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信息技术和航空航天的中美科技实力对比

2018-07-25 18:58 次阅读

1 信息技术

信息技术(ICT,Information and Communication Technology)是第三次工业革命的核心技术与重要引擎。作为通用性技术,信息技术对其他产业与整体经济增长具有明显的辐射作用,对于国家安全与军事实力同样至关重要,因此也被认为是综合国力的重要标志。

2017年全球ICT产业总体规模预计突破52000亿美元,其中ICT服务业达到34500亿美元,ICT制造业突破18000亿美元。站在细分领域的角度,集成电路、软件和IT服务、通信分别承担着信息的计算、加工处理和传输功能,这三类技术也成为各企业和各国竞争发展的重要高地。

1.1 半导体与集成电路

全球半导体产业市场规模已经从1996年1320亿美元增长至2017年4122亿美元。根据美国半导体行业协会(SIA)的统计,按照半导体企业总部所在地分类,目前美国公司占到全球半导体市场份额的一半左右,其次为韩国、日本,中国目前市场份额在5%左右。

半导体可以分为分立器件、光电子、传感器、集成电路,其中集成电路占比最高,占到2016年全球半导体销售金额的81.6%。中国目前已经成为全球最大的半导体与集成电路消费市场,但是自给比例仅10%左右,每年的进口金额超过2000亿美元。

在诸多核心集成电路如服务器MPU、个人电脑MPU、FPGADSP等领域,我国都尚无法实现芯片自给。此次中兴事件,正是由于中兴在高端光通信芯片、路由器芯片等方面依赖博通等供应商,以至于一旦被美国制裁就将面临破产风险。对外依赖只是中国在核心芯片领域相当薄弱的外在表现,其实质是在集成电路的各核心产业链环节缺少足够的、长期的资本投入、研发投入与积累。2017年美国芯片巨头英特尔研发支出达到130亿美元、资本支出预计达到120亿美元,仅研发支出就已接近中国全部半导体企业全年的收入之和;高通、博通、英伟达等芯片设计厂商更是将20%左右的销售收入投入用于研发。国内集成电路制造领军企业中芯国际2016年资本开支26.3亿美元、研发投入仅3.18亿美元,如此悬殊的投入对比下,中美半导体领域的产出差距可想而知。

作为现代精密制造业的代表,一颗小小的微处理器上集成了数十亿个晶体管、需要经历数百步工艺过程,这决定了芯片领域的“短板效应”——任何一个零件或环节出错,都会导致无法达到量产的良率要求;任何一个步骤都需要经过漫长的研发、尝试与积累,绝非一朝一夕。这个过程不仅需要拥有大量专业人才,更需要在关键设备与原材料领域供应率先实现突破。

2016年全球前十名半导体设备供应商中,除了荷兰的ASML、新加坡的ASM Pacific,其余四家位于美国、四家位于日本,其中美国的应用材料公司(AMAT)排名第一、2016年销售额达100亿美元。四家美国公司已经占到全球市场份额的50%,即使第二名荷兰光刻巨头ASML股东中也有着英特尔的身影。而在此领域国内尚无企业上榜,2016年中国半导体设备销售仅57.33亿元,其中中电科电子装备集团排名第一,但销售金额也仅9.08亿,中国前十强占全球半导体设备市场份额仅2%。长年占据全球半导体设备榜首的美国AMAT产品几乎横跨CVD、PVD、刻蚀、CMP等除了光刻机外的所有半导体设备,公司的30%员工为研发人员,拥有12000项专利,每年研发投入超过15亿美元,而国内半导体设备龙头北方华创研发支出不到1亿美元。

站在产业链的角度,集成电路可以分为设计、制造与封装测试三个环节,其中垂直一体化模式称之为IDM(Integrated Device Manufacture),以英特尔、三星为代表;专业化分工则可以分为Fabless(IC设计)、Foundry(晶圆代工)、封测,Fabless的核心是IP,以高通为代表;Foundry的核心是制程与工艺的先进性与稳定性,以台积电为代表;封测相对来说对技术的要求不如前两者。

IC设计领域,2016年全球前十大Fabless厂商中,中国上榜两家,华为海思排名第七、紫光集团排名第十,合计市场份额约7%。考虑到博通(Broadcom)计划将总部从新加坡迁回美国,实际上这份全球前十Fabless厂商中美国公司将占据7席,合计市场份额达到56%,是芯片设计领域的绝对王者。如果算上IDM的英特尔,美国在IC设计领域的份额将更高。

中国近年来在IC设计领域的进步不小。2010年全球前十大Fabless厂商中尚无一家大陆企业入围,除了台湾地区的联发科排名第五,其余九家均为美国企业。而2016年华为海思与紫光集团双双进入前十,大陆企业在IC设计领域的全球市场份额也由2010年5%左右提升一倍至约10%。同时美国企业份额则从69%下降至55%左右。尽管短期之内美国在IC设计领域的霸主地位难以撼动,但相对实力正在此消彼长。

晶圆代工领域,全球前十大晶圆代工厂中,中国占据两席,中芯国际排名第四、华虹排名第八,总共市场份额达到7%;美国Global Foundries排名第二,市场份额11%。台积电为纯晶圆代工领域绝对龙头,市场份额达到59%。除了销售收入的差距,华虹最高水平制程只有90nm,主要产品都是为电源管理IC、射频器件芯片代工。中芯国际量产的28nm制程良率尚未完全稳定,而台积电已经导入10nm制程为苹果iPhone8的A11处理器、华为mate10的麒麟970等手机芯片代工,并且计划今年将量产7nm制程。从“28nm-20nm-14nm-10nm-7nm”的工艺升级路径来看,中芯国际与台积电的技术工艺水平差了三代。

小结:中国是全球最大的半导体与集成电路消费市场,但是90%依赖进口,自给比例仅10%左右,每年的进口金额超过2000亿美元。中国在集成电路领域的资本与研发投入方面都与美国存在较大差距。细分领域来看,中国在半导体关键设备与材料方面最为欠缺;在IC设计领域华为海思、紫光展讯等近年来进步较大,但差距仍大;在制造领域,台积电实力强大,中芯国际与国际最先进制程差了三代工艺水平。

1.2  软件与互联网服务

以功能分类,软件可以分为系统软件、支撑软件和应用软件,其中系统软件负责管理和调度各种硬件资源和程序;应用软件负责面向特定领域实现特定功能;支撑软件位于两者之间,负责支持其他软件的编写与维护,如编程软件、数据库管理软件等。目前的多数互联网服务,实际上也是应用软件。

根据普华永道思略特发布的“2017全球创新企业1000强榜单”,其中软件与互联网服务公司按照研发投入排名的创新十强榜单中,中国凭借BAT占据第7、第8及第10名,前五名清一色为美国企业——亚马逊、谷歌、微软、甲骨文、Facebook。美国前三强软件与互联网服务公司亚马逊、谷歌、微软的研发支出均超过百亿美元,相比BAT中最高的阿里巴巴也仅达到25亿美元。

如果不包含互联网服务公司,在软件领域创新十强榜单中除了德国的SAP外其余均为美国公司,中国公司无一上榜。软件领域中国创新排名最靠前的是金山软件,2017年研发投入达2.6亿美元,而第一名的微软达到119.9亿美元。

在系统软件领域,当前PC操作系统基本上被Windows垄断,Windows装机量接近整体市场的88%,Windows与Mac OS合计超过97%;手机操作系统则被IOSAndroid两家瓜分,两家合计超过98%。数据库系统则是甲骨文独占鳌头。在这些基础软件与底层系统领域,中国目前仍是空白。

操作系统开发是一件系统工程,Windows 7开发大约有23个小组超千人团队,需要代码量5千万行,缺乏顶层设计的研发注定缺乏效率。中国当前的操作系统研发大多是基于Linux开源内核进行二次开发,如果以两弹一星模式、倾举国之力进行攻关,相信技术难题可解,政用、军用的自主可控需求也可以得到满足,但短期商用的可能性微乎其微,根本原因在于操作系统开发并不符合商业的投入产出比逻辑。

Windows、IOS、Android等底层操作系统相当于大厦地基,在此之上已经形成了应用程序库与开发者社区相互影响、相互促进、相互依赖的成熟生态。如果没有革命性的体验变革,从头开始研发相当于把大厦推倒重建,投入产出不成正比,因此商业公司鲜有涉足,而更适合大学与科研机构作为学术课题进行研发。

云计算实际上是对互联网上的计算、存储和网络三类资源和应用进行系统管理与调配。按照服务形式,云计算主要可以分为三类——基础设施即服务(IaaS,Infrastructure-as-a-Service),平台即服务(PaaS,Platform-as-a-Service),软件即服务(Software-as-a-Service)。其中IaaS和PaaS管理的是最底层的硬件资源和基础应用(如数据库),因此也被视作下一代信息社会的基础设施。

根据美国市场研究机构Synergy Research统计,目前全球基础设施云服务(IaaS+PaaS+托管私有云)市场中,亚马逊AWS市场占有率接近35%,其余为微软Azure、IBM、谷歌,阿里云排名第五,全球市场份额不到5%。

在SaaS领域,微软收购LinkedIn后超越Salesforce成为第一,其余排名靠前的Adobe、Oracle、SAP均是传统软件领域的领先企业。由于中国在传统软件领域的薄弱,在SaaS领域没有代表性的头部企业出现。

小结:中国在软件领域相当薄弱,尤其在系统软件和支撑软件领域,在互联网服务领域BAT尚能与亚马逊、谷歌、Facebook一较高下,但在研发投入方面远不及美国同行。在云计算领域,阿里云发展很快,但目前的体量仅为亚马逊AWS的1/10。

1.3  通信

通信是信息社会的“神经网络”。当前全球四大通信设备巨头华为、爱立信、诺基亚、中兴,中国占据其二。华为2017年销售额925.5亿美元,研发投入137.9亿美元,大幅超越传统通信设备巨头爱立信与诺基亚。与美国无线通信巨头高通相比,华为的收入与研发投入体量同样领先。在过去十年内,华为在研发领域累计投入近4000亿人民币,目前拥有超过7万份专利(超过90%是发明专利)。

从代理交换机起家、2004年建立海思半导体进行集成电路的自主研发,华为通过30年的积累成为全球通信设备第一,并在此基础上进入企业级核心路由器与移动终端市场。根据市场研究机构IDC数据,目前2018第一季度华为的以太网交换机市场份额达到8.1%、企业级路由器市场份额达到25.1%,仅次于思科;在移动终端市场,2016年华为智能手机出货超过1.3亿部,仅次于苹果与三星。

在下一代通信技术5G的标准制定上,以华为为代表的中国企业也开始崭露头角。3GPP定义了5G的三大应用场景——eMBB(3D/超高清视频等大流量移动宽带业务)、mMTC(大规模物联网业务)、URLLC(无人驾驶和工业自动化等超高可靠超低时延通信业务)。在2017年11月美国Reno举行的3GPP RAN1#87会议中,华为主导的Polar码成为eMBB场景下控制信道编码最终方案,而高通主导的LDPC码成为数字信道编码方案,中美平分秋色。这也是作为通信物理层技术的信道编码标准制定以来第一次由中国公司推动,显示出中国在全球通信领域话语权的提高。

5G芯片方面,今年2月华为在2018世界移动通信大会(MWC)上发布了全球首款3GPP标准的5G商用基带芯片巴龙5G01,可以提供2.3Gbps的传输速度,支持高低频、也支持独立或非独立方式组网。华为也成为首个具备“5G芯片-终端-网络能力”的5G解决方案提供商。在国家5G测试项目中,华为在第二阶段领先爱立信、诺基亚贝尔等厂商率先完成全部测试项目,并且在小区容量、网络时延等性能指标上处于领先。

尽管已经成为全球通信行业第一,华为对过去的发展却有着比常人更清醒的认识。华为创始人任正非在2016年全国科技创新大会上谈到,随着通信行业逼近香农定理、摩尔定律的极限,华为正在本行业攻入无人区,过去跟着人跑的“机会主义”高速度将逐渐减缓。如何从工程数学、物理算法等工程科学层面的创新过渡到重大基础理论创新,如何从跟随者成为引领者,任正非之问的答案可能并不在华为公司层面。要保证科技领域的长期竞争力与领导力,教育体制、科技体制、创新环境等软实力同样重要。在第三章,我们将进一步探讨中美科技体制差异。

2 航空航天

2.1  航天

航空航天均是高端综合性工程技术、理论学科和实际应用的结合,其中航天科技可以分为空间技术、空间科学和空间应用。从整个产业链角度来看,空间技术集中在航天器制造和发射,空间应用集中在地面设备和运营应用,空间科学是基于两者去太空探索新知识,三者相互支撑相互依靠。

从政府活动(包括政策支持力度、预算开支情况、国际合作情况等)、人员和航天器(宇航员人数、相关学科大学及以上储备人才数量、在轨航天器数量等)、相关工业(制造能力、发射能力、地面操控能力等)这三方面能力进行评定,2017年我国航天实力指数为27.93,较2016年有所提升;美国航天实力指数为89.3居全球首位,但近年来有所下降。综合来看,目前我国航天实力排名全球第四、仍处于第二梯队。

一、空间科学:部分领域领跑全球,但整体较为薄弱

我国空间能力最为薄弱的是空间科学,从理论基础与研究手段两方面来看:

与航天相关性强的天文学与天体物理、物理学等基础研究较为薄弱。根据中国科学院科技战略咨询研究院《2016研究前沿》显示,从Essential Science Indicators(ESI)数据库的上万个研究前沿挑选出的共180个重点热点前沿为基础来分析10大学科中各国与所在国相关科研机构对重点热点前沿产出论文数量和论文影响力,在物理学的20个热点前沿领域美国引领数达到11个,中国仅2个;在天文学与天体物理的12个热点前沿领域,美国引领数达到10个,中国尚无斩获。

科学卫星是空间科学研究的重要基础和手段,我国科学卫星起步晚,成效方面不如美国。时间上,美国1958年发射的第一颗人造卫星即是用于研究探索的“探险者号”科学卫星;中国最早用于科学探测的是1971年发射的“实践”系列卫星。探测距离上,美国“探险者号”系列卫星已探测过整个太阳系相关数据,向银河系探测;中国目前探测最远的是基于嫦娥探月计划的月球,将于2020年左右施行火星探测计划。卫星数量上,据不完全统计,截止2017年,中国科学卫星数量约50颗,其中大部分是早期发射的“实践”系列卫星,美国方面则约180颗以上。2017年共发射的108颗科学卫星中,美国占了约18%,而中国约为4%。

二、空间技术:基本掌握核心技术,发展最为迅速

作为空间科学与空间应用的操作基础和实现手段,空间技术是三个环节最为核心的部分。从全球视角来看,近十年,我国的空间技术发展最为迅速、取得成效最为显著。

空间技术不单单指具体某项技术,而是囊括从火箭与航天器制造、航天器发射至航天器能稳定运行中涉及到的各项技术。最有代表性的为重型火箭技术、载人航天技术、空间站技术与深空探测技术,从全球视野来看,我国是全球为数不多的能够独立实施登月计划、载人航天计划、天空站计划等,说明我国航天攻克核心技术数量多、涉及范围广;但与美国相比,我国需要在总体效率与质量上继续提升。由于载人航天、空间站与深空探测均需要以重型运载火箭技术为基础,下文以重型火箭技术为例具体分析我国的空间技术实力。

重型火箭是指具备发射低、中、高不同地球轨道,可以运载不同类型卫星和载人飞船,并且LEO载荷能力(近地轨道运载能力)超18吨以上火箭,具备该技术与否可以看做能否挤进航天强国的重要指标。目前全球现役的重型火箭包括长征五号(中国)、重型猎鹰(美国)、德尔塔4(美国)等。从整体性能与性价比来看,我国长征五号排全球第三。主要根据以下两方面来判断:

1)第一是整体设计能力。根据重型火箭运载能力要求,目前世界主流运用模块化组装法,把多级火箭类似搭积木的方法构建成一个大型的新的火箭,美国的土星五号、重型猎鹰与中国的长征五号等都是运用此法。在设计过程中涉及一项关键技术叫动特性获取技术。(注:即设计过程需要对火箭组成部分和结构在各种恶劣环境下,例如剧烈震动、冲击等,产生的变化进行数据分析)

相比其他航天强国,目前我国运载火箭动特性的获取比较传统,通过振动塔(试验火箭完整性的检测塔)全尺寸试验产生,检验周期长、费用高。以美国为例的其他航天强国,则逐渐通过等比例模型试验方式来推测实际尺寸的数据。这类方法需要有发展成熟的试验技术、严格的理论建模和先进计算机分析运算能力。我国也开始研究此类技术,但多在理论基础并无实际操作。

另一方面,我国在拟定的载荷能力对成本和可靠性把控上较为突出。火箭设计是整体概念,各国根据相应的经济和政策情况来设计最符合国情的方案。因此,在设计环节中,成本和执行复杂任务的可靠性也是检测火箭设计的合理性与优异性的重要指标。对比史上各大重型火箭,我国长征五号以较低发射成本和高达98%可靠性,显示出我国在这一环节的技术能力。

2)第二是整体动力系统。为了挣脱地球万有引力的束缚,根据牛顿第二和第三定律,火箭需要达到最小速度为7.9公里/秒。除了达到飞行速度要求,重型火箭要需要满足在多载荷情况下的上千吨起飞推力,从而考验各国对发动机的研发技术。测量发动机相关的核心指标可以分为运载能力与效率这两大类别。

运载能力方面,长征五号运载能力全球现役火箭第三,但运载系数并不算高。最大运载能力方面,包括LEO(近地能力)与GTO(地球同步轨道转移能力),其数值越大,表示运载物品越多能力越强。目前长征五号LEO运载能力为25吨,仅次重型猎鹰与德尔塔4号。运载系数方面,即最大有效载荷与起飞重量之比,数值越大,表明同重量的火箭能负载更多载荷,运载能力与效率更高。长征五号LEO运载系数仅为0.0288,与重型猎鹰的0.0451相距甚远,说明有效载荷能力与效率还是有段差距。

效率方面,长征五号燃烧效率和射程较高,但是推力效率较低。测量燃效与射程的指标为比冲,即单位推进剂产生的推力。比冲越高,发动机燃烧效率越高,射程也越远,长征五号YF-77发动机在这方面表现突出。推力方面,YF-77则逊色于美国几款重型火箭,推力的最大差距为土星五号的十分之一。但是YF-77的推力不足目前影响不大,因为完全可以满足长征五号设计的最大运载能力,所以整体可靠性不受影响。另一指标推重比,最大推力与重量之比,数值越大说明火箭整体效率越高,提高火箭干质比(火箭净质量与整体满载燃料质量之比)能力越强,利于火箭加速。我国的YF-77推重比约50,远不及美国几款发动机,是F-1一半,更是梅林1-D 的约30%,说明我国发动机性能与美国差距大,技术需要提升。

三、空间应用:中国发展迅速,美国增速放缓

空间应用是指以卫星应用为主(约占全球空间经济的80%),其他相关产业为辅的空间衍生服务产业。从卫星产业链来看,包括卫星制造与卫星发射的上游,与更聚集的卫星服务与地面设施的下游。据SIA的2018年全球卫星市场报告显示,2017全年卫星行业市场规模约2686亿美金,其中卫星服务达到1287亿美金,占比48%排为第一,地面设施1198亿美金,占45%为第二,两项总和超90%。美国收入占比持续多年超40%,但近年来增速放缓、占比有所下降,与此同时中国则以每年超20%的收入增速发展。

1)卫星制造与卫星发射:门栏高,参与者少,美国为第一垄断者

卫星制造与卫星发射对资金、人才、技术都具有高要求,全球参与公司或者政府部门约为30个,其中,欧美六大制造商占80%以上的市场份额。以GEO商业通信卫星制造订单为例,美国波音、劳拉、轨道ATK与洛马占62%,垄断过半市场。

卫星发射方面,美国无论在发射数量还是发射收入都遥遥领先。2016年全球共计发射90次约350颗航天器,其中美国以27%的发射数量和64%的发射收入居首,而中国发射数量与产值均5%,排名第三。

2)卫星服务与地面设施:中国具备后发优势

相比之下,卫星服务与地面设施门栏较低,拥有超1700家公司参与,市场规模庞大增长迅速。地面设施行业表现最为突出,市场规模从2012年的754亿美金涨至2017年的1198亿美金,全球四大卫星导航系统(美国GPS,欧洲Galileo,俄罗斯Glonass与中国北斗)逐渐完善成熟,卫星导航与物联网、5G、大数据等高新科技结合扩充带来的导航产业蓬勃发展是重要原因之一。以导航系统为例比较中国北斗与美国GPS:

技术上,北斗安全高效创新。北斗是我国自主研发,无论军事还是民事方面均可实现安全、自主可控。北斗采取分布开通,即“发射部分先使用”,与GPS必须整体系统建成才能投入使用对比,更高效灵活。其次,对比GPS的双频信号,北斗使用三频信号带来更可靠与精准的定位能力,数据处理能力也进一步增强。其三,北斗拥有原创的短报文通信服务,适用于紧急情况下的位置文字通报功能。

市场规模上,北斗打破GPS垄断局面,但挑战GPS依旧困难。从全球视角来看,我国导航系统发展最为迅速,从2012-2015年市场份额占比提升4%;从国内视角来看,截止2017年底数据,我国卫星导航与位置服务产值达2550亿,增长20.4%,其中北斗对产业核心产值贡献率达80%,市场占有率提升至15%,但GPS依旧保持超80%市场份额。

2.2  航空

相比航天,我国航空展现出来的技术与世界先进水平相比,差距更大,形势更为严峻。

根据使用性质,航空飞机可以分为军用飞机与民用飞机。军用飞机方面,从数量来看,我国现役约4500架飞机,是美国现役军用飞机数量的33%,排名仅次于俄罗斯位于全球第三。从飞机种类来看,我国军用机种基本齐全,对比美国仅缺少在战略指挥机的布局。从优势机种来看,我国偏向战斗机与无人机,战斗机数量全球第三、无人机全球第二,这与本国国土防御为主的策略相一致;而美国以全球为目标安排布局,所以跨航运输能力强的加油机与运输机是美国航空称霸全球的资本之一,我国这两类机种暂时无法赶超美国。以运输机为例,美国运输机22个系列共998架,中国5个系列约100架,总量仅为美国的十分之一,其中18架伊尔76自俄罗斯购买。

民用飞机方面,我国现役共5593架飞机,约美国的二十分之一。运输机,即客运机方面,我国小型客运机自主化程度较高,但大型客运机基本全部依靠进口。通航飞机方面差距更大。通航飞机指民用除去商用运输以外的所有飞机总称,可以用于空中降雨、空中喷洒等。美国农业林业机械化程度高,对通航飞机需求大,我国目前尚处于人力与机械力交换过程,通航飞机存量较低。

造成上述军用飞机与民用飞机暴露的中美差异、制约我国航空发展的关键因素之一是航空发动机技术的发展。

对比航天发动机,航空发动机自主创新能力不强,新研制动力进程缓慢,现有发动机难以满足飞机日益增长的动力需求,动力多依靠进口。除了国外引进的飞机,我国现役超半成飞机使用国外或仿制改版的二代发动机,而这些发动机技术约为上个世纪八九十年代水平,在美国或其他航空发达国家基本淘汰。例如我国拥有最多的战斗机,直到近年涡扇发动机核心技术不断突破,自主研发的WS-10、WS-10B、WS-15等才逐渐替代俄制AL-31系列发动机。但四代动力仍在试行,量产通用还需2-3年。

其次,发动机产品系列不全,军用发动机不够先进,民用发动机则是空白。军用大推力发动机型号研制有短缺,整体性能与美国同类型相比差距较远。我国大推力涡扇发动机较成熟的WS-10系列,与美国F-110系列、俄罗斯AL-31F在推力上相差数十千牛,适用性较窄;四代的WS-15仍在试行,性能与美国新一代F-135较大差距。民用发动机关键技术尚未突破,大涵道比涡扇发动机研制尚处空白,全部依赖进口。大涵道比涡扇发动机适用于大型运载飞机,例如波音737、747系列,因为核心发动机无法自主研发,我国大飞机几乎全部引自波音与空客。直至去年自主研发C919试飞成功,才填补我国大飞机项目空白。剖析整体,我国攻克整体设计、气动外形、机身材料等100多项核心技术,拥有自主知识产权,但是动力系统来自美法合资CFM公司,尚无独立研制同水平发动机的能力。

2.3  差距原因:工业基础弱、资金投入少、人才缺乏与体制不成熟

通过分析我国航空航天与美国的对比,可以发现差距背后有以下深层次的原因:

1)工业基础薄弱,关键零部件需要进口。由于技术封锁,我国航空航天技术研发均是在困难条件下自主攻克的,即使吸收其他国家发展成功与失败经验,也无法弥补落后发展几十年的工业基础。例如航天级的FPGA(核心芯片)被国外Xilinx、AlteraLattice等垄断,无法购买最先进版本。这也导致我国研发从立项到成熟落地周期,远远长于其他发达国家。

2)研发投入不够使得许多预先工作做得不深入不彻底,费用仅为美国的八分之一。从数据来看,无论是相对值还是绝对值,我国在航天航空预算方面都远不如美国。以航天为例,我国预算为美国的十分之一,如果加入美国国防航天部分的预算,则差距进一步扩大。此外,除了政府高额度拨款,美国航天事业约20%资金来源资本投资,占全球航天VC/PE的约65%。

3)专业人才缺乏。我国在专业人才的培育体系与人才支持上欠缺,从业人数差距更大。2016年我国航空、航天及设备制造业人数为35296人,而美国为617420人,相差十倍之多,与航天相关的服务业人数差距更大。

4)军民转化程度不高,无法有效市场化。以北斗导航为例,北斗开通仅五年对比美国二十多年发展,无论在设备稳定性、可靠性、实用性还是商业模式,都难在短时间内突破

原文标题:中美科技实力对比:集成电路领域差异巨大

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近年来,安徽省池州市充分利用省级半导体基地的金字招牌和真金白银的支持政策,大力扶持战略性新兴产业发展....
的头像 半导体动态 发表于 02-15 15:38 320次 阅读
池州市扎实谋划推进省级半导体基地建设 将围绕省级半导体基地新三年实施方案目标任务

集成电路的EMC设计和测试方法解析

集成电路的广泛应用,反过来对其又提出了更高的要求,人们需要性能更好、可靠性高、成本更低的集成电路。从....
发表于 02-15 15:07 84次 阅读
集成电路的EMC设计和测试方法解析

2018年美国八家半导体公司研发费用过超过10亿美元

英特尔从2012年研发费用突破百亿大关后,已经连续7年增长,2018年更是高达135亿美元。英特尔的....
的头像 集成电路园地 发表于 02-15 13:52 770次 阅读
2018年美国八家半导体公司研发费用过超过10亿美元

首尔半导体向荷兰Rofianda B.V.植物照明供应自然光谱LEDs SunLike

“我们很高兴能与首尔半导体合作推出差异化的LED植物照明。首尔半导体SunLike作为一款‘真正的太....
的头像 Excelpoint世健 发表于 02-15 10:39 428次 阅读
首尔半导体向荷兰Rofianda B.V.植物照明供应自然光谱LEDs SunLike

从“马爸效应”引发的新零售风潮,新零售是手机厂商拓宽市场战线的利刃

提出并发扬新零售,使其落地生根到各行业的是马云老师,目前不论是电商、餐饮、化妆品、手机都开始探索各自....
的头像 MCA手机联盟 发表于 02-15 10:17 569次 阅读
从“马爸效应”引发的新零售风潮,新零售是手机厂商拓宽市场战线的利刃

吴江区新春重大项目集中开工 总投资达283亿元

据“今吴江”报道,2月13日,苏州吴江新区(盛泽镇)举行2019年吴江区新春重大项目集中开工活动,3....
的头像 半导体动态 发表于 02-14 16:50 436次 阅读
吴江区新春重大项目集中开工 总投资达283亿元

当光遇上纳米技术会碰撞出什么样的火花

伴随着现代微纳米加工技术的不断发展,科学家拥有了在纳米尺度上操纵光子的前所未有的能力,衍生出了纳米光....
的头像 MEMS 发表于 02-14 15:56 556次 阅读
当光遇上纳米技术会碰撞出什么样的火花

AMD如何成为半导体企业里的网红企业

近些天,正处于各公司的财报“轰炸”期,而在所有营收报告中,最为亮眼的莫过于AMD了,其在股市的表现,....
的头像 传感器技术 发表于 02-14 14:56 477次 阅读
AMD如何成为半导体企业里的网红企业

意法半导体与晶圆制造商Norstel AB公司签署协议,收购后者55%股权

可以说此次收购是ST在SiC晶圆产能紧缺之下作出的又一应对举措。在今年初,ST就与Cree签署一份多....
的头像 中国照明电器协会 发表于 02-14 14:34 775次 阅读
意法半导体与晶圆制造商Norstel AB公司签署协议,收购后者55%股权

ST推出具有机器学习功能的新型运动传感器

意法半导体在其先进的惯性传感器内集成机器学习技术,提高手机和可穿戴设备的运动跟踪性能和电池续航能力。
的头像 MEMS 发表于 02-14 14:29 485次 阅读
ST推出具有机器学习功能的新型运动传感器

车用半导体市场不景气 瑞萨将裁员千人

近日瑞萨电子公布了2018年度财报,因全球经济不景气,车用以及工厂自动化等产业用半导体芯片需求减弱,....
的头像 芯智讯 发表于 02-14 14:27 410次 阅读
车用半导体市场不景气 瑞萨将裁员千人

华为去年半导体支出暴增45% 仅次于三星和苹果

市场研究公司Gartner Inc日前指出,中国网络设备和智能手机供应商华为去年的半导体支出暴增45....
的头像 EDA365 发表于 02-14 14:24 1180次 阅读
华为去年半导体支出暴增45% 仅次于三星和苹果

深度解析PCB板和集成电路的区别

简单的说集成电路是把一个通用电路集成到一块芯片上,它是一个整体,一旦它内部有损坏 ,那这个芯片也就损....
的头像 EDA365 发表于 02-14 14:10 382次 阅读
深度解析PCB板和集成电路的区别

2万亿进口额背后的中国芯发展历程

2018年底,工信部设立的国家集成电路产业基金开始了第二轮募集资金,预计筹资总规模为1500亿~20....
的头像 中关村集成电路设计园 发表于 02-14 13:53 607次 阅读
2万亿进口额背后的中国芯发展历程

微波集成电路需要掌握的微带电路

本资料包括,微带线基础、微波网络基础、耦合微带线、微带线的不均匀性、微带滤波器和变阻器以及微带线电桥、定向耦合器和分功率...
发表于 02-14 11:32 313次 阅读
微波集成电路需要掌握的微带电路

用于LTC6803-3演示板的电池监视器

评估电路DC1653A是一个电池监控系统,用于演示LTC6803-3集成电路的功能操作。该设计包括以内置板对板带状电缆互连...
发表于 02-14 09:39 81次 阅读
用于LTC6803-3演示板的电池监视器

探析下一代半导体材料在改造照明技术方面的潜力

美国乔治亚理工大学(Georgia Institute of Technology)的一个国际研究团....
的头像 CNLED网 发表于 02-13 14:17 291次 阅读
探析下一代半导体材料在改造照明技术方面的潜力

如何进行无线电流检测

上期的参考电路,大家表示很感兴趣→ 那就继续我们的“组合参考电路”系列,今天的电路将告诉我们如何进行无线电流检测。 ...
发表于 02-13 13:32 60次 阅读
如何进行无线电流检测

深度分析电感型电导率传感器的应用

电导率传感器技术是一个非常重要的工程技术研究领域 ,用于对液体的电导率进行测量 ,被广泛应用于人类生....
的头像 传感器技术 发表于 02-13 10:45 1462次 阅读
深度分析电感型电导率传感器的应用

全球硅晶圆2018年出货创历史记录

SEMI SMG在其对硅晶圆行业年终分析报告中指出,2018年全球硅晶圆面积出货量同比增长8%达到历....
的头像 集成电路园地 发表于 02-13 09:09 560次 阅读
全球硅晶圆2018年出货创历史记录

电子工程师开年采购的一百种方式,这一种最划算

前两天,商务部披露,今年春节期间,全国零售和餐饮企业实现销售额约10050亿元,比去年春节黄金周增长8.5%。
的头像 华强芯城官网 发表于 02-12 17:52 794次 阅读
电子工程师开年采购的一百种方式,这一种最划算

南京芯城举行开工仪式 总投资达53.78亿元

据“浦口发布”报道,2月11日,南京浦口科学城(即南京“芯城”)举行了2019年度重点项目集中开工仪....
的头像 半导体动态 发表于 02-12 16:59 638次 阅读
南京芯城举行开工仪式 总投资达53.78亿元

富士康高调宣布进军半导体领域 将建设功率芯片工厂

2018年,富士康高调宣布进军半导体领域,在业界不断传来各种议论声中,富士康除了表决心外鲜少作其他回....
的头像 半导体动态 发表于 02-12 16:32 622次 阅读
富士康高调宣布进军半导体领域 将建设功率芯片工厂

半导体厂商蜂拥而上,产业链厂商步步紧跟

中微半导体成立于2004年5月,法定代表人尹志尧。截至申请提交日,公司无实际控制人,持股5%以上股东....
的头像 半导体投资联盟 发表于 02-11 17:12 1351次 阅读
半导体厂商蜂拥而上,产业链厂商步步紧跟

汇顶科技又迎来了一波减持潮

公开资料显示,杨奇志出生于1965 年生,专科学历。曾担任成都电焊条厂、深圳大学、成都华美电子科技有....
的头像 TechSugar 发表于 02-11 16:40 721次 阅读
汇顶科技又迎来了一波减持潮

晶晨半导体已经开启IPO通道 将登陆科创板

国内知名的半导体厂商Amlogic(晶晨半导体)已经开启IPO通道,正计划成为首批登陆科创板的企业。....
的头像 满天芯 发表于 02-11 16:39 673次 阅读
晶晨半导体已经开启IPO通道 将登陆科创板

业界首个硅晶圆级砷化镓及SOI异质集成射频前端模组

uWLSI®为中芯宁波的注册商标,意指“晶圆级微系统集成”;它是中芯宁波自主开发的一种特种中后段晶圆....
的头像 中国半导体论坛 发表于 02-11 15:59 641次 阅读
业界首个硅晶圆级砷化镓及SOI异质集成射频前端模组

晶晨半导体正计划成为首批登陆科创板的企业

晶晨半导体正计划成为首批登陆科创板的企业,业界透露晶晨半导体此次募资上市重点在于加码IPC(网络摄像....
的头像 中国半导体论坛 发表于 02-11 15:57 1638次 阅读
晶晨半导体正计划成为首批登陆科创板的企业

又一存储器项目助力合肥市打造IC之都

该项目将于合肥经开区建设康佳存储器事业总部和科研创新中心,引入国内外半导体设计公司和集成电路产业链项....
的头像 半导体行业联盟 发表于 02-11 15:33 330次 阅读
又一存储器项目助力合肥市打造IC之都

英特尔将在爱尔兰建设两个新半导体工厂 未来将投入70亿欧元的资金

美国半导体巨头英特尔在全球多国拥有芯片制造等业务,其中包括欧洲国家爱尔兰。据外媒最新消息,英特尔公司....
的头像 半导体动态 发表于 02-11 15:21 452次 阅读
英特尔将在爱尔兰建设两个新半导体工厂 未来将投入70亿欧元的资金

半导体芯片知识科普

制程并不能无限制的缩小,当我们将晶体管缩小到 20 奈米左右时,就会遇到量子物理中的问题,让晶体管有....
的头像 TechSugar 发表于 02-11 14:36 548次 阅读
半导体芯片知识科普

半导体供应链去库存化浪潮,多家晶圆代工厂下调代工报价

受全球经济放缓、智能手机需求低迷、加密货币疲软以及存储芯片市场供给过剩等因素影响,全球电子供应链正在....
的头像 半导体行业联盟 发表于 02-11 14:34 618次 阅读
半导体供应链去库存化浪潮,多家晶圆代工厂下调代工报价

半导体大厂台积电12寸厂再爆生产事故,同天同厂区爆发一大一小“受污”事件

业界透露,台积电使用的光刻胶供应商有日商信越、JSR等,以及美商陶氏电子(Dow Electroni....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-11 14:14 2258次 阅读
半导体大厂台积电12寸厂再爆生产事故,同天同厂区爆发一大一小“受污”事件

汽车智能化提速 汽车半导体加速成长

2017年全球汽车销量9680万辆(+3%);汽车半导体市场规模288亿美元(+26%),增速远超整....
的头像 智车科技 发表于 02-11 14:10 1033次 阅读
汽车智能化提速 汽车半导体加速成长

预测2019年全球半导体市场发展趋势

2018年对我国半导体产业来说是不平凡的一年,受中美贸易摩擦以及中兴、华为等国际事件的影响,对全球产....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-11 10:38 968次 阅读
预测2019年全球半导体市场发展趋势

OPA1611双极型输入音频运算放大器的数据手册免费下载

OPA1611 (单通道)和OPA1612 (双通道)双极型输入运算放大器在1kHz时可实现很低的噪....
发表于 02-11 08:00 33次 阅读
OPA1611双极型输入音频运算放大器的数据手册免费下载

5G基站IC测试订单逆势 量能直通2季底

尽管2019年半导体产业成长有压,加上贸易战暗潮汹涌让产业界上半年景气能见度犹如雾里看花。不过,5G....
的头像 刘伟DE 发表于 02-03 00:35 3461次 阅读
5G基站IC测试订单逆势 量能直通2季底

半导体技术助力 汽车电动化进程将入快车道

2018年全球主要国家新能源汽车销售超过200万辆,中国大陆销量达125.6万辆。截止2018年底,....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 01-30 17:01 2159次 阅读
半导体技术助力 汽车电动化进程将入快车道

中国芯片产业全景图大盘点

据有关数据显示,继2016年中国芯片企业数量大增600多家后,IC设计行业再一次出现企业数量剧增的发....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 01-30 16:29 1691次 阅读
中国芯片产业全景图大盘点

环旭电子成立全资子公司设立新厂 预计总投资额不低于人民币13.5亿元

昨(28)日晚间,日月光投控发布公告,因应中长期发展战略和产能布局需要,子公司环旭电子拟与中国惠州大....
的头像 半导体动态 发表于 01-30 15:26 1073次 阅读
环旭电子成立全资子公司设立新厂 预计总投资额不低于人民币13.5亿元

湖北鼎龙控股投资近4亿元 建成目前国内唯一的集成电路芯片CMP抛光垫产研基地

集成电路芯片有一个关键制程——化学机械抛光,最多需要反复128次。国际先进的芯片制造厂已使用7纳米制....
的头像 半导体动态 发表于 01-30 15:12 1618次 阅读
湖北鼎龙控股投资近4亿元 建成目前国内唯一的集成电路芯片CMP抛光垫产研基地

新型研发机构的发展,打造新型研发机构

从目前国内发展的实际情况看,中央有顶层设计,地方政府也有先行实践。中共中央、国务院印发《国家创新驱动....
的头像 物联网之声 发表于 01-30 14:39 680次 阅读
新型研发机构的发展,打造新型研发机构

值得收藏——模拟电子四大名著

传说,模拟电路设计有四大名著,分别出自 Berkeley的P.R.GRAY, GIT的Phillip E. Allen, UCLA的Behzad ...
发表于 01-28 14:10 1868次 阅读
值得收藏——模拟电子四大名著

请问这个74系列芯片的作用是什么

如图,这个74HC4538D的作用,还有J9接口是接什么器件的? ...
发表于 01-22 16:42 313次 阅读
请问这个74系列芯片的作用是什么

欧姆社学习-漫画半导体

《欧姆社学习漫画》是日本欧姆社自2004年7月开始出版的一系列漫画类学习教材。该图书主要讲述了电气学,物理学,数学以及生物科学...
发表于 01-17 22:25 510次 阅读
欧姆社学习-漫画半导体

“年货”采购进行时,华强芯城15家代购渠道全系列特惠,最高满减2000元

年关将至,元器件“年货”采购进行时华强芯城15家代购渠道,现已开启全系列型号特惠促销最高满减2000元成功下单还能享受积分翻倍...
发表于 01-16 16:34 282次 阅读
“年货”采购进行时,华强芯城15家代购渠道全系列特惠,最高满减2000元

MQ-K1型半导体气敏元件规格书

MQ-K1型半导体气敏元件规格书
发表于 01-16 09:06 202次 阅读
MQ-K1型半导体气敏元件规格书

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 471次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 37次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 34次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 40次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 42次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 34次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 41次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 69次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
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AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
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OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 47次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 59次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 37次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 63次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 64次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
发表于 01-08 17:51 45次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 57次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 66次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 48次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 46次 阅读
LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器