张飞软硬开源基于STM32 BLDC直流无刷电机驱动器开发视频套件,👉戳此立抢👈

半导体器件的发展史及现代半导体器件发展趋势是什么样的?

皇华电子元器件IC供应商 2018-07-15 09:35 次阅读

电力电子器件(Power Electronic Device)又称为功率半导体器件,主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上),其不断发展引导着各种电力电子拓扑电路的不断完善,今天小慕带大家一起回顾下电力电子器件的发展史,一起领略人类智慧如何一步步进入这个神奇的电力世界。

半导体器件的发展史及现代半导体器件发展趋势是什么样的?

史前

这个得从爱迪生在研究电灯泡时说起,他做了管壁的防尘防烟实验,1880年无意间发现在灯泡管内插入独立电极的地方与灯丝之间,在某种条件下会产生电流。这个现象被称为「爱迪生效应」,爱迪生本人没有继续探讨,直到1904年英国佛莱明在横越大西洋无线电通信发报机中,才首次利用「爱迪生效应」研制出一种能够充当交流电整流和无线电检波的特殊灯泡—“热离子阀”,从而催生了世界上第一只电子管,称为佛莱明管(二极检波管),也就是人们所说的真空二极管,世界进入电子时代,主要应用的是通信和无线电领域。当时的佛莱明管只有检波与整流的功用,而且并不稳定。

半导体器件的发展史及现代半导体器件发展趋势是什么样的?

第一只真空二极管

1906年,为了提高真空二极管检波灵敏度,德·福雷斯特在佛莱明的玻璃管内添加了栅栏式的金属网,形成第三个极,三极真空管被发明,让真空管具有放大与振荡的功能,我们通常认定1906年是真空管元年。

半导体器件的发展史及现代半导体器件发展趋势是什么样的?

德·福雷斯特与真空三极管

1930年代-1950年代,水银整流器迅速发展,广泛应用于电化学工业、电气铁道直流变电、直流电动机的传动,此时,整流、逆变、周波变流电路都已成熟并被广泛应用。

1947年,美国著名的贝尔实验室发明了晶体管,这个晶体管是点触式器件,用多晶锗做成,继而硅材料器件同样实现,一场电子技术的革命开始了。

半导体器件的发展史及现代半导体器件发展趋势是什么样的?

第一个晶体管

时代的开始

1957年,美国通用电气公司,第一个晶闸管出现,标志着电力电子技术的诞生,正式进入了电力电子技术阶段,也就是第一代电力电子器件稳步发展的开始。

第一代电力电子器件就是以晶闸管为代表,主要用于相控电路。这些电路十分广泛地用在电解、电镀、直流电机传动、发电机励磁等整流装置中,与传统的汞弧整流装置相比,不仅体积小、工作可靠,而且取得了十分明显的节能效果,因此电力电子技术的发展也越来越受到人们的重视,已普遍应用于变频调速、开关电源、静止变频等电力电子装置中。

但是由于第一代电力电子器件通过其门极只能控制其导通,不能控制其关断,所以只能是半控型器件。半控型器件在直流供电场合,要实现关断必须另加电感、电容和其他辅助开关器件组成强迫换流电路,这样造成的缺点是:变流装置整机体积增大,重量增加、效率降低,并且工作频率一般低于400Hz。

快速发展时期

1970年代后期,门极可关断晶闸管GTO、电力双极型晶体管BJT、电力场效应晶体管功率MOSFET为代表的全控型器件迅速发展,第二代电力电子器件应运而生,其工作频率达到兆赫级。集成电路的技术促进了器件的小型化和功能化。这些新成就为发展高频电力电子技术提供了条件,推动电力电子装置朝着智能化、高频化的方向发展。

第二代电力电子器件就实现了既能被控制导通,也能控制关断的全控型器件,使得各类电力电子变换电路及控制系统开始不断涌现,如直流高频斩波电路、软开关谐振电路、脉宽调制电路等。一直沿用于今天的各种常见电源上,跨入全控器件快速发展阶段。

1980年代后期,以绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)集合了MOSFET的驱动功率小、开关速度快和BJT通态压降小、载流能力大的优点,成为现代电力电子技术的主要器件;在中低频大功率电源中占重要地位。20世纪90年代,智能功率模块使功率器件的发展向大功率、高频化、高效率跨向一大步。

↓ 电力电子器件发展图 ↓

半导体器件的发展史及现代半导体器件发展趋势是什么样的?

不同器件各居领地

这些功率器件在各自不同的领域发挥着各自重要的作用。按照导通、关断的受控情况可分为不可控、半控和全控型器件,按照载流子导电情况可分为双极型、单极型和复合型器件,按照控制信号情况,可以分为电流驱动型和电压驱动型器件,根据它们的这些结构和特点应用领域也不完全相同。

电力电子器件分类及特点

目前,以MOSFET、IGBT、晶闸管等为代表的主流功率器件在各自的频率段和电源功率段占有一席之地。

功率MOSFET的问世打开了高频应用的大门,这种电压控制型单极型器件,主要是通过栅极电压来控制漏极电流,因而它有一个显著特点就是驱动电路简单、驱动功率小,开关速度快,高频特性好,最高工作频率可达1MHz以上,适用于开关电源和高频感应加热等高频场合,且安全工作区广,没有二次击穿问题,耐破坏性强。缺点是电流容量小,耐压低,通态压降大,不适宜大功率装置。目前MOSFET主要应用于电压低于1000V,功率从几瓦到数千瓦的场合,广泛应用于充电器、适配器、电机控制、PC电源、通信电源、新能源发电、UPS、充电桩等场合。

IGBT综合了MOSFET和双极型晶体管的优势,有输入阻抗高,开关速度快,驱动电路简单等优点,又有输出电流密度大,通态压降下,电压耐压高的优势,电压一般从600V~6.5kV。IGBT优势通过施加正向门极电压形成沟道,提供晶体管基极电流使IGBT导通,反之,若提供反向门极电压则可消除沟道,使IGBT因流过反向门极电流而关断。比较而言,IGBT开关速度低于MOSFET,却明显高于GTR;IGBT的通态压降同GTR接近,但比功率MOSFET低很多;IGBT的电流、电压等级与GTR接近,而比功率MOSFET高。由于IGBT的综合优良性能,已经取代GTR,成为逆变器、UPS、变频器、电机驱动、大功率开关电源,尤其是现在炙手可热的电动汽车、高铁等电力电子装置中主流的器件。

各器件应用电路

单管输出功率与工作频率的关系

各器件电压和输出功率水平

第三代宽禁带半导体器件

前面都是以Si材料为基础的各种电力电子器件,随着Si材料电力电子器件逐渐接近其理论极限值,利用宽禁带半导体材料制造的电力电子器件显示出比Si和GaAs更优异的特性,给电力电子产业的发展带来了新的生机。相对于Si材料,使用宽禁带半导体材料制造新一代的电力电子器件,可以变得更小、更快、更可靠和更高效。这将减少电力电子元件的质量、体积以及生命周期成本,允许设备在更高的温度、电压和频率下工作,使得电子电子器件使用更少的能量却可以实现更高的性能。下图中对Si、4H-SiC以及GaN的几个重要参数性能进行了对比。基于这些优势,宽禁带半导体在家用电器、电力电子设备、新能源汽车、工业生产设备、高压直流输电设备、移动基站等系统中都具有广泛的应用前景。

不同半导体材料的参数对比

其中:

禁带宽度Eg增加:反向漏电减小,工作温度高,抗辐射能力强;

更高的临界电场:导通电阻减小,阻断电压增大;

热导率:高的热导率,代表热阻小,热扩散能力好,功率密度高;

更快的饱和漂移速率:开关速度快,工作效率高;

市场现状及应用领域

目前,国际电力电子市场以年均15%的速度增长,电力电子器件的主要供应商集中在美国、日本以及欧洲,如通用电器、东芝、英飞凌等。而且以硅基功率MOSFET和IGBT为代表的场控型器件占据国际市场的主导地位,其中IGBT更是有高达30%的年均增长率。而SiC和GaN等新型材料电力电子器件,受到时间、技术成熟度和成本的制约,尚处于市场开拓初期。

我国的电力电子器件市场在全球市场中占据的份额逐年增长,年增长率接近20%,已成为全球最大的功率电力电子器件需求市场。电力电子器件在当今主要的应用领域包括电力系统、消费电子、计算机、网络通信、工业控制、汽车电子等。其中前三个领域为电力电子器件的重要应用领域,占据着最大的市场份额。

半导体器件的发展史及现代半导体器件发展趋势是什么样的?

功率器件主要应用产品市场

(中国功率器件行业产销需求与投资战略规划分析报告,摘自前瞻产业研究院)

新材料应用

传统的电力电子器件一般都是以硅(Si)半导体材料制成的。近年来,出现了很多以砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、磷化铟(InP)及锗化硅(SiGe)等性能优良的新型化合物半导体材料为基础制成的电力电子器件。

①砷化镓(GaAs):继硅之后最成熟的半导体材料。具有很好的耐高温特性,有利于模块小型化,从而减小寄生电容提高开关频率。

②碳化硅(SiC):目前发展最典型的宽禁带半导体之一,被人称为第三代半导体,可制作出性能更加优异的高温、高频、高功率、高速度、抗辐射器件。

③磷化铟(InP):继Si与GaAs后的新一代功能材料,具有高耐压、更高的热导率、高场下更高的电子迁移速度。可作为高速、高频微波器件的材料。

④锗化硅(SiGe):一种高频半导体材料,既有Si工艺的集成度和成本优势,又有GaAs和InP速度方面的优点。

⑤氮化镓(GaN):第三代半导体材料,具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性,是现在世界上人们最感兴趣的半导体材料之一。

现代电力电子器件发展趋势

现代电力电子器件仍在往大功率、易驱动和高频化方向发展,模块化是向高功率密度发展的重要一步。当前电力电子器件的主要发展趋势如下:

①IGBT(绝缘栅双极晶体管):N沟道增强型场控复合器件,兼具MOSFET和双极性器件的优点。

②MCT(MOS控制晶闸管):新型MOS与双极复合型器件,采用集成电路工艺,在普通晶闸管结构中制作大量MOS器件,通过MOS器件的通断来控制晶闸管的通断。

③IGCT(集成门极板换流晶闸管):用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。

④IEGT(电子注入增强栅晶体管):耐压达4KV以上的IGBT系列电力电子器件,通过采取增强注入的结构实现了低通态电压,使大容量电力电子器件取得飞跃性发展。

⑤IPEM(集成电力电子模块):将电力电子装置的诸多器件集成在一起的模块,实现了电力电子技术的智能化和模块化。

⑥PEBB(电力电子模块):在IPEM基础上发展起来的可处理电能集成的器件或模块。

原文标题:一文了解功率半导体器件的过去、现在与未来

文章出处:【微信号:ameya360,微信公众号:皇华电子元器件IC供应商】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

Jean-Marc Chery:半导体技术引路,物联网从愿景走向现实

“在物联网时代,我们的愿景是让数十亿智能物联网设备实现互联互通;让几乎任何系统都可以利用互联网和云计....
的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 04-26 15:29 22次 阅读
Jean-Marc Chery:半导体技术引路,物联网从愿景走向现实

上海积塔半导体有限公司获新一轮增资

2019年4月24日,华大半导体与上海基金就积塔半导体的增资签署协议,签约仪式在积塔半导体临港新厂区....
的头像 华大半导体有限公司 发表于 04-26 15:05 26次 阅读
上海积塔半导体有限公司获新一轮增资

继电器应用需要注意的问题!环境对继电器应用的影响

在使用中,如果接点的负载能力满足不了使用要求时,可以采取几对接点并联的方法来解决。但在使用前应进行调....
的头像 传感器技术 发表于 04-26 14:05 42次 阅读
继电器应用需要注意的问题!环境对继电器应用的影响

中科院在石墨烯外延深紫外LED研究中取得新进展

中国科学院半导体研究所照明研发中心与北京大学纳米化学研究中心、北京石墨烯研究院刘忠范团队合作,开发出....
的头像 广明源照明 发表于 04-26 11:06 111次 阅读
中科院在石墨烯外延深紫外LED研究中取得新进展

借政策东风,三星望在非存储类半导体占据一席之地

从韩国三星电子及韩国半导体产业协会方面了解到,为配合韩国政府对于半导体产业的扶持计划,三星电子将出资....
的头像 集成电路园地 发表于 04-26 10:49 105次 阅读
借政策东风,三星望在非存储类半导体占据一席之地

论汽车功率半导体IGBT与SiC

目前,全球新能源汽车发展方兴未艾,而中国是一块重要市场,具有巨大的发展潜力。
的头像 GaN世界 发表于 04-26 10:47 110次 阅读
论汽车功率半导体IGBT与SiC

罗姆收购松下部分半导体业务

日本半导体厂商罗姆于4月23日宣布收购松下半导体事业部门经营的二极管与三极管事业部分业务。
的头像 集成电路园地 发表于 04-26 10:44 148次 阅读
罗姆收购松下部分半导体业务

2018年前10大LED封装厂营收排名出炉

LEDinside预估2019年整体LED封装产值将会达到199亿美元。
的头像 CNLED网 发表于 04-26 10:20 234次 阅读
2018年前10大LED封装厂营收排名出炉

半导体同构可以改善LED的设计

这一发现可为光源开发和生产提供全新方法。
的头像 CNLED网 发表于 04-26 10:09 60次 阅读
半导体同构可以改善LED的设计

科学家发现半导体可用于构建超级注射 可为LED的开发和生产提供全新方法

据外媒报道,来自莫斯科物理技术学院(MIPT)的研究人员发现,超级注射(此前认为只有在半导体异质结构....
发表于 04-26 09:03 29次 阅读
科学家发现半导体可用于构建超级注射 可为LED的开发和生产提供全新方法

全球第二大半导体市场安好?

这两天台湾发生的事持续霸屏,先是郭台铭,再是花莲!
的头像 PCB资讯 发表于 04-25 18:49 638次 阅读
全球第二大半导体市场安好?

半导体挥别谷底

中国半导体论坛 振兴国产半导体产业!
的头像 中国半导体论坛 发表于 04-25 17:51 456次 阅读
半导体挥别谷底

Ⅱ类超晶格红外探测器国内外研制现状

美国西北大学量子器件中心研制出了M-结构的超晶格材料,降低了长波、超长波探测器中遂穿及扩散电流,因此....
的头像 MEMS 发表于 04-25 17:49 284次 阅读
Ⅱ类超晶格红外探测器国内外研制现状

华芯通公司将于4月30日关闭,预示着更大的风暴将要席卷半导体界

第一个倒闭的,接下来还有。。。
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-25 16:57 416次 阅读
华芯通公司将于4月30日关闭,预示着更大的风暴将要席卷半导体界

五夷·芯视界半导体产业园项目开工计划投资460亿元!

据悉,该项目第一阶段核心产业建设将分两期实施,一期计划投资224.5亿元,规划用地200 亩,主要建....
的头像 芯论 发表于 04-25 16:14 283次 阅读
五夷·芯视界半导体产业园项目开工计划投资460亿元!

高通在华合资企业“华芯通”4月30日关闭

路透社报道称,智能手机芯片制造商高通公司与贵州省的合资企业将于本月底关闭---该公司的多名员工称。
的头像 5G 发表于 04-25 15:45 261次 阅读
高通在华合资企业“华芯通”4月30日关闭

华虹集团预期2020年产能有望增长30%

华虹集团旗下,中国大陆晶圆代工排名第二的华虹半导体,受益于2018年8寸代工市场需求旺盛,2018全....
的头像 半导体动态 发表于 04-25 14:39 406次 阅读
华虹集团预期2020年产能有望增长30%

罗姆决定从松下公司受让二极管及部分晶体管业务

4月24日,罗姆在官网发布新闻稿,宣布罗姆近日决定从松下公司受让半导体业务部门经营的二极管及部分晶体....
的头像 半导体动态 发表于 04-25 14:21 284次 阅读
罗姆决定从松下公司受让二极管及部分晶体管业务

解读可分解的有机半导体芯片

    来自于美国史丹佛大学的研究团队,制造出了一种像皮肤般柔软且有机的半导体元件,只需对其添加弱酸,比如醋酸,该...
发表于 04-25 14:00 96次 阅读
解读可分解的有机半导体芯片

太赫兹脉冲的“电场”组分在半导体铁磁材料的太赫兹磁化调制中起着关键作用

如今,该团队在美国物理学联合会(AIP)的《应用物理快报》报告称,他们最初的发现为其研究嵌入半导体的....
的头像 MEMS 发表于 04-25 13:55 289次 阅读
太赫兹脉冲的“电场”组分在半导体铁磁材料的太赫兹磁化调制中起着关键作用

五大主流元器件的分析预测

第二季度五大主流元器件行情摘要和看点:各分析机构对2019年半导体市场的观察和预测。
的头像 易库易 发表于 04-25 11:45 457次 阅读
五大主流元器件的分析预测

电力电子教程之万用表检测元器件的详细资料说明

本文档的主要内容详细介绍的是电力电子教程之万用表检测元器件的详细资料说明主要内容包括了:第一篇:测电....
发表于 04-25 08:00 29次 阅读
电力电子教程之万用表检测元器件的详细资料说明

电力电子教程之电阻的详细资料说明

本文档的主要内容详细介绍的是电力电子教程之电阻的详细资料说明包括了:一、电阻的基本原理,二、电阻的工....
发表于 04-25 08:00 19次 阅读
电力电子教程之电阻的详细资料说明

电力电子教程之电感的详细资料说明

本文档的主要内容详细介绍的是电感电力电子教程之电感的详细资料说明。电感是导线内通过交流电流时,在导线....
发表于 04-25 08:00 24次 阅读
电力电子教程之电感的详细资料说明

CSD18534KCS功率金属氧化物半导体场效应晶体管的数据手册免费下载

这款 7.6mΩ,60V TO-220 NexFET™功率 MOSFET被设计成在功率转换应用中最大....
发表于 04-25 08:00 21次 阅读
CSD18534KCS功率金属氧化物半导体场效应晶体管的数据手册免费下载

高性能SPI NOR Flash未来的应用前景与挑战

SPI(串行外围接口)是一种高速、全双工、同步的通信总线,由于其指令协议简单,信号引脚小,体积小等特....
的头像 CINNO 发表于 04-24 18:05 658次 阅读
高性能SPI NOR Flash未来的应用前景与挑战

武汉精测电子集团股份有限公司发布2019年第一季度业绩预告

规模较大的平板显示厂商处于基础性核心地位,其投资规模直接影响着平板显示检测行业企业的业绩。近几年,全....
的头像 CINNO 发表于 04-24 17:56 825次 阅读
武汉精测电子集团股份有限公司发布2019年第一季度业绩预告

半导体的重要性 半导体的市场分析

服务器芯片市场仍大有可为。据市场分析预测,服务器和高端服务器CPU市场将持续增长,预计到2020年服....
的头像 求是缘半导体 发表于 04-24 17:31 896次 阅读
半导体的重要性 半导体的市场分析

快讯:特斯拉发布自动驾驶定制芯片,海宁设立20亿元半导体产业基金

该协议将使安森美在几年内增加其在东菲什基尔工厂的300mm产量,也将使格芯将其众多技术转移至其他三个....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-24 16:15 719次 阅读
快讯:特斯拉发布自动驾驶定制芯片,海宁设立20亿元半导体产业基金

精测电子正式跨入半导体测试领域

4月22日,精测电子发布2018年度报告,公司实现营业收入138,950.93万元,较上年同期增长5....
的头像 半导体投资联盟 发表于 04-24 15:25 262次 阅读
精测电子正式跨入半导体测试领域

台积电魏哲家表示 5纳米及更先进制程技术将带来令人赞叹的5G体验与变革性的AI应用

晶圆代工龙头台积电年度最盛大的客户技术论坛-北美技术论坛,将于美国当地时间23日在加州圣塔克拉拉会议....
的头像 半导体动态 发表于 04-24 15:15 403次 阅读
台积电魏哲家表示 5纳米及更先进制程技术将带来令人赞叹的5G体验与变革性的AI应用

浙江海宁泛半导体产业园五期项目顺利结顶 项目计划投资6亿

海宁日报报道,近日,历经7个多月打造的浙江海宁泛半导体产业园五期项目已顺利结顶。园区开发公司介绍,2....
的头像 半导体动态 发表于 04-24 15:10 337次 阅读
浙江海宁泛半导体产业园五期项目顺利结顶 项目计划投资6亿

中国大陆成为半导体设备主要投资地区之一 北方华创发展迅速

随着中国大陆半导体产业持续发展,2018年中国大陆半导体设备投资额已上升至全球第二,成为主要投资地区....
的头像 半导体动态 发表于 04-24 15:04 307次 阅读
中国大陆成为半导体设备主要投资地区之一 北方华创发展迅速

GlobalFoundries纽约 IBM厂4.3亿美元出售给安森美半导体

DeepTech 在昨日率先披露 GlobalFoundries 将出售位于纽约州东菲什基尔(Eas....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-24 11:42 553次 阅读
GlobalFoundries纽约 IBM厂4.3亿美元出售给安森美半导体

全球半导体业在连续高涨两年之后开始回调

多年来全球存储器业没有一家新进者,见到的是德国奇梦达倒闭,及日本尔必达被美光兼并,反映全球存储器业垄....
的头像 DIGITIMES 发表于 04-24 11:41 493次 阅读
全球半导体业在连续高涨两年之后开始回调

为夺回苹果订单,三星将收购三星电机PLP事业?

部分IT业界人士预测,三星电子将收购子公司三星电机的半导体封装PLP事业。
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-24 09:39 518次 阅读
为夺回苹果订单,三星将收购三星电机PLP事业?

同样是半导体领域,凭什么韩国可以活得精彩?

到了60年代,日本的小心思就起来了,既然大家都是挣钱,那为什么我不是最大的那一个。于是,那一年,日本....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-23 16:52 1032次 阅读
同样是半导体领域,凭什么韩国可以活得精彩?

半导体光刻胶:多家厂商实现国产替代

在国家政策与市场的双重驱动下,近年来,国内企业逐步向面板、半导体光刻胶发力……
的头像 半导体投资联盟 发表于 04-23 16:15 476次 阅读
半导体光刻胶:多家厂商实现国产替代

KLA更大的篇幅给了汽车电子检测技术

半导体推动汽车革命,但也带来风险,从下图中可以看出,有大约47%的零公里故障来源自电子元件的缺陷(其....
的头像 TechSugar 发表于 04-22 17:32 3080次 阅读
KLA更大的篇幅给了汽车电子检测技术

神工半导体加入科创板 募资11.02亿元投建两大项目

4月19日,科创板受理企业名单再添一家半导体企业。国内半导体级单晶硅材料供应商锦州神工半导体股份有限....
的头像 半导体动态 发表于 04-22 17:22 814次 阅读
神工半导体加入科创板 募资11.02亿元投建两大项目

华芯通半导体4月30日关闭,外部or内部原因?

为什么这个项目会这么短命?
的头像 TechSugar 发表于 04-22 17:07 666次 阅读
华芯通半导体4月30日关闭,外部or内部原因?

五夷·芯视界半导体产业园项目开工 计划投资460亿元

怀化日报消息显示,4月21日五夷·芯视界半导体产业园项目在湖南怀化高新区举行开工奠基仪式,怀化市委副....
的头像 半导体动态 发表于 04-22 16:50 847次 阅读
五夷·芯视界半导体产业园项目开工 计划投资460亿元

Q1净收入3.55亿欧元!ASML公布最新财报

Q1净销售额为22亿欧元,净收入为3.55亿欧元,毛利率为41.6%ASML预计2019年第二季度净....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-22 16:24 496次 阅读
Q1净收入3.55亿欧元!ASML公布最新财报

2019年是中国半导体显示企业冲击产业链高端的关键一年

以业界目前火热的可折叠屏技术为例,TCL集团旗下华星光电展示了多款OLED柔性折叠屏技术与概念产品,....
的头像 扩展触控快讯 发表于 04-22 15:20 529次 阅读
2019年是中国半导体显示企业冲击产业链高端的关键一年

TCL集团已收到本次重大资产出售涉及的全部交易价款

据悉,在2018年12月8日TCL集团披露的重组方案中,TCL集团将其直接持有的TCL实业100.0....
的头像 扩展触控快讯 发表于 04-22 15:03 608次 阅读
TCL集团已收到本次重大资产出售涉及的全部交易价款

投资31亿美元,德州仪器将新建 12英寸模拟半导体晶圆制造厂

据当地新闻媒体报道,该项目将占地约870,000平方英尺,位于Custer Parkway和Alma....
的头像 芯论 发表于 04-22 13:38 431次 阅读
投资31亿美元,德州仪器将新建 12英寸模拟半导体晶圆制造厂

出口日韩美,东北半导体企业冲刺科创板!

据悉,该公司的保荐机构为国泰君安,公司预计市值不低于10亿元,采用第一套上市标准。
的头像 中国半导体论坛 发表于 04-22 11:24 408次 阅读
出口日韩美,东北半导体企业冲刺科创板!

中芯国际的平衡木能走好么?

中芯国际因股东诉求分歧而引发的内讧,被外界认为是典型的控制权之争。
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-22 09:22 817次 阅读
中芯国际的平衡木能走好么?

AR0130CS CMOS数字图像传感器的数据手册免费下载

在半导体AR0130上,是一个1/3英寸的CMOS数字图像传感器,其有源像素阵列为1280H x 9....
发表于 04-22 08:00 35次 阅读
AR0130CS CMOS数字图像传感器的数据手册免费下载

使用Matlab和Simulink仿真软件进行电力电子技术教学仿真实践说明

电力电子技术”课程具有很强的实用性。 课程中介绍的典型的应用电路随着负载和触发移相角的不同其输出端电....
发表于 04-22 08:00 28次 阅读
使用Matlab和Simulink仿真软件进行电力电子技术教学仿真实践说明

第一次学习单片机设计,请问可否指点一下这两个例子,让我有个借鉴参考学习下,万分感谢

1.用Proteus设计一四相六线步进电视控制电路。要求利用P1口作步进电机的控制端口,通过达林顿阵列ULN2003A驱动步进电机。2...
发表于 04-21 20:28 398次 阅读
第一次学习单片机设计,请问可否指点一下这两个例子,让我有个借鉴参考学习下,万分感谢

江苏英锐半导体二期项目预计今年6月份试生产运营 项目总投资1.5亿美元

目前,盐城经开区正依托综合保税区功能政策优势,加快建设国际化的电子信息港,加快推动电子信息产业做大做....
的头像 半导体动态 发表于 04-21 11:36 647次 阅读
江苏英锐半导体二期项目预计今年6月份试生产运营 项目总投资1.5亿美元

半导体三极管是如何工作的

PNP型半导体三极管和NPN型半导体三极管的基本工作原理完全一样,下面以NPN型半导体三极管为例来说明其内部的电流传输过...
发表于 04-18 09:05 437次 阅读
半导体三极管是如何工作的

第三代半导体材料氮化镓/GaN 未来发展及技术应用

GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的有力候选技术。未来预估5-10年内GaN 新型材料将快速崛起并占有多半得半导体市...
发表于 04-13 22:28 305次 阅读
第三代半导体材料氮化镓/GaN 未来发展及技术应用

电力电子专业小本一枚,想了解汽车电子方面内容,各位大神有没有推荐的书籍?

想从事汽车电子方面的工作
发表于 04-13 10:35 860次 阅读
电力电子专业小本一枚,想了解汽车电子方面内容,各位大神有没有推荐的书籍?

图中双向可控硅控制电路的3个电阻用多大功率的,具体如何计算?

如图,这是一个双向可控硅控制电路,帮我看看R1、R2、R3这三个电阻应该选用多大功率的,具体应该如何计算。 ...
发表于 04-08 10:36 575次 阅读
图中双向可控硅控制电路的3个电阻用多大功率的,具体如何计算?

关于半导体切换开关的流程剖析

半导体切换开关-Semiconductor Toggle S
发表于 04-04 06:04 55次 阅读
关于半导体切换开关的流程剖析

声光控制电路谁有呀

要做个硬件的电路需要用到声光控制部分,哪位老哥可以具体给下,是在5V电压下的 ...
发表于 03-22 14:54 357次 阅读
声光控制电路谁有呀

4155B/4156B半导体参数分析仪程序员指南

Provides information about controlling the 4155B/4156B by remote control command via GPIB interface and Instrume...
发表于 03-22 06:17 122次 阅读
4155B/4156B半导体参数分析仪程序员指南

什么是宽电压增益

什么是宽电压增益
发表于 03-16 20:20 115次 阅读
什么是宽电压增益

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 585次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 54次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 61次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 64次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 87次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 60次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 65次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 125次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 410次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 68次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 78次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 94次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 69次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 102次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 111次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
发表于 01-08 17:51 157次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 97次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 95次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 84次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 64次 阅读
LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器