半导体器件的发展史及现代半导体器件发展趋势是什么样的?

皇华电子元器件IC供应商 2018-07-15 09:35 次阅读

电力电子器件(Power Electronic Device)又称为功率半导体器件,主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上),其不断发展引导着各种电力电子拓扑电路的不断完善,今天小慕带大家一起回顾下电力电子器件的发展史,一起领略人类智慧如何一步步进入这个神奇的电力世界。

半导体器件的发展史及现代半导体器件发展趋势是什么样的?

史前

这个得从爱迪生在研究电灯泡时说起,他做了管壁的防尘防烟实验,1880年无意间发现在灯泡管内插入独立电极的地方与灯丝之间,在某种条件下会产生电流。这个现象被称为「爱迪生效应」,爱迪生本人没有继续探讨,直到1904年英国佛莱明在横越大西洋无线电通信发报机中,才首次利用「爱迪生效应」研制出一种能够充当交流电整流和无线电检波的特殊灯泡—“热离子阀”,从而催生了世界上第一只电子管,称为佛莱明管(二极检波管),也就是人们所说的真空二极管,世界进入电子时代,主要应用的是通信和无线电领域。当时的佛莱明管只有检波与整流的功用,而且并不稳定。

半导体器件的发展史及现代半导体器件发展趋势是什么样的?

第一只真空二极管

1906年,为了提高真空二极管检波灵敏度,德·福雷斯特在佛莱明的玻璃管内添加了栅栏式的金属网,形成第三个极,三极真空管被发明,让真空管具有放大与振荡的功能,我们通常认定1906年是真空管元年。

半导体器件的发展史及现代半导体器件发展趋势是什么样的?

德·福雷斯特与真空三极管

1930年代-1950年代,水银整流器迅速发展,广泛应用于电化学工业、电气铁道直流变电、直流电动机的传动,此时,整流、逆变、周波变流电路都已成熟并被广泛应用。

1947年,美国著名的贝尔实验室发明了晶体管,这个晶体管是点触式器件,用多晶锗做成,继而硅材料器件同样实现,一场电子技术的革命开始了。

半导体器件的发展史及现代半导体器件发展趋势是什么样的?

第一个晶体管

时代的开始

1957年,美国通用电气公司,第一个晶闸管出现,标志着电力电子技术的诞生,正式进入了电力电子技术阶段,也就是第一代电力电子器件稳步发展的开始。

第一代电力电子器件就是以晶闸管为代表,主要用于相控电路。这些电路十分广泛地用在电解、电镀、直流电机传动、发电机励磁等整流装置中,与传统的汞弧整流装置相比,不仅体积小、工作可靠,而且取得了十分明显的节能效果,因此电力电子技术的发展也越来越受到人们的重视,已普遍应用于变频调速、开关电源、静止变频等电力电子装置中。

但是由于第一代电力电子器件通过其门极只能控制其导通,不能控制其关断,所以只能是半控型器件。半控型器件在直流供电场合,要实现关断必须另加电感、电容和其他辅助开关器件组成强迫换流电路,这样造成的缺点是:变流装置整机体积增大,重量增加、效率降低,并且工作频率一般低于400Hz。

快速发展时期

1970年代后期,门极可关断晶闸管GTO、电力双极型晶体管BJT、电力场效应晶体管功率MOSFET为代表的全控型器件迅速发展,第二代电力电子器件应运而生,其工作频率达到兆赫级。集成电路的技术促进了器件的小型化和功能化。这些新成就为发展高频电力电子技术提供了条件,推动电力电子装置朝着智能化、高频化的方向发展。

第二代电力电子器件就实现了既能被控制导通,也能控制关断的全控型器件,使得各类电力电子变换电路及控制系统开始不断涌现,如直流高频斩波电路、软开关谐振电路、脉宽调制电路等。一直沿用于今天的各种常见电源上,跨入全控器件快速发展阶段。

1980年代后期,以绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)集合了MOSFET的驱动功率小、开关速度快和BJT通态压降小、载流能力大的优点,成为现代电力电子技术的主要器件;在中低频大功率电源中占重要地位。20世纪90年代,智能功率模块使功率器件的发展向大功率、高频化、高效率跨向一大步。

↓ 电力电子器件发展图 ↓

半导体器件的发展史及现代半导体器件发展趋势是什么样的?

不同器件各居领地

这些功率器件在各自不同的领域发挥着各自重要的作用。按照导通、关断的受控情况可分为不可控、半控和全控型器件,按照载流子导电情况可分为双极型、单极型和复合型器件,按照控制信号情况,可以分为电流驱动型和电压驱动型器件,根据它们的这些结构和特点应用领域也不完全相同。

电力电子器件分类及特点

目前,以MOSFET、IGBT、晶闸管等为代表的主流功率器件在各自的频率段和电源功率段占有一席之地。

功率MOSFET的问世打开了高频应用的大门,这种电压控制型单极型器件,主要是通过栅极电压来控制漏极电流,因而它有一个显著特点就是驱动电路简单、驱动功率小,开关速度快,高频特性好,最高工作频率可达1MHz以上,适用于开关电源和高频感应加热等高频场合,且安全工作区广,没有二次击穿问题,耐破坏性强。缺点是电流容量小,耐压低,通态压降大,不适宜大功率装置。目前MOSFET主要应用于电压低于1000V,功率从几瓦到数千瓦的场合,广泛应用于充电器、适配器、电机控制、PC电源、通信电源、新能源发电、UPS、充电桩等场合。

IGBT综合了MOSFET和双极型晶体管的优势,有输入阻抗高,开关速度快,驱动电路简单等优点,又有输出电流密度大,通态压降下,电压耐压高的优势,电压一般从600V~6.5kV。IGBT优势通过施加正向门极电压形成沟道,提供晶体管基极电流使IGBT导通,反之,若提供反向门极电压则可消除沟道,使IGBT因流过反向门极电流而关断。比较而言,IGBT开关速度低于MOSFET,却明显高于GTR;IGBT的通态压降同GTR接近,但比功率MOSFET低很多;IGBT的电流、电压等级与GTR接近,而比功率MOSFET高。由于IGBT的综合优良性能,已经取代GTR,成为逆变器、UPS、变频器、电机驱动、大功率开关电源,尤其是现在炙手可热的电动汽车、高铁等电力电子装置中主流的器件。

各器件应用电路

单管输出功率与工作频率的关系

各器件电压和输出功率水平

第三代宽禁带半导体器件

前面都是以Si材料为基础的各种电力电子器件,随着Si材料电力电子器件逐渐接近其理论极限值,利用宽禁带半导体材料制造的电力电子器件显示出比Si和GaAs更优异的特性,给电力电子产业的发展带来了新的生机。相对于Si材料,使用宽禁带半导体材料制造新一代的电力电子器件,可以变得更小、更快、更可靠和更高效。这将减少电力电子元件的质量、体积以及生命周期成本,允许设备在更高的温度、电压和频率下工作,使得电子电子器件使用更少的能量却可以实现更高的性能。下图中对Si、4H-SiC以及GaN的几个重要参数性能进行了对比。基于这些优势,宽禁带半导体在家用电器、电力电子设备、新能源汽车、工业生产设备、高压直流输电设备、移动基站等系统中都具有广泛的应用前景。

不同半导体材料的参数对比

其中:

禁带宽度Eg增加:反向漏电减小,工作温度高,抗辐射能力强;

更高的临界电场:导通电阻减小,阻断电压增大;

热导率:高的热导率,代表热阻小,热扩散能力好,功率密度高;

更快的饱和漂移速率:开关速度快,工作效率高;

市场现状及应用领域

目前,国际电力电子市场以年均15%的速度增长,电力电子器件的主要供应商集中在美国、日本以及欧洲,如通用电器、东芝英飞凌等。而且以硅基功率MOSFET和IGBT为代表的场控型器件占据国际市场的主导地位,其中IGBT更是有高达30%的年均增长率。而SiC和GaN等新型材料电力电子器件,受到时间、技术成熟度和成本的制约,尚处于市场开拓初期。

我国的电力电子器件市场在全球市场中占据的份额逐年增长,年增长率接近20%,已成为全球最大的功率电力电子器件需求市场。电力电子器件在当今主要的应用领域包括电力系统、消费电子、计算机、网络通信、工业控制、汽车电子等。其中前三个领域为电力电子器件的重要应用领域,占据着最大的市场份额。

半导体器件的发展史及现代半导体器件发展趋势是什么样的?

功率器件主要应用产品市场

(中国功率器件行业产销需求与投资战略规划分析报告,摘自前瞻产业研究院)

新材料应用

传统的电力电子器件一般都是以硅(Si)半导体材料制成的。近年来,出现了很多以砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、磷化铟(InP)及锗化硅(SiGe)等性能优良的新型化合物半导体材料为基础制成的电力电子器件。

①砷化镓(GaAs):继硅之后最成熟的半导体材料。具有很好的耐高温特性,有利于模块小型化,从而减小寄生电容提高开关频率。

②碳化硅(SiC):目前发展最典型的宽禁带半导体之一,被人称为第三代半导体,可制作出性能更加优异的高温、高频、高功率、高速度、抗辐射器件。

③磷化铟(InP):继Si与GaAs后的新一代功能材料,具有高耐压、更高的热导率、高场下更高的电子迁移速度。可作为高速、高频微波器件的材料。

④锗化硅(SiGe):一种高频半导体材料,既有Si工艺的集成度和成本优势,又有GaAs和InP速度方面的优点。

氮化镓(GaN):第三代半导体材料,具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性,是现在世界上人们最感兴趣的半导体材料之一。

现代电力电子器件发展趋势

现代电力电子器件仍在往大功率、易驱动和高频化方向发展,模块化是向高功率密度发展的重要一步。当前电力电子器件的主要发展趋势如下:

①IGBT(绝缘栅双极晶体管):N沟道增强型场控复合器件,兼具MOSFET和双极性器件的优点。

②MCT(MOS控制晶闸管):新型MOS与双极复合型器件,采用集成电路工艺,在普通晶闸管结构中制作大量MOS器件,通过MOS器件的通断来控制晶闸管的通断。

③IGCT(集成门极板换流晶闸管):用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。

④IEGT(电子注入增强栅晶体管):耐压达4KV以上的IGBT系列电力电子器件,通过采取增强注入的结构实现了低通态电压,使大容量电力电子器件取得飞跃性发展。

⑤IPEM(集成电力电子模块):将电力电子装置的诸多器件集成在一起的模块,实现了电力电子技术的智能化和模块化。

⑥PEBB(电力电子模块):在IPEM基础上发展起来的可处理电能集成的器件或模块。

原文标题:一文了解功率半导体器件的过去、现在与未来

文章出处:【微信号:ameya360,微信公众号:皇华电子元器件IC供应商】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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发表于 11-09 09:13 25次 阅读
模拟电路设计200问

美国禁令拔掉了中国芯片发展的獠牙

自从美国今年四月宣布对中国第二大通信公司中兴通讯的禁令后,习近平开始要求科技创新必须能够靠自己努力,....

的头像 半导体行业联盟 发表于 11-09 08:54 457次 阅读
美国禁令拔掉了中国芯片发展的獠牙

TLC NAND Flash Wafer合约价下跌13-17%,创单月跌幅新高

至于NAND Flash Wafer价格方面,以过去经验而言,跌幅通常在供应商财报季末压力下才会较为....

的头像 皇华电子元器件IC供应商 发表于 11-08 17:03 692次 阅读
TLC NAND Flash Wafer合约价下跌13-17%,创单月跌幅新高

如何通过调整门极驱动负压,来限制SiC MOSFET阈值漂移的方法

由于宽禁带半导体SiC的固有特征,以及不同于Si材料的半导体氧化层界面特性,会引起阈值电压变化以及漂....

的头像 英飞凌工业半导体 发表于 11-08 16:48 395次 阅读
如何通过调整门极驱动负压,来限制SiC MOSFET阈值漂移的方法

苹果遭遇多重利空消息打击, 市值跌破1万亿美元

长安汽车11月6日在互动平台上回答投资者提问时表示,当前,长安汽车已掌握三大类100余项智能化技术,....

的头像 TechSugar 发表于 11-08 15:30 829次 阅读
苹果遭遇多重利空消息打击, 市值跌破1万亿美元

明年半导体硅晶圆供需仍然紧缺 环球晶圆将续写历史新高

环球晶圆7日公告10月合并营收新台币52.83亿元,月增5.5%,创单月新高。

的头像 半导体动态 发表于 11-08 15:30 297次 阅读
明年半导体硅晶圆供需仍然紧缺 环球晶圆将续写历史新高

中国的芯片设计企业数量世界第一,实际水平也达到世界第二名

芯谋研究在前不久发布了《2018上半年中国集成电路设计产业研究报告》,从数据中可以看出,在需求强劲、....

的头像 TechSugar 发表于 11-08 15:27 746次 阅读
中国的芯片设计企业数量世界第一,实际水平也达到世界第二名

半导体的冰火两重天:IC持续降温O-S-D逆风上扬

据IC Insights最新调研数据显示,全球IC市场和O-S-D市场(光电器件、传感器及分立器件)正经历着截然相反的发展方向: 在...

发表于 11-08 11:50 63次 阅读
半导体的冰火两重天:IC持续降温O-S-D逆风上扬

半导体制程

摘要 : 导读:ASEMI半导体这个品牌自打建立以来,就一直不间断在研发半导体各类元器件,在半导体的制程和原理上可谓已经是...

发表于 11-08 11:10 114次 阅读
半导体制程

TRPGR30ATGB TRPGR30ATGB 32mm LF 玻璃封装应答器,RO

德州仪器(TI)32mm低频(LF)玻璃应答机提供出色性能并可在134.2kHz的共振频率上运行。此产品兼容ISO /IEC 11784/11785全球开放式标准。德州仪器(TI)LF玻璃应答机使用TI获专利的调谐制造工艺生产以提供持续的读取性能。送货前,将对此应答机进行全面的功能和参数测试,为用户提供他们希望从TI获得的高质量产品。 特性 由获专利的半双工(HDX)技术提供的同类产品中最佳性能 获专利的应用机调谐提供稳定的和高读取性能 80位只读(RO)类型 64位芯片ID 对几乎所有非金属物质不敏感 应用范围 访问控制 车辆识别 集装箱跟踪 < li>资产管理 废品管理 参数 与其它产品相比 其他无线技术   Frequency Device Type Standard Transmission Principle Operating Temperature Range (C) Approx. Price (US$) Rating   var link = "zh_CN_folder_p_quick_link_description_features_parametrics"; com.TI.Product.handleQuickLinks('parametric','参数变化','#parametrics',link); TRPGR30ATGB 134.2 kHz     Transponder     ISO 1...

发表于 11-02 19:31 4次 阅读
TRPGR30ATGB TRPGR30ATGB 32mm LF 玻璃封装应答器,RO

RF430FRL153H RF430FRL15xH NFC ISO15693 传感器应答器

RF430FRL15xH器件是一款13.56MHz应答器芯片,该芯片中包含可编程的16位MSP430低功耗微控制器。该器件采用嵌入RF430FRL15xH支持通过兼容ISO /IEC 15693和ISO /IEC 18000-3(模式1)标准的RFID接口以及SPI或I 2 C接口进行通信,参数设置和配置。该器件具有内部温度传感器功能和板载14位Σ-Δ模数转换器(ADC),支持传感器测量,并且可通过SPI或I 2 C来连接数字传感器。 RF430FRL15xH器件经过优化可在完全无源(无电池)或单节电池供电(半有源)模式下运行,从而延长消逸式和无线传感应用中电池的使用寿命。 p> 特性 兼容ISO /IEC 15693和ISO /IEC 18000-3(模式1)标准的射频(RF)接口 电源系统采用电池或13.56MHz磁场供电 14位Σ-Δ模数转换器(ADC) 内部温度传感器 电阻传感器偏置接口 CRC16 CCITT发生器 MSP430混合信号微控制器 2KB FRAM 4KB SRAM 8KB ROM 电源电压范围:1.45V至1.65V 低功耗 激活模式(AM):140μA/MHz(1.5V) 待机模式(LPM3):16μA 16位精简指令集计算机(RISC)架构 最高2MHz CPU...

发表于 11-02 19:31 0次 阅读
RF430FRL153H RF430FRL15xH NFC ISO15693 传感器应答器

TRF7962A TRF7962A 全集成 13.56MHz RFID 读/写器 IC(符合 ISO15693 标准)

TRF7962A器件是集成式模拟前端(AFE)和数据成器器件,适用于13.56MHz RFID读/写器系统,支持ISO /IEC 15693 。该器件具有内置的编程选项,因此适合于广泛的接近和附近识别系统应用。 通过在控制寄存器内选择所需的协议可对此读取器进行配置。到所有控制寄存器的直接存取可根据需要对不同的读取器参数进行微调。 TRF7962A器件针对所有符合板载ISO协议的成和和同步任务,支持6kbps和26kbps的数据速率。器件还支持NFC论坛标签类型5的读/写器模式。为了支持NFC论坛标签类型5,该器件允许在直接模式2下使用内置协议解码器.NFC论坛标签类型1要求使用直接模式0.其它标准和自定义协议也可通过使用直接模式0来实现。直接模式0可让用户完全控制AFE,并且还可以访问原始子载波数据或者未成而但已经是ISO式的数据和相关(提取的)时钟信号。 接收器系统具有双输入接收器架构,可最大程度实现通信稳定。这些接收器还包括多种自动和手动增益控制选项。在RSSI寄存器中可获取从应答器,周围信号源或者内部电平接收到的信号强度。 可使用SPI或并行接口进行MCU和TRF7962A读取器间的通信。当使用内置的硬件编码器和解码器的时...

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TRF7962A TRF7962A 全集成 13.56MHz RFID 读/写器 IC(符合 ISO15693 标准)

TMS3705 LF 阅读器 IC

TMS3705转发器基站IC用于驱动TI-RFid转发器系统的天线,发送天线信号上调制的数据,并进行检测并解调发送应答器的响应。应答器的响应是频移键控(FSK)信号。高或低位编码为两个不同的高频信号(低位为134.2 kHz,高位为123 kHz,标称值)。应答器根据内部存储的代码在天线线圈中感应这些信号。应答器发送数据所需的能量存储在应答器中的充电电容器中。天线场在前一个充电阶段对该电容器充电。 IC具有与外部微控制器的接口。 微控制器和基站IC的时钟供应有两种配置: 微控制器和基站IC提供仅从一个谐振器得到的时钟信号:谐振器连接到微控制器。向基站IC提供由微控制器的数字时钟输出驱动的时钟信号。时钟频率为4 MHz或2 MHz,具体取决于所选的微控制器类型。 微控制器和基站各有自己的谐振器。 基座站IC具有片上PLL,仅产生16 MHz的时钟频率,仅供内部时钟供电。建议仅将TMS3705BDRG4和TMS3705DDRQ1与AES转发器产品(例如,TRPWS21GTEA或RF430F5xxx)结合使用。 TMS3705A1DRG4不能与AES转发器产品结合使用。 特性 用于TI-RFid射频识别系统的基站IC 驱动天线 发送调制数据...

发表于 11-02 19:31 2次 阅读
TMS3705 LF 阅读器 IC

RF430FRL154H RF430FRL15xH NFC ISO15693 传感器应答器

RF430FRL15xH器件是一款13.56MHz应答器芯片,该芯片中包含可编程的16位MSP430低功耗微控制器。该器件采用嵌入RF430FRL15xH支持通过兼容ISO /IEC 15693和ISO /IEC 18000-3(模式1)标准的RFID接口以及SPI或I 2 C接口进行通信,参数设置和配置。该器件具有内部温度传感器功能和板载14位Σ-Δ模数转换器(ADC),支持传感器测量,并且可通过SPI或I 2 C来连接数字传感器。 RF430FRL15xH器件经过优化可在完全无源(无电池)或单节电池供电(半有源)模式下运行,从而延长消逸式和无线传感应用中电池的使用寿命。 p> 特性 兼容ISO /IEC 15693和ISO /IEC 18000-3(模式1)标准的射频(RF)接口 电源系统采用电池或13.56MHz磁场供电 14位Σ-Δ模数转换器(ADC) 内部温度传感器 电阻传感器偏置接口 CRC16 CCITT发生器 MSP430混合信号微控制器 2KB FRAM 4KB SRAM 8KB ROM 电源电压范围:1.45V至1.65V 低功耗 激活模式(AM):140μA/MHz(1.5V) 待机模式(LPM3):16μA 16位精简指令集计算机(RISC)架构 最高2MHz CPU...

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RF430FRL154H RF430FRL15xH NFC ISO15693 传感器应答器

RI-TRP-DR2B 32mm 多页玻璃管型感应器

TI 32毫米玻璃转发器具有卓越的性能,可在134.2 kHz的共振频率下工作。特定产品符合ISO 11784和ISO 11785全球开放标准。 TI LF转发器采用TI专利调谐工艺制造,可提供一致的读写性能。在交付之前,应答器经过完整的功能和参数测试,以提供客户期望从TI获得的高质量。该应答器非常适合广泛的应用,包括但不限于门禁控制,车辆识别,集装箱跟踪,资产管理和废物管理应用。 显示RI-TRP- DR2B转发器。 特性 通过专利的半双工(HDX)技术实现一流的性能 获得专利的转发器调整提供稳定和高效读写性能 MPT 1360-Bit Type 符合ISO 11784和ISO 11785标准 对几乎所有非金属材料不敏感 参数 与其它产品相比 其他无线技术   Frequency Device Type Standard Transmission Principle Operating Temperature Range (C) Approx. Price (US$) Rating   var link = "zh_CN_folder_p_quick_link_description_features_parametrics"; com.TI.Product.handleQuickLinks('parametric','参数变化','#parametrics',link); RI-TRP-DR2B 134.2 kHz     T...

发表于 11-02 19:31 4次 阅读
RI-TRP-DR2B 32mm 多页玻璃管型感应器

RF37S114 Tag-it HF-I 5 类 NFC,ISO15693 应答器,4mm × 4mm

TI的Tag-itHF-I 5类NFC应答器符合ISO /IEC 15693和ISO /IEC 18000-3全球开放式标准。本产品具有用户可访问的256位存储器,分为8个存储块,并且拥有一个经过优化的命令集。本应答器产品随附集成天线,因此可直接应用,无需连接外部天线。 应答器如所示。 特性 ISO /IEC 15693-2,ISO /IEC 15693-3,ISO /IEC 18000-3,NFC标签类型5 集成天线 13.56MHz工作频率 256位用户存储器,分为八个32位存储块 应用系列标识符(AFI) 快速同步识别(防冲突) 应用 产品认证 供应链管理 li> 资产管理 医疗 参数 与其它产品相比 其他无线技术   Frequency Device Type Standard Transmission Principle Operating Temperature Range (C) Approx. Price (US$) Rating   var link = "zh_CN_folder_p_quick_link_description_features_parametrics"; com.TI.Product.handleQuickLinks('parametric','参数变化','#parametrics',link); RF37S114 13.56 MHz     Transponder     ISO/IEC 15693-2 ISO/IEC 1569...

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RF37S114 Tag-it HF-I 5 类 NFC,ISO15693 应答器,4mm × 4mm

CC2511 2.4GHz 无线电收发器、8051 MCU、16KB 或 32KB 闪存和全速 USB 接口

CC2510Fx /CC2511Fx是一款真正的低成本2.4 GHz片上系统(SoC),专为低功耗无线应用而设计。 CC2510Fx /CC2511Fx将最先进的RF收发器CC2500的卓越性能与业界标准的增强型8051 MCU,高达32 kB的系统内可编程闪存和4 kB RAM以及其他许多强大功能相结合。特征。小型6x6 mm封装非常适合尺寸限制的应用。 CC2510Fx /CC2511Fx非常适合需要极低功耗的系统。这是由几种先进的低功耗操作模式确保的。 CC2511Fx为CC2510Fx的功能集添加了全速USB控制器。使用USB接口与PC连接既快速又简单,USB接口的高数据速率(12 Mbps)避免了RS-232或低速USB接口的瓶颈。 特性 无线电 基于市场领先的CC2500的高性能射频收发器 出色的接收器选择性和阻塞性能 高灵敏度(2.4 kBaud时-103 dBm) 可编程数据速率高达500 kBaud 可编程输出功率所有支持的频率最高可达1 dBm 频率范围:2400 - 2483.5 MHz 数字RSSI /LQI支持 < li>电流消耗 低电流消耗(RX:17.1 mA @ 2.4 kBaud, TX:16 mA @ -6 dBm输出功率) 0.3μA(PM3)功耗最低的模式) MCU,存储器和外设 高性能,低功耗8051单片机...

发表于 11-02 19:31 0次 阅读
CC2511 2.4GHz 无线电收发器、8051 MCU、16KB 或 32KB 闪存和全速 USB 接口

TRF7964A TRF7964A 多协议完全集成的 13.56MHz RFID 读/写器 IC

TRF7964A器件是集成式模拟前端(AFE)和多协议数据组帧器件,适用于13.56MHz NFC /RFID读写器系统,支持ISO /IEC 14443 A和B,Sony FeliCa以及ISO /IEC 15693.与超集器件TRF7970A之间实现了引脚到引脚兼容以及固件兼容。该器件具有内置的编程选项,因此适合于接近和邻近识别系统的广泛应用。 通过在控制寄存器内选择所需的协议可对此器件进行配置。通过对所有控制寄存器进行直接存取,可根据需要对不同的读取器参数进行微调。 TRF7964A器件针对所有符合板载ISO协议的组帧和同步任务,支持高达848kbps的数据速率。可通过使用该器件提供的直接模式之一来实现其他标准甚至自定义协议。这些直接模式可让用户完全控制AFE,并且还可以访问原始子载波数据或者未组帧但已经是ISO格式的数据和相关(提取的)时钟信号。 接收器系统具有双输入接收器架构,可最大程度实现通信稳定。接收器还包括多种自动和手动增益控制选项。在RSSI寄存器中可获取从应答器,周围信号源或者内部电平接收到的信号强度。 可使用SPI或并行接口进行MCU和TRF7964A器件间的通信。当使用内置的硬件编码器和解码器时,发送和接收功能使...

发表于 11-02 19:31 0次 阅读
TRF7964A TRF7964A 多协议完全集成的 13.56MHz RFID 读/写器 IC

CC2620 SimpleLink™ RF4CE 超低功耗无线微控制器

CC2620器件是一款无线微控制器(MCU),主要适用于ZigBeeRF4CE远程控制应用,涉及控制器和目标节点。 此器件属于SimpleLink™CC26xx系列中的经济高效型超低功耗2.4GHz RF器件。它具有极低的有源RF和MCU电流以及低功耗模式流耗,可确保卓越的电池使用寿命, SimpleLink蓝牙低功耗CC2620器件含有一个32位ARM ® Cortex ® -M3内核(与主处理器工作频率同为48MHz),并且具有丰富的外设功能集,其中包括一个独特的超低功耗传感器控制器。此传感器控制器非常适合连接外部传感器,还适合因此,CC2620器件成为ZigBee RF4CE远程控制的理想选择,支持语音,运动控制,RF-IR混合远程控制以及电容触控式qwerty键盘和STB /目标节点。 CC2620无线MCU的电源和时钟管理以及无线系统需要采用特定配置并由软件处理才能正确运行,这已经在TI-RTOS中实现.TI建议将此软件框架应用于针对器件的全部应用程序开发过程。完整的TI-RTOS和器件驱动程序以源代码形式免费提供,下载地址:www.ti.com。 < p> IEEE 802.15.4 MAC嵌入ROM中,并在ARM ® Cortex ® -M0处理器上单独运行。此架构可改善整体系统...

发表于 11-02 19:31 5次 阅读
CC2620 SimpleLink™ RF4CE 超低功耗无线微控制器

TRF7960A TRF7960A 多协议全集成 13.56MHz RFID 读/写器 IC

TRF7960A器件是集成式模拟前端(AFE)和多协议数据成器器件,适用于13.56MHz RFID读/写器系统,支持ISO /IEC 14443 A和B,Sony FeliCa以及ISO /IEC 15693.该器件具有内置的编程选项,因此适合于广泛的接近和附近识别系统应用。 通过在控制寄存器内选择所需的协议可对此读取器进行配置。到所有控制寄存器的直接存取可根据需要对不同的读取器参数进行微调。 TRF7960A器件针对所有符合板载ISO协议的成和同步任务,支持高达848kbps的数据速率。此器件还支持NFC论坛标签类型1,2,3,4和5的读/写器模式。为了支持NFC论坛标签类型2,3,4和5,该器件允许在直接模式2下使用内置协议解码器.NFC论坛标签类型1要求使用直接模式0.其它标准和自定义协议也可通过使用直接模式0来实现。直接模式0可让用户完全控制AFE,并且还可以访问原始子载波数据或者未成而但已经是ISO格式的数据和相关(提取的)时钟信号。 接收器系统具有双输入接收器架构,可最大程度实现通信稳定。这些接收器还包括多种自动和手动增益控制选项。在RSSI寄存器中可获取从应答器,周围信号源或者内部电平接收到的信号强度。 可使用SPI或并行接口进行MC...

发表于 11-02 19:31 6次 阅读
TRF7960A TRF7960A 多协议全集成 13.56MHz RFID 读/写器 IC

TLE2426-EP 增强型产品轨分离器精密虚拟接地

在使用单电源的信号调理应用中,需要一个等于电源电压一半的参考电压来终止所有模拟信号接地。 TI提供精密虚拟接地,其输出电压始终等于TLE2426分压器输入电压的一半。 高性能微功率运算放大器和精密调节分压器的独特组合单个硅芯片导致精确的V O /V I 比为0.5,同时下沉和输出电流。 TLE2426提供具有20 mA灌电流和源极功能​​的低阻抗输出,同时在4 V至40 V的整个输入范围内提供低于280μA的电源电流。设计人员无需为电路板空间付出代价传统的信号接地,包括电阻,电容,运算放大器和电压基准。为提高性能,8引脚封装提供降噪引脚。通过增加一个外部电容(C NR ),可以降低峰峰值噪声,同时改善线路纹波抑制。 单个5-的初始输出容差在整个40 V输入范围内,V或12 V系统优于1%。纹波抑制超过12位精度。无论应用是用于数据采集前端,模拟信号终端还是简单的精密电压基准,TLE2426都消除了系统误差的主要来源。 特性 受控基线 一个装配/测试现场,一个制造现场 -55°C至125°C的扩展温度性能 增强的减少制造资源(DMS)支持 增强产品更改通知 资格认证谱系(1) 模拟系统的半个V I 虚拟接地 微功率运行。 。 。 170μ...

发表于 11-02 19:30 0次 阅读
TLE2426-EP 增强型产品轨分离器精密虚拟接地

TVP5150AM1-EP 增强型产品超低功耗 NTSC/PAL/SECAM 视频解码器

TVP5150AM1器件是超低功耗NTSC /PAL /SECAM视频解码器。 TVP5150AM1解码器采用节省空间的32端TQFP封装,可将NTSC,PAL和SECAM视频信号转换为8位ITU-R BT.656格式。也可以使用离散同步。 TVP5150AM1解码器的优化架构可实现超低功耗。该解码器在典型操作中功耗为115 mW,在省电模式下功耗不到1 mW,大大延长了便携式应用的电池寿命。解码器仅使用一个晶体来支持所有标准。可以使用I 2 C串行接口对TVP5150AM1解码器进行编程。解码器的模拟和数字电源采用1.8 V电源,I /O采用3.3 V电源。 TVP5150AM1解码器将基带模拟视频转换为数字YCbCr 4:2:2分量视频。支持复合和S-video输入。 TVP5150AM1解码器包括一个带2倍采样的9位模数转换器(ADC)。采样是ITU-R BT.601(27.0 MHz,由14.31818-MHz晶振或振荡器输入产生)并且是线路锁定的。输出格式可以是8位4:2:2或带有嵌入式同步的8位ITU-R BT.656。 TVP5150AM1解码器利用德州仪器专利技术锁定弱电,噪声或信号不稳定。生成同步锁相/实时控制(RTC)输出,用于同步下游视频编码器。 可以为亮度和色度数据路径...

发表于 11-02 19:30 0次 阅读
TVP5150AM1-EP 增强型产品超低功耗 NTSC/PAL/SECAM 视频解码器

UC1637-SP 用于直流电机驱动的开关模式控制器

UC1637是一款脉冲宽度调制器电路,旨在用于需要单向或双向驱动的各种PWM电机驱动和放大器应用电路。当用于替换传统驱动器时,该电路可以提高效率并降低许多应用的元件成本。包括所有必要的电路,以产生模拟误差信号,并与误差信号的幅度和极性成比例地调制两个双向脉冲序列输出。 该单片器件包含一个锯齿波振荡器,误差放大器和两个PWM比较器具有±100 mA输出级作为标准功能。保护电路包括欠压锁定,逐脉冲电流限制和具有2.5 V温度补偿阈值的关断端口。 UC1637的特点是在整个空间温度范围内工作 - 55°C至125°C。 特性 QML-V合格,SMD 5962-89957 耐辐射:30 kRad(Si)TID ( 1) TID剂量率= 10 mRad /sec 单电源或双电源操作 ±2.5- V至±20V输入电源范围 ±5%初始振荡器精度; ±10%过温 逐脉冲电流限制 欠压锁定 具有温度补偿2.5 V阈值的关断输入 用于设计灵活性的未提交PWM比较器 双100 mA源/灌电流输出驱动器 (1)辐射公差是基于初始设备认证的典型值。可提供辐射批次验收测试 - 有关详细信息,请联系工厂。 参数 与其它产品相比 电机驱动器   Peak Output Current (A) Featur...

发表于 11-02 18:49 0次 阅读
UC1637-SP 用于直流电机驱动的开关模式控制器

DRV8842-EP 5A 刷式直流或半双极步进电机驱动器(PWM 控制)

DRV8842-EP可用于打印机,扫描仪以及其它自动化设备应用提供集成电机驱动器解决方案。此器件具有一个H桥驱动器,用于驱动一个直流电机,一个步进电机线圈或其它负载。输出驱动器块包括配置为一个H桥的N通道功率MOSFET.DRV8842-EP可提供最高5A的峰值电流或3.5A的RMS输出电流(在24 V /25°C且散热正常的条件下)。 提供可单独控制H桥每一半的独立输入。 提供用于过流保护,短路保护,欠压锁定和过热保护的内部关断功能。 DRV8842-EP采用带有PowerPAD的28引脚HTSSOP封装(环保型:符合RoHS标准且不含铅/溴)。要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 特性 单路H桥电流控制电机驱动器 驱动一个直流电机,一个步进电机线圈或其它传动器< /li> 5位绕组电流控制支持高达32个电流级 低MOSFET导通电阻 24V /25°C下最大驱动电流为5A 内置3.3V基准输出 工业标准的PWM控制接口 8.2V至45V宽工作电源电压范围 散热增强型表面贴装封装 支持国防,航天和医疗应用 受控基线 同一组装和测试场所 < li>同一制造场所 支持军用(-55°C至125°C)温度范围 延长的产品生命周期 延长的产品变...

发表于 11-02 18:49 6次 阅读
DRV8842-EP 5A 刷式直流或半双极步进电机驱动器(PWM 控制)

THS8200-EP 增强型产品三路 10 位全格式视频 DAC

THS8200是一款完整的视频后端D /A解决方案,适用于DVD播放器,个人视频录像机和机顶盒,或任何需要转换的系统数字分量视频信号进入模拟域。 THS8200可接受4:4:4和4:2:2格式的各种数字输入格式,3×10位,2 ×10位或1×10位接口。该设备通过专用的Hsync /Vsync输入或通过从视频流内的嵌入式同步(SAV /EAV)代码中提取同步信息来同步输入的视频数据。或者,当配置为生成PC图形输出时,THS8200还提供主时序模式,在该模式下,它从外部(存储器)源请求视频数据。 THS8200包含一个完全可编程的显示时序发生器标准和非标准视频格式,最大支持像素时钟为205 MSPS。因此,该设备支持所有分量视频和PC图形(VESA)格式。包含完全可编程的3×3矩阵运算,用于色彩空间转换。所有视频格式,高达HDTV 1080I和720P格式,也可以在内部进行2倍过采样。过采样放宽了对DAC背后尖锐外部模拟重建滤波器的需求,并改善了视频特性。 输出兼容范围可通过外部调节电阻设置,可选择两种设置,以便无需硬件更改即可适应分量视频/PC图形(700 mV)和复合视频(1.3 V)输出。视频数据上的内部可编程限幅/移位/乘法功能可确保符合标准的...

发表于 11-02 18:49 2次 阅读
THS8200-EP 增强型产品三路 10 位全格式视频 DAC

UC1625-SP 适合空间应用的无刷 DC 电机控制器

UC1625电机控制器在一个封装内集成了高性能无刷dc电机控制所需的大多数功能。当与外部功率场效应管( MOSFET)或者达灵顿功率管(达林顿)耦合的时候,此器件在电压或者电流模式下件执行固定频率PWM电机控制的同时执行闭环速度控制和具有智能噪音抑制功能的刹车,安全方向反转,和交叉传导保护。 虽然额定工作电压范围是10 V至18V,UC1625可借助于外部电平位移组件来控制具有更高电源电压的器件.UC1625含有用于低侧功率器件的快速,高电流推挽驱动器和用于高侧功率器件或者电平位移电路的50 V开路集电极输出。 UC1625额定军用工作温度范围是-55°C至125°C 。 特性 经QML-V标准认证,SMD 5962-91689 耐辐射:40 kRad(Si)TID辐射容 直接驱动功率场效应管(MOSFET)的限制基于初始器件鉴定(放射量率= 10 mrad /sec)的典型值。可提供辐射批量接受测试 - 详情请与厂家联系。或者达灵顿功率管(Darlington) 50-V开路集电极高层驱动器 锁存软启动 装有理想二极管的高速电流感应放大器 逐脉冲和平均电流感应 过压及欠压保护 用于安全方向反转的方向闩 转速计 修整参考源30 mA 可编程交叉传导保护 两象限和四象限...

发表于 11-02 18:49 11次 阅读
UC1625-SP 适合空间应用的无刷 DC 电机控制器

DRV8332-HT 三相 PWM 电机驱动器,DRV8332-HT

DRV8332是一款具有先进保护系统的高性能,集成三相电机驱动器。 由于功率MOSFET的低R < sub> DS(导通)和智能栅极驱动器设计,这个电机驱动器的效率可高达97%,可实现更小电源和散热片的使用,是高能效应用的理想选择。 DRV8332需要两个电源,一个为12V,用于GVDD和VDD,另外一个可高达50V,用于PVDD.DRV8332在高达500kHz PWM开关频率运行时仍可保持高精度和高效率。它还具有一个创新保护系统,此系统可在很宽故障条件下保护器件不受损伤。这些保护是短路保护,过流保护,欠压保护和两级过热保护.DRV8332有一个限流电路,此电路可在诸如电机启动等负载瞬态期间防止器件过流关断。一个可编程过流检测器可实现可调电流限值和保护级别以满足不同的电机需要。 DRV8332具有用于每个半桥的独特独立电源和接地引脚,这样可通过外部检测电阻来提供电流测量,并且支持具有不同电源电压需求的半桥驱动器。 特性 具有低R DS(导通)金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)(T J = 25°C时为80mΩ)的高效功率驱动器(高达97%) 运行电源电压高达50V (绝对最大值70V) 高达5A持续相电流(峰值7A...

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揭秘肖特基二极管的反向恢复时间

  揭秘肖特基二极管的反向恢复时间   肖特基二极管和一般二极管的差异在于反向恢复时间,也就是肖特基二极管由流过正向电...

发表于 11-02 11:54 107次 阅读
揭秘肖特基二极管的反向恢复时间

《基于Silvaco的半导体工艺与器件仿真傻瓜教程》pdf版

发表于 11-01 16:07 190次 阅读
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TRPGR30ATGA TRPGR30ATGA 23mm 低频玻璃封装应答器,R/O

德州仪器(TI)23mm低频(LF)玻璃应答器提供出色性能并可在134.2kHz的共振频率上运行。此产品兼容ISO /IEC 11784/11785全球开放式标准。德州仪器(TI)LF玻璃应答器使用TI获专利的调谐制造工艺生产以提供持续的读取性能。送货前,将对此应答器进行全面的功能和参数测试,为用户提供他们所期望从TI获得的高质量产品。 特性 由获专利的半双工(HDX)技术提供的同类产品中最佳性能 获专利的应用器调谐提供稳定的和高读取性能 80位只读类型 64位芯片ID 对几乎所有非金属物质不敏感< /li> 应用范围 车辆识别 集装箱跟踪 资产管理 参数 与其它产品相比 其他无线技术   Frequency Device Type Standard Transmission Principle Operating Temperature Range (C) Approx. Price (US$) Rating   var link = "zh_CN_folder_p_quick_link_description_features_parametrics"; com.TI.Product.handleQuickLinks('parametric','参数变化','#parametrics',link); TRPGR30ATGA 134.2 kHz     Transponder     ISO11785     HDX - F...

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TRPGR30ATGA TRPGR30ATGA 23mm 低频玻璃封装应答器,R/O

RF430CL331H RF430CL331H 动态 NFC 接口应答器

德州仪器(TI)动态近场通信(NFC)/射频识别(RFID)接口应答器RF430CL331H是一款NFC标签类型4器件,可结合一个非接触式NFC /RFID接口和一个有线I 2 C接口将器件连接到主机.NDEF消息可通过集成的I 2 C串行通信接口读写,也可通过支持高达848kbps速率的集成ISO /IEC 14443标准类型B RF接口进行非接触式访问或更新。 该器件按主机控制器的需求请求响应NFC类型4命令,每次仅在其缓存中存储部分NDEF消息。这使得NDEF消息的大小仅受主机控制器的存储器容量以及规范的限制。 该器件支持读缓存,预取和写自动确认功能,可提高数据吞吐量。 该器件可利用简单而直观的NFC连接切换来替代载波方式,只需一次点击操作即可完成诸如,低功耗(BLE)或Wi- Fi的配对过程或认证过程。 作为一个常见N. FC接口,RF430CL331H使得终端设备能够与启用NFC的智能手机,平板电脑和笔记本电脑这类快速发展的基础设施进行通信。 特性 通过直通操作向主机控制器发送数据更新和请求 I 2 C接口允许对内部静态随机存取存储器(SRAM)进行读写操作 预取,缓存和自动应答特性提高数据吞吐量 支持数据流 <...

发表于 08-20 17:57 72次 阅读
RF430CL331H RF430CL331H 动态 NFC 接口应答器