自主知识产权的基于可重构计算技术的新型计算硬件和软件研发,以服务中国及全球的市场。

2016年1月21日,英特尔公司、清华大学和澜起科技(上海)有限公司在北京正式签署协议,宣布联手研发融合可重构计算和英特尔X86架构技术的新型通用CPU,以满足市场和用户需求。英特尔公司将提供资金及其它重要资源支持项目研发。

2017年11月,在“2017英特尔人工智能大会”上,中国电信和英特尔宣布双方加大合作力度,为了让AI技术真正落地,未来双方的联合实验室主要聚焦两个维度:基于至强系列,打造AI基础平面平台;融合AI、物联网、5G、大数据等技术,拓展行业多场景应用。此外,英特尔和中国电信双方在AI的合作主要关注技术的积累、生态系统和应用场景的培育上,双方将通过共同努力,充分释放AI在支柱行业的能力。

2018年1月,英特尔宣布与美光将在第三代3D NAND研发完成之后,大约2019年分道扬镳。随后,DIGITIMES称,英特尔与紫光集团一直有意扩大合作,传出有延伸至存储器产业的迹象,业界推测英特尔与美光“分手”的原因之一,可看作英特尔大连3D NAND厂与紫光集团展开合作所做的前期布局。

2018年1月,英特尔公司首席执行官科再奇在CES 2018上宣布,英特尔将同上汽集团、四维图新一起,在自动驾驶和高清地图领域展开合作。上汽集团将基于Mobileye技术在中国开发3、4、5级自动驾驶汽车。英特尔还宣布,将和上汽以及四维图新一起在中国展开 REM 新合作。

2018年2月22日,紫光集团旗下核心企业紫光展锐携手英特尔公司正式宣布双方达成5G全球战略合作。两家领军企业将面向中国市场联合开发搭载英特尔5G调制解调器的全新5G智能手机平台,并计划于2019年实现与5G移动网络的部署同步推向市场。

2018年2月27日,在西班牙巴塞罗那世界移动通信大会期间,中国移动联合全球20家终端产业合作伙伴在GTI国际产业峰会共同启动“5G终端先行者计划”。作为中国移动在5G领域的重要合作伙伴,英特尔首批加入到该项计划中,携手广泛的5G生态合作伙伴,共同推进5G终端产业的创新与成熟。一方面,英特尔不断加强对于无线产品的研发力度。另一方面,英特尔还在携手合作伙伴,利用英特尔移动试验平台(MTP)进行基于预5G或5G NR的互操作性测试(IODT)。

(三)SK海力士(SK Hynix)

SK海力士在中国建有完善的晶圆制造、封装测试基地。

表 4 SK海力士在华成立公司列表

1.SK海力士半导体(中国)有限公司

2005年4月和意法半导体合资在无锡成立海力士-意法半导体有限公司,2008年3月更名,海力士-恒忆半导体有限公司,2010年9月正式更名为海力士半导体(中国)有限公司,2012年5月正式更名为SK海力士半导体(中国)有限公司。主要生产12英寸DRAM芯片,应用范围涉及个人电脑、服务器、移动存储等领域。SK海力士半导体(中国)有限公司在无锡进行了多次增资及技术升级,累计投资额达105亿美元,是中国半导体、也为江苏省投资规模最大的外商投资项目,SK 海力士无锡厂目前最高产能每月可达13万片,约占 SK 海力士 DRAM 产能的一半。

2017年11月,SK 海力士与无锡市政府签约,计划投资86亿美元扩充DRAM产能,二工厂项目建成后,将形成月产20万片10nm级晶圆的生产能力。厂房预计2018年底完工 ,在2019年搬入机台设备开始实现量产 。

2.SK海力士半导体(重庆)有限公司

2013年5月,SK海力士和重庆市政府签署了关于封装测试的投资协议,同年7月成立公司并开工建设。SK海力士重庆封装测试工厂占地28万余平方米,2014年9月举行竣工仪式,一期项目投资2.99亿美元,目前月平均产能已超过7000万只,实现了大幅增长。

本项目在2013年和2014年被重庆市人民政府选定为重点项目,获得政府有关机关的积极支持。SK海力士将与重庆的高校进行产学研合作,携手促进人才培养和技术开发活动,同时,积极开展奉献活动,主动参与社会公益活动,认真履行企业社会责任,谋求与重庆社会的共同发展。

2017年9月23日, SK海力士和重庆市政府签署了关于“SK海力士重庆封装测试2期项目”的谅解备忘录,拟在西永建设年产9亿只晶元的存储芯片封装测试项目,建成后将使其成为SK海力士全球最大封装测试基地。

3.海辰半导体(无锡)有限公司

2018年2月,原位于韩国清川的海力士M8厂迁到无锡注册落户,改名为“海辰半导体(无锡)有限公司”。该厂是SK海力士独立出来的8寸晶圆厂,在无锡的注册资本为1.5亿美元,规划月产能为10万片。

该厂主要生产面板驱动IC(DDI)、电源管理IC(PMIC)、CMOS影像感测器(CIS)。原M8厂最大客户为LG,替LG代工生产液晶屏幕的DDI。M8也替韩厂Silicon Mitus制造PMIC,并为SK海力士生产CIS。

SK海力士旗下全资子公司System IC将持有中国合资公司50%的股权。SK海力士System IC公司表示:新成立的M8项目合资公司将以无锡为基地,以在中国上市为目标,植根中国本土,实现本地化发展,这对SK海力士集团有着重大而深远的意义,希望市、区领导能一如既往地对项目给予支持。SK海力士System IC公司,其前身SK海力士代工业务部从2010年起开始代工业务。

4.无锡政府支持

自SK海力士落户无锡以来,江苏无锡检验检疫局通过建设“一站式服务窗口”、实施“全程报检无纸化”,以及启动 “两直、三通、四统一”为主要内容的检验检疫区域一体化工作模式,既方便企业快速便捷报检,又帮助企业大幅提高通过效率,受到了辖区企业的广泛好评。此外,针对SK海力士投资项目大、进口设备多、通关要求急、响应速度高等特点,无锡检验检疫局还特别实施了“全程项目管理”,通过实施“三维一体式”报检、专人专岗检验、“点对点”技术支持,为企业“量身定制”检验监管模式。

近年来无锡扎实推进产业强市主导战略,把集成电路产业作为产业发展的重点,专门制定出台相关政策意见,设立总规模200亿元的产业投资基金,加快推进集成电路产业发展。

2015年,无锡市委、市政府确立实施产业强市主导战略,提出要构建以新兴产业为先导、先进制造业为主体、现代服务业为支撑的现代产业体系,全力打造现代产业发展新高地。

2016年,为进一步发挥无锡的产业基础优势和资源特色优势,无锡市委、市政府进一步明晰了推进产业强市的路径和重点,提出要以发展具有比较优势的战略性新兴产业为优先选项,制定出台《加快发展以物联网为龙头的新一代信息技术产业三年行动计划》,大力发展物联网、高性能集成电路、大数据和云计算等信息技术产业。

在“十三五”期间设立总规模200亿元的产业投资基金,重点聚焦培育若干个国内外知名的集成电路龙头企业,扶持一批中小型集成电路企业,力争全市集成电路产业年产值突破1000亿元。这是无锡市首次对集成电路产业设立专项基金。

2018年2月,无锡市政府发布了《关于进一步支持以物联网为龙头的新一代信息技术产业发展的政策意见》、《关于进一步支持集成电路产业发展的政策意见》两个文件,将强化政策引导,推动物联网、集成电路等新一代信息技术产业加快发展。今后,无锡全市符合条件的广大信息技术领域企业,都将有机会享受到这份政策红利。上述两个《政策意见》出台后,将与现代产业发展政策、太湖人才计划等现行政策相互衔接、互为补充,与《加快发展以物联网为龙头的新一代信息技术产业三年行动计划》相辅相成、互为支撑,从而构建了一个目标明确、特色鲜明、科学完备“升级版”的现代产业政策体系。

(四)美光(Micron)

美光成立于1978年,总部位于爱达荷州,专注于存储芯片的设计与制造,自有晶圆厂,目前也是美国唯一一家存储芯片制造商,主要产品为DRAM和Flash。美光市值在全球半导体行业始终保持在第5-第10位,并且在存储行业一直稳居第二。美光2017年在中国大陆市场的营收达104亿美元,占其总营收的51%。

美光的业务分布全球,在全球拥有三万名正式雇员。在中国,美光科技公司在西安设有封测工厂;在上海设立了市场营销办事处和集成电路设计中心;在北京、深圳设立了市场营销办事处,致力于为上海、北京、深圳、福建和其他省市的客户提供高水平的服务。

表 5 美光在华成立公司列表

1.美光半导体(西安)有限责任公司

2005年9月美光宣布在西安投资建立封装测试生产基地。一期投资2.5亿美元,于2006年开工,2007年3月建成投产;2010年2月投资3亿美元建设二期测试基地,2011年4月投产;2013年1月,投资2.16亿美元用于三期测试产能,2013年底项目投产;2014年2月携手力成科技,新建一先进之封装项目厂房,做为未来数年力成提供美光封装服务使用,2016年3月25 日正式投产。

从2005年开始美光已经先后4次选择在西安高新区进行投资投产,总投资额已经超过了10亿美元,达到了10.16亿美元。美光(西安)的半导体封装测试产能将占美光全球产能的97%以上。

2.美光上海研发中心

美光还在上海设有两个研发中心。一个是美光半导体技术(上海)有限公司,位于浦东外高桥保税区,从事并行NOR和eMMC的产品开发和NAND设计验证。另一个是美光半导体(上海)有限责任公司,位于漕河泾开发区,从业内先进工艺技术的DRAM设计,SSD和e•MMC产品的软件开发。两个研发中心相互辉映,为位于亚洲的手机和消费类电子设备制造商提供有力支持。 

美光半导体技术(上海)有限公司脱胎于原英特尔闪存事业部(Intel Flash Business Group)。2010年为美光科技收购。该公司始创于1996年,2000年转型成为研发公司,其后逐渐涵盖设计部,开发部,质量部,市场部和应用部,成为一个功能完整的研发中心。该公司的研发产品皆基于业界领先的工艺技术,包括业界领先的45nm NOR,20nm NAND,以及世界上第一款相变存储器 (PCM) 芯片。同时该公司亦为客户提供完整的存储器解决方案,帮助客户开发高质量、高性能、低成本的电子系统。该公司设计开发的产品被应用于几乎所有的电子产品领域。

在4大存储巨头中,美光是唯一将研发机构设立在上海的,成立了美光半导体(上海)有限责任公司。在过去的10多年中,上海研发中心已经独立tapeout了数代产品,如今最新的3D Memory设计也落户于上海。美光上海的设计主要分为IC,System和Controller(MCU)设计。

3.重要事件

(1)美光:3年内不在大陆设厂

2015年,紫光集团就有意投资230亿美元收购美光公司,但被拒绝了,而且为了让外界放心,美光公司还表示三年内不会在大陆建立晶圆厂。2015年12月,美光宣布以32亿美元收购台湾华亚科,但一波三折。2016年,美光申请并购华亚科800亿元新台币联贷时曾提出五大承诺事项:一是,美光并没有任何在大陆制造DRAM的计划或决定;二是,在大陆制造DRAM并非美光既定的公司目标,也未向紫光或任何大陆公司承诺制造DRAM及技术移转;三是,倘若未来美光有在大陆投资及制造DRAM的计划,会在第一时间对外自行揭露,而且该计划至少要耗时2-3年,短期内不可能;四是,美光透过并购华亚科与台湾市场有更进一步的联结,才是美光发展策略的首要重点;五是,美光合并华亚科之后,单是直接聘雇的团队人员就会超过5500名。

(2)美光起诉福建晋华

2017年12月4日,美光根据“保护营业秘密法”(Defend Trade Secrets Act),以及“反勒索及受贿组织法”(Racketeer Influenced and Corrupt Organization Act),在加州北部联邦法庭提起民事诉讼申请,状告台湾代工厂联华电子(UMC)和福建晋华盗窃其商业机密等不当行为。美光公司发言人证实了这一诉讼,并表示:“美光积极保护其全球智财权,并将利用所有可用的法律武器来解决一切盗用行为。”

(五)德州仪器(TI)

自1986年进入中国大陆以来,德州仪器除在中国建立了庞大的代理商销售网外,还在北京、上海、广州、深圳、成都、南京、南通、西安、武汉、厦门、东莞、珠海、青岛、苏州、杭州、长沙以及香港设立了销售、市场营销、和技术支持团队。目前德州仪器已在中国大陆设立18个分公司,有超过1400名员工,5个研发中心、1个产品分拨中心,以及1个集晶圆制造、封装和测试于一体的制造基地。

表 6 德州仪器在华成立公司列表

1.成都政府支持

目前,成都在集成电路、新型显示、计算机、网络通信、电子元器件、信息安全等领域已具备相当规模,吸引了英特尔、华为、戴尔、纬创、富士康、仁宝、联想、京东方、德州仪器等一批世界级企业来蓉投资,具有较为完整繁荣的产业链,形成了领先中西部乃至全国的发展优势。

德州仪器选择成都设立其首个在中国国内的生产基地主要有4方面的考虑:一是成都市政府、高新区给高新企业提供了良好的投资环境;二是成都的基础设施非常完善,空港运输能力排名全国第四;三是成都在中国西部大开发战略中扮演着不可替代的角色,德州仪器在成都建立制造厂将帮助自身更好地在西部大开发中为中国客户提供支持;四是四川特别是成都的电子行业人才储备充足。德州仪器和当地的大学进行了密切的合作,如成都电子科技大学就同德州仪器建立了联合实验室,成为德州仪器全球核心大学计划中的7所高校之一。

2.重要事件

(1)德州仪器与电科院通信用电分公司签署智能电网战略合作备忘录

2011年2月,德州仪器宣布与中国电力科学研究院通信与用电技术分公司联合签署《智能电网战略合作备忘录》,旨在支持电科院通信用电分公司在中国智能电网、智能能源及智能家居等相关领域的发展。根据备忘录要求,双方均视对方为中国智能电网、智能能源及智能家庭等相关领域的战略合作伙伴,TI将向电科院通信用电分公司提供针对智能电表、智能终端及智能能源产品从芯片到系统的全方位支持,以推动国家电网芯片产业基地的建设和发展。

(2)德州仪器为中国多家领先互联网企业带来物联网解决方案

2016年初,德州仪器宣布其与腾讯、百度、阿里巴巴及京东四家中国领先的互联网企业建立了IoT合作伙伴关系。通过久经行业验证的低功耗和超低功耗SimpleLink无线MCU产品组合,TI针对四家企业的不同IoT应用提供了多种创新的无线连接解决方案。

(3)德州仪器携手宁波中车时代共建“智能传感联合实验室”

2016年5月,德州仪器日前携手宁波中车时代传感技术有限公司在宁波举行了“宁波中车时代—德州仪器智能传感联合实验室”揭幕仪式。未来,依托智能传感联合实验室平台,双方将致力于在智能传感,工业物联网系统,无线通信技术等领域开展深度合作,为宁波中车时代迈进更为广阔的汽车、工业和新能源市场提供战略支持。

早在十余年前,TI就与中国中车旗下的中车株洲电力机车研究所有限公司以及子公司株洲中车时代电气股份有限公司建立了战略合作伙伴关系,并于2012年在长沙设立销售与技术支持办公室,以进一步将资源贴近客户,提供更加优质的本地支持与服务。2013年,TI成为时代电气最大的半导体供应商,并为其提供领先的模拟和嵌入式处理产品。2015年,为解决株洲所下一代列车驱动系统的整体功耗疑难,TI 数字处理器(DSP)产品线与株洲所紧密配合,联合定制出全球第一款适用于轨道交通市场的高可靠性,低功耗,高性能的数字处理器芯片。

(六)恩智浦(NXP

恩智浦半导体于1986年以荷兰飞利浦公司半导体业务部的前身在中国设立办事处并开展业务,至今已在华深耕30年。为有效实施技术互动和促进中国集成电路产业的协作发展,恩智浦中国区总部于2015年正式设立于上海。

恩智浦目前在上海、北京、深圳、苏州及其他十四个城市设立了办事处,并成立六座研发中心,一座技术领先的工厂,并与多家中国企业建立了合资公司,在大中华区员工总数超过7000人。2000年在东莞设立封测厂,随着标准产品部门的出售,现在归属安世公司。1992年摩托罗拉开始在天津开展业务,2001年开始封测业务,2004年5月1日,作为摩托罗拉半导体业务重组的一部分,飞思卡尔继承摩托罗拉所有的半导体相关业务。2015年12月恩智浦完成并购飞思卡尔。目前在天津有一座封测厂,在北京、苏州和天津有3个研发中心。恩智浦在华布局主要集中在汽车电子、物联网和安全支付领域。

表 7 恩智浦在华成立公司列表

1.合作事件

2014年12月,恩智浦与同济大学建立针对车对车和车对基础设施通信(V2X)的联合实验室,为中国市场定制互联汽车解决方案。

2015年11月,恩智浦与同济大学深化合作,共同支持“中国制造2025”试点项目之一的“上海智能网联汽车示范项目”,恩智浦为该项目提供智能互联汽车解决方案。

2016年2月,恩智浦与中芯国际宣布开展长期技术研发与本地化合作,进一步推动本地集成电路产业创新升级,支持中国在金融信息自主可控方面的发展战略。

2017年4月,恩智浦正式获得由国家密码管理局颁发的《商用密码产品生产定点单位证书》,成为国家商用密码产品生产指定单位。恩智浦是首个获得该证书的国际半导体企业。商用密码是指对不涉及国家秘密内容的信息进行加密保护或安全认证所使用的密码技术和密码产品。

2017年4月,中国信息通信研究院与恩智浦签订智能网联汽车/车联网战略合作协议,共同推动智能网联汽车、车联网领域的国际技术交流与人才培养。

2017年4月,经工业和信息化部认可,恩智浦正式成为“中德智能网联汽车、车联网标准及测试验证试点示范企业”。

2017年5月,恩智浦正式加入国内首个智能网联汽车试点示范区,成为国家智能网联汽车(上海)试点示范区新成员,全面支持上海市开展车联网DSRC技术道路测试。

2017年6月,恩智浦携手保隆科技深化汽车胎压监测领域合作,共同推进中国汽车胎压监测产业发展。

2.重要事件

2016年,恩智浦标准件业务被建广资产牵头的中国财团以27.5亿美元收购,并以此为基础组建了全新的Nexperia(安世半导体),这不仅是中国半导体行业史上最大的一笔海外并购案,同时也让安世半导体成为中资控制的规模最大且利润最高的传统IDM模式半导体企业。安世半导体产品包括分立器件、逻辑器件及PowerMOS等产品,关键应用领域涉及汽车电子、工业控制、电信通讯、消费电子等,在多个细分市场均名列前三,具有很高的市场竞争力和盈利能力。

安世半导体被中资收购后,其运营和管理继承了恩智浦标准器件业务的传统,总部依然设在荷兰,不过企业的战略重心明显向中国市场倾斜。虽然建广的整体收购除了技术设计部门之外,还包括恩智浦位于英国和德国的两座晶圆制造工厂和位于中国、马来西亚、菲律宾的三座封测厂和位于荷兰的恩智浦工业技术设备中心,及标准产品业务的全部相关专利和技术储备。

在业务上,安世半导体专注于分立器件、逻辑器件及MOSFETs的生产和销售,重点聚焦汽车和移动通信两大市场,其中汽车业务占比达到40%。在2017年,其营收超过14亿美元。

2018年3月初,安世半导体宣布安世半导体(中国)有限公司着力扩建的广东新分立器件封装和测试工厂正式投产,全厂总面积达到72,000 平方米,新增16,000 平方米生产面积,年产量达到900 亿件;根据产品组合,实现增长约50%,有力地支持了安世半导体业务发展计划。广东新工厂的投产,使安世半导体全年总产量超过1 千亿件。

2018年4月23日,合肥市产权交易中心发布了一则公告,内容显示,,受合肥芯屏产业投资基金(有限合伙)委托,安世半导体部分股权进行公开转让,已于22日确定转让给合肥中闻金泰半导体投资有限公司、云南省城市建设投资集团有限公司、上海矽胤企业管理合伙企业(有限合伙)联合体。

(七)意法半导体(ST)

意法半导体成立于1988年,公司一直从事数字消费电子、微控制器、汽车产品、智能功率、MEMS和传感器的研发,目前业务区域包括欧洲区(德、意、法)和亚太区(中、日、韩及南亚),意法一直坚持走多元化产品战略,旗下众多的半导体产品以及解决方案已经渗透到制造业的各个领域。但是行业不景气也确实影响了其营收。现在,意法半导体业务重点放在智能驾驶和物联网领域。能驾驶业务涵盖ADAS、V2X以及新能源汽车领域,符合汽车行业安全、联网以及绿色的发展大方向,其中安全领域的业务越来越占重要地位。智慧工业、智能家居与智慧城市,以及智能硬件作为物联网主要构成部分,未来对于半导体产品及解决方案的需求也非常庞大。意法半导体20世纪90年代进入中国投资建厂,重点发力汽车电子和物联网领域,中国已经成为其最大营收地。

表 8 意法半导体在华成立公司/联合实验室列表

1.重要事件

2017年5月,意法半导体与华大北斗宣布合作开发、营销汽车GNSS(全球导航卫星系统)解决方案。

2017年5月,中科芯时代、中国科学院微电子研究所和意法半导体集团签署产品开发合作协议,签约后,三家机构将联合开发应用于新能源汽车的电池管理系统芯片。该合作计划利用意法半导体的最先进的智能功率(BCD)技术和SPC5x汽车微控制器开发系列电池控制器芯片。为满足市场对性能、质量和可靠性的要求,三方将与中国电池厂商和车企密切合作定义电池控制器解决方案。通过联合研发,中科芯时代的团队将积极学习意法半导体在新能源汽车电子方面的先进技术和经验,提升中国团队在新能源汽车关键元器件,包括功率器件、智能驱动器、微控制器、控制及连接器等方面的设计生产能力,联合研发的解决方案将使得中科芯时代在汽车电子市场的抢占优势地位。

(八)英飞凌(Infineon)

西门子半导体事业部作为英飞凌科技(中国)有限公司的前身于1995年正式进入中国市场。自从1996年在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售市场、技术支持等在内的完整的产业链。在研发方面,英飞凌在上海、西安建立了研发中心,利用国内的人才资源,参与全球的重点项目研究;在无锡的后道生产工厂,为中国及全球其他市场生产先进的芯片产品;并以北京、上海、深圳和香港为中心在国内建立了全面的销售网络。目前英飞凌在中国已获得和正在申请的专利数量达3300项,成立了20多个联合实验室。2017年英飞凌在华销售额在占销售额的25%,中国已成为英飞凌第一大市场。英飞凌主要聚焦于汽车电子、工业功率控制、电源管理与多元化市场和智能卡与安全等领域。

英飞凌深耕中国市场,积极推进“与中国共赢”战略,助力“中国制造2025”是重要的战略举措之一。为落实这一举措,英飞凌根据目前全球智能制造发展和中国制造业现状,独创了三角商业模式。一方面,欢迎本土制造企业参观无锡智能工厂,通过多种形式将全球成功经验与本土制造企业分享,包含与通富微电子及金邦达的智能制造管理合作项目;另一方面,与政府领导部门、生产系统设备、方案、集成商以及中国一流高校合作,为本土制造企业提供智能制造管理标准和咨询服务,由合作双方提供实施服务,合力帮助本土制造业开展积极有效的转型升级,包含作为工信部智能制造联盟副理事长为中国智能制造建言,与中国电子技术标准化研究院合作的智能制造试点项目,以及与西安交通大学联合发布《智能制造管理白皮书》。

表 9 英飞凌在华成立公司/机构列表

1.英飞凌无锡

英飞凌在无锡设有两家公司,分别是英飞凌科技(无锡)有限公司(1995年)、英飞凌半导体(无锡)有限公司 (2015年)。

2014年底,英飞凌总部与无锡市政府签订新的战略合作协议,在未来注资3亿美元,将无锡打造成其在全球最重要的生产基地之一,还计划将高端汽车半导体部件等项目从德国引入无锡,持续扩大中国区的业务。

2015年10月,英飞凌科技宣布成立其在无锡的第二个工厂。新工厂投资总额近3亿美元,占地面积34030平米,将于2016年底完工投产,待所有产线全负载运行后,预计新增员工约2500名。

2015年,英飞凌在锡增资,设立了英飞凌半导体(无锡)有限公司,生产IGBT(功率半导体)模块。

2017年4月,德国英飞凌科技集团与无锡高新区签署战略合作协议,将在英飞凌半导体(无锡)有限公司设立能力创新中心。这意味着,无锡将成为英飞凌在全球集运营和创新于一体的区域性功能总部。

2018年3月,为更好满足中国新能源汽车市场需求,上汽集团和英飞凌集团合资成立了上汽英飞凌汽车功率半导体(上海)有限公司,总部在上海,生产基地位于英飞凌无锡工厂扩建项目内,主要生产适用于混合动力汽车和纯电动汽车的IGBT功率半导体模块新品。项目计划今年7月投产。

2.重要事件

2012年,英飞凌汽车电子事业部开创了业内第一个汽车电子电控单元系统方案交互平台——汽车电子生态圈。2017年,英飞凌已连续六年举办汽车电子生态圈活动,共有800位参会者,其中400位是购票入场,足见其火爆程度。同时,英飞凌继续把生态圈建设发扬光大,由工业功率控制事业部牵头成功在广州举办了第一界家电生态圈群英汇活动。在生态圈上,并不是英飞凌要推荐自己的产品和技术,而是联合合作伙伴一起,探讨产业的未来,探讨合作的多元化。”生态圈的建设能够更好地帮助我们的合作伙伴、帮助学校培养人才,一起成长,是英飞凌赢在中国的重要组成部分。未来英飞凌还将在电源管理和多元化市场事业部尝试生态圈的建立。

2014年9月,英飞凌与总部位于中国无锡的中科院物联网研究发展中心签署战略合作协议,双方将建立长期、全面的战略合作伙伴关系,充分利用各自的战略资源、优质渠道和核心能力,协力开发物联网相关技术和产品,开展物联网示范工程。并且在自有的无锡工厂运用物联网技术,开展智能生产,成为无锡的物联网十大应用案例。

2015年1月,英飞凌宣布正式加入中国电动汽车百人会国际专家咨询委员会。作为百人会成员中唯一芯片企业,英飞凌科技与国家政府部门、汽车产业链上下游、能源、信息、交通规划、高校及研究机构等领域的专家学者们共同出席,探讨我国电动车发展新生态,规划产业未来发展蓝图。

2016年5月,英飞凌科技与昆腾微电子在北京正式签署战略合作协议。双方将整合研发技术和优势资源,携手研发面向中国智能卡和移动支付市场的高性能、双界面安全控制芯片。

2016年11月,英飞凌科技股份有限公司与包括美的、华为、腾讯、中国电子技术标准化研究院等合作伙伴在北京联合发起成立“智慧家居互联安全开放实验室”。

2017年3月,英飞凌携手美的为安全智能家电提供智能WiFi模块,并与美的研发基于硬件安全的智能门,协助其通过BCTC安全认证。

2017年4月,全国首个物联网开放实验室在福州揭牌,英飞凌成为首批战略伙伴,搭建了集结智能找平、电动充电桩等多种功能合一的eluminocity智能路灯系统。

2017年5月,英飞凌科技股份公司与通富微电子股份有限公司署了战略合作协议,将通过分享德国工业4.0的经验和知识,帮助提升通富微电的制造能力和生产力。根据合作协议,英飞凌将为通富微电提供咨询支持,从设备生产力、生产周期、按时交付和质量等方面评估通富微电目前的制造绩效情况,并提出制造力提升方案。

2017年9月,英飞凌科技股份公司与金邦达签署了战略合作协议,双方达成共识,英飞凌通过分享德国工业4.0的经验与知识,协助金邦达从架构上改进现有多系统的集成,进一步提升金邦达智能运营水平。

2017年10月,英飞凌与西安交通大学联合发布由双方合作编写的《智能制造管理白皮书(2017版)》。白皮书的出版旨在为政府制定智能制造发展政策及相关国家战略,提供依据和实施方向;同时,也为有志于推动智能制造发展的企业,提供制造管理指南,帮助企业实现智能制造管理的有效落地。此次活动是继去年双方携手成立“西安交通大学—英飞凌智能制造管理联合实验室”后,在推动“中国制造2025”道路上迈出的又一坚实步伐。

2018年1月,英飞凌宣布加入百度阿波罗计划。基于百度人工智能和自动驾驶能力以及英飞凌汽车电子硬件平台的优势,双方将开展深入合作,致力于推动自动驾驶技术的快速发展,提升大众智能化生活水平。百度自2017年推出阿波罗自动驾驶平台以来,建立了上到云端服务及开源软件,下至参考硬件与车辆平台的强大技术框架和完善生态体系。在阿波罗计划的硬件平台中,微处理器、雷达和激光雷达传感器芯片、信息安全、功能安全等领域,都是英飞凌所涉及的重点产品和应用,并将成为双方合作的主要方向。

(九)东芝(Toshiba)

东芝1980年在香港设立了海外分公司“东芝电子香港有限公司”,开始开展大中华地区的半导体销售业务;1988年在中国大陆创立了香港有限公司的上海分公司,以华东地区为中心正式开展业务;1996年,东芝技术发展(上海)有限公司成立,接管中国大陆的半导体业务;2002年,公司名称变更为东芝电子(上海)有限公司,随着业务进一步扩大,2012年整合北京、大连、深圳、厦门等销售公司,2014年2月正式更名为东芝电子(中国)有限公司。对东芝的半导体、存储产品事业而言,目前中国已成为最大的销售地区,中国市场已经成为东芝最重要的市场。

2002年成立东芝半导体(无锡)有限公司,2016年8月注销,厂房和设备被日月光上海购得。

2018年3月“慕尼黑上海电子展”期间,东芝电子元件及存储装置株式会社数字营销统括部总监吉本健、东芝电子(中国)公司副总经理野村尚司、存储器战略业务企划统括部总监中藤俊辅、存储&电子元器件解决方案市场统括部总监谭弘先生介绍了东芝的“超越手机”规划及展示的重点产品。当智能设备逐步超越手机的范畴,进入到物联网或整个世界时,东芝布局了许多重点芯片产品来支持这些应用,例如连接类芯片、图像处理芯片、马达驱动芯片、电源和功率器件、存储器等。布局VR、智能家居、自动驾驶、车联网、机器人等领域。

二、制造企业在华布局

(一)台积电(TSMC)

台积电在大陆投资模式有别联电、力晶以“和大陆官方合资”进行,而是独资设厂;在大陆布局20多年的巨大,目前在陆共6座厂,大陆市场销售额占整体营收约3成。

台积电投资重心仍集中台湾,除了12寸规模已近百万片,是大陆的50倍外,未来配合台湾全力协助解决3nm所需的水、电、土地及环评,投资金额高达5000亿元新台币的3nm投资计划。

表 10 台积电在大陆成立公司列表

1.重要事件

2016年3月份由张谋忠亲自领军与南京市政府签署协议,将投资30亿美元,也是台湾历年来对大陆最大的单笔投资,在南京建立一座12英寸晶圆工厂及一个设计服务中心。

台积电规划,南京12英寸晶圆厂预计2018年下半年开始量产16纳米制程,单月产能规模约2万片,预计占台积电总产能的2.5%。

大陆只是台积电全球布局的一环,因大陆客户近年来占台积电营收占比快速成长,为就近服务客户,才会选在南京设厂。“独资”南京建厂的台积担心核心在大陆建厂会让机密泄露。电台积电也回复,首先“独资”的形式就是一种保护,另外台湾最先进的制程、最重要的生产与研发基地仍在台湾。

通过分析“独资”的台积电在大陆建厂却并不愿意分享技术果实,实为形势所迫,张谋忠说“即使现在去也已经晚三星一年,但再不登陆,未来恐将毫无竞争力,实在是时间已晚,不得不去”。这就是来大陆开厂的本意。

2017年12月,台积电取得坐落江苏省南京市浦口经济开发区步月路以北、云杉路以西、秋韵路以南土地的50年使用权。取得土地面积达503627平方米,总交易金额达人民币1.73亿元,等于一坪新台币5,159元(每平方米仅345元人民币),以南京当地工业土地价格每平方米约人民币1215元相比,台积电的取得成本只有市价的28.4%。台积电的南京厂将在2018年第2季开始生产,后续还有扩产计划,新取得的土地将用来兴建南京厂第二期工程并扩充产能。

台积电南京厂2018年将以16nm工艺接单生产,将成为大陆地区唯一可提供16nm先进工艺的晶圆代工厂,而根据台湾政府规定,台积电台湾厂区2018年可进入7nm量产,所以南京厂2018年将可以进入10nm制程,未来扩充的产能将可用来建置10nm产能,继续维持在大陆的先进工艺领先地位。

(二)格芯(GlobalFoundries)

格芯在北京、上海设有设计中心,主要着重在特殊应用IC领域、各技术节点代工设计服务。作为全球信息技术产业都在关注的项目,格芯成都项目是格芯在全球投资规模最大、技术水平最先进的生产基地,也是四川改革开放以来最大外资项目,为业内人士所熟知。

2017 年2 月10 日,格芯成都项目宣布开工,美国Globalfoundries 时任CEO 桑杰•贾亲临成都,为该项目培土奠基。3月16日,格芯( 成都) 注册成立。格芯成都项目总投资约100亿美元,将建设全球首条22纳米FD-SOI 先进工艺12 英寸晶圆代工生产线,格芯占股51%,携手成都打造世界级的FD-SOI 生态系统。

该产线属于特色工艺,建成后有望改变目前国内厂商始终处于追赶地位的现状,实现“换道超车”,同时会让四川的晶圆制造业一步跃入国际主流水平。

格芯成都项目分为两期建设完成,预计2018年年底完工的一期工程, 建设当前主流CMOS 工艺12 英寸晶圆生产线,0.18/0.13um工艺,月产20000片,预估2018年投产;二期工程建设格芯最新且独有、全球领先的22nm FD-SOI 工艺12 英寸晶圆生产线,月产65000片,2018年开始从德国FAB转移,计划2019年投产。

1.重要事件

2017年5月,格芯与成都市政府合作启动“FD-SOI 产业生态圈行动计划”,首先是基于格芯独有的、最新的、全球领先的22 纳米FD-SOI 工艺,计划用6年时间,合建世界级的FD—SOI生态系统,助推成都成为全球卓越的集成电路设计和制造中心。几家领先的半导体公司已经承诺共同支持生态圈动议,格芯的领先IP开发合作伙伴Invecas承诺在成都建立一个研发中心为FD-SOI开发先进的IP和设计并提供支持。

从格芯公司本身来看,格芯需要推广这项工艺,借用“生态圈”鼓励中国的客户,基于这项新工艺去开发企业的产品,这对增强格芯公司的市场竞争力助力颇多;

另一方面,从成都乃至四川的产业发展来看,格芯成都项目所采用的22 纳米FD-SOI 工艺,能够大力支持成都和四川的半导体和系统公司在移动、互联、5G、物联网和汽车市场等方面, 开发出能耗更低、成本更低的产品, 去赢得未来市场。因此这是一个多方共赢的计划。

格芯不仅不断加大对中国市场的投入,也以其领先的差异化技术为中国客户提供支持。格芯22FDX技术近日已被三家中国本土客户采用。上海复旦微电子集团有望采用格芯22FDX平台开始设计开发具有高可靠性的服务器与人工智能及智能物联网领域的智能产品;瑞芯微电子计划采用格芯22FDX工艺技术技术设计超低功耗基于无线连接的智能硬件SoC,同时也用于设计高性能的人工智能应用处理器SoC。此外,国科微计划在下一代物联网芯片产品的研发中导入低功耗的22FDX技术,并在未来进行正式量产流片。

2.成都政府支持

在四川省、成都市和成都高新区各级政府的支持下,成都项目采用“5+2” “白+ 黑”的施工方式,并增配管理人员及机具设备、加倍资金投入,与项目设计方、承建方的通力协作,保障项目高效的建设进度,以期在预定期限内建设完成。

成都市经济和信息化委员会牵头多部门共同研究制定“FD-SOI产业生态圈行动计划”,在全市率先提出实施生态圈推进方式。鼓励金融机构以多种方式参与成都市优质企业和重大项目股权投资。

2018年年3月23日,成都市印发了“集成电路十条”,内容涉及对集成电路相关企业在基础设施配套、人才培养等多方面的优惠政策。在有效践行“外引+ 内培”模式下,德州仪器、联发科、飞思卡尔、展讯等国际巨头相继引入成都。随着格芯成都项目的落户,无疑加速成都形成了从集成电路设计、晶圆制造到集成电路封装测试的完整产业链,进一步强化成都电子信息产业生态系统, 完成成都“一屏一芯”的战略布局。

(三)台联电(UMC)

台联电(UMC)成立于1980年,早于台积电创建,曾经领导了中国台湾地区半导体业的发展。联电也是台湾第一家上市的半导体公司(1985年)。

台联电拥有包括28纳米Poly-SiON技术、High-K/MetalGate后闸极技术、混合信号/RFCMOS技术,以及其它涵盖广泛的特殊工艺技术。联电现共有11座晶圆厂(包括正在建设中的),其中包含位于台湾的Fab 12A与新加坡的Fab 12i,以及厦门在建的Fab 12X这三座12英寸厂。Fab 12A厂位于台南,目前生产28nm制程产品,其单月晶圆产能超过50,000片,第一至四期目前生产最先进至28nm的产品,第五、六期已兴建完成,第七、八期则已在规划当中。Fab 12i位于新加坡,这座第二代12英寸晶圆厂单月晶圆产能为45,000片。除了12英寸厂外,联电拥有七座8英寸厂与一座6英寸厂,其它Fab及服务据点则分散在台湾、日本、韩国、中国大陆、新加坡、欧洲及美国等地。

表 11 台联电在大陆成立公司列表

1.福建晋华项目

福建省晋华集成电路有限公司是由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资设立的先进集成电路生产企业。公司与台联电开展技术合作,投资56.5亿美元,在福建省晋江市建设12英寸内存晶圆厂生产线,开发先进存储器技术和制程工艺,并开展相关产品的制造和销售。

2017年7月,台联电与福建晋华集成电路公司合作的12英寸随机存取存储器(DRAM)生产线 (晋华项目),在福建省泉州晋江市进行动工奠基仪式。整体晋华项目的第1期,总计将投入53亿美元,并将于2018年第3季正式投产,届时导入32nm制程的 12英寸晶圆月产能,预计达到 6 万片的规模。

晋华项目已列入国家 “十三五(2016~2020年)”集成电路生产力规划的重要布局中,并且获得国家专项建设基金支持,也就是来自福建省安芯产业投资基金的投资。该基金由“国家集成电路产业投资基金”与福建省、泉州市、晋江市等三级政府所共同发展设立,目标规模为 500 亿人民币。

2.重要事件

2017年12月4日,美光根据“保护商业秘密法”向北加利福尼亚州联邦法院提起民事诉讼,并针对联电和中国福建晋华集成电路公司盗窃其商业秘密和其他不当行为。晋华集成电路公司已从联电转让技术,并在当地投资56.5亿美元建一家工厂进行内存芯片生产。

2018年出,台联电表示,正在福州市中级人民法院对美光半导体(西安)有限公司和美光半导体(上海)有限公司提起诉讼。这起诉讼涉及涉嫌侵犯联电在中国的专利权的三个方面,包括与DDR4、固态硬盘和显卡所使用的内存有关应用。在诉状中,台联电已经要求法院命令被告停止生产、加工、进口、销售和打算销售涉嫌侵权的产品,销毁所有库存和相关的模具和工具,并要求美光赔偿联电的总金额2.7亿元人民币(4180万美元)的损失。

三、设计企业在华布局

(一)高通(Qualcomm)

作为全球高端手机芯片供应商,大陆是高通的主要市场。高通2017财年在中国大陆的营收为145.79亿美元,占总营收的65%。2005年Atheros在上海设立研发中心,2011年高通收购Atheros。

表 12 高通在大陆成立公司/机构列表

1.在华投资

高通风险投资于2000年成立,高通创投自2003年开始在中国进行投资,目前人工智能、AI、VR、无人机等都成为其重点的合作对象。2014年7月,高通宣布面向中国初创企业提供总额为1.5亿美元的战略投资基金。主要集中投入在互联网、电商、半导体、教育和健康领域的初创公司。

在2008-2015年的七八年间,高通创投基于高通的主营业务,将移动互联网作为投资的主要关注方向。在这段中国移动互联网高速发展的时期,高通投资了小米公司、中科创达、亿动广告传媒、触宝科技、易到用车、海豚浏览器、爱乐奇及神州鹰等,涵盖了制造业、媒体和互联网企业等多个不同领域。

自从2015年国家发改委对高通进行反垄断调查并罚款10亿美元以后,高通明显加快了在华投资进程。为了进一步拓展智能化应用,可以看到全产业的布局成为发展方向。高通创投将投资方向转变为了前沿科技领域,主要投资人工智能、VR/AR(虚拟现实/增强现实)、无人机、机器人和万物互联等模块。

2015年下半年,高通创投参与了AR公司小熊尼奥A轮融资,小熊尼奥是一家用AR技术开发幼儿交互式教育产品的公司,现有的产品包括卡片、涂色绘本等,小孩用手机或平板看小熊尼奥卡片产品上的动物时,可以看到三维效果的动物并进行互动。随后,高通在中国投资了XIMMERSE广州虚拟现实科技有限公司,主要做虚拟现实听觉、视觉的人机交互。

2017年11月,高通创投投资7家前沿科技创新企业,包括商汤科技、摩拜单车、创通电子、耐能人工智能、零号元素、美科科技 、奇幻科技。同时,高通创投对奥乐奇、爱乐奇追加投资。

2018年3月,高通作为贝尔科教硬件上层供应商,自2016年参与其 A轮融资之后此次继续跟投。贝尔科教是贝尔科教集团由王作冰等于2009年创立,为3-13周岁的少年儿童进行课外科创教育。

2.我国对其限制反垄断

(1)2015年,发改委对高通公司垄断行为责令整改并罚款60亿多元

2013年11月,国家发展改革委根据举报启动了对高通公司的反垄断调查。在调查过程中,国家发展改革委对数十家国内外手机生产企业和基带芯片制造企业进行了深入调查,获取了高通公司实施价格垄断等行为的相关证据,充分听取了高通公司的陈述和申辩意见,并就高通公司相关行为构成我国反垄断法禁止的滥用市场支配地位行为进行了研究论证。

经调查取证和分析论证,高通公司在CDMA、WCDMA、LTE无线通信标准必要专利许可市场和基带芯片市场具有市场支配地位,实施了滥用市场支配地位的行为,包括收取不公平的高价专利许可费,没有正当理由搭售非无线通信标准必要专利许可,在基带芯片销售中附加不合理条件。

高通公司的行为排除、限制了市场竞争,阻碍和抑制了技术创新和发展,损害了消费者利益,违反了我国反垄断法关于禁止具有市场支配地位的经营者以不公平的高价销售商品、没有正当理由搭售商品和在交易时附加不合理交易条件的规定。

2015年2月10日,国家发改委对高通公司滥用市场支配地位,实施排除、限制竞争的垄断行为,依法作出60.88亿元的罚款决定。高通对此表示接受,既不申请行政复议,也不提起行政诉讼。

此次国家发改委除了对高通作出60.88亿元罚款决定外,还责令高通公司停止违法行为即时整改。其整改的主要方面包括:对我国境内销售手机,由整机售价收取专利费改成收取整机售价65%专利许可费 ;向购买高通专利产品的中国企业提供专利清单,不再对过期专利收取许可费 ;不再要求我国手机生产企业将专利进行免费反向许可 ;不再搭售非无线通信标准必要专利 ;销售基带芯片时不再要求签订不合理协议。

从时间来看,高通配合态度非常积极,从宣布结果到上交罚款仅用了三天。高通公司同时表示,将继续加大在我国的投资,谋求更好的发展。国家发展改革委对高通公司在我国持续投资表示欢迎,并支持高通公司对使用其受到专利保护的技术收取合理的专利费。

(2)我国推迟审核高通440亿美元收购恩智浦交易

美国高通并购恩智浦再告延后,成为第一个中国两个180天期限都没有审核完成的案例。高通与恩智浦已商定合约延期到7月25日,但在中美贸易冲突未解决之前,外界认为这桩并购案的前景难以预料。

此举意味着我国政府再有另外6个月的时间窗口来评估并购,而此并购案也成为中国商务部近年来首次使用两个180天期限没有审核完成的案例。

根据高通的声明,高通和恩智浦同意将购买合约从2018年4月25日延长到2018年7月25日。双方协议说,如果不能在纽约时间7月25日晚11:59收到包括中共商务部在内的批准,高通需要支付恩智浦之前约定的中止合同费用,最迟不超过纽约时间26日早9点。

而不到24小时前,中国商务部表示,正审查高通并购恩智浦并购案,初步认定高通方案难以解决相关市场竞争问题。中国商务部发言人在例行发布会上称,中共政府将继续对并购进行反垄断审查。

3.重要事件

(1)高通与中芯国际合作推动中芯国际28/14nm工艺制程研发

2014年7月,高通宣布,其子公司美国高通技术公司与中芯国际集成电路制造有限公司将在28nm工艺制程和晶圆制造服务方面展开合作,在中国本地制造高通骁龙处理器。

2015年6月23日,中芯国际、华为、高通、比利时微电子研究中心签约,宣布共同投资组建中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司,开发下一代CMOS逻辑工艺,打造中国最先进的集成电路研发平台。新公司由中芯国际控股,华为、高通、IMEC各占一定股比,第一阶段以14nm CMOS量产工艺研发为主,未来还将研发中国的FinFET工艺。新工艺研发将在中芯国际的生产线上进行,中芯国际也有权获得新工艺的量产许可。

2015年8月12日,中芯国际宣布,其生产的28nm工艺骁龙410处理器已经成功应用于主流智能手机。这是28纳米核心芯片实现商业化应用的重要一步,开启了先进手机芯片制造落地中国的新纪元。

(2)比亚迪宣布2019年将推出高通骁龙汽车平台

在CES2018上,比亚迪宣布与高通合作,使用高通骁龙820A平台为汽车上的车载信息处理、电子仪表,及后座娱乐等方面提供支持。

预计2019年开始,比亚迪电动汽车将采用高通骁龙820A汽车平台。除了集成信息娱乐系统、电子仪表盘定位导航、辅助驾驶等功能,骁龙820A汽车平台还能帮助比亚迪改善汽车总体性能,延长电池续航和行驶里程。

(3)联合中科创达成立Qualcomm智能网联汽车协同创新实验室,致力于智能网联汽车

2017年10月10日,Qualcomm、重庆市渝北区人民政府和中科创达软件股份有限公司共同签署合作备忘录,携手成立Qualcomm智能网联汽车协同创新实验室,以促进智能网联汽车产业升级和发展,助力中国智能网联汽车领域的加速发展和创新,为智能网联汽车生态系统建立开放的创新发展平台。该实验室也将成为重庆智能汽车协同创新研究院中首个落地项目。

(二)博通(Broadcom)

博通是全球第二大无晶圆厂半导体公司。2015年5月,新加坡半导体公司安华高(Avago)宣布以370亿美元收购博通,安华高科技前身为安捷伦半导体事业部,主要开发模拟、数字以及混合式芯片。而博通公司为全球大约50%的平板电脑和智能手机生产芯片。两家公司合并后,安华高保留了博通的名称。2017年11月,高通还拒绝了博通1300亿美元的收购要约。2005年12月AVAGO设立安华高半导体科技(上海)有限公司,从事芯片设计工作。博通2017年在中国销售额占全球总销售额53.7%。

借由Avago和Broadcom的合并,“新”博通便可以为无线与有线通信市场带来强烈的冲击,但其进一步的优化整合过程中,抛弃了成本居高不下和发展停滞的基带业务,再通过不断收购扩大自己的技术实力与业务范围,布局云计算、物联网和人工智能。

1.重要事件

面对中国本土手机市场,博通缺乏在TD-SCDMA和TD-LTE技术上的积累,这使其基带产品无法成为满足中国移动定制手机对于网络制式需求。在失去华为、三星等手机企业订单后,能否在其他中国厂商和中国市场获得突破,对于博通的基带业务显得至关重要。

但是2014年3月,中国移动提出的“五模”新规定对博通来说,显然是个重大打击。根据中国移动当时发布的《终端产品白皮书》,自2014年5月31日起,中国移动送测4G定制手机将全部支持五模,而在去年底4G发牌后中移动提出的要求则是:2000元以上的4G手机支持五模,2000元以下可以三模。

“五模之中的TD技术是博通的软肋。”相信这一政策更加坚定了博通于2014年8月退出基带芯片业务的决心。

2015年6月,博通公司与包括华三通信、浪潮和四达时代在内的多家中国企业签署了一系列合作谅解备忘录(MOU),体现了博通公司不断扩大本地区战略关系以及在家庭娱乐和数字家庭领域进一步创新的长期承诺。

博通与杭州华三通信技术有限公司达成协议,双方将共同探索新的市场需求和技术趋势,优化当前和未来平台架构的互动操作与性能。

博通还与浪潮集团达成联合开发协议,促进4K超高清机顶盒产品在华持续创新发展。该协议将利用博通公司的技术实力和市场专业知识,以及浪潮集团的独特地位和前期合作,共同打造全新的DOCSIS 3.0 超高清机顶盒,用以支持完整的数字家庭系统。

此外,博通还将与四达时代合作,共同开发设计面向非洲市场的机顶盒产品。双方将联合投入工程资源,开发一系列低成本机顶盒和高端超高清家庭网关。

2018年4月8日,工信部副部长罗文在深圳会见博通公司总裁兼首席执行官陈福阳,双方就集成电路产业发展及博通公司在华合作等议题交换意见。

(三)联发科(MediaTek)

大陆已经成为联发科最大的市场。2016年以不超过1亿美金的投资与四维图新战略合作,合作拓展车用电子及车联网市场商机。2016年之前,魅族、oppo、vivo都大量采用了联发科处理器,让联发科赚取了大量的金钱。2016年,oppo、vivo、小米等转投高通,比如oppo R11, vivo X11等采用高通的中端CPU。红米note 4X 推出了新款高配版,也放弃了联发科的helio X20芯片而改用高通的骁龙625。

曾经风头一时无两的联发科这两年过得有些暗淡。一方面因为他们推高端芯片抢高通份额的策略失败,反倒被高通和展讯炒了中低端的市场;另一方面在人工智能这个市场,联发科脚步似乎较慢。

2018年初,联发科透露人工智能策略。在语音方面,联发科寄希望于只能音箱市场。在国内,联发科技产品同时支援阿里巴巴的语音后台以及百度的DUOS的平台。在国外,联发科技是第一个能够支持亚马逊和谷歌的语音平台。

除了语音之外,未来在影像视觉处理方面,借助AI技术,一个摄像头就成为一个人脸识别设置。据了解,魅族正在与联发科进行合作,在智能手机上开发最佳面部识别技术,预计将在2019年推出。不出意外的话,这项先进的技术将出现在魅族全面屏手机上,以替代指纹识别。这将成为联发科在AI方面另外一个巨大的突破口。

联发科积极布局人工智慧市场,不仅新一代的Helio P系列处理器将支援AI及电脑视觉(Computer vision)外,看好智能语音商机,未来也将从AI Vision、AI Voice切入,推出支援AI的智能家居相关芯片。

未来,联发科不只是注重发展行动业务,也将持续投资AI、5G、NB-IoT、802.11ax与车用电子等五大关键技术,以领先市场与产品差异化为目标。

1.在华投资

2006年底收购了博动科技,改称为联发博动科技公司

2010年8月2000万美元收购苏州傲视通,补足TD SCDMA业务

2011年投资390万美元入股触控芯片与指纹识别芯片供应商汇顶科技,迄今持股约达 21.34%

2014年以3亿元人民币参与上海市创业引导基金与武岳峰资本发起的集成电路信息产业基金

2015年以4950万美元投资上海武岳峰集成电路股权投资合伙企业,同年又以 4000万美元投资源科(平潭)股权投资基金

2016年先后以1.6亿美元和3175万美元投资源科(平潭)股权投资基金和上海武岳峰集成电路股权投资合伙企业

(四)英伟达(NVIDIA)

2004年07月在成立英伟达半导体科技(上海)有限公司,从事集成电路的开发、设计。英伟达目前有五分之一的业务来自于中国市场。

英伟达的合作伙伴超过 320 家,共同构成了英伟达广泛的自动驾驶朋友圈,涵盖汽车、供应商、软件公司、传感器、地图以及一些初创公司等。

英伟达也不再是传统意义上的硬件公司,而是转变为一家提供自动驾驶硬件、技术,AI 技术的公司,英伟达支持从传统PC终端到所有计算终端甚至是配套云数据中心的端到端布局。

1.在华投资

英伟达从2005年开始,累积投资参股了15家公司。早期英伟达所投资的公司,基本都在图像处理相关领域,其中还包括一家游戏主机厂商。而从2015年以后,英伟达的投资方向明显发生了变化。

应用GPU进行大规模数据处理的公司,以及应用GPU研发自动驾驶技术的公司,成为英伟达2017年两个主要的投资方向。

2017年8月,国内自动驾驶初创企业图森未来完成B轮融资,总额未披露,英伟达参与投资。图森未来,成立于2015年,总部位于中国北京,是一家研发自动驾驶技术的公司,主要针对高速公路场景,提供基于计算机视觉为主的低成本、可商用无人卡车L4级解决方案。图森计划2018年实现无人卡车的商业试运营。

2017年9月,国内企业景驰科技宣布完成Pre-A轮5200万美元融资。此轮融资由启明创投领投,华创资本作为主要投资人和英伟达,以及部分机构和个人参与了此次联合投资。此轮投资能够让景驰迅速扩大在中美两地的研发团队,加速第四层级完全无人驾驶车队于2017年底在中国的部署。

2.重要事件

目前有1200多家公司在使用英伟达推理平台,包括亚马逊、微软、Facebook、谷歌、百度、阿里巴巴、京东、讯飞、海康威视和腾讯等。阿里与英伟达签署合作协议,建立联合实验室,进行高性能计算领域相关技术的联合攻关。美团和英伟达合作,在人脸识别、图片识别上力求有更多的突破。英伟达与京东X实验室合作,使用Jetson创建自动化机器,将AI引入物流行业。

2016年9月,英伟达联合创始人兼CEO黄仁勋在2016年百度世界大会上透露,其公司已经与百度达成合作关系,共同开发基于人工智能的自动驾驶汽车平台。英伟达和百度将构建一个端到端的自动驾驶汽车解决方案,它们的最终目标是打造一个让百度得以推出无人驾驶出租车队的驾驶平台,它们还计划将该平台授权给汽车OEM厂商使用,而且所有使用该平台的汽车都将融入到同一个网络。

2016年10月,海康威视携手合作伙伴英伟达发布了基于深度学习技术的从前端到后端全系列智能安防产品。从这次选择合作伙伴英伟达来看,海康威视对于英伟达的GPU服务器非结构化数据的计算能力是非常认可的。

2017年9月,华为与英伟达展开深度合作,在人工智能、机器学习、深度学习方面共同构建公有云AI平台。

2018年1月,英伟达宣布计划与百度和德国汽车零部件制造商采埃孚合作,为中国设计一个人工智能无人驾驶车辆系统。该系统基于英伟达 Drive Xavier平台、芯片和软件系统,能实现完全自主驾驶。这三家公司共同开发的无人驾驶汽车系统将采用英伟达的自动驾驶芯片Drive Xavier,采埃孚的传感器和摄像机以及百度自主软件系统Apollo Pilot。

(五)瑞萨电子(Renesas)

在中国,瑞萨的业务范围包括研发、生产和销售。2017年,瑞萨电子的净销售额为约 500 亿人民币2016-2017年,整个中国的营收实现了近两成增长。针对瑞萨电子产品覆盖的应用领域,汽车电子是瑞萨电子比较强势的领域,占有比较高的市场份额,瑞萨电子的 MCU 和 SoC 活跃在整个汽车的车身中;而在产业通用电子领域,结合中国政府“中国制造2025”的政策,瑞萨电子也有许多支持中国工厂自动化进程的优秀解决方案;在家电方面,瑞萨电子也是比较有优势的全球供应商。瑞萨电子的 MCU 在全球家电领域占据着四成左右的市场份额。而中国作为家电制造的大国,瑞萨电子也十分重视中国的家电市场,在中国家电市场 MCU 的占有率和全球基本持平,也是四成左右。

1995年日立在苏州成立日立半导体(苏州)有限公司,2003年更名为瑞萨半导体(苏州)有限公司。所属设计开发中心从事以瑞萨科技公司MCU为主的大规模集成电路设计开发工作,已具备独立开发包括内嵌FLASH ROM在内的MCU产品的能力。

1996年3月三菱和四通合资成立三菱四通集成电路有限公司(MSSC)成立,2003年9月更名瑞萨四通集成电路(北京)有限公司,2005年10月因股份变更再次更名为瑞萨半导体(北京)有限公司。

1998年NEC电子中国设立NEC电子(中国)有限公司,2010年更名瑞萨电子(中国)有限公司,从事芯片设计工作。

作为日本三大科技公司精华的集成,瑞萨电子当然有着傲人的资本,在全球微控制器(MCU)市场,特别是全球汽车微控制器市场长期保持领先地位。然而前些年随着日系半导体产业的整体衰落,瑞萨电子也受到了较大冲击。但是,瑞萨电子正在寻求转变。从2013年开始,瑞萨电子进行了一系列“机构改革”,比如剥离收益较差的事业部门,关闭部分工厂,主要目标就是提高公司的整体盈利能力。

2017年瑞萨电子在组织架构方面进行了一系列重大调整,新的组织架构包括计管部、组织发展部、供应链管理部、汽车电子解决方案事业部、产业解决方案事业部、通用解决方案事业部、生产技术部以及中国事业统括本部。

1.瑞萨中国事业统括本部

瑞萨中国事业统括本部的成立是瑞萨电子内部唯一一个以地域划分的事业统括本部。它的成立显示出瑞萨电子对于中国市场前所未有的重视,希望以此切实推进其在中国的业务统合、快速发展。正如瑞萨电子官方宣布的为加速中国发展进行组织架构调整的通告里面写的:“中国市场是一个充满增长机遇的市场,瑞萨电子清楚地认识到,公司业务活动的展开必须符合中国市场的区域特征。因此,瑞萨电子于2017年3月1日成立了新的中国事业统括本部,并开始强化适应中国特色的各项工作。”2017年瑞萨电子在中国市场方面的业绩也印证了这一判断。在2017年瑞萨电子的整体业务构成中,相比海外几个区块,中国市场的成长率是最高的。瑞萨电子中国的业务组成主要分为两个部分:一是中国本地客户业务,另一部分是转移到中国的海外客户业务。目前,来自中国本地客户的业务量,超过了海外客户转单到中国的业务量。

目前,瑞萨中国事业统括本部下属3家销售公司及4家销售分公司、两家工厂和一个设计中心。从市场角度来看,瑞萨电子目前重点关注三大领域,包括汽车、工业与通用产业,其中通用产业又包括了智能家居和智能基础设施等领域。瑞萨电子将从三方面体现公司的价值,包括平台价值、套件价值以及产品价值,生态系统、软件、应用、套件等在未来将是瑞萨电子重点发展的元素。2018年,瑞萨电子重点布局自动驾驶和系能源汽车。

瑞萨电子在2017年11月成立了新能源汽车解决方案中心。该中心直属于瑞萨电子中国事业统括本部,是瑞萨电子加强中国研发力量的一项重要措施。通过新组织架构的设立,瑞萨电子希望在中国积极参与本地创新、发现市场机会,并将其及时并迅速地反映到解决方案的企划、开发及业务开拓计划的制定与执行中,以实现中国市场的销售、市场推广、设计开发、生产等一体化。

本土化和人才战略将是瑞萨电子下一步发展的重点。瑞萨电子正在逐渐加强中国本地的设计能力。:未来瑞萨电子将进一步加强其在中国的研发力量。此前,瑞萨电子的芯片产品是在日本的不同事业部完成的。今后瑞萨电子计划针对中国市场的产品定义逐步转移到中国。一旦这个步骤实现,将是瑞萨电子中国本地化战略的一个重要里程碑。

2.重要事件

2017年5月,长城汽车和瑞萨电子宣布进行战略合作,开发汽车半导体技术和解决方案,以推动包括电动汽车(EV)和插电式混合动力汽车(PHV)的先进的新能源汽车以及自动驾驶汽车在中国的发展。瑞萨电子和长城汽车将通过由双方工程师组成的联合开发团队展开合作,重点关注四个关键领域:(1)新能源汽车关键零部件;(2)能够进行高速可靠通信的车载网络系统;(3)为汽车安全舒适提供支持的下一代汽车信息娱乐系统;和(4)实现自动驾驶必不可少的高级驾驶辅助系统(ADAS)。

2018年,瑞萨电子宣布与阿里巴巴旗下云计算科技公司阿里云合作,加速以阿里物联网操作系统 AliOS 为基础的物联网解决方案的开发。双方将通过由双方工程师组成的联合团队展开合作开发,将阿里物联网操作系统AliOS嵌入瑞萨电子丰富的微控制器产品线,由此轻松创建物联网节点和网关,无缝连接阿里云。

(六)安森美(ON Semiconductor)

安森美半导体原为摩托罗拉下的半导体部门,于1999年独立出来,总部位于美国亚利桑那州菲尼克。中国是安森美半导体全球增长最快的市场。安森美半导体已加入百度Apollo自动驾驶平台,成为其合作伙伴,百度Apollo自动驾驶平台使用安森美半导体图像传感器

表 13 安森美在大陆成立公司列表

1.乐山-菲尼克斯半导体有限公司

乐山-菲尼克斯半导体有限公司成立于1995年,是由美国安森美半导体(80%控股)与乐山无线电股份有限公司(20%控股)合资兴办的中国半导体封装测试的先驱企业之一。工厂就坐落在四川省乐山市,是安森美集团全球产能最大和最优秀的生产基地。

截止2016年底,安森美旗下的乐山-菲尼克斯半导体有限公司的总投资额超过32亿元人民币,拥有三个后工序封装测试工厂,员工总数已达到2600人。公司目前的主要产品为表面安装的分立半导体器件,包括:SOT/SOD/SC/TSOP/DFN等封装型式。

2.重要事件

2017年5月,杭州士兰微筹划拟以现金的方式收购乐山无线的股权,交易对手方为持有乐山无线股权的股东。

2017年8月11日,士兰微发布公告,称拟以现金方式收购乐山无线电股份有限公司股权,因“历史遗留问题无法在三个月内得到清理或解决”,故决定终止筹划本次重大资产重组。

乐山无线电前身为乐山无线电厂,创建于1970年,目前包含多个合资企业的股份制集团,是以制造分立半导体为主,从1993年起分立半导体的年销售收入曾连续12年位居全国同行第一位。LRC制造基地主要包括:成都先进功率半导体、乐山-菲尼克斯、桥式器件生产线、塑封器件生产线、玻封器件生产线、半导体芯片制造分厂、成都蜀芯、乐山飞舸模具。其中,乐山-菲尼克斯半导体有限公司,是由美国安森美半导体(80%控股)与乐山无线电股份有限公司(20%控股)合资兴办的中国半导体封装测试厂。

四.封测企业在华布局

(一)日月光(ASE)

日月光集团成立于1984年,创办人是张虔生与张洪本兄弟。1989年在中国台湾证券交易所上市,2000年美国上市。而其子公司——福雷电子(ASE Test Limited)于1996年在美国NASDAQ上市,1998年在中国台湾上市。

日月光集团为全球第一大半导体制造服务公司之一,专注于提供半导体客户完整之封装及测试服务,包括芯片前段测试及晶圆针测至后段之封装、材料及成品测试的一元化服务。客户也可以透过日月光集团中的子公司环隆电气,提供完善的电子制造服务整体解决方案。 

日月光在大陆设有上海厂、苏州厂、昆山厂、山东威海厂。日月光目前有三家公司在上海运营生产,分别是日月光封装测试(上海)有限公司、日月光半导体(股份)有限公司和环旭电子股份有限公司。由于半导体封测属于劳动密集型产业,大陆低人力成本具有优势,加之大陆半导体工业本身的成长,包括日月光在内的不少台湾企业都有意投资大陆,但是受到台湾有关政策限制。

(二)安靠(Amkor)

Amkor建于1968年,提供最先进的半导体封装测试服务,在电子封测行业处领导地位。现已成为几百家重要半导体企业和电子设备生产企业的战略伙伴,并为这些企业提供了众多先进的封装设计、组装以及测试解决方案。近年来,Amkor先后收购了J-Devices和NANIUM,完善了公司的产品线。

安靠于2001年正式进军中国大陆市场。2014年,坐落在上海自由贸易试验区的安靠(上海)公司,凭借30亿美元的产值和40%的增长势头,牢牢占据了集团业务量的三分之一以上。

Amkor广泛的产品线涵盖了引线框架(Leadframe),球栅阵列(BGA),芯片尺寸(ChipScale)和晶片级(WaferLevel)等封装形式。也支持微电子机械系统(MEMS)和传感器的特殊封装以及晶片凸块安植(waferbumping)和晶片凸块移位(redistribution)服务。更为重要的是,Amkor一直保持并继续巩固着其在倒装芯片(flipchip)和高级封装(advancedpackaging)领域里的工业领先地位。

Amkor高品质的封测服务及其在封装技术上的创新能力,使得其客户可以专注于自身的技术和生产领域,如半导体芯片设计和晶圆制造,以获得利润最大化。

2016年9月,高通宣布成立高通通讯技术(上海)有限公司,值得关注的是,这次高通不走IC设计、不卖芯片,而是携手Amkor投入半导体测试,高通称这是公司首次尝试进入半导体制造服务,新成立的半导体测试中心将设立于上海外高桥保税区,新厂预计于10月18日正式开始营运。

五.EDA企业在华布局

(一)Cadence

2017年11月13日,电子设计自动化(EDA)与半导体知识产权(IP)的领先供应商美国楷登电子Cadence与南京市浦口区人民政府正式签署战略合作备忘录以及投资协议,宣布在南京江北新区成立新本土化公司。重点在IP和系统设计服务,投资额将超亿元人民币,5年内员工人数超500人。

Cadence 在中国拥有强大的技术支持团队,提供从系统软硬件仿真验证、数字前端和后端及低功耗设计、数模混合 RF 前端仿真与 DFM 以及后端物理验证、SiP 封装以及 PCB 设计等技术支持,而未来10年、20年 Cadence 将朝向系统设计方面工艺,其中 IP 是很重要的一环。随着设计变得越来越复杂,Cadence 在最尖端的7nm、5nm、3nm上面花了很多精力,可以为国内客户提供更好的服务和支持。在整个系统设计方面,国内还需要更多的进步,所以 Cadence 选择落户南京,准备把国内的基础建立起来,在 IP 方面、系统设计服务方面帮助国内更加的发展。

(二)新思(Synopsys)

2017年11月10日,全球最大的芯片设计自动化企业美国新思科技(Synopsys)区域总部宣布落户南京江北新区,预计年底前完成企业注册。新思科技区域总部的落户,必将进一步推动江北新区集成电路产业链的打造和延伸。Synopsys将在南京进一步集聚资源,与产业链其他环节的龙头企业一起,努力将江北新区打造成国内集成电路产业的发展高地。

(三)明导(Mentor

Mentor公司成立于1981年,是唯一一家可提供从IC设计/PCB设计到电子装配制造执行系统,可覆盖整个PCB电子制造产业链的软件公司。2016年11月西门子宣布以45亿美元的总价收购电子设计自动化技术领导厂商Mentor,自此Mentor公司正式成为西门子数字化工厂集团下属的Siemens PLM Software(PLM)旗下一员。

Mentor公司的解决方案产品主要是芯片和系统,芯片层面Mentor公司可以帮助Siemens PLM Software进入新的领域。在系统层面,Mentor公司的MES系统是Siemens PLM Software平台上的其中一个系统,连接所有其它的PLM系统,成为完整平台的一部分。

六.设备企业在华布局

(一)应用材料(Applied Materials)

自1967年成立至今四十多年来,应用材料公司一直都是领导信息时代的先驱,以纳米制造技术打造世界上每一块半导体芯片和平板显示器。目前,应用材料已进入太阳能面板和玻璃面板的生产设备领域。应用材料公司在全球13个国家和地区的生产、销售和服务机构有13,000多名员工用高科技设备来推动全球纳米技术的发展。

作为一家全球化的公司,应用材料公司早在1984年就在中国开始业务并且成为第一家进入中国的外资半导体生产设备供应商。应用材料公司的脚步也随着中国半导体工业和集成电路产业的发展向前迈进。应用材料公司于1997年正式在中国注册独资公司。中国公司总部也已落户上海浦东张江高科技园区,在北京、天津、苏州和无锡设有办事处和零配件仓库,并把上海作为全球技术培训中心之一。

(二)阿斯麦(ASML)

ASML是总部设在荷兰Veldhoven的全球最大的半导体设备制造商之一,向全球复杂集成电路生产企业提供领先的综合性关键设备。ASML的股票分别在阿姆斯特丹及纽约上市。另外,英特尔,三星和台积电(TSMC)是ASML的三大股东。

光刻机高端市场就ASML一家独大,尼康和佳能已退出高端光刻机市场。ASML镜头来自德国Carl Zeiss(卡尔蔡司),光源来自美国Cymer(于2012年10月被ASML收购)。目前最新的是ASML第二代EUV(极紫外光)光刻机每台售价超1亿美金,不过对大陆禁售。目前ASML在光刻机领域市场占有率近80%,基本垄断高端光刻机,订单已排至2019年,数额近28亿欧元。

ASML一直致力于中国市场的拓展与合作,包括香港在内目前已经在北京,上海,深圳,无锡等地开设分公司,为客户提供及时的服务和咨询。目前ASML已经与浙江大学,大连理工大学,哈尔滨工业大学,上海交通大学等著名高等学府签定奖学金及科研合作协议,为培养和吸引本地人才。

2017年6月,ASML宣布与中国上海的集成电路研究开发中心合作,双方将将设立一个培训中心,用于支持ASML客户,同时还会对中国境内的集成电路工程师展开技术培训。

ASML南京分公司2017年8月中旬正式开业,落户于南京江北新区。从9月起,ASML南京分公司将主要为台积电新落成的南京工厂提供光刻制程的全方位服务。

(三)东京电子(Tokyo Electron)

东京电子有限公司是一家日本电子和半导体公司,总部位于东京。公司服务区域涉及日本,台湾,北美,韩国,欧洲,东南亚和中国。

东京电子是一家制造集成电路,平板显示器和光伏电池供应商。东京电子器件株式会社是东京电子有限公司旗下子公司,公司专门制造半导体器件,电子元件和网络设备。

该公司是世界第三大IC和PFD设备制造商。公司于1963年作为东京电子实验室有限公司成立。2013年9月24日,东京电子和应用材料公司宣布合并。合并后的公司被称为Eteris,它将是世界上最大的半导体加工设备供应商,总市值大约290亿美元。

(四)泛林(Lam Research)

泛林集团(Lam Research)是美国一家从事设计,制造,营销和服务用于制造集成电路的半导体加工设备的公司。公司产品主要用于前端芯片处理,涉及有源元件的半导体器件(晶体管电容器)和布线(互连)。

泛林集团为后端晶圆级封装和相关制造市场(如微机电系统)提供设备。集团由Dr. David K. Lam在1980年创建,总部位于美国加利福尼亚州硅谷。

泛林集团设计和构建半导体制造设备,包括薄膜沉积,等离子体蚀刻,光刻胶剥离和芯片清洗工艺。在整个半导体制造过程中,这些技术有助于创建晶体管,互连,高级存储器和封装结构。它们还用于相关市场,如微机电系统和发光二极管

(五)科磊(KLA-Tencor)

KLA-Tencor ,1997年,公司通过两家公司KLA Instruments和Tencor Instruments合并而成立,是全球工艺控管与良率管理解决方案的业界领跑者, 与世界各地的客户合作开发尖端的检测和量测技术, 并且将这些技术致力于半导体, LED及其他相关纳米电子产业。 凭借行业标准的产品组合和世界一流的工程师及科学家团队, 近40年来公司持续为客户打造卓越的解决方案。 KLA-Tencor的总部位于加利福尼亚州米尔皮塔斯市, 同时在全球各地设有运营和服务中心为客户竭诚服务。 

2018年3月,KLA-Tencor宣布以34亿美元现金加股票的形式,收购印刷电路板、芯片制造设备制造商奥宝科技。

(六)爱德万(Advantest)

日本爱德万测试集团,成立于1954年,爱德万测试在测试与测量行业处于全球领先地位。产品涉及广泛的相关行业,包括半导体制造、电子产品的研发、医疗设备和药品。

目前公司的测试产品线从晶元、光罩到 再到系统级测试,涵盖了整个芯片的生态系统。爱德万测试开发、生产和销售测试系统,用于测试各种半导体器件,以确保其优良的品质可应用于智能手机,电脑,汽车,和其他常见的电子产品。

该公司的电子束光刻系统,可以在半导体晶圆、纳米压印模板和和其他基板上蚀刻纳米级的电路图。另外,其计量系统,可以实时测量电路图,并且审查其宽度、高度和侧壁角是否有缺陷

爱德万测试全球营收中有88%来自日本以外的地区。爱德万测试中国总部设于上海市张江高科技园区内,负责为全中国客户提供服务;另外亦在苏州、北京、成都、大连等地设有办公室,专注各地的客户服务。爱德万测试(中国)管理有限公司于2012年03月26日成立。

(七)泰瑞达(Teradyne)

泰瑞达是全球最大的自动测试设备供应商,是连接系统和用于汽车行业的测试设备的领先供应商,客户是全球领先的半导体、电子产品、汽车和网络系统公司。泰瑞达公司成立于1960年,在全球有 6,000 多名员工,其中,上海工厂有150 名,该工厂为中国不断发展的电子行业制造、销售和支持我们的产品。自 1979 年以来,泰瑞达一直在中国开展业务。

1979年,泰瑞达在中国销售的第一个晶体管测试系统T713安装成功。自从第一台T713测试仪运送到广州东方工厂,在中国大陆安装的测试设备已经增长到近500台。随着设备的技术的发展,测试设备也变得越来越复杂。1981年,从泰瑞达引进的第一台模拟测试系统在无锡华江安家。随后,1985年,第一台存储器测试系统在中国科学院半导体研究所落户。很快到了90年代,第一台混合信号测试系统被引进到北京微电子研究所。如今,泰瑞达引进到中国的测试系统包括:测试微控制器用的J750,测试混合信号设备的Catalyst以及可以测试所有模拟、混合信号设备和数字设备的FLEX测试平台。

原文标题:中国半导体的钱,谁赚了?揭国外半导体的中国布局!

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确保汽车电子产品的可靠性已经引发了整个半导体供应链的争夺,并且发现了一系列数据不足,缺乏明确定义的标....
发表于 09-19 15:17 30次 阅读
汽车电子的可靠性怎样做可以得到加强

电力半导体器件有哪些分类?

电力半导体器件的分类
发表于 09-19 09:01 14次 阅读
电力半导体器件有哪些分类?

全球沙子开采速度已超过自然恢复速度 专家称不会引发硅材料价格整体上涨

前不久英国《自然》杂志发表文章,指出全球的沙子已经不够用了,目前沙子、砾石的开采速度已经超过了自然恢....
的头像 39度创意研究所 发表于 09-18 17:48 352次 阅读
全球沙子开采速度已超过自然恢复速度 专家称不会引发硅材料价格整体上涨

Intel下一代Xeon至强处理集成FPGA已经发货

英特尔至强6138P包括一个Arria10 GX 1150 FPGA内核,和高达160Gbps的I/....
发表于 09-18 17:47 398次 阅读
Intel下一代Xeon至强处理集成FPGA已经发货

英特尔详解雅典娜计划,欲和产业链合作推进PC市场的发展

目标规范1.0的要求主要在六大领域:即时工作、性能和响应能力、智能性能、电池续航时间、连接和外观规格....
的头像 牵手一起梦 发表于 09-18 17:46 225次 阅读
英特尔详解雅典娜计划,欲和产业链合作推进PC市场的发展

英特尔推出神经形态的模拟芯片Loihi

最近,著名“牙膏厂”英特尔宣布推出一款名为“Loihi”的新芯片,据说能够通过从环境中获取的数据学习....
发表于 09-18 17:39 45次 阅读
英特尔推出神经形态的模拟芯片Loihi

iPhone 11系列搭载英特尔LTE调制解调器

9月18日消息,据报道,美版iPhone 11、iPhone 11 Pro和iPhone 11 Pr....
的头像 牵手一起梦 发表于 09-18 16:12 166次 阅读
iPhone 11系列搭载英特尔LTE调制解调器

谷歌Pixelbook 2相关配置信息曝光,采用第8代英特尔酷睿i5和i7处理器

谷歌可能已经退出制造Pixel和Chrome OS平板电脑,但它还没有放弃Pixel笔记本电脑。自推....
的头像 牵手一起梦 发表于 09-18 15:38 84次 阅读
谷歌Pixelbook 2相关配置信息曝光,采用第8代英特尔酷睿i5和i7处理器

Surface Pro 7系列配置曝光,使用英特尔第十代酷睿处理器

日前微软面向多家媒体发出邀请函,敲定于10月2日召开Surface硬件新品发布会。在发布会开始之前,....
的头像 牵手一起梦 发表于 09-18 15:20 164次 阅读
Surface Pro 7系列配置曝光,使用英特尔第十代酷睿处理器

iPhone11系列确认搭载英特尔LTE调制解调器

iPhone 11系列即将发售,有关这款新机的细节正在逐步被揭秘。
的头像 39度创意研究所 发表于 09-18 15:17 116次 阅读
iPhone11系列确认搭载英特尔LTE调制解调器

全球首例基于国产FPGA的人工智能解决方案已发布

人工智能在物联网(IoT)终端及云的边缘应用中突飞猛进,这主要得益于其无需网络连接到数据中心就能进行....
发表于 09-18 14:58 61次 阅读
全球首例基于国产FPGA的人工智能解决方案已发布

5G和AI驱动存储消费需求增长 存储器价格何时有望走出下行周期

2019年全球半导体市况表现不佳,增速大幅下滑,成为当前业界最为关注的话题之一。而本轮下行周期的成因....
的头像 半导体动态 发表于 09-18 14:43 900次 阅读
5G和AI驱动存储消费需求增长 存储器价格何时有望走出下行周期

韩国已向WTO申诉日本对半导体材料实施出口管制一事

据日本共同社17日消息,世界贸易组织(WTO)16日发布消息称,针对日本对3种半导体材料实施出口管制....
的头像 半导体动态 发表于 09-18 14:37 252次 阅读
韩国已向WTO申诉日本对半导体材料实施出口管制一事

张汝京对我国半导体产业提出三大建议

近日,芯恩(青岛)集成电路有限公司董事长张汝京博士在谈到中国半导体材料现状时表示,国内光刻胶、特种化....
的头像 半导体动态 发表于 09-18 14:28 270次 阅读
张汝京对我国半导体产业提出三大建议

丽水开发区签订60亿元半导体项目 实现产值约76亿元

据丽水经济技术开发区报道,9月16日,在浙江·丽水(上海)周推介会上,丽水开发区现场签订了半导体、生....
的头像 半导体动态 发表于 09-18 14:12 244次 阅读
丽水开发区签订60亿元半导体项目 实现产值约76亿元

智源学者候选名单公布,重大研究方向5至7个

北京智源人工智能研究院今天发布“智能体系架构与芯片”智源学者候选名单,清华大学研究员张悠慧、中科院半....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 09-18 11:13 162次 阅读
智源学者候选名单公布,重大研究方向5至7个

半导体开发为核心的产业现在是怎样的发展状况

随着中国智造2025计划的发布,由国家牵头引导的产业升级是实体经济发展的重要手段。
发表于 09-18 09:53 123次 阅读
半导体开发为核心的产业现在是怎样的发展状况

F435Ⅱ对半导体工厂的电压暂降监测与分析应用

据美国电科院统计,电压暂降占据了超过92%的电能质量事件,工厂无法事先得到即将到来的电压暂降的警告。
发表于 09-18 09:47 50次 阅读
F435Ⅱ对半导体工厂的电压暂降监测与分析应用

2019年半导体产业投资的真相与误解

资本是一把双刃剑,它有多诱人,也就有多大的摧毁力。繁荣的产业图景面前,还要警惕种种乱象和误解。本文中....
的头像 墨记 发表于 09-18 09:10 1302次 阅读
2019年半导体产业投资的真相与误解

离散半导体器件温度的计算

離散半導體器件可用於各種條件和環境機制。特別是處理高功率的功率半導體器件。由於功率密度高, 產生的熱量可能會永久損壞或降低...
发表于 09-18 09:05 21次 阅读
离散半导体器件温度的计算

为连网装置提供多域安全性

現在,正有一股力量在推動全球半導體產業的革命性進展。從穿戴裝置到智慧型汽車和家庭,似乎連網功能已經成為全球創新的關鍵要角...
发表于 09-18 09:05 18次 阅读
为连网装置提供多域安全性

MOS管的电路工作原理电路符号和实物等详细资料讲解

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型....
发表于 09-18 08:00 36次 阅读
MOS管的电路工作原理电路符号和实物等详细资料讲解

半导体器件中的噪声及其低噪声化技术PDF电子书免费下载

本书介绍了半导体、器件中各种噪声现象的理论及其应用技术,包括:噪声基础、半导体器件的低噪声化技术等7....
发表于 09-18 08:00 29次 阅读
半导体器件中的噪声及其低噪声化技术PDF电子书免费下载

模拟电子技术基础第三版PDF电子书免费下载

《模拟电子技术基础第三版》是2006年清华大学电子学教研组出版社出版的图书,作者是杨素行。全书内容共....
发表于 09-17 16:41 35次 阅读
模拟电子技术基础第三版PDF电子书免费下载

三星已成5G领域领跑者 未来方向将如何

去年8月,三星宣布了有史以来最大的投资计划——未来三年计划新增180万亿韩元投资,这是韩国企业集团史....
的头像 半导体动态 发表于 09-17 14:17 375次 阅读
三星已成5G领域领跑者 未来方向将如何

我国功率半导体需求快速增长 国产替代空间将更广阔

近日,华润微电子回复了上交所科创板上市的首轮问询,对股权结构等52个问题进行了详细说明。6月26日,....
的头像 半导体动态 发表于 09-17 11:50 327次 阅读
我国功率半导体需求快速增长 国产替代空间将更广阔

压阻式压力传感器应用

70年代以来制成了周边固定支撑的电阻和硅膜片的一体化硅杯式扩散型压力传感器。它不仅克服了粘片结构的固....
发表于 09-17 09:44 50次 阅读
压阻式压力传感器应用

应变式压力传感器优缺点

应变片尺寸小、重量轻、使用方便、测量速度快。测量时对被检测的工作组昂太和应力分布基本上无影响。既可用....
发表于 09-17 09:11 52次 阅读
应变式压力传感器优缺点

单色数码管的驱动方式是什么?

数码管按段数可分为七段数码管和八段数码管,八段数码管比七段数码管多一个发光二极管单元,也就是多一个小数点(DP)这个小数...
发表于 09-17 09:01 14次 阅读
单色数码管的驱动方式是什么?

金线焊接的详细教程免费下载

1. 所谓的金线焊接所谓的金线焊接是指端子与端子之间结合的一种方法。与半导体指有关的结合方法,真是数....
发表于 09-17 08:00 27次 阅读
金线焊接的详细教程免费下载

英特尔发布最新Arria10 GX 1150 FPGA内核

英特尔至强6138P包括一个Arria10 GX 1150 FPGA内核,和高达160Gbps的I/....
发表于 09-16 17:48 76次 阅读
英特尔发布最新Arria10 GX 1150 FPGA内核

大数据量处理和传输的增长将提高对连接器的要求

当前,连接器已经成为电子元件的第二大支柱产业,根据最新的连接器权威研究机构Bishop& Assoc....
发表于 09-16 16:51 59次 阅读
大数据量处理和传输的增长将提高对连接器的要求

嵌入式主板领域将正式进入三代i5时代

在嵌入式主板领域,灵敏的嗅觉,锐利的眼光和与最新科技发展俱进的产品更新,一直是悦升行业主板的着力点。
发表于 09-16 14:13 111次 阅读
嵌入式主板领域将正式进入三代i5时代

士兰微聚焦半导体特色工艺 IDM优势明显

作为国内目前为数不多的以IDM为发展模式的综合型半导体产品公司,士兰微近年来一直聚焦特色工艺,以高强....
的头像 半导体动态 发表于 09-16 11:50 596次 阅读
士兰微聚焦半导体特色工艺 IDM优势明显

半导体产业今年起面临库存调整压力 硅晶圆厂获利表现开始走缓

硅晶圆族群今年受到半导体产业面临库存调整影响,获利表现走缓,不过,由于客户库存大多已去化至合理水位,....
的头像 半导体动态 发表于 09-16 11:40 403次 阅读
半导体产业今年起面临库存调整压力 硅晶圆厂获利表现开始走缓

目前存储器的种类繁多且应用非常之广

存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。其概念很广,有很多层次,在数字系统中,....
发表于 09-16 11:19 161次 阅读
目前存储器的种类繁多且应用非常之广

Imagination助力加速异构SoC设计,领先IP技术加速“自主创芯”

“第三届‘芯动北京’中关村IC产业论坛”在北京中关村集成电路设计园举行。本次论坛以“构建产业生态,加....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 09-16 10:20 132次 阅读
Imagination助力加速异构SoC设计,领先IP技术加速“自主创芯”

半导体的特性和半导体二极管的详细资料说明

本文档的主要内容详细介绍的是半导体的特性和半导体二极管的详细资料说明包括了:半导体的特性,半导体二极....
发表于 09-16 08:00 67次 阅读
半导体的特性和半导体二极管的详细资料说明

Globalfoundries对台积电诉讼最新详细进展

Globalfoundries最近针对竞争对手半导体代工厂台积电发起专利侵权诉讼。该诉讼使两家提供半....
的头像 刘伟DE 发表于 09-14 00:36 2789次 阅读
Globalfoundries对台积电诉讼最新详细进展

矽格股份新的野望在苏州建立新工厂和成立测试基地

9月10日,高新区与矽格股份有限公司举办项目签约仪式。矽格股份有限公司将在高新区注册新公司,设立预计....
的头像 电子魔法师 发表于 09-12 17:50 1054次 阅读
矽格股份新的野望在苏州建立新工厂和成立测试基地

目前国内存储芯片企业的发展现状

日韩作为存储芯片的主要玩家,其产品几乎垄断了全球主流的市场。近年来,国内对存储芯片的重视,也诞生了诸....
发表于 09-12 17:32 438次 阅读
目前国内存储芯片企业的发展现状

基于第二代HyperFlex架构开发的Agilex FPGA芯片

据Electronics Weekly报道,英特尔首款Agilex FPGA已向早期客户出货,这些公....
发表于 09-12 15:44 111次 阅读
基于第二代HyperFlex架构开发的Agilex FPGA芯片

三星将于今年内完成4nm工艺开发 2020年完成3nm工艺开发

尽管日本严格管制半导体材料多少都会影响三星的芯片、面板研发、生产,但是上周三星依然在日本举行了“三星....
的头像 半导体动态 发表于 09-12 10:44 694次 阅读
三星将于今年内完成4nm工艺开发 2020年完成3nm工艺开发

瑞萨电子推出RX72M工业网络解决方案,加速工业从站设备开发

全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社(TSE:6723)今日宣布推出RX72M工业网络解决....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 09-12 10:44 407次 阅读
瑞萨电子推出RX72M工业网络解决方案,加速工业从站设备开发

矽格股份将在苏州高新区建立半导体测试基地 总投资达1亿美元

9月10日苏州高新区与矽格股份有限公司举行项目签约仪式。
的头像 半导体动态 发表于 09-12 10:38 339次 阅读
矽格股份将在苏州高新区建立半导体测试基地 总投资达1亿美元

什么是MEMS(微机电系统)陀螺仪?

什么是MEMS?MEMS = Micro-Electro-Mechanical System, 是用半导体技术,在半导体材料上刻蚀出来的微机械结构。下图...
发表于 09-12 09:05 235次 阅读
什么是MEMS(微机电系统)陀螺仪?

ICMAX存储器能否成为国产存储行业的突破口

从原始的结绳记事,到现在的存储器,记录变得越来越简便,生活瞬间在一次次的记录中成为永恒,而更多的记录....
发表于 09-11 17:26 144次 阅读
ICMAX存储器能否成为国产存储行业的突破口

我国半导体产业公司聚能晶源将GaN外延材料项目投产8英寸GaN

9月10日,聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司“8英寸GaN外延材料项目投产暨产品发布仪式”在青岛市....
的头像 电子魔法师 发表于 09-11 16:33 2283次 阅读
我国半导体产业公司聚能晶源将GaN外延材料项目投产8英寸GaN

两年专利纠纷:中微半导体最终胜诉台湾盛群半导体企业

近日,历时两年多的台湾盛群半导体股份公司(以下简称“台湾盛群”)诉深圳市中微半导体有限公司(以下简称....
发表于 09-11 15:46 150次 阅读
两年专利纠纷:中微半导体最终胜诉台湾盛群半导体企业

摩尔时代集成电路发展的三大支撑技术使得后摩尔定律得以继续

近日,华进半导体封装先进技术研发中心有限公司副总经理秦舒表示,摩尔定律的延伸受到物理极限、巨额资金投....
的头像 半导体动态 发表于 09-11 15:11 328次 阅读
摩尔时代集成电路发展的三大支撑技术使得后摩尔定律得以继续

耐威科技第三代半导体材料制造项目正式投产 将打造世界级氮化镓材料公司

9月10日,北京耐威科技股份有限公司(以下简称“耐威科技”)发布公告称,公司控股子公司聚能晶源(青岛....
的头像 半导体动态 发表于 09-11 15:06 1821次 阅读
耐威科技第三代半导体材料制造项目正式投产 将打造世界级氮化镓材料公司

聚力成半导体成功试产氮化镓外延片 将有望进一步推动国内氮化镓产业发展

重庆大足区人民政府网消息显示,近日,聚力成半导体(重庆)有限公司工厂成功试产的第三代半导体产品氮化镓....
的头像 半导体动态 发表于 09-11 15:01 440次 阅读
聚力成半导体成功试产氮化镓外延片 将有望进一步推动国内氮化镓产业发展

5G相关核心产业链有哪些?

化合物半导体在通讯射频领域主要用于功率放大器、射频开关、滤波器等器件中。砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)和碳化硅(S...
发表于 09-11 11:51 160次 阅读
5G相关核心产业链有哪些?

元器件故障怎么看?分享老司机总结的元器件检查技巧

电子工程师在实际操作中常常碰到各种各样的故障,特定元器件的故障是有规律可循的,今天这篇文章就来总结一下电子元器件的故障规...
发表于 09-10 15:08 1015次 阅读
元器件故障怎么看?分享老司机总结的元器件检查技巧

什么是半导体磁敏元件?

     基于霍耳效应的半导体磁电转换传感器。在磁场测量以及利用磁场作为媒介对位移、速度、加速度、压力、角...
发表于 09-10 10:42 105次 阅读
什么是半导体磁敏元件?

什么是莱迪思新一代低功率FPGA?

       近年来,FPGA以其成本低、开发周期短、灵活性强的优势崭露头角并逐渐占领了部分以往ASIC胜任...
发表于 09-03 07:55 82次 阅读
什么是莱迪思新一代低功率FPGA?

什么因素推动射频半导体格局的变化?

当今的半导体行业正在经历翻天覆地的变化,这主要是由于终端市场需求变化和重大整合引起。几十年前,业内有许多家射频公司,它们...
发表于 09-02 07:55 100次 阅读
什么因素推动射频半导体格局的变化?

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 836次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 99次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 125次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 136次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 194次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 98次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 141次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
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LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 768次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 133次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 111次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 182次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 158次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 215次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 211次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
发表于 01-08 17:51 273次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 248次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 163次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 185次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 148次 阅读
LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器