张飞软硬开源基于STM32 BLDC直流无刷电机驱动器开发视频套件,👉戳此立抢👈

通过利用 BQ25570 PMIC启动能量采集

电子设计 2018-08-10 09:34 次阅读

物联网节点必须在不更换一次电池的情况下运行数年才能最大程度地减少维护工作。对于某些类型的系统,节点只需要很少的电池电量,而依赖于能量采集器来满足长期电力需求,例如太阳能电池阵列或小型蜗轮机。

能量收集设计的根本缺陷是电源不可靠,但也有一些例外情况,例如流量计,其中液体的运动是持续的,采集器可从这种流动中吸收一部分动能。

大多数情况下,采集器只能达到较低持续性水平的能量流动。遗憾的是,这种能量供应通常还有顶峰和低谷,很可能与系统高峰需求不一致。这就需要使用可充电电池或电容器等元器件,将暂时过剩的能量存储在系统内部的电能储存器中。

如果系统能够长时间保持静态,它就可以只消耗极少的电能,让电能积聚到足以应对高峰需求。对于物联网节点而言,这种高峰需求尖峰很常见,如图 1 所示。当这类节点不工作时,可以确保其电路的很大一部分处于断电状态,从而达到整体低能耗目标。借助这种低占空比特性,我们可以将系统设计为仅有不超过百分之一的系统生命周期处于高能耗状态。

典型物联网传感器节点的功耗特征图片

图 1:典型物联网传感器节点的功耗特征

物联网节点需要能够在一定的功耗范围内执行多个任务。通常,节点将感应传入的数据,例如某个管道内的流速,或者如果是环境传感器,则将感应温度或湿度水平。系统需要将它接收的数据传输到同类节点或服务器,以便与其他节点的报告进行比较,如果数据表明发生了重大变化,则需要采取措施。如果比较或筛选算法显示了可报告的变化,则节点将需要激活射频收发器,组合数据包,并将其发送到物联网网关。节点还需要侦听确认以及网络状态更新。

很可能峰值功率就出现在射频传输期间。但是,我们可以对活动进行排序,首先组合数据包并将其传送到射频子系统,让节点的一部分关闭,然后再发起实际射频传输。这有助于消除峰值功率,防止电容器和电池组合放电过快。

有一些简单的电路设计技巧可从能量采集器对储能电容器进行充电,以提供足够的电能来满足活动高峰的需求。一种技巧是将二极管与太阳能电池或类似采集器及电源轨串联。电容器可以充电到采集器的开路电压。并联的过压保护可以保护电容器和电源轨,防止达到过高的电压电平。但是,只有在太阳能电池阵列能够产生高于电源轨的电压时,这种方法才适用。很多小型发电机,以及基于热电发电等其他收集技术的发电机,永远不会接近这个水平。另外,充电到最高电压不适合太阳能发电,因为当前最大功率点 (MPP) 的电压会随着光照强度发生变化。

我们需要的是能够管理电容器和系统电压的专业器件。Texas Instruments (TI) 的 BQ25570 电源管理集成电路 (PMIC) 使得从各种收集源提取微瓦级至毫瓦级的电力成为可能,尽管大多数收集源为具有较高输出阻抗的低电压电源。电池管理功能可确保任何相连的充电电池或储能电容器不会被这种提取的电力过度充电,从而能够使用锂电池安全地工作。它还能确保电池不会损耗至超出系统负载的安全限值。除了非常高效的升压充电器之外,BQ25570 还提供超低功耗的降压转换器,以便为系统提供第二个电源轨。

BQ25570 通过调节充电器的输入电压来执行最大功率点跟踪,如图 2 中的框图所示,VIN_DC 可以感应该输入电压。该电压将与 VREF_SAMP 引脚处的采样基准电压进行比较。最大功率点跟踪电路通过周期性禁用充电器大约 250 ms,并对一部分开路电压进行采样,从而每 16 秒获取一次新基准电压。对于太阳能采集器,最大功率点通常在 70% 至 80% 之间,对于热电采集器,最大功率点在 50% 左右。BQ25570 通过将 VOC_SAMP 连接到储能电容器 (VSTOR) 或接地,分别为太阳能和热电能量来源编程至相应的百分比水平。如果输入源的最大功率点不是 80% 或 50%,则可通过在 VRDIV 和接地引脚之间连接外部电阻器,对这个比率进行编程。

采用典型太阳能供电电路的 Texas Instruments BQ25570 框图

图 2:采用典型太阳能供电电路的 BQ25570 框图。

通过使用外部电阻器在 VBAT_OV 引脚上设置峰值阈值,为充电电池或储能电容器提供保护,防止出现过压或过充的情况。当采集器输入有足够的电能来驱动系统时,此设置也适用于由充电器向系统提供电压的情况。

促使人们选择储能电容器的部分原因是其整体尺寸,另外也有漏电方面的考虑。电化学“超级电容器”可提供最高的电容,电容值最高达到 50 F。但是,它们的漏电水平很高,这使其不适用于间歇性收集能量的设计。钽电容器可能是更好的选择,但其防火能力是一个令人担忧的问题,在设计中需要注意。这类电容器要提供合理的高电容水平,漏电水平也需要在毫微安培的范围内。但如果在成本、安全性和低漏电这几方面综合考虑,陶瓷电容器会是相对较好的选择,虽然它的电容只有大约半毫法拉。

为了便于进行能耗预算管理,BQ25570 控制着“电池良好”(VBAT_OK) 标志。当储能电池或电容器的电压降至低于预设的临界水平时,会向连接的微处理器发出警报信号。使用这种方法可以开始减少负载电流,以防系统进入欠压状态。使能信号让 MCU 能够控制 PMIC 的状态,在必要的情况下,可将其置于超低静态电流的休眠状态,以进一步节省电能。

在很多低占空比系统中,MCU 能够进入深度休眠状态,将功耗降低到非常低的水平。但是,在某些情况下,系统可能因为储备能量暂时耗尽而无法继续工作。我们可以将系统设计成不仅能容忍这种情况,还能将其视为正常现象,并利用技术来避免完全重启的需要。这些系统设计有助于将能量收集变成一种更具可行性的技术。

很多 MCU 依赖于备用存储单元,在休眠期间保存关键数据。如果这些 MCU 采用 SRAM,则在电源中断的情况下,备用存储单元将出现一些漏电,将会导致内容丢失。定期将数据写入闪存,可在一定程度上解决这个问题。但是,如果收到即将发生电源故障的警告,但又没有足够的电力提供所需的高电流来执行一系列闪存写入,也会出现问题。为了支持闪存写入,MCU 通常需要集成式充电泵,以完成擦除和写入操作,这通常需要持续几百毫秒的 5 mA 至 10 mA 的电流。

此外,也可以让 MCU 可以完全断电,并在电源恢复时重启,然后尝试从永久存储器恢复其状态,或者通过下载在关闭之前提供的状态信息从服务器进行恢复。但是,这种方法将会大幅增加功耗,并且在 PMIC 和电容器没有积聚足够电能的情况下,节点可能出现一连串的重启失败。通过存储临时数据,系统无需进行重启。有关系统状态的信息越详细,系统为了确保正常工作需要执行的恢复工作就越少。

铁电随机存取存储器 (FRAM) 提供了一种存储器技术,在出现断电的情况下,它能够在系统中存储大量的临时数据,而且功耗非常低。FRAM 的主要优点是支持超低功耗写入。可通过两种不同方式发现这种优点。与闪存不同,写入 FRAM 不需要预先擦除周期。写入操作本身需要的电荷也远低于闪存。

FRAM 的构造与 DRAM 相似,采用电容存储元件。它通常与编程晶体管组合在一起。闪存使用高电场将电荷存储在晶体管浮动栅的绝缘体内部,而铁电电容器则将电荷存储在电容器内部。与常规电容器不同,铁电电容器的材料是经过精心选择的,在施加编程电荷时,该材料能够在其晶体结构内部形成半永久性电偶极子。读取是破坏性的,因为它迫使单元进入空态。但是,写入的功耗非常低,因而它能够在每次成功读取后轻松执行,如果值为“1”则替代原始值,或者加载新的“1”。

TI MSP430FRx 系列 MCU 包括多达 128 KB 的片上 FRAM,用于数据的永久存储。MCU 支持超低功耗状态,在这种状态下,片上存储器阵列和寄存器不加电,但 FRAM 将继续存储其内容。

计算通过功率损耗 (CTPL) 软件实用工具为系统设计人员提供了一种简便的方法,来利用 FRAM 提供永久状态存储功能。资源库提供了很多应用程序编程接口 (API) 以监控电源故障等事件,并对事件做出响应。通常,在系统断电之前,软件资源库将状态数据从 SRAM 和寄存器传输到 FRAM。

电力恢复后,CPTL 资源库可将 FRAM 内容传回 SRAM 数据结构和 MCU 寄存器,以便继续执行。

通过构建系统软件来最大程度地减少完全唤醒周期的次数,可以实现进一步的电源优化。设计通常分为两大类:响应式和周期式。响应式工作方式可将系统置于待机状态,等待某些活动或事件发生,然后才启动处理,最后再返回深度休眠状态。

活动可能与收集功能本身相关联。例如,在通过收集振动或运动来供电的系统中,任何剧烈运动不仅提供能量,还能激活传感器节点来进行记录。以桥梁震动监控器为例,它可以利用这种活动来驱动其运行,即当大型车辆或大风影响桥梁结构并产生高应力时,监控器将立即进行测量。

相反,周期式系统则在固定间隔之后唤醒,并且进行测量。如果数据达到了需要引起注意的级别,系统会进行处理,并可能通过网络转发数据,然后重新进入休眠模式。虽然与纯粹的响应式系统设计相比,周期式架构浪费了更多电能,但在很难简单地使用活动阈值来确定输入是否应该引起注意的情况下,通常需要使用这种架构。电感式流量感应就是一个例子。

但是,使用像 MSP430RFx 这样的 MCU,就可以减少能耗。像 MSP420FR413x 之类器件上的 10 位 ADC 可以触发,独立于 CPU 内核工作。在定义的周期过后,实时时钟可以开始采集操作。然后,具有上限和下限的窗口比较器能够确定是否需要唤醒 CPU 来执行进一步分析。这样可以限制传感器节点生命周期中所需的完全唤醒次数。

总结

因此,MSP430 可以作为超高能效的响应式或周期式物联网传感器节点的核心使用,通过利用 BQ25570 PMIC 启动能量采集,将系统的使用寿命进一步延长至超过使用纯电池设计可能达到的极限。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

在标准生成代码中是否存在宏?

在标准生成代码中是否存在宏(或者在代码示例中,如果需要的话)通过皮质M3位带特征设置/清除/切换位? 我想利用这一点,不间断...
发表于 03-20 10:09 62次 阅读
在标准生成代码中是否存在宏?

STM32F429使能LTDC后读写SRAM出现问题

各位:     最近在使用st公司的STM32F429做产品,需要使用LTDC驱动液晶,还要在总线上挂个SRAM,单独测试...
发表于 03-19 08:02 139次 阅读
STM32F429使能LTDC后读写SRAM出现问题

请问2片SRAM应该怎么布线布局

有没有案例参考
发表于 03-12 07:35 39次 阅读
请问2片SRAM应该怎么布线布局

STM32F4访问SRAM 0x68008000被覆盖了

file:///C:\Documents and Settings\Administrator\Application Data\Tencent\Users\1587524481\QQ\WinTemp\RichO...
发表于 03-11 07:26 125次 阅读
STM32F4访问SRAM 0x68008000被覆盖了

如何实现C语言访问MCU寄存器?掌握这两种方式就够了!

单片机的特殊功能寄存器SFR,是SRAM地址已经确定的SRAM单元,在C语言环境下对其访问归纳起来有两种方法。 1、采用标...
发表于 03-08 09:42 406次 阅读
如何实现C语言访问MCU寄存器?掌握这两种方式就够了!

STM32系统板选型:外挂SRAM,有EEPROM

想要找个这样的开发板mcu  STM32F103ZET6(或者更好的F4?) 外挂SRAM  希望能达到最大,好像...
发表于 03-07 08:09 142次 阅读
STM32系统板选型:外挂SRAM,有EEPROM

BJ-EPM240学习板之SRAM读写实验

静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory,SRAM)是随机存取存储....
的头像 发烧友学院 发表于 03-06 15:35 129次 阅读
BJ-EPM240学习板之SRAM读写实验

CY14B256LA非易失性存储问题

为cy14b256la数据表中提到的20年的数据保留。其他NVSRAM产品列出100年。这是从最近的店铺经营20年,或者20年总在芯片的生活...
发表于 03-06 15:10 147次 阅读
CY14B256LA非易失性存储问题

FPGA视频教程之BJ-EPM240学习板SRAM读写实验的详细资料说明

SRAM芯片时字操作大同小异,在这里总结一一些它们共性的东西,也提一些用Verilog简单的快速操作....
发表于 03-05 10:30 25次 阅读
FPGA视频教程之BJ-EPM240学习板SRAM读写实验的详细资料说明

兼容Wave Blaster使用ATSAM9713和512 Kb x16 ROM的ATSAM9713GS板

ATSAM9713GS板演示了ATSAM9713的典型应用。这是一款兼容Wave Blaster的主板,它采用ATSAM9713,配备512 ...
发表于 03-01 06:19 132次 阅读
兼容Wave Blaster使用ATSAM9713和512 Kb x16 ROM的ATSAM9713GS板

VM8978电路设计除了SD卡以外还要画什么

在画一个通过耳机放音乐的板子,根据原子哥407的探索者的原理图画,画到这个芯片时,通过查数据手册,我用ROUT1/LOUT1连...
发表于 03-01 00:11 42次 阅读
VM8978电路设计除了SD卡以外还要画什么

CPLD和Sram控制液晶屏,请问CPLD和液晶屏还有Sram是一个什么样的逻辑关系

最近想做一个液晶屏驱动板,采用CPLD+Sram的方案,性价比高,芯片也不贵,做好驱动板之后,可以用单片机控制驱动板来最终实...
发表于 02-25 20:28 49次 阅读
CPLD和Sram控制液晶屏,请问CPLD和液晶屏还有Sram是一个什么样的逻辑关系

富士通在存储器领域的另类崛起 用20年专注演绎丛林法则

FRAM的非易失性对于当时业界可以说是颠覆性的,存储器的非易失性指在没有上电的状态下依然可以保存所存....
的头像 人间烟火123 发表于 02-21 11:32 1165次 阅读
富士通在存储器领域的另类崛起 用20年专注演绎丛林法则

FPGA是什么FPGA芯片的特点工作原理和编程技术等等资料详解

随着半导体产业的发展以及新兴产业的需要,FPGA的作用逐渐突显。相比于CPU、GPU,FPGA并不为....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 01-27 10:19 1104次 阅读
FPGA是什么FPGA芯片的特点工作原理和编程技术等等资料详解

LPC2131到LPC2138系列单芯片微控制器的数据手册免费下载

LPC2131/32/34/36/38微控制器基于16/32位ARM7TDMI-S CPU,具有实时....
发表于 01-24 08:00 95次 阅读
LPC2131到LPC2138系列单芯片微控制器的数据手册免费下载

PIC18F87K90单片机读写FRAM铁电存储器的方法存储器免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是PIC18F87K90单片机读写FRAM铁电存储器的方法存储器免费下载。....
发表于 01-23 16:41 73次 阅读
PIC18F87K90单片机读写FRAM铁电存储器的方法存储器免费下载

Microsemi PolarFire FPGA相比基于SRAM的FPGA 耗电量最高可降低50%

贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货 Microsemi的PolarFir....
发表于 01-19 10:34 149次 阅读
Microsemi PolarFire FPGA相比基于SRAM的FPGA 耗电量最高可降低50%

AT45DB321D串行接口顺序存取闪存的数据手册免费下载

AT45DB321D是一款2.7伏串行接口顺序存取闪存,非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存....
发表于 01-18 08:00 51次 阅读
AT45DB321D串行接口顺序存取闪存的数据手册免费下载

STM32单片机FSMC模块的应用

1.与非总线复用的16位SRAM接口 FSMC配置 SRAM存储器和NOR闪存存储器共用....
发表于 01-14 14:58 202次 阅读
STM32单片机FSMC模块的应用

基于SRAM的FPGA的问世标志着现代可重构技术的开端

由于数字逻辑系统功能复杂化的需求,单片系统的芯片正朝着超大规模、高密度的方向发展。对于一个大规模的数....
发表于 01-02 15:10 132次 阅读
基于SRAM的FPGA的问世标志着现代可重构技术的开端

新兴存储技术的详细知识分析

当下,新兴存储技术越来越受到业界的瞩目,如PCM、MRAM、ReRAM、FRAM等存储器已经蛰伏待机....
的头像 传感器技术 发表于 12-15 09:44 942次 阅读
新兴存储技术的详细知识分析

对SRAM工艺的FPGA进行加密的方法浅析

由于大规模高密度可编程逻辑器件多采用SRAM工艺,要求每次上电,对FPGA器件进行重配置,这就使得可....
发表于 11-20 09:28 240次 阅读
对SRAM工艺的FPGA进行加密的方法浅析

ISD9160用于音频录制播放的片上系统中文数据手册免费下载

ISD9160是一款片上系统(SOC)产品,适用于低功耗、以及音频录制播放的应用。ISD9160包含....
发表于 10-17 08:00 233次 阅读
ISD9160用于音频录制播放的片上系统中文数据手册免费下载

一文教你如何破解MCU

中央处理器CPU,包括运算器、控制器和寄存器组。是MCU内部的核心部件,由运算部件和控制部件两大部分....
发表于 10-16 16:45 434次 阅读
一文教你如何破解MCU

MB9B500系列32位ARM CORTEX-M3TM微控制器的详细数据手册免费下载

MB9B500系列是一个高度集成的32位微控制器,目标是高性能和成本敏感的嵌入式控制应用。MB9B5....
发表于 10-12 17:17 109次 阅读
MB9B500系列32位ARM CORTEX-M3TM微控制器的详细数据手册免费下载

Triscend E5单片机TrISC端E5可配置片上系统平台

三步E5可配置片上系统集成在单个设备上,集成了性能增强的加速8051嵌入式微控制器、大块SRAM、高....
发表于 10-10 08:00 91次 阅读
Triscend E5单片机TrISC端E5可配置片上系统平台

采用FPGA安全存储器的加密认证系统设计

在现代电子系统的设计中,高速 FPGA运行时需将其配置数据加载到内部SRAM 中,改变SDRAM 里....
的头像 电子设计 发表于 10-07 12:10 482次 阅读
采用FPGA安全存储器的加密认证系统设计

英特尔FPGA可编程门阵列解决方案集合的详细资料免费下载

现场可编程门阵列(FPGA)是集成电路,使设计人员能够编程定制的数字逻辑在现场。FPGA自20世纪8....
发表于 09-20 08:00 153次 阅读
英特尔FPGA可编程门阵列解决方案集合的详细资料免费下载

中容量微控制器STM32F102xx的详细数据手册和参考资料免费下载

STM32F102xx中密度USB接入线包括以48MHz频率工作的高性能ARM∈Cortex∈-M3....
发表于 09-14 17:25 133次 阅读
中容量微控制器STM32F102xx的详细数据手册和参考资料免费下载

掌握电子工程师面试时必知的26题

如果系统不稳定的话,有时是因为电源滤波不好导致的。在单片机的电源引脚跟地引脚之间接上一个0.1uF的....
的头像 传感器技术 发表于 09-14 15:04 2129次 阅读
掌握电子工程师面试时必知的26题

EPCS flash系列芯片手册之串行配置设备

本文中使用的术语“串行配置设备”指的是Altera EPCS1、EPCS4、EPCS16、EPCS6....
发表于 09-10 16:30 183次 阅读
EPCS flash系列芯片手册之串行配置设备

新型存储器结合了SRAM的速度和Flash的优势,看看未来有哪些存储器兴起

多年来,该行业一直致力于各种存储技术的研究,包括碳纳米管RAM、FRAM、MRAM、相变存储器和Re....
的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 09-05 15:51 2519次 阅读
新型存储器结合了SRAM的速度和Flash的优势,看看未来有哪些存储器兴起

SRAM运行状态分析步骤详解

45895206
的头像 电子设计 发表于 08-29 09:54 1854次 阅读
SRAM运行状态分析步骤详解

FM25W256-GTR 256千比特串行(SPI)铁电存储器的详细资料免费下载

该FM25W256是一个256千位非易失性存储器采用先进的铁电过程。铁电随机存取存储器或FRAM是非....
发表于 08-27 08:00 270次 阅读
FM25W256-GTR 256千比特串行(SPI)铁电存储器的详细资料免费下载

MSP430FR5969混合信号微控制器特点及应用介绍

MSP430FR5969 MPU介绍
的头像 TI视频 发表于 08-20 01:17 455次 观看
MSP430FR5969混合信号微控制器特点及应用介绍

FRAM的特点及应用介绍

FRAM 应用介绍
的头像 TI视频 发表于 08-15 08:28 775次 观看
FRAM的特点及应用介绍

MSP430 FRAM业界最低功耗的MCU

MSP430 (3) 超低功耗FRAM
的头像 TI视频 发表于 08-14 01:50 596次 观看
MSP430 FRAM业界最低功耗的MCU

关于MSP430 FRAM的特点及应用介绍

MSP430 (4) FRAM 家族
的头像 TI视频 发表于 08-02 01:10 1806次 观看
关于MSP430 FRAM的特点及应用介绍

FRAM家族:MSP430的特性及应用介绍

MSP430 (5) FRAM家族成员具体特性
的头像 TI视频 发表于 08-02 01:04 2744次 观看
FRAM家族:MSP430的特性及应用介绍

关于以SRAM为基础的核心路由器交换矩阵输入端口设计详解

随着光纤通信技术的飞速发展,路由器的数据处理速度成为网络通信的主要瓶颈,交换矩阵作为核心路由器的重要....
发表于 07-25 14:47 1134次 阅读
关于以SRAM为基础的核心路由器交换矩阵输入端口设计详解

典型物联网传感器节点的功耗特征

物联网节点必须在不更换一次电池的情况下运行数年才能最大程度地减少维护工作。对于某些类型的系统,节点只....
的头像 Duke 发表于 06-25 09:37 2665次 阅读
典型物联网传感器节点的功耗特征

AN1245中文手册之Microchip SPI串行SRAM器件的建议用法

本文主要介绍了AN1245中文手册之Microchip SPI串行SRAM器件的建议用法.
发表于 06-21 15:25 209次 阅读
AN1245中文手册之Microchip SPI串行SRAM器件的建议用法

如何使用闹钟功能来建立一个简单的延迟闹钟系统详细资料概述

发表于 06-15 11:26 170次 阅读
如何使用闹钟功能来建立一个简单的延迟闹钟系统详细资料概述

关于基于三值文字运算的碳纳米场效应晶体管SRAM的设计

随着CMOS技术进入纳米级工艺,金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semicon....
的头像 电子设计 发表于 06-14 15:24 891次 阅读
关于基于三值文字运算的碳纳米场效应晶体管SRAM的设计

AT91SAM9G45中文数据手册详细资料免费下载

AT91SAM9G45 支持最新的用来存储程序和数据的 DDR2 和 NAND Flash 储存器接....
发表于 06-12 08:00 279次 阅读
AT91SAM9G45中文数据手册详细资料免费下载

一文详解SRAM特点和原理

SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM(Dynamic Random Acces....
发表于 05-30 07:18 1092次 阅读
一文详解SRAM特点和原理

MSC1210设备功能与产品数据表异常的描述

MSC1210设备在功能上与产品数据表(SBAS203A)一致,除了下面描述的异常。
发表于 05-28 09:02 173次 阅读
MSC1210设备功能与产品数据表异常的描述

富士通3大存储技术将成黑马,FRAM,NRAM、ReRAM可替代EEPROM

随着大数据、物联网的爆发让存储器市场也一场火爆,作为电子设备系统的关键组成部分,性能至关重要。市面上....
发表于 05-23 15:56 818次 阅读
富士通3大存储技术将成黑马,FRAM,NRAM、ReRAM可替代EEPROM

Platform 中的多项工具已通过TSMC最新版5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工艺的认证

Mentor, a Siemens business 宣布,该公司 Calibre nmPlatfo....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-17 15:19 1094次 阅读
 Platform 中的多项工具已通过TSMC最新版5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工艺的认证

安森美半导体推出最新的高分辨率音频处理系统级芯片

安森美半导体(ON Semiconductor)推出最新的高分辨率音频处理系统级芯片(SoC),具有....
发表于 05-15 09:03 480次 阅读
安森美半导体推出最新的高分辨率音频处理系统级芯片

富士通分享三大存储技术 各具独特堪称黑马技术

“FRAM(铁电存储器)用于数据记录;NRAM(碳纳米管存储)用于数据记录和电码储存, 还可替代NO....
的头像 人间烟火123 发表于 05-04 14:26 7205次 阅读
富士通分享三大存储技术 各具独特堪称黑马技术

FM4 S6E2C系列主要特性和框图

Cypress公司的FM4 S6E2C系列是基于ARM Cortex-M4的高度集成的32位MCU,....
发表于 04-22 15:23 477次 阅读
FM4 S6E2C系列主要特性和框图

Microchip SPI串行SRAM器件的建议用法

许多嵌入式系统都需要一定数目的易失性存储器来存储临时数据。对于支持网络连接的器件来说,这种需求更是日....
发表于 04-20 17:13 213次 阅读
Microchip SPI串行SRAM器件的建议用法

使用C30编译器进行串行SRAM器件与dsPIC33F和PIC24F的接口设计

Microchip的串行SRAM产品线提供了向应用添加附加RAM的一种新方法。这些器件采用8引脚小型....
发表于 04-20 15:26 210次 阅读
使用C30编译器进行串行SRAM器件与dsPIC33F和PIC24F的接口设计

使用C30编译器实现单片机与片外串行SRAM的通信

适用于Microchip的dsPIC@ DSC和PlC24系列单片机的C30编译器为寻址外部存储器提....
发表于 04-20 10:59 224次 阅读
 使用C30编译器实现单片机与片外串行SRAM的通信

使用C32编译器进行串行SRAM器件与PIC32 MCU的接口设计

Microchip的串行SRAM产品线提供了向应用添加附加RAM的一种新方法。这些器件采用8引脚小型....
发表于 04-20 10:29 241次 阅读
使用C32编译器进行串行SRAM器件与PIC32 MCU的接口设计

FRAM凭三大优势如何进军三大目标市场?

作为系统关键组成部分,存储性能至关重要。各种系统对存储器读写速度、可重复读写次数、读写功耗、安全性以....
的头像 富士通电子 发表于 04-18 11:53 2109次 阅读
FRAM凭三大优势如何进军三大目标市场?

3.2.3 SRAM文件汇总

3.2.3 SRAM文件汇总
发表于 04-10 10:08 139次 阅读
3.2.3 SRAM文件汇总

FRAM 中常见的问题及解答

FRAM是ferroelectric random access memor}r(铁电随机存取存储器....
发表于 04-04 09:07 179次 阅读
FRAM 中常见的问题及解答

基于FRAM的MCU为低功耗应用提高稳定性

安全性在包括智能手机配件、智能仪表、个人健康监控、遥控以及存取系统等各种应用中正在变得日益重要。要保....
发表于 04-02 19:56 228次 阅读
基于FRAM的MCU为低功耗应用提高稳定性