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浅谈三星半导体的“冰下世界”

传感器技术 2018-07-12 15:40 次阅读

由于过去一年存储价格的飞涨,全球对获利最大的三星半导体的关注度达到了前所未有的高度。诚然,无论从市场份额还是营收上看,三星半导体的存储表现都是非常亮眼。

DRAMeXchange的数据显示,2018年第一季,三星DRAM全球占有率为44.9%,遥遥领先后面的SK海力士和美光,后两者的份额恩别为27.9%和22.6%;来到NAND Flash方面,DRAMeXchange的数据指出,三星在2018年Q1的份额为37%,也大幅度领先于其后面的Toshiba(19.4%)和西部数据(15%)。依赖于这两类产品的好境况,三星也把坐了25年半导体龙头宝座的英特尔拉下马。

但随着NAND Flash的价格走弱,加上追赶着的来势汹汹,分析人士不看好三星存储乃至三星的后续表现。但其实除了存储外,三星半导体已经在多个领域夯实了基础。让我们来见识一下这个韩国巨头在半导体领域的真正实力。

CMOS图像传感器业务的快速追赶

近年来,得益于智能手机的增长,还有最近两年双摄像头甚至三摄像头的升级,加上汽车、安全、机器视觉、医疗、虚拟现实和其它方向对CMOS图像传感器的需求,CMOS的销量将会保持较高的增长率。

ICinsights的报告指出,CMOS 图像感测器2017年的销售额同比增长10%至137亿美元,过去六年的GAGR达到11.9%。按照他们预测,从现在起到2022年,CMOS图像传感器销售额GAGR会达到8.8%,出货量方面的GAGR更将达到11.7%。三星无疑是其中的一个赢家。

浅谈三星半导体的“冰下世界”

TSR最近公布的数据显示,如果以出货量计算,2017年移动CIS市场,Sony以31.5%市占率荣登冠军宝座,而三星则是以30.3%市占率紧追在后,后者同比增长了28%。相较2016年,两大业者的市场影响力有扩大趋势,在2016年,Sony、三星年合计市占率56.3%,2017年进一步扩大为61.8%。三星能获得这样的表现,归功于他们过去十来年的投入和技术创新。尤其是2013年对外公布的ISOCELL技术。据三星方面介绍,该技术让传统 CMOS 图像传感器的结构有了革命性的变化,让所有像素能聚集更多的光线,是一项突破了性能瓶颈的新技术。

众所周知,索尼之所以能够称霸传感器市场,与他们的技术有很大关系。例如内置ADC、重新排列传感器布局、开发出背照式传感器和堆叠式结构(stacked structure)。而ISOCELL就是三星叫板索尼的杀手锏。

据了解,三星的ISOCELL,从技术上看,就是通过在图像传感器里的像素之间形成一道绝物理性绝缘体,来有效的防止进入像素的光信号外漏。除此之外,因为有了屏障的存在,所以进入像素的光信号互相之间的串扰影响也被大大降低,从而提升了图像清晰度和色彩表现,即便使用较小的像素也能实现出色的图像质量。

经过多年的发展,三星在今年推出了新一代的产品ISOCELL Fast 2L3。这款新品拥有2Gb LPDDR4 闪存,快门时间可达1/120 秒,并支持960FPS 720P 解析度的慢动作捕捉,集成堆叠式DRAM。从规格上看,三星这次根本就是冲着Sony 而来。从三星内部的布局来看,他们正在CMOS图像传感器上面开足马力。

今年三月份,一份来自韩国的报告表示,三星正在计划增加其图像传感器的生产能力,并把自己的目标定为图像传感器的全球领先者。报告声称,三星已经将在华中的一条生产线进行改造,把它变成图像传感器的制造生产线,这将在今年年底完成。另外也有传言称,在这个过程中,三星已经开始了第二条生产线的改造。如果两条产线改换成,三星的图像传感器总生产能力预估将会达到120000片每个月。作为对比,领头羊索尼的月产能只有100000,由此我一看到三星的决心。从他们官方透露的数据上看,他们的ISOCELL图像传感器也获得了不错的效果。

三星方面表示,目前全球有三分之一的智能手机采用了ISOCELL的图像传感器,而每10部国产手机,就有4.6台采用了三星的ISOCELL 传感器,与2014年相比,三星的图像传感器营收了有了两倍的增长。

从整个市场发展来看,三星的这个投入也是有道理的。

ICinsights表示,手机拍照手机占CMOS图像传感器销售量的62%,但预计到2022年市场份额将下滑至45%。但他们进一步指出,汽车CMOS图像传感器预计将在未来五年成为传感器的主要增长动力,从想到2022年,其复合年增长率(CAGR)也将达到38.4%,届时CMOS图像传感器总销售额的15%(28亿美元),而相机手机产生的收入预计将以年复合增长率当年仅为2.2%至86亿美元。

对于三星来说,拓展传感器到车载领域是一个很有必要的举动。在这方面,领头羊索尼就做得比较前,他们已经发布了适用于车载摄像头的影像传感器。

晶圆代工业务的快马加鞭

在去年五月,三星宣布将其晶圆代工业务成为一个独立运营的部门,这足以体现三星在晶圆代工方面的决心,但从现状来看,三星的晶圆代工业务似乎进展并没有想象中那么好。

拓墣产业研究院的最新数据指出,2018年上半年,三星晶圆代工业务位居全球第四,较之去年同期下滑了2.2%。在晶圆代工业绩全面飘红的时代,三星成为前十中唯二业绩下滑的厂商。但拓墣产业研究院表示,三星正在积极推出多项目晶圆服务,强化与芯客户合作的可能性。但这是三星晶圆代工的一步。

三星晶圆代工高层曾表示,要成为全球第二大芯片代工厂,年营收冲上100亿美元,未来更打算超越台积电。为达到这个目标,他们做了很多的准备工作。

如在今年年初,三星设立了“三星先进晶圆代工生态系统”(Samsung Advanced Foundry Ecosystem,简称 SAFE),并强化主要客户高通等的关系,提升成长引擎;

五月,韩联社报道,三星悄然开设了晶圆代工专属的研发部门,全力追赶台积电。消息源表示,三星主管芯片业务的装置解决方案部门近来设立了晶圆代工研发中心,强化此方面的实力。值得一提的是,装置解决方案部门旗下原本已有8个研发中心,包括存储器、System LSI、半导体、封装、LED、生产技术、软件、面板。三星的先进技术基本与这个部门有莫大的关系。而三星在晶圆代工技术方面也有了莫大的进步,在上月底举办的年度技术论坛上,三星披露了其相关技术细节和规划:

三星强调,通孔层光刻优化和工艺改进作为提高密度的推动因素——寻求“栅间通孔”设计风格的出现;同时他们还表示,将减少单元之间的明显的“扩散隔离( SDB single diffuse break设计)”,还强调了与虚拟(冗余)栅极相关的“应力工程”,以提高载流子移动性和器件性能;当然,三星方面还会对FD-SOI持续关注。

另外,对先进封装和晶圆级封装技术的关注,也是三星追赶台积电的另一个武器。众所周知,正是因为过去多年在晶圆级封装的关注,让台积电巩固了苹果芯片的订单,并让他们在现在高性能芯片时代,拥有领先优势。

在技术论坛上,三星甚至披露了他们的路线。

消息显示,三星的7nm工艺已经完成,而根据三星的计划,他们将在今年下半年投产7LPP (7nm Low Power Plus)工艺,并将首次应用到EUV光刻技术,而其中一些关键IP正在研发阶段。接下来,他们会继续推进5LPE (5nm Low Power Early)技术,进一步缩小芯片核心面积,带来低功耗,这个工艺将会在2019年面世;接下来就是4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus),这将让芯片面积更小,性能更高,且可以能快速量产,方便客户升级。到2020年我们就可以看到4nm工艺了。

值得一提的是,按照三星的说法,4LPE/LPP将会是他们最后一个使用FinFET晶体管的节点,进入了3nm之后,他们将会投向GAA(环栅晶体管)的怀抱。

按照Intel架构和集成方面的资深Fellow Mark Bohr的观点,GAA晶体管能够提供比FinFet更好的静电特性,这个可满足某些栅极宽度的需求,同时你就可以得到一个全环绕和一点的静电性能的控制。当然,gate的缩小是必不可少的。

从上面技术方面的布局看来,三星已经为未来的晶圆代工生意点下了慢慢的科技树。

再加上三星将其晶圆代工业务扩展到物联网与指纹识别芯片等领域,强化八英寸代工市场。还有在挖矿芯片抢单上面的激进,也许三星晶圆代工业务真有可能实现其高层去年七月在接受路透社采访时候谈到的“翻三倍至25%份额,成为全球第二大晶圆代工厂”的目标。

其他芯片产品的布局

除了上述的CMOS图像传感器和晶圆代工业务,三星在其他芯片方面有很多布局也体现了他们的前瞻性。甚至有些产品统领了市场不为人知。

首先谈一下大家都知道的猎户座(Exynos)SoC,这是他们推出的一系列面向智能手机的SoC。坦白说,三星的这一系列芯片在过往卖得并不是很好,但无可否认的是他们的产品性能,是除了高通以外,做的最好的。

腾讯科技最近报道指出,三星已经在开发下一代的旗舰处理器芯片Exynos 9820。根据Twitter上爆料大神的消息称,三星的定制Mongoose M4核心性能将有相当大的提升,与ARM的Cortex-A76架构相比,有明显的优势。

也有消息称,与ARM的CPU架构相比,Mongoose M4的效率系数更高,而后者的核心性能将使Exynos 9820的GeekBench多核跑分成绩更上一层楼。

从爆料上看,三星的这款芯片很有可能是一款7nm工艺的产品,且将在2019年面世。

在MTK将手机SoC目标停留在中低端搏杀的时候,三星是市场上唯一一个能追上高通步伐的厂商了。这就像在CMOS图像传感器市场一样,在豪威科技卖身,东芝相关业务被索尼收购以后,三星也是唯一一个追上领头羊索尼的竞争者。这就再次证明了三星的竞争力。

回到移动SoC产品方面,据ExtremeTech、The Register等外媒报道,三星现在正在加快和OEM洽谈手机芯片授权与销售事宜。路透社也报道,三星将会在上半年公布一家新客户,这将会给三星带来更强的竞争力。

更有媒体声称,鉴于三星在OLED屏幕的强大竞争力,如果他采用搭售的方式,对于三星来说,会是一个很大的推动。但这是一些想法而已。

其次,在驱动IC方面,三星也有不为人知的表现。

三星方面表示,现在每10部手机的屏幕中,有4.6部用的是他们的驱动IC,在AMOLED屏的驱动IC中,三星的优势更是明显,旭日大数据的报告显示,三星的AMOLED驱动IC市占率高达75%。

另外,还有消息表示,三星正在研发车用处理器Exynos Auto。

盖世汽车网表示,这系列芯片将拥有神经处理单元(Neural Processing Unit,NPU)区块,供人工智能算法使用,还可对车载传感器所采集的信号数据加以分析。新款AP或将被用于先进驾驶辅助系统(ADAS),旨在更为高效地识别车道及障碍物。据估计,Exynos Auto还将配置LTE调制解调器,用于连接云端。

当然,车载信息娱乐系统、数字仪表板(digital dashboards)、抬头显示器等设备中,这将会是他们与NXP瑞萨英飞凌和高通一争高下的产品。

至于其他车用LED、数据中心等业务,那就更不用说了,三星势必会紧跟。

换句话说,在全球对三星存储业务群而攻之的时候,三星半导体早已经为未来种下了几颗胜利的种子。从三星过往的发展和现在布局看来,韩国巨头能够获得今天的地位,绝不是侥幸,这种超前的意识和投入,也值得我们学习借鉴。

原文标题:可怕的三星半导体

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最大距离范围EZ-BLE是多少

您好,我需要知道智能手机和EZ-BLE之间的最大距离,以下配置: EZ白光发射机 只使用Android手机的智能手机 谢谢你的帮...
发表于 01-29 06:50 126次 阅读
最大距离范围EZ-BLE是多少

欧姆社学习-漫画半导体

《欧姆社学习漫画》是日本欧姆社自2004年7月开始出版的一系列漫画类学习教材。该图书主要讲述了电气学,物理学,数学以及生物科学...
发表于 01-17 22:25 531次 阅读
欧姆社学习-漫画半导体

基于蓝牙4.0(Bluetooth Low Power)探鱼器BLE-Sonar介绍

    拿着一根鱼杆在池塘边白费几个小时后开始产生很多想法,想拿着一个智能手机能显示鱼儿躲藏在哪里.Friday Lab设...
发表于 01-16 23:45 124次 阅读
基于蓝牙4.0(Bluetooth Low Power)探鱼器BLE-Sonar介绍

MQ-K1型半导体气敏元件规格书

MQ-K1型半导体气敏元件规格书
发表于 01-16 09:06 215次 阅读
MQ-K1型半导体气敏元件规格书

无法在智能手机上看到我的广播设备

大家好, 我用CY8CKIT-042-BLUKIT做我的广播设备。我已经把我的固件放在CyPress的例子中“动态广播”(例子9),...
发表于 01-11 15:08 146次 阅读
无法在智能手机上看到我的广播设备

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 477次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 39次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 40次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 42次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 48次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 34次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 43次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 71次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 166次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 46次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 49次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 61次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 41次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 67次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 66次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
发表于 01-08 17:51 51次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 68次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 68次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 50次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 48次 阅读
LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器