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如何将CMOS IC与MEMS融合到物联网边缘智能器件设计中?

MEMS 2018-08-02 18:55 次阅读

创建基于传感器的物联网(IoT)边缘器件会涉及多个设计领域,因此极具挑战性(图1)。但是,在同一硅片上创建一个既有采用传统CMOS IC流程制作的电子器件,又有MEMS传感器的边缘器件似乎不大现实。实际上,许多IoT边缘器件会在单个封装中集成多个芯片,将电子器件与MEMS设计分开。Tanner AMS IC设计流程支持单芯片或多芯片技术,因而有助于成功实现IoT边缘器件的设计和验证。不过,本文将着重介绍在单个芯片上融合CMOS IC与MEMS设计的独特挑战。

如何将CMOS IC与MEMS融合到物联网边缘智能器件设计中?

图1:一个典型IoT边缘器件,涉及数字、模拟、射频和MEMS领域

了解设计流程

Tanner设计流程(图2)为AMS IC设计提供了一个完整的环境。

如何将CMOS IC与MEMS融合到物联网边缘智能器件设计中?

图2:Tanner AMS设计流程

不过,多年以来,Tanner支持自上而下的MEMS IC流程(图3),能让客户将MEMS设计融入这一流程中。

如何将CMOS IC与MEMS融合到物联网边缘智能器件设计中?

图3:自上而下的IC/MEMS流程

IoT边缘设计要求结合模拟、数字、射频和MEMS这四个设计领域,特别是在同一芯片的情况下。即使组件针对的是不同芯片之后的结合,在版图布局和验证过程中,它们仍需要协同工作。设计团队需要绘制混合模拟与数字、射频和MEMS设计,进行芯片版图布局,然后执行元器件和顶层仿真。在单个芯片上设计电子器件和MEMS涉及以下几点需要关注(参见图3):

原理图可能包含IC和MEMS器件。IC器件使用SPICE模型进行建模,而MEMS器件则可直接在物理域(如机械、静电、流体和磁)中创建行为模型(图4)。S-Edit内的MEMS符号库支持MEMS绘制。

如何将CMOS IC与MEMS融合到物联网边缘智能器件设计中?

图4:电子器件和MEMS位于同一电路图上

为了支持初始MEMS/IC仿真,您可以在System Model Builder中利用SPICE或Verilog-A中的解析方程来创建MEMS模型。结合MEMS仿真库,您还可以在初始阶段就对整个设计进行是否符合预期的验证。

利用MEMS PCell库,您可以在L-Edit进行版图设计。此外,Library Palette(图5)提供了许多MEMS器件的基本版图生成器,您可以将其用作设计的初始模型。

如何将CMOS IC与MEMS融合到物联网边缘智能器件设计中?

图5:用于创建MEMS器件版图的Library Palette

然后,您可以生成一个三维(3D)几何模型,以便进行查看、虚拟原型开发,以及导出到有限元分析(FEA)工具。

Compact Model Builder采用的是降阶建模技术,因此利用该工具,您可以根据FEA结果创建行为模型,并将其用于最终系统级仿真中。

传统上,MEMS的设计部分从创建MEMS器件的3D模型开始,然后在第三方有限元分析(FEA)工具(如Open Engineering的OOFELIE::Multiphysics)中分析其物理特性,直到获得满意的结果。但是,您需要2D掩模才能制造MEMS器件。如何从3D模型中衍生出2D掩模呢?您可以遵循图6所示的Tanner流程,即以掩模为导向,然后成功制造出MEMS器件。

如何将CMOS IC与MEMS融合到物联网边缘智能器件设计中?

图6:以掩模为导向的MEMS设计流程

从L-Edit的2D掩模版图开始创建器件。然后,3D Solid Modeler会利用这些版图和一系列的3D制造流程步骤,自动生成器件的3D实体模型。导出该3D模型并使用您喜欢的有限元工具执行3D分析,如发现任何问题,可以进行迭代。对2D掩模版图进行适当的修改,然后重复流程。通过这个以掩模为导向的设计流程,您可以在运行的MEMS器件中进行仿真集成,因为您可以直接创建最终用于制造目的的掩模,而不是从3D模型进行逆向工作。

执行MEMS实体建模

您可以根据晶圆代工厂的流程信息设置制造步骤(图7)。利用此信息,L-Edit可以为MEMS器件建立制造流程每一步的3D实体模型。

如何将CMOS IC与MEMS融合到物联网边缘智能器件设计中?

图7:制造流程编辑器

您可以与生成的3D模型(图8)进行交互,例如旋转模型,获取横截面视图,另外您还可以诊断制造问题。您可以自动导出流程每个步骤的横截面,以便更好地了解制造流程和您的器件。然后,您可以将模型导出到FEA工具进行分析。

如何将CMOS IC与MEMS融合到物联网边缘智能器件设计中?

图8:3D模型示例

MEMSIC成功案例

美新半导体有限公司(MEMSIC)开发了一种没有可动部件的MEMS和CMOS IC加速度计。其采用了独特的热技术,通过被加热的气体分子测量加速度(图9)。其芯片应用于需要控制或测量运动的产品中,如汽车报警器、移动电子设备、全球定位系统、电梯控制、患者监测设备和供游戏使用的头戴式显示器

如何将CMOS IC与MEMS融合到物联网边缘智能器件设计中?

图9:MEMSIC加速度计基本结构

该传感器大小为1平方毫米,其中心是一个在高于环境温度100度的情况下工作的加热器。加热器周围对称放置着热电堆,可感测不同位置的温度。热电堆由一系列热电偶或温度感应元件组成,串联连接以抬高电压。整个传感器完全密封在气腔中,外面是用于放大、控制模数转换的电路,在三轴型号中还包括数字补偿/校准电路。

在不运动时,热电堆之间的热分布是平衡的。但只要运动或加速,就会改变加热器周围的对流模式,使加速方向上的热电堆变得比其他位置上的热。模拟电路将热电堆产生的信号变化解读为运动和加速。

“自从1999年我们开始使用Tanner工具以来,其一直都表现得十足可靠。使用Tanner工具进行作业时,我们可以前一分钟进行MEMS设计,下一分钟就换到模拟设计。并且,我们从未因验证发生过流片错误。”MEMSIC研发部门总监这样评价Tanner。

为保持较低制造成本的优势,MEMSIC几乎完全采用标准CMOS工艺兼容的薄膜材料来设计其传感器。例如,加热器为栅多晶硅,而热电堆的第一层为金属和多晶硅。

在加速度计设计方面,MEMSIC工程师使用Tanner流程直接根据版图创建3D模型,然后进行有限元分析。他们使用L-Edit修改传感器和版图的细节(图10)。版图生成之后,他们使用L-Edit LVS和L-Edit Standard DRC进行验证。最后,从L-Edit导出到GDS版图文件,并送到TSMC进行流片。

如何将CMOS IC与MEMS融合到物联网边缘智能器件设计中?

图10:使用L-Edit设计的加速度计版图

原文标题:使用Tanner在物联网边缘智能器件设计中融合CMOS IC与MEMS

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信息 74LVC573A是一款高性能,非反相八通道透明锁存器,工作电压为1.2V至3.6V。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 5.5 V的V 规格允许从5V器件安全驱动74LVC573A输入。 74LVC573A包含8个D型锁存器,具有3态标准输出。当锁存使能(LE)输入为高电平时,Dn输入上的数据进入锁存器。在这种情况下,锁存器是透明的,即每次其D输入改变时锁存器输出将改变状态。当LE为低电平时,锁存器将存储在D输入端的信息存储在LE的高电平到低电平转换之前的建立时间。 3态标准输出由输出使能(OEbar)输入控制。当OEbar为LOW时,启用标准输出。当OEbar为高电平时,标准输出处于高阻态,但这不会干扰进入锁存器的新数据。 74LVC573A流通设计有助于简化PC板布局。 设计用于1.2至3.6 VV 操作 5.0 V容差 - 具有5.0 V TTL逻辑的接口功能< / li> 支持实时插入和取款 I 当V = 0 V时,规格保证高阻抗 24毫安输出接收器和源功能 所有三种逻辑状态(10μA)的近零静态电源电流大幅降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V...
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74LVC573 低压CMOS八路透明锁存器流量引脚

74LVC540 低压CMOS八路缓冲器流量引脚

信息 74LVC540A是一款高性能,反相八通道缓冲器,工作电压为1.2V至3.6V。该器件在功能上与MC74LCX240类似,同时提供流通架构。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 5.5 V的V 规格允许从5V器件安全驱动74LVC540A输入。 74LVC540A适用于存储器地址驱动和所有面向TTL电平总线的收发器应用。输出端的电流驱动能力为24 mA。输出使能(OE1bar,OE2bar)输入,当为高电平时,通过将输出置于高电平状态来禁用输出。 设计用于1.2至3.6 VV 操作 5 V容差 - 具有5 V TTL逻辑的接口功能 支持实时插入和拔出 I 规范保证VCC = 0 V时的高阻抗< / li> 24 mA输出接收器和电源能力 所有三种逻辑状态(10μA)的近零静态电源电流大幅降低系统电源要求 Latchup性能超过250 mA ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
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74LVC540 低压CMOS八路缓冲器流量引脚

74LVC245 八路收发器,CMOS,低电压

信息 74LVC245A是一款高性能,非反相八通道收发器,工作电压为1.2V至5.5V。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 5.5 V的V 规格允许从5V器件安全驱动74LVC245A输入。 74LVC245A适用于存储器地址驱动和所有面向TTL电平总线的收发器应用。 A和B端口的电流驱动能力均为24mA。发送/接收(T / Rbar)输入确定通过双向收发器的数据流的方向。发送(高电平有效)使能从A端口到B端口的数据;接收(低电平有效)使能从B到A端口的数据。输出使能输入,当为高电平时,通过将它们置于高电平状态来禁用A和B端口。 设计用于1.2至3.6 VV 操作 5 V容差 - 具有5 V TTL逻辑的接口功能 支持实时插入和拔出 I 规范保证V = 0 V 24 mA输出灌电流和电源能力 所有三种逻辑状态(10μA)的近零静态电源电流大幅降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
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74LVC245 八路收发器,CMOS,低电压

74LVC126 低压CMOS四路缓冲器,三态

信息 74LVC126A是一款高性能,非反相四通道缓冲器,采用1.2至3.6 V电源供电。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 5.5 V的VI规格允许从5.0 V器件安全驱动74LVC126A输入。 74LVC126A适用于存储器地址驱动和所有面向TTL电平总线的收发器应用。输出端的电流驱动能力为24 mA。输出使能(OEn)输入,当为高电平时,通过将输出置于高电平状态来禁用输出。 设计用于1.2至3.6 VV 操作 5.0 V容差 - 具有5.0 V TTL逻辑的接口功能 支持实时插入和拔出 I 规范保证VCC = 0 V时的高阻抗 24 mA输出接收器和电源能力 所有三种逻辑状态(10μA)的近零静态电源电流大幅降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA < / li> ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
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74LVC126 低压CMOS四路缓冲器,三态

74LVC373 低压CMOS八路透明锁存器

信息 74LVC373A是一款高性能,非反相八通道透明锁存器,采用1.2至3.6 V电源供电。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 5.5 V的V 规格允许从5 V器件安全驱动74LVC373A输入。 74LVC373A包含8个D型锁存器,具有3态输出。当锁存使能(LE)输入为高电平时,Dn输入上的数据进入锁存器。在这种情况下,锁存器是透明的,即每次其D输入改变时锁存器输出将改变状态。当LE为低电平时,锁存器将存储在D输入端的信息存储在LE的高电平到低电平转换之前的建立时间。 3态标准输出由输出使能(OEbar)输入控制。当OEbar为LOW时,启用标准输出。当OEbar为高电平时,标准输出处于高阻态,但这不会干扰进入锁存器的新数据。 设计用于1.2至3.6 VV 操作 5 V容差 - 具有5 V TTL逻辑的接口功能 支持实时插入和取出 I 规范保证高阻抗时V < / li> = 0 V 24 mA输出接收器和电源能力 所有三种逻辑状态(10μA)的近零静态电源电流大幅降低系统电源要求< / li> 闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS...
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74LVC373 低压CMOS八路透明锁存器

74LVC374 低压CMOS Octal D触发器

信息 74LVC374A是一款高性能,非反相八通道D型触发器,工作电压为1.2V至3.6V。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 5.5V的V 规格允许从5V器件安全驱动74LVC374A输入。 74LVC374A由8个边沿触发触发器组成,具有独立的D型输入和3态真输出。缓冲时钟和缓冲输出使能(OEbar)对所有触发器都是通用的。八个触发器将存储各个D输入的状态,满足低至高时钟(CP)转换的建立和保持时间要求。 OEbar为低电平时,输出端提供8个触发器的内容。当OEbar为高电平时,输出进入高阻态。 OEbar输入电平不会影响触发器的操作。 设计用于1.2至3.6 VV 操作 5 V容差 - 接口能力为5 V TTL逻辑 支持实时插入和取出 I 当V = 0 V 时,规格保证高阻抗 24 mA输出接收器和电源能力 所有三种逻辑状态(10μA)的近零静态电源电流大幅降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
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74LVC374 低压CMOS Octal D触发器

74LVC07 低压CMOS六路缓冲器,具有漏极开路输出和5V容差输入

信息 74LVC07A是一款高性能十六进制缓冲器,采用1.2 V至5.5 V电源供电。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载。这些LVC器件具有开漏输出,可提供设置输出电平,或执行高电平有效和低电平有效功能。 AV规格为5.5 V,允许从5.0 V器件安全驱动74LVC07A输入。 设计用于1.2 V至5.5 VV 操作 5.0 V容差输入/输出 兼容LVTTL LVCMOS兼容 24 mA输出接收能力 接近零静态电源电流(10μA)显着降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA 有线或,有线和 输出电平可在外部设置,不会影响设备速度< / li> ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:45 4次 阅读
74LVC07 低压CMOS六路缓冲器,具有漏极开路输出和5V容差输入

74LVC06 低压CMOS六路反向器,具有漏极开路输出和5V容差I / O.

信息 74LVC06A是一款高性能六角形逆变器,采用1.2 V至5.5 V电源供电。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载。这些LVC器件具有开漏输出,可提供设置输出电平,或执行高电平有效和低电平有效功能。 AV规格为5.5 V,允许从5.0 V器件安全驱动74LVC06A输入。 设计用于1.2 V至5.5 VV 操作 5.0 V容差输入/输出 32 mA输出吸收能力 近零静态电源电流(10μA)大幅降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA < / li> 有线连接,有线连接 可在不影响设备速度的情况下在外部设置输出电平 与LCX05功能兼容 ESD表现:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:44 24次 阅读
74LVC06 低压CMOS六路反向器,具有漏极开路输出和5V容差I / O.

74LVC00 低压CMOS四路2输入与非门

信息 74LVC00A是一款高性能,四路2输入与非门,工作电压为1.2V至3.6V。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 AV规格5.5V允许74LVC00A输入从5V器件安全驱动。输出电流驱动能力为24mA。 设计用于1.2 V至3.6 VV 操作 5 V容差输入 - 具有5 V TTL逻辑的接口功能 24 mA输出接收器和电源能力 接近零静态电源电流(10μA) )大幅度降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:44 32次 阅读
74LVC00 低压CMOS四路2输入与非门

74LVC04 低压CMOS六路反向器

信息 74LVC04A是一款高性能六角形逆变器,采用1.2至3.6 V电源供电。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。如果VCC小于5.0 V,则5.5 V的VI规格允许从5 V器件安全驱动74LVC04A输入。输出端的电流驱动能力为24mA。 设计用于1.2 V至3.6 VV 操作 5.0 V容差输入 - 具有5.0 V TTL逻辑的接口功能 24 mA输出接收器和源功能 接近零静态电源电流(10μA)大幅降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:44 30次 阅读
74LVC04 低压CMOS六路反向器

74LVC02 低压CMOS四路2输入NOR门

信息 74LVC02A是一款高性能,四路2输入NOR门,工作电压为1.2V至3.6V。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 AV规格5.5V允许74LVC02A输入从5V器件安全驱动。输出电流驱动能力为24mA。 设计为1.2 V至3.6 VV 操作 5 V容差输入 - 具有5 V TTL逻辑的接口功能 24 mA输出接收器和电源能力 接近零静态电源电流(10μA) )大幅度降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:44 30次 阅读
74LVC02 低压CMOS四路2输入NOR门

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 38次 阅读
CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 42次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
发表于 04-18 19:13 48次 阅读
CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。 5V最大值

信息 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。例如,5uV最大VOS规格比行业标准OP07E提高了15倍。 50 nV /°C偏移漂移规格比OP07E低25倍以上。性能的提高消除了VOS修整程序,周期性电位器调整以及修剪器损坏引起的可靠性问题。无需额外的制造复杂性和激光或“齐纳击穿”VOS微调技术所带来的成本,即可实现TC7650的性能优势。 TC7650归零方案通过温度校正DC VOS误差和VOS漂移误差。归零放大器交替校正其自身的VOS误差和主放大器VOS误差。失调归零电压存储在两个用户提供的外部电容上。电容连接到内部放大器VOS零点。主放大器输入信号从不切换。 TC7650输出端不存在开关尖峰。 14引脚双列直插式封装(DIP)具有外部振荡器输入,用于驱动归零电路以获得最佳噪声性能。 8引脚和14引脚DIP均具有输出电压钳位电路,可最大限度地减少过载恢复时间。 低偏移和偏移漂移的零漂移架构 ;低偏移,5uV(最大) 低偏移漂移,50nV /°C 宽工作电压范围,4.5V至16V 单一和拆分供应 No 1 / f Noise 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:07 36次 阅读
TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。 5V最大值