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信息技术和航空航天的中美科技实力对比

2018-07-25 18:58 次阅读

1 信息技术

信息技术(ICT,Information and Communication Technology)是第三次工业革命的核心技术与重要引擎。作为通用性技术,信息技术对其他产业与整体经济增长具有明显的辐射作用,对于国家安全与军事实力同样至关重要,因此也被认为是综合国力的重要标志。

2017年全球ICT产业总体规模预计突破52000亿美元,其中ICT服务业达到34500亿美元,ICT制造业突破18000亿美元。站在细分领域的角度,集成电路、软件和IT服务、通信分别承担着信息的计算、加工处理和传输功能,这三类技术也成为各企业和各国竞争发展的重要高地。

1.1 半导体与集成电路

全球半导体产业市场规模已经从1996年1320亿美元增长至2017年4122亿美元。根据美国半导体行业协会(SIA)的统计,按照半导体企业总部所在地分类,目前美国公司占到全球半导体市场份额的一半左右,其次为韩国、日本,中国目前市场份额在5%左右。

半导体可以分为分立器件、光电子、传感器、集成电路,其中集成电路占比最高,占到2016年全球半导体销售金额的81.6%。中国目前已经成为全球最大的半导体与集成电路消费市场,但是自给比例仅10%左右,每年的进口金额超过2000亿美元。

在诸多核心集成电路如服务器MPU、个人电脑MPU、FPGADSP等领域,我国都尚无法实现芯片自给。此次中兴事件,正是由于中兴在高端光通信芯片、路由器芯片等方面依赖博通等供应商,以至于一旦被美国制裁就将面临破产风险。对外依赖只是中国在核心芯片领域相当薄弱的外在表现,其实质是在集成电路的各核心产业链环节缺少足够的、长期的资本投入、研发投入与积累。2017年美国芯片巨头英特尔研发支出达到130亿美元、资本支出预计达到120亿美元,仅研发支出就已接近中国全部半导体企业全年的收入之和;高通、博通、英伟达等芯片设计厂商更是将20%左右的销售收入投入用于研发。国内集成电路制造领军企业中芯国际2016年资本开支26.3亿美元、研发投入仅3.18亿美元,如此悬殊的投入对比下,中美半导体领域的产出差距可想而知。

作为现代精密制造业的代表,一颗小小的微处理器上集成了数十亿个晶体管、需要经历数百步工艺过程,这决定了芯片领域的“短板效应”——任何一个零件或环节出错,都会导致无法达到量产的良率要求;任何一个步骤都需要经过漫长的研发、尝试与积累,绝非一朝一夕。这个过程不仅需要拥有大量专业人才,更需要在关键设备与原材料领域供应率先实现突破。

2016年全球前十名半导体设备供应商中,除了荷兰的ASML、新加坡的ASM Pacific,其余四家位于美国、四家位于日本,其中美国的应用材料公司(AMAT)排名第一、2016年销售额达100亿美元。四家美国公司已经占到全球市场份额的50%,即使第二名荷兰光刻巨头ASML股东中也有着英特尔的身影。而在此领域国内尚无企业上榜,2016年中国半导体设备销售仅57.33亿元,其中中电科电子装备集团排名第一,但销售金额也仅9.08亿,中国前十强占全球半导体设备市场份额仅2%。长年占据全球半导体设备榜首的美国AMAT产品几乎横跨CVD、PVD、刻蚀、CMP等除了光刻机外的所有半导体设备,公司的30%员工为研发人员,拥有12000项专利,每年研发投入超过15亿美元,而国内半导体设备龙头北方华创研发支出不到1亿美元。

站在产业链的角度,集成电路可以分为设计、制造与封装测试三个环节,其中垂直一体化模式称之为IDM(Integrated Device Manufacture),以英特尔、三星为代表;专业化分工则可以分为Fabless(IC设计)、Foundry(晶圆代工)、封测,Fabless的核心是IP,以高通为代表;Foundry的核心是制程与工艺的先进性与稳定性,以台积电为代表;封测相对来说对技术的要求不如前两者。

IC设计领域,2016年全球前十大Fabless厂商中,中国上榜两家,华为海思排名第七、紫光集团排名第十,合计市场份额约7%。考虑到博通(Broadcom)计划将总部从新加坡迁回美国,实际上这份全球前十Fabless厂商中美国公司将占据7席,合计市场份额达到56%,是芯片设计领域的绝对王者。如果算上IDM的英特尔,美国在IC设计领域的份额将更高。

中国近年来在IC设计领域的进步不小。2010年全球前十大Fabless厂商中尚无一家大陆企业入围,除了台湾地区的联发科排名第五,其余九家均为美国企业。而2016年华为海思与紫光集团双双进入前十,大陆企业在IC设计领域的全球市场份额也由2010年5%左右提升一倍至约10%。同时美国企业份额则从69%下降至55%左右。尽管短期之内美国在IC设计领域的霸主地位难以撼动,但相对实力正在此消彼长。

晶圆代工领域,全球前十大晶圆代工厂中,中国占据两席,中芯国际排名第四、华虹排名第八,总共市场份额达到7%;美国Global Foundries排名第二,市场份额11%。台积电为纯晶圆代工领域绝对龙头,市场份额达到59%。除了销售收入的差距,华虹最高水平制程只有90nm,主要产品都是为电源管理IC、射频器件芯片代工。中芯国际量产的28nm制程良率尚未完全稳定,而台积电已经导入10nm制程为苹果iPhone8的A11处理器、华为mate10的麒麟970等手机芯片代工,并且计划今年将量产7nm制程。从“28nm-20nm-14nm-10nm-7nm”的工艺升级路径来看,中芯国际与台积电的技术工艺水平差了三代。

小结:中国是全球最大的半导体与集成电路消费市场,但是90%依赖进口,自给比例仅10%左右,每年的进口金额超过2000亿美元。中国在集成电路领域的资本与研发投入方面都与美国存在较大差距。细分领域来看,中国在半导体关键设备与材料方面最为欠缺;在IC设计领域华为海思、紫光展讯等近年来进步较大,但差距仍大;在制造领域,台积电实力强大,中芯国际与国际最先进制程差了三代工艺水平。

1.2  软件与互联网服务

以功能分类,软件可以分为系统软件、支撑软件和应用软件,其中系统软件负责管理和调度各种硬件资源和程序;应用软件负责面向特定领域实现特定功能;支撑软件位于两者之间,负责支持其他软件的编写与维护,如编程软件、数据库管理软件等。目前的多数互联网服务,实际上也是应用软件。

根据普华永道思略特发布的“2017全球创新企业1000强榜单”,其中软件与互联网服务公司按照研发投入排名的创新十强榜单中,中国凭借BAT占据第7、第8及第10名,前五名清一色为美国企业——亚马逊、谷歌、微软、甲骨文、Facebook。美国前三强软件与互联网服务公司亚马逊、谷歌、微软的研发支出均超过百亿美元,相比BAT中最高的阿里巴巴也仅达到25亿美元。

如果不包含互联网服务公司,在软件领域创新十强榜单中除了德国的SAP外其余均为美国公司,中国公司无一上榜。软件领域中国创新排名最靠前的是金山软件,2017年研发投入达2.6亿美元,而第一名的微软达到119.9亿美元。

在系统软件领域,当前PC操作系统基本上被Windows垄断,Windows装机量接近整体市场的88%,Windows与Mac OS合计超过97%;手机操作系统则被IOSAndroid两家瓜分,两家合计超过98%。数据库系统则是甲骨文独占鳌头。在这些基础软件与底层系统领域,中国目前仍是空白。

操作系统开发是一件系统工程,Windows 7开发大约有23个小组超千人团队,需要代码量5千万行,缺乏顶层设计的研发注定缺乏效率。中国当前的操作系统研发大多是基于Linux开源内核进行二次开发,如果以两弹一星模式、倾举国之力进行攻关,相信技术难题可解,政用、军用的自主可控需求也可以得到满足,但短期商用的可能性微乎其微,根本原因在于操作系统开发并不符合商业的投入产出比逻辑。

Windows、IOS、Android等底层操作系统相当于大厦地基,在此之上已经形成了应用程序库与开发者社区相互影响、相互促进、相互依赖的成熟生态。如果没有革命性的体验变革,从头开始研发相当于把大厦推倒重建,投入产出不成正比,因此商业公司鲜有涉足,而更适合大学与科研机构作为学术课题进行研发。

云计算实际上是对互联网上的计算、存储和网络三类资源和应用进行系统管理与调配。按照服务形式,云计算主要可以分为三类——基础设施即服务(IaaS,Infrastructure-as-a-Service),平台即服务(PaaS,Platform-as-a-Service),软件即服务(Software-as-a-Service)。其中IaaS和PaaS管理的是最底层的硬件资源和基础应用(如数据库),因此也被视作下一代信息社会的基础设施。

根据美国市场研究机构Synergy Research统计,目前全球基础设施云服务(IaaS+PaaS+托管私有云)市场中,亚马逊AWS市场占有率接近35%,其余为微软Azure、IBM、谷歌,阿里云排名第五,全球市场份额不到5%。

在SaaS领域,微软收购LinkedIn后超越Salesforce成为第一,其余排名靠前的Adobe、Oracle、SAP均是传统软件领域的领先企业。由于中国在传统软件领域的薄弱,在SaaS领域没有代表性的头部企业出现。

小结:中国在软件领域相当薄弱,尤其在系统软件和支撑软件领域,在互联网服务领域BAT尚能与亚马逊、谷歌、Facebook一较高下,但在研发投入方面远不及美国同行。在云计算领域,阿里云发展很快,但目前的体量仅为亚马逊AWS的1/10。

1.3  通信

通信是信息社会的“神经网络”。当前全球四大通信设备巨头华为、爱立信、诺基亚、中兴,中国占据其二。华为2017年销售额925.5亿美元,研发投入137.9亿美元,大幅超越传统通信设备巨头爱立信与诺基亚。与美国无线通信巨头高通相比,华为的收入与研发投入体量同样领先。在过去十年内,华为在研发领域累计投入近4000亿人民币,目前拥有超过7万份专利(超过90%是发明专利)。

从代理交换机起家、2004年建立海思半导体进行集成电路的自主研发,华为通过30年的积累成为全球通信设备第一,并在此基础上进入企业级核心路由器与移动终端市场。根据市场研究机构IDC数据,目前2018第一季度华为的以太网交换机市场份额达到8.1%、企业级路由器市场份额达到25.1%,仅次于思科;在移动终端市场,2016年华为智能手机出货超过1.3亿部,仅次于苹果与三星。

在下一代通信技术5G的标准制定上,以华为为代表的中国企业也开始崭露头角。3GPP定义了5G的三大应用场景——eMBB(3D/超高清视频等大流量移动宽带业务)、mMTC(大规模物联网业务)、URLLC(无人驾驶和工业自动化等超高可靠超低时延通信业务)。在2017年11月美国Reno举行的3GPP RAN1#87会议中,华为主导的Polar码成为eMBB场景下控制信道编码最终方案,而高通主导的LDPC码成为数字信道编码方案,中美平分秋色。这也是作为通信物理层技术的信道编码标准制定以来第一次由中国公司推动,显示出中国在全球通信领域话语权的提高。

5G芯片方面,今年2月华为在2018世界移动通信大会(MWC)上发布了全球首款3GPP标准的5G商用基带芯片巴龙5G01,可以提供2.3Gbps的传输速度,支持高低频、也支持独立或非独立方式组网。华为也成为首个具备“5G芯片-终端-网络能力”的5G解决方案提供商。在国家5G测试项目中,华为在第二阶段领先爱立信、诺基亚贝尔等厂商率先完成全部测试项目,并且在小区容量、网络时延等性能指标上处于领先。

尽管已经成为全球通信行业第一,华为对过去的发展却有着比常人更清醒的认识。华为创始人任正非在2016年全国科技创新大会上谈到,随着通信行业逼近香农定理、摩尔定律的极限,华为正在本行业攻入无人区,过去跟着人跑的“机会主义”高速度将逐渐减缓。如何从工程数学、物理算法等工程科学层面的创新过渡到重大基础理论创新,如何从跟随者成为引领者,任正非之问的答案可能并不在华为公司层面。要保证科技领域的长期竞争力与领导力,教育体制、科技体制、创新环境等软实力同样重要。在第三章,我们将进一步探讨中美科技体制差异。

2 航空航天

2.1  航天

航空航天均是高端综合性工程技术、理论学科和实际应用的结合,其中航天科技可以分为空间技术、空间科学和空间应用。从整个产业链角度来看,空间技术集中在航天器制造和发射,空间应用集中在地面设备和运营应用,空间科学是基于两者去太空探索新知识,三者相互支撑相互依靠。

从政府活动(包括政策支持力度、预算开支情况、国际合作情况等)、人员和航天器(宇航员人数、相关学科大学及以上储备人才数量、在轨航天器数量等)、相关工业(制造能力、发射能力、地面操控能力等)这三方面能力进行评定,2017年我国航天实力指数为27.93,较2016年有所提升;美国航天实力指数为89.3居全球首位,但近年来有所下降。综合来看,目前我国航天实力排名全球第四、仍处于第二梯队。

一、空间科学:部分领域领跑全球,但整体较为薄弱

我国空间能力最为薄弱的是空间科学,从理论基础与研究手段两方面来看:

与航天相关性强的天文学与天体物理、物理学等基础研究较为薄弱。根据中国科学院科技战略咨询研究院《2016研究前沿》显示,从Essential Science Indicators(ESI)数据库的上万个研究前沿挑选出的共180个重点热点前沿为基础来分析10大学科中各国与所在国相关科研机构对重点热点前沿产出论文数量和论文影响力,在物理学的20个热点前沿领域美国引领数达到11个,中国仅2个;在天文学与天体物理的12个热点前沿领域,美国引领数达到10个,中国尚无斩获。

科学卫星是空间科学研究的重要基础和手段,我国科学卫星起步晚,成效方面不如美国。时间上,美国1958年发射的第一颗人造卫星即是用于研究探索的“探险者号”科学卫星;中国最早用于科学探测的是1971年发射的“实践”系列卫星。探测距离上,美国“探险者号”系列卫星已探测过整个太阳系相关数据,向银河系探测;中国目前探测最远的是基于嫦娥探月计划的月球,将于2020年左右施行火星探测计划。卫星数量上,据不完全统计,截止2017年,中国科学卫星数量约50颗,其中大部分是早期发射的“实践”系列卫星,美国方面则约180颗以上。2017年共发射的108颗科学卫星中,美国占了约18%,而中国约为4%。

二、空间技术:基本掌握核心技术,发展最为迅速

作为空间科学与空间应用的操作基础和实现手段,空间技术是三个环节最为核心的部分。从全球视角来看,近十年,我国的空间技术发展最为迅速、取得成效最为显著。

空间技术不单单指具体某项技术,而是囊括从火箭与航天器制造、航天器发射至航天器能稳定运行中涉及到的各项技术。最有代表性的为重型火箭技术、载人航天技术、空间站技术与深空探测技术,从全球视野来看,我国是全球为数不多的能够独立实施登月计划、载人航天计划、天空站计划等,说明我国航天攻克核心技术数量多、涉及范围广;但与美国相比,我国需要在总体效率与质量上继续提升。由于载人航天、空间站与深空探测均需要以重型运载火箭技术为基础,下文以重型火箭技术为例具体分析我国的空间技术实力。

重型火箭是指具备发射低、中、高不同地球轨道,可以运载不同类型卫星和载人飞船,并且LEO载荷能力(近地轨道运载能力)超18吨以上火箭,具备该技术与否可以看做能否挤进航天强国的重要指标。目前全球现役的重型火箭包括长征五号(中国)、重型猎鹰(美国)、德尔塔4(美国)等。从整体性能与性价比来看,我国长征五号排全球第三。主要根据以下两方面来判断:

1)第一是整体设计能力。根据重型火箭运载能力要求,目前世界主流运用模块化组装法,把多级火箭类似搭积木的方法构建成一个大型的新的火箭,美国的土星五号、重型猎鹰与中国的长征五号等都是运用此法。在设计过程中涉及一项关键技术叫动特性获取技术。(注:即设计过程需要对火箭组成部分和结构在各种恶劣环境下,例如剧烈震动、冲击等,产生的变化进行数据分析)

相比其他航天强国,目前我国运载火箭动特性的获取比较传统,通过振动塔(试验火箭完整性的检测塔)全尺寸试验产生,检验周期长、费用高。以美国为例的其他航天强国,则逐渐通过等比例模型试验方式来推测实际尺寸的数据。这类方法需要有发展成熟的试验技术、严格的理论建模和先进计算机分析运算能力。我国也开始研究此类技术,但多在理论基础并无实际操作。

另一方面,我国在拟定的载荷能力对成本和可靠性把控上较为突出。火箭设计是整体概念,各国根据相应的经济和政策情况来设计最符合国情的方案。因此,在设计环节中,成本和执行复杂任务的可靠性也是检测火箭设计的合理性与优异性的重要指标。对比史上各大重型火箭,我国长征五号以较低发射成本和高达98%可靠性,显示出我国在这一环节的技术能力。

2)第二是整体动力系统。为了挣脱地球万有引力的束缚,根据牛顿第二和第三定律,火箭需要达到最小速度为7.9公里/秒。除了达到飞行速度要求,重型火箭要需要满足在多载荷情况下的上千吨起飞推力,从而考验各国对发动机的研发技术。测量发动机相关的核心指标可以分为运载能力与效率这两大类别。

运载能力方面,长征五号运载能力全球现役火箭第三,但运载系数并不算高。最大运载能力方面,包括LEO(近地能力)与GTO(地球同步轨道转移能力),其数值越大,表示运载物品越多能力越强。目前长征五号LEO运载能力为25吨,仅次重型猎鹰与德尔塔4号。运载系数方面,即最大有效载荷与起飞重量之比,数值越大,表明同重量的火箭能负载更多载荷,运载能力与效率更高。长征五号LEO运载系数仅为0.0288,与重型猎鹰的0.0451相距甚远,说明有效载荷能力与效率还是有段差距。

效率方面,长征五号燃烧效率和射程较高,但是推力效率较低。测量燃效与射程的指标为比冲,即单位推进剂产生的推力。比冲越高,发动机燃烧效率越高,射程也越远,长征五号YF-77发动机在这方面表现突出。推力方面,YF-77则逊色于美国几款重型火箭,推力的最大差距为土星五号的十分之一。但是YF-77的推力不足目前影响不大,因为完全可以满足长征五号设计的最大运载能力,所以整体可靠性不受影响。另一指标推重比,最大推力与重量之比,数值越大说明火箭整体效率越高,提高火箭干质比(火箭净质量与整体满载燃料质量之比)能力越强,利于火箭加速。我国的YF-77推重比约50,远不及美国几款发动机,是F-1一半,更是梅林1-D 的约30%,说明我国发动机性能与美国差距大,技术需要提升。

三、空间应用:中国发展迅速,美国增速放缓

空间应用是指以卫星应用为主(约占全球空间经济的80%),其他相关产业为辅的空间衍生服务产业。从卫星产业链来看,包括卫星制造与卫星发射的上游,与更聚集的卫星服务与地面设施的下游。据SIA的2018年全球卫星市场报告显示,2017全年卫星行业市场规模约2686亿美金,其中卫星服务达到1287亿美金,占比48%排为第一,地面设施1198亿美金,占45%为第二,两项总和超90%。美国收入占比持续多年超40%,但近年来增速放缓、占比有所下降,与此同时中国则以每年超20%的收入增速发展。

1)卫星制造与卫星发射:门栏高,参与者少,美国为第一垄断者

卫星制造与卫星发射对资金、人才、技术都具有高要求,全球参与公司或者政府部门约为30个,其中,欧美六大制造商占80%以上的市场份额。以GEO商业通信卫星制造订单为例,美国波音、劳拉、轨道ATK与洛马占62%,垄断过半市场。

卫星发射方面,美国无论在发射数量还是发射收入都遥遥领先。2016年全球共计发射90次约350颗航天器,其中美国以27%的发射数量和64%的发射收入居首,而中国发射数量与产值均5%,排名第三。

2)卫星服务与地面设施:中国具备后发优势

相比之下,卫星服务与地面设施门栏较低,拥有超1700家公司参与,市场规模庞大增长迅速。地面设施行业表现最为突出,市场规模从2012年的754亿美金涨至2017年的1198亿美金,全球四大卫星导航系统(美国GPS,欧洲Galileo,俄罗斯Glonass与中国北斗)逐渐完善成熟,卫星导航与物联网、5G、大数据等高新科技结合扩充带来的导航产业蓬勃发展是重要原因之一。以导航系统为例比较中国北斗与美国GPS:

技术上,北斗安全高效创新。北斗是我国自主研发,无论军事还是民事方面均可实现安全、自主可控。北斗采取分布开通,即“发射部分先使用”,与GPS必须整体系统建成才能投入使用对比,更高效灵活。其次,对比GPS的双频信号,北斗使用三频信号带来更可靠与精准的定位能力,数据处理能力也进一步增强。其三,北斗拥有原创的短报文通信服务,适用于紧急情况下的位置文字通报功能。

市场规模上,北斗打破GPS垄断局面,但挑战GPS依旧困难。从全球视角来看,我国导航系统发展最为迅速,从2012-2015年市场份额占比提升4%;从国内视角来看,截止2017年底数据,我国卫星导航与位置服务产值达2550亿,增长20.4%,其中北斗对产业核心产值贡献率达80%,市场占有率提升至15%,但GPS依旧保持超80%市场份额。

2.2  航空

相比航天,我国航空展现出来的技术与世界先进水平相比,差距更大,形势更为严峻。

根据使用性质,航空飞机可以分为军用飞机与民用飞机。军用飞机方面,从数量来看,我国现役约4500架飞机,是美国现役军用飞机数量的33%,排名仅次于俄罗斯位于全球第三。从飞机种类来看,我国军用机种基本齐全,对比美国仅缺少在战略指挥机的布局。从优势机种来看,我国偏向战斗机与无人机,战斗机数量全球第三、无人机全球第二,这与本国国土防御为主的策略相一致;而美国以全球为目标安排布局,所以跨航运输能力强的加油机与运输机是美国航空称霸全球的资本之一,我国这两类机种暂时无法赶超美国。以运输机为例,美国运输机22个系列共998架,中国5个系列约100架,总量仅为美国的十分之一,其中18架伊尔76自俄罗斯购买。

民用飞机方面,我国现役共5593架飞机,约美国的二十分之一。运输机,即客运机方面,我国小型客运机自主化程度较高,但大型客运机基本全部依靠进口。通航飞机方面差距更大。通航飞机指民用除去商用运输以外的所有飞机总称,可以用于空中降雨、空中喷洒等。美国农业林业机械化程度高,对通航飞机需求大,我国目前尚处于人力与机械力交换过程,通航飞机存量较低。

造成上述军用飞机与民用飞机暴露的中美差异、制约我国航空发展的关键因素之一是航空发动机技术的发展。

对比航天发动机,航空发动机自主创新能力不强,新研制动力进程缓慢,现有发动机难以满足飞机日益增长的动力需求,动力多依靠进口。除了国外引进的飞机,我国现役超半成飞机使用国外或仿制改版的二代发动机,而这些发动机技术约为上个世纪八九十年代水平,在美国或其他航空发达国家基本淘汰。例如我国拥有最多的战斗机,直到近年涡扇发动机核心技术不断突破,自主研发的WS-10、WS-10B、WS-15等才逐渐替代俄制AL-31系列发动机。但四代动力仍在试行,量产通用还需2-3年。

其次,发动机产品系列不全,军用发动机不够先进,民用发动机则是空白。军用大推力发动机型号研制有短缺,整体性能与美国同类型相比差距较远。我国大推力涡扇发动机较成熟的WS-10系列,与美国F-110系列、俄罗斯AL-31F在推力上相差数十千牛,适用性较窄;四代的WS-15仍在试行,性能与美国新一代F-135较大差距。民用发动机关键技术尚未突破,大涵道比涡扇发动机研制尚处空白,全部依赖进口。大涵道比涡扇发动机适用于大型运载飞机,例如波音737、747系列,因为核心发动机无法自主研发,我国大飞机几乎全部引自波音与空客。直至去年自主研发C919试飞成功,才填补我国大飞机项目空白。剖析整体,我国攻克整体设计、气动外形、机身材料等100多项核心技术,拥有自主知识产权,但是动力系统来自美法合资CFM公司,尚无独立研制同水平发动机的能力。

2.3  差距原因:工业基础弱、资金投入少、人才缺乏与体制不成熟

通过分析我国航空航天与美国的对比,可以发现差距背后有以下深层次的原因:

1)工业基础薄弱,关键零部件需要进口。由于技术封,我国航空航天技术研发均是在困难条件下自主攻克的,即使吸收其他国家发展成功与失败经验,也无法弥补落后发展几十年的工业基础。例如航天级的FPGA(核心芯片)被国外Xilinx、AlteraLattice等垄断,无法购买最先进版本。这也导致我国研发从立项到成熟落地周期,远远长于其他发达国家。

2)研发投入不够使得许多预先工作做得不深入不彻底,费用仅为美国的八分之一。从数据来看,无论是相对值还是绝对值,我国在航天航空预算方面都远不如美国。以航天为例,我国预算为美国的十分之一,如果加入美国国防航天部分的预算,则差距进一步扩大。此外,除了政府高额度拨款,美国航天事业约20%资金来源资本投资,占全球航天VC/PE的约65%。

3)专业人才缺乏。我国在专业人才的培育体系与人才支持上欠缺,从业人数差距更大。2016年我国航空、航天及设备制造业人数为35296人,而美国为617420人,相差十倍之多,与航天相关的服务业人数差距更大。

4)军民转化程度不高,无法有效市场化。以北斗导航为例,北斗开通仅五年对比美国二十多年发展,无论在设备稳定性、可靠性、实用性还是商业模式,都难在短时间内突破

原文标题:中美科技实力对比:集成电路领域差异巨大

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滨化集团电子级氢氟酸已经拿到部分韩国半导体厂商的批量订单

电子化工新材料产业联盟官方微信7月16日消息,滨化集团电子级氢氟酸已成功拿到部分韩国半导体厂商的批量....
的头像 半导体前沿 发表于 07-19 16:36 329次 阅读
滨化集团电子级氢氟酸已经拿到部分韩国半导体厂商的批量订单

第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议在世纪金源大饭店盛大召开

2019年7月17日至20日,第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM2019)在北京世纪....
的头像 泰科天润半导体 发表于 07-19 16:27 165次 阅读
第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议在世纪金源大饭店盛大召开

行业 | 一辆自动驾驶车搭载IC半导体成本有多少?

根据统计,从Level 2系统须580美元到Level 4高达1760美元。
的头像 中科院长春光机所 发表于 07-19 15:16 410次 阅读
行业 | 一辆自动驾驶车搭载IC半导体成本有多少?

如何判别场效应管的好坏与极性,在使用应注意哪些事项

场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管和金属 - 氧化物半导体场效应管。由多数载流子....
的头像 牵手一起梦 发表于 07-19 15:05 227次 阅读
如何判别场效应管的好坏与极性,在使用应注意哪些事项

日本亮出半导体出口制裁筹码之后,下一个筹码会是什么呢?

若日本不仅对韩国半导体进行精密打击,还要扩大战线,那么汽车和机械可能会成为下一个目标。
的头像 中国半导体论坛 发表于 07-19 13:54 228次 阅读
日本亮出半导体出口制裁筹码之后,下一个筹码会是什么呢?

突破日方封锁!三星半导体关键材料迎来新的供应商

7月4日起日本将韩国从材料管理白名单中移除
的头像 中国半导体论坛 发表于 07-19 13:49 384次 阅读
突破日方封锁!三星半导体关键材料迎来新的供应商

【深圳重点人才补助项目】集成电路-数字系统设计周末线下培训班

报名截止7月26号,最后一周!培训费原价1800,现优惠价仅需1700!想参加培训的同学,扫码加助理小包微信领取100元优惠券报名链接...
发表于 07-19 11:54 187次 阅读
【深圳重点人才补助项目】集成电路-数字系统设计周末线下培训班

韦尔股份现金收购北京视信源科技发展有限公司20.07%股权

7月17日,韦尔股份发布关于公司现金收购北京视信源科技发展有限公司20.07%股权的公告。
的头像 芯头条 发表于 07-19 11:21 638次 阅读
韦尔股份现金收购北京视信源科技发展有限公司20.07%股权

注册资金2.5亿美元 总投资7.5亿美元 IGBT签约落户嘉善县开发区

7月16日,IGBT功率半导体项目签约落户嘉善县开发区。嘉善县领导徐鸣阳、郑明、何全根、陆春浩参加签....
的头像 半导体前沿 发表于 07-19 10:47 692次 阅读
注册资金2.5亿美元 总投资7.5亿美元 IGBT签约落户嘉善县开发区

树莓派3B+在一周的测试中表现如何?

树莓派3B+开发板新玩法!
的头像 电路设计技能 发表于 07-19 10:19 190次 阅读
树莓派3B+在一周的测试中表现如何?

买完树莓派4后要做的6件事,你知道造吗?

树莓派4B已经如约正式发布,很多已经入手树莓派的4B的用户不知道你是否遇到了一些麻烦,下面是本视频想....
的头像 电路设计技能 发表于 07-19 10:04 186次 阅读
买完树莓派4后要做的6件事,你知道造吗?

2019年1-2季度中国集成电路进口量增长21.78% 同比增长2%

据中商产业研究院数据库显示,2019年1-2季度中国集成电路进口量逐渐增长,增长21.78%。
的头像 CPCA印制电路信息 发表于 07-19 09:59 158次 阅读
2019年1-2季度中国集成电路进口量增长21.78% 同比增长2%

5G开启半导体投资全新时代

▌2019年全球电子产业将保持增长 ICInsights预计2018年全球电子产品销售额16220亿美元,同比增长5.1%,2019年将达到16800亿...
发表于 07-19 03:45 183次 阅读
5G开启半导体投资全新时代

Light Conference2019国际会议盛大开幕邀请18个国家50余位知名家

7月17日上午,以Light为平台,由长春光机所与中国光学学会共同主办的Light Conferen....
的头像 中科院长春光机所 发表于 07-18 17:05 407次 阅读
Light Conference2019国际会议盛大开幕邀请18个国家50余位知名家

行业 | “特色工艺”会是中国集成电路发展的机会吗?

非尺寸依赖的特色工艺是否可以成为中国集成电路发展的机遇所在?
的头像 传感器技术 发表于 07-18 16:27 179次 阅读
行业 | “特色工艺”会是中国集成电路发展的机会吗?

粤芯半导体官微报:广东省发改委到达广州粤芯半导体技术有限公司

据粤芯半导体官微报道,7月10日,国家集成电路产业投资基金股份有限公司、华芯投资管理有限责任公司、广....
的头像 芯论 发表于 07-18 16:18 254次 阅读
粤芯半导体官微报:广东省发改委到达广州粤芯半导体技术有限公司

浙江省嘉善县捷报IGBT功率半导体正式落户嘉善经济技术开发区

7月16日,浙江省嘉善县数字经济发展再传捷报,IGBT功率半导体项目正式签约落户嘉善经济技术开发区。
的头像 芯论 发表于 07-18 16:11 162次 阅读
浙江省嘉善县捷报IGBT功率半导体正式落户嘉善经济技术开发区

从集成电路角度认识单片机

本文着手从集成电路角度去认识单片机,主要介绍了单片机的引脚图及引脚功能,以及单片机简易编程。 首先,先看下80C51单片机...
发表于 07-18 15:52 238次 阅读
从集成电路角度认识单片机

美国半导体公司股价再次集体下跌

据CNBC报道,过去一个月,许多跟踪半导体的交易所交易基金(etf)的表现逊于纳斯达克综合指数。Di....
的头像 AI科技大本营 发表于 07-18 15:43 294次 阅读
美国半导体公司股价再次集体下跌

渔翁得利!中国氢氟酸成功打入韩国

据最新消息,中国滨化集团生产的氢氟酸已成功拿到部分韩国半导体厂商的批量订单!
的头像 芯论 发表于 07-18 14:56 341次 阅读
渔翁得利!中国氢氟酸成功打入韩国

滨化集团电子级氢氟酸成功拿到部分韩国半导体厂商的批量订单

7月1日,日本宣布限制向韩国出口半导体材料,包括氟聚酰亚胺、抗蚀剂和高纯度氟化氢,对韩国的三星电子、....
的头像 半导体行业联盟 发表于 07-18 13:49 464次 阅读
滨化集团电子级氢氟酸成功拿到部分韩国半导体厂商的批量订单

韩国被卡脖子的日本技术和材料都有哪些?

我们是不是也要防着点日本了?
的头像 科工力量 发表于 07-18 13:33 336次 阅读
韩国被卡脖子的日本技术和材料都有哪些?

广东省发改委达广州粤芯半导体技术有限公司现场调研、参观

2019年7月10日下午,国家集成电路产业投资基金股份有限公司、华芯投资管理有限责任公司、芯谋研究、....
的头像 半导体行业联盟 发表于 07-18 11:51 404次 阅读
广东省发改委达广州粤芯半导体技术有限公司现场调研、参观

韦尔股份发布现金收购北京视信源科技发展有限公司20.07%股权公告

韦尔股份本次以现金方式收购视信源剩余20.07%股权后,视信源将成为公司全资子公司,从而实现对北京思....
的头像 半导体投资联盟 发表于 07-18 11:34 377次 阅读
韦尔股份发布现金收购北京视信源科技发展有限公司20.07%股权公告

IGBT功率半导体项目落户嘉善经济技术开发区

7月16日,浙江省嘉善县数字经济发展再传捷报,IGBT功率半导体项目正式签约落户嘉善经济技术开发区。
的头像 中国半导体论坛 发表于 07-18 10:04 339次 阅读
IGBT功率半导体项目落户嘉善经济技术开发区

中国滨化集团的氢氟酸拿到部分韩国半导体厂商的批量订单!

据最新消息,中国滨化集团生产的氢氟酸已成功拿到部分韩国半导体厂商的批量订单!
的头像 中国半导体论坛 发表于 07-18 09:58 570次 阅读
中国滨化集团的氢氟酸拿到部分韩国半导体厂商的批量订单!

滨化集团电子级氢氟酸成功拿到韩国半导体厂商的批量订单!

7月1日,日本宣布限制向韩国出口半导体材料,包括氟聚酰亚胺、抗蚀剂和高纯度氟化氢,对韩国的三星电子、....
的头像 半导体界 发表于 07-18 09:35 1269次 阅读
滨化集团电子级氢氟酸成功拿到韩国半导体厂商的批量订单!

报道称:日本对韩国半导体限制,三星电子从西安订购高纯度氟化氢

据BusinessKorea报道,为应对日本对韩国半导体材料的出口限制,SK海力士已经开始测试从中国....
的头像 PCB行业工程师技术交流 发表于 07-18 08:51 905次 阅读
报道称:日本对韩国半导体限制,三星电子从西安订购高纯度氟化氢

20W放大器设计对整个扬声器系统的影响

作者:Dafydd Roche 与扬声器和放大器打交道的许多工程师都会告诉您同样一件事情。如果过度操作放大器,便会或多或少地损坏...
发表于 07-18 08:33 31次 阅读
20W放大器设计对整个扬声器系统的影响

基于FPGA的汽车核心电子系统

当今汽车应用中的电子应用越来越多,可说是无处不在;最明显的是仪表板式和车载信息通信系统或信息娱乐系统,以及诸如GPS导航和...
发表于 07-18 08:07 114次 阅读
基于FPGA的汽车核心电子系统

使用商用电流检测变压器设计一种可抗饱和的电路

作者:John Bottrill,德州仪器 (TI) 高级应用工程师 平均电流模式控制 (CMC) 要求为控制环路重建电流总波形。本文为您...
发表于 07-18 07:36 15次 阅读
使用商用电流检测变压器设计一种可抗饱和的电路

浅析自驱动同整流器

作者:Robert Kollman,德州仪器 (TI) 在电源设计小贴士 #42 中,我们讨论了 MOSFET 栅极驱动电路中使用的发射器跟...
发表于 07-18 07:08 81次 阅读
浅析自驱动同整流器

什么是集成电路芯片测试仪的程序?

#include #include #include //这是头文件 /*==============================宏定义===================*/ #define M 4//...
发表于 07-18 03:27 56次 阅读
什么是集成电路芯片测试仪的程序?

全国半导体物理学术会议在浙江杭州成功举行

国半导体物理学术会议于2019年7月9-12日在浙江杭州成功举行。本次会议由中国物理学会半导体物理专....
的头像 中科院半导体所 发表于 07-17 17:59 610次 阅读
全国半导体物理学术会议在浙江杭州成功举行

行业 | 单层OLED原型问世,生产成本有望降低?

据外媒报道,德国马克斯普朗克聚合物研究所开发出一种单层OLED的原型,制造成本可能大大降低。
的头像 高工LED 发表于 07-17 17:25 417次 阅读
行业 | 单层OLED原型问世,生产成本有望降低?

士兰微厦门12英寸芯片生产线将于明年试投产

据厦门广电报道,近日福建省委常委、厦门市委书记胡昌升在前往杭州招商的相关座谈走访活动过程中,有不少总....
的头像 半导体动态 发表于 07-17 16:40 305次 阅读
士兰微厦门12英寸芯片生产线将于明年试投产

上海兄弟微泛半导体超高纯设备集成项目落户海宁科技绿洲 总投资1亿元人民币

7月16日,上海兄弟微泛半导体超高纯设备集成项目正式签约落户海宁科技绿洲。
的头像 半导体动态 发表于 07-17 16:33 370次 阅读
上海兄弟微泛半导体超高纯设备集成项目落户海宁科技绿洲 总投资1亿元人民币

IGBT功率半导体项目落户嘉善经济技术开发区 总投资达7.5亿美元

7月16日,浙江省嘉善县数字经济发展再传捷报,IGBT功率半导体项目正式签约落户嘉善经济技术开发区。
的头像 半导体动态 发表于 07-17 16:27 362次 阅读
IGBT功率半导体项目落户嘉善经济技术开发区 总投资达7.5亿美元

半导体逐个不断创新高迎来第二波行情

7月16日,费城半导体SOXL底部反弹60%,离新高一步之遥,国内半导体细分巨头也在逐个不断创新高:
的头像 旺材芯片 发表于 07-17 16:27 401次 阅读
半导体逐个不断创新高迎来第二波行情

韩国成功开发出三进制逻辑系统运行的半导体 将标志着芯片产业发生根本性转变

北京时间7月17日消息,韩国一个科研团队已成功在大尺寸晶圆上成功实现了一种更节能的三元金属氧化物半导....
的头像 半导体动态 发表于 07-17 16:18 639次 阅读
韩国成功开发出三进制逻辑系统运行的半导体 将标志着芯片产业发生根本性转变

计算器的结构组成及故障处理方法

现代的电子计算器能进行数学运算的手持电子机器,拥有集成电路芯片,但结构比电脑简单得多,可以说是第一代....
的头像 牵手一起梦 发表于 07-17 14:24 253次 阅读
计算器的结构组成及故障处理方法

路透社报道:美方正式开始逐步重新开始向华为销售新产品的许可证

据路透社报道,据美国一位高级官员称,美国政府可能会批准公司在最短两周内重新开始向华为销售新产品的许可....
的头像 芯头条 发表于 07-17 11:28 459次 阅读
路透社报道:美方正式开始逐步重新开始向华为销售新产品的许可证

韩媒指称:日方有意把南韩移出「白色名单」对韩国冲击会更为剧烈

日韩贸易战毫无缓和迹象,韩媒指称,日方有意把南韩移出「白色名单」。如果成真,将有上千项的日本输韩商品....
的头像 芯头条 发表于 07-17 11:21 352次 阅读
韩媒指称:日方有意把南韩移出「白色名单」对韩国冲击会更为剧烈

华大九天为牵头 发起成立的集成电路设计服务产业创新中心正式启动

6月底,以华大九天为牵头单位,联合江北新区、南京集成电路产业服务中心、东南大学、华大半导体共同发起成....
的头像 半导体前沿 发表于 07-17 11:09 184次 阅读
华大九天为牵头 发起成立的集成电路设计服务产业创新中心正式启动

科技新报报道:日本收紧对韩国的3种半导体材料的管制措施

据科技新报报道,日本收紧对韩国出口3种半导体材料的管制措施,可能会重创韩国半导体及面板产业,这也引起....
的头像 半导体前沿 发表于 07-17 11:04 343次 阅读
科技新报报道:日本收紧对韩国的3种半导体材料的管制措施

台积电7nm产能全线满载

台积电下半年的7纳米产能全线满载,16/12纳米产能亦供不应求。
的头像 半导体行业联盟 发表于 07-17 10:26 362次 阅读
台积电7nm产能全线满载

清华微电子所所长:中国芯片业的大实话

中国芯片产业发展速度非常快,但跟国际先进水平的差距还相当大,瓶颈是人才,不仅质量难以满足需求,连数量....
的头像 渔翁先生 发表于 07-17 09:29 869次 阅读
清华微电子所所长:中国芯片业的大实话

Kilby实验室大揭秘

在快节奏的高科技创新中,经验丰富的技术专家们正在解决目前我们所面临的难题,这些精英团队将目光投向未来,致力于突破性技术...
发表于 07-16 04:45 109次 阅读
Kilby实验室大揭秘

VK1650LED驱动控住/键盘扫描专用集成电路

VK1650 是一种带键盘扫描电路接口的 LED 驱动控制专用电路。内部集成有 MCU 输入输出控制数字 接口、数据锁存器、LE...
发表于 07-15 10:07 396次 阅读
VK1650LED驱动控住/键盘扫描专用集成电路

MGA-83563 3V PA /驱动器,22dBm PSAT,0.5-6GHz,SOT363(SC-70)

MGA-83是一个3V器件,具有20dBm P1dB。它采用微型SOT-363封装,专为3V驱动放大器应用而设计。偏压:3V,142mA;增益= 22dB; P1dB = 19dBm; IP3i = 7dB;全部在2.4GHz,PAE = 41%。
发表于 07-04 09:58 12次 阅读
MGA-83563 3V PA /驱动器,22dBm PSAT,0.5-6GHz,SOT363(SC-70)

MGA-82563 3V驱动器放大器,17dBm P1dB,低噪声,0.1-6GHz,SOT363(SC-70)

MGA-82是3V器件,具有17dBm P1dB。它采用微型SOT-363封装,专为3V驱动放大器应用而设计。偏压:3V,84mA;增益= 13dB; NF = 2.2dB; P1dB = 17.3dBm;所有2GHz的IP3i = 14dB。
发表于 07-04 09:56 10次 阅读
MGA-82563 3V驱动器放大器,17dBm P1dB,低噪声,0.1-6GHz,SOT363(SC-70)

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 101次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 122次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V< V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 156次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 83次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 123次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 178次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
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AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
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OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
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TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
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DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
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TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
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TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
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LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
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TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
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LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
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LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
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LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
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LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器