瑞萨电子新推三款多路输出多相降压电源IC 小体积也能实现高效率

2018-07-12 09:08 次阅读

随着智能终端设备发展需求,其功能越发增多,但体积逐渐减小,使用时间也要长。鉴于此,诸如智能手机和平板电脑应用处理器需要更小尺寸的电源和更高的输出电流和效率,以最大限度延长电池寿命。产品设计人员迫切需要这种解决方案,从而应对这些挑战。

瑞萨电子针对上述问题,推出了三款多路输出多相降压电源管理PMIC---ISL91302B、ISL91301A和ISL91301B,可为智能手机和平板电脑应用处理器提供最高效的电源管理,同时具备最小的展板体积。另外还可以为人工智能(AI)处理器、FPGA和工业MPU提供电源管理,非常适合为固态驱动器(SSD)、光收发器和各种消费类电子产品,以及工业和网络设备中的各路负载供电。

瑞萨电子新推三款多路输出多相降压电源IC 小体积也能实现高效率

图1 瑞萨电子推出效率最高、体积最小的多相电源管理IC ISL91302B, ISL91301A/B

三款电源管理PMIC都可以在全负载电流范围内动态改变工作的相数以获得最佳效率,其超低的静态电流、优异的轻载效率、高稳压精度和快速动态响应的特性,使得电源设计人员,可以更轻松地采用薄型电感器、小型电容器,以及少量无源元件设计出电源方案,从而解决最棘手的印刷电路板布局问题、动态扩展性能,并延长电池运行时间。

产品优势

瑞萨的多路输出多相降压电源管理中,ISL91302B双/单输出多相PMIC可提供高达20A和94%的峰值效率,而ISL91301A三路输出PMIC和ISL91301B四路输出PMIC均可提供高达16A的峰值效率,并具有94%的峰值效率。

瑞萨电子新推三款多路输出多相降压电源IC 小体积也能实现高效率

图2:ISL91302B和ISL91301A/B三款PMIC与竞品效率对比

ISL91302B和ISL91301A/B三款PMIC均支持输出电压远端反馈,输出均有动态电压调节DVS,具有全面的保护功能,如过压保护、欠压保护、过电流保护、一次性可编程等。芯片支持I2C和SPI通信协议,可编程频率为2MHz~6MHz。另外它们还具有超小的芯片尺寸和很高的电源效率,可以提供多种封装尺寸,用于各种产品电路尺寸需求。主要特性如下:

l 紧凑PCB,轻薄方案

- 4输出/相的解决方案套件总尺寸为7×10mm2

- 小型WLCSP封装

- 4Mhz频率支持à外壳尺寸小于2×2×1mm的感应器

- 瞬态快速à输出电容器更少

- 补偿、输出电压设置等无需外部组件, VOUT设置等

l 高效率

- 91%峰值效率3.3V输入,1.0V/4A输出

l 设计便捷-无需电路板级设计

- 内部补偿–无需设计补偿

- 各电源管理DC/DC预设必需的输出电压以及电压排序等

l 多种封装选择

- WLCSP,间距为0.4mm,量产

- BGA间距为0.8mm,提供样片(ISL91302B)

ISL91302B产品特点

ISL91302B多输出多相降压电源管理IC支持2.5~5.5V供电电压,0.3~2.0V可编程输出。具有在DCM模式下低至75uA的超低Iq,峰值效率高达94%,系统精确度为±0.5%。ISL91302B支持如下三种输出配置:

l 双路输出:2+2;两路两相,最大输出电流:10A+10A

l 双路输出:3+1;一路三相,一路单相,最大输出电流:15A+5A

l 单路输出:4+0;一路四相,最大输出电流:20A

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图3:ISL91302B支持三种输出配置

ISL91302B具有2.55mm×3.67mm的封装尺寸,以及0.4mm焊距的54焊球的WLCSP超小封装。

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图4:ISL91302B封装

ISL91301A/B产品特点

ISL91301A/B多输出多相降压电压管理IC同样支持2.5~5.5V供电电压,0.3~2.0V可编程输出。具有在低功率模式下低至62uA的超低Iq,峰值效率高达94%,系统精确度为±0.7%。ISL91301A/B支持如下两种输出配置:

l 三路输出 ISL91301A:2+1+1,最大输出:8A+4A+4A

l 四路输出 ISL91301B:1+1+1+1,最大输出:4A+4A+4A+4A

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图5:ISL91301A/B支持两种输出配置

ISL91301A/B具有2.57mm×2.92mm的封装尺寸,以及42焊球的WLCSP超小封装,焊球间距为0.4mm。

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图6:ISL91301A/B封装

设计资源

瑞萨电子为ISL91302B和ISL91301A/B 电源管理IC提供完整的产品文档资料、评估板和样品申请。另外,还为该PMIC提供评估板,可以方便开发者进行功能测试和评估。

ISL91302B电源管理IC具有三款评估套件,如下所示:

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l ISL91302B22-EVZ(2+2 配置,10A+10A)

l ISL91302B31-EVZ(3+1 配置,15A+5A)

l ISL91302B40-EVZ(4+0 配置,20A)

图7:ISL91302B电源管理IC具有三款评估套件

ISL91301A/B电源管理IC具有四款评估套件,如下所示:

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l ISL91301AII-H-EV1Z(2+1+1 配置, 8A+4A+4A)

l ISL91301AII-L-EV1Z(2+1+1 配置,6A+3A+3A)

l ISL91301BII-H-EV1Z(1+1+1+1 配置, 4A+4A+4A+4A)

l ISL91301BII-L-EV1Z(1+1+1+1 配置, 3A+3A+3A+3A)

图8:ISL91301A/B电源管理IC具有四款评估套件

瑞萨电子还为这三款多相降压电源管理IC提供整套演示套件,可以通过EVB、I2C控制软件和I2C-USB的转接器方便连接到客户的图形界面,进行开发。

瑞萨电子新推三款多路输出多相降压电源IC 小体积也能实现高效率

图9:瑞萨电子为这三款多相降压电源管理IC提供整套演示套件

多相降压IC产品有很多内部寄存器,默认的寄存器配置值,可以满足大多数应用需求。在此基础上,针对特殊应用,寄存器能够再进行一些优化设置以满足不同应用的需求,确保每一种设计都能达到最佳的性能。

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UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC27532-Q1是一款单通道高速栅极驱动器,此驱动器可借助于高达2.5A的源电流和5A的灌电流(非对称驱动)峰值电流来有效驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和IGBT电源开关。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生米勒接通效应的能力.UCC27532-Q1器件还特有一个分离输出配置,在此配置中栅极驱动电流从OUTH引脚拉出并从OUTL引脚被灌入。这个引脚安排使得用户能够分别在OUTH和OUTL引脚采用独立的接通和关闭电阻器,并且能很轻易地控制开关的转换率。 此驱动器具有轨到轨驱动功能以及17ns(典型值)的极小传播延迟。 UCC27532-Q1器件具有CMOS输入阀值,此阀值在VDD低于或等于18V时介于比VDD高55%的电压值与比VDD低45%的电压值范围内。当VDD高于18V时,输入阀值保持在其最大水平上。 此驱动器具有一个EN引脚,此引脚有一个固定的TTL兼容阀值.EN被内部上拉;将EN下拉为低电平禁用驱动器,而将其保持打开可提供正常运行。EN引脚可被用作一个额外输入,其性能与IN引脚一样。 将驱动器的输入引脚保持开状态将把输出保持为低电平。此驱动器的逻辑运行方式显示在,,和中。 VDD引脚...

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UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC27516 4A/4A Single Channel High-Speed Low-side Gate Driver

UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(当前VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围,以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保...

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UCC27516 4A/4A Single Channel High-Speed Low-side Gate Driver

UCC27324-Q1 汽车类双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器

UCC27324-Q1高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流。采用本质上最小化直通电流的设计,这些驱动器在MOSFET开关转换期间在Miller平台区域提供最需要的4A电流。独特的双极和MOSFET混合输出级并联,可在低电源电压下实现高效的电流源和灌电流。 该器件采用标准SOIC-8(D)封装。 特性 符合汽车应用要求 行业标准引脚 高电流驱动能力±4位于Miller Plateau Region的 即使在低电源电压下也能实现高效恒流源 TTL和CMOS兼容输入独立于电源电压 典型上升时间为20 ns,典型下降时间为15 ns,负载为1.8 nF 典型传播延迟时间为25 ns,输入下降,输入时间为35 ns上升 电源电压为4 V至15 V 供电电流为0.3 mA 双输出可以并联以获得更高的驱动电流 额定值从T J = -40°C至125°C TrueDrive输出架构使用并联双极晶体管和CMOS晶体管 参数 与其它产品相比 低侧驱动器   Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Time (ns) Fall Time (ns) Prop Delay (ns) Input T...

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UCC27324-Q1 汽车类双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器

LM5100C 1A 高电压高侧和低侧闸极驱动器

LM5100A /B /C和LM5101A /B /C高压栅极驱动器设计用于驱动高侧和低侧N. - 同步降压或半桥配置的通道MOSFET。浮动高侧驱动器能够在高达100 V的电源电压下工作.A版本提供完整的3-A栅极驱动,而B和C版本分别提供2 A和1 A.输出由CMOS输入阈值(LM5100A /B /C)或TTL输入阈值(LM5101A /B /C)独立控制。 提供集成高压二极管为高端栅极充电驱动自举电容。稳健的电平转换器以高速运行,同时消耗低功率并提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低侧和高侧电源轨均提供欠压锁定。这些器件采用标准SOIC-8引脚,SO PowerPAD-8引脚和WSON-10引脚封装。 LM5100C和LM5101C也采用MSOP-PowerPAD-8封装。 LM5101A还提供WSON-8引脚封装。 特性 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET ...... 独立高低 - 驱动器逻辑输入 自举电源电压高达118 V DC 快速传播时间(典型值为25 ns) 驱动1000-pF负载,8- ns上升和下降时间 优秀的传播延迟匹配(3 ns 典型值) 电源轨欠压锁定 低功耗< /li> 引脚与HIP2100 /HIP2101兼容 参数 与其它产品相比 半桥驱动器   Number of Ch...

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LM5100C 1A 高电压高侧和低侧闸极驱动器

TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向双路高速 MOSFET 驱动器

TPS2811双通道高速MOSFET驱动器能够为高容性负载提供2 A的峰值电流。这种性能是通过一种设计实现的,该设计本身可以最大限度地减少直通电流,并且比竞争产品消耗的电源电流低一个数量级。 TPS2811驱动器包括一个稳压器,允许在14 V和14 V之间的电源输入工作。 40 V.稳压器输出可以为其他电路供电,前提是功耗不超过封装限制。当不需要稳压器时,REG_IN和REG_OUT可以保持断开状态,或者两者都可以连接到V CC 或GND。 TPS2811驱动器采用8引脚TSSOP封装并在-40°C至125°C的环境温度范围内工作。 特性 符合汽车应用要求 行业标准驱动程序更换 25-ns Max Rise /下降时间和40-ns Max 传播延迟,1-nF负载,V CC = 14 V 2-A峰值输出电流,V CC < /sub> = 14 V 输入电压高或低的5μA电源电流 4 V至14 V电源电压范围;内部调节器将范围扩展至40 V -40°C至125°C环境温度工作范围 参数 与其它产品相比 低侧驱动器   Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Tim...

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TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向双路高速 MOSFET 驱动器

UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27511和UCC27512单通道高速低侧栅极驱动器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27511和UCC27512采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为13ns)。 UCC27511特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚均可用于控制驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保 UCC27 511器件的输入引脚阈值基于与TTL和COMS兼容的低电压逻辑电路,此逻辑电路是固定的且与V DD 电源电压无关。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗扰度。 UCC27511和UCC27512提供4A拉电流,8A灌电流(非对称驱动)峰值驱动电流能力。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生,米勒接通效应的能力.UCC27511器件还具有一个独特的分离输出配置,其中的栅极驱动电流通过OUTH引脚拉出,通过OUTL引脚灌入。这种独特的引脚排列使...

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UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(当前VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围,以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保...

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UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和独立的高侧和低侧驱动器输入以实现最大的控制灵活这允许在半桥,全桥,双开关正向和有源钳位正激转换器中进行N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器可独立控制,并在相互之间的开启和关断之间匹配1 ns。 片内自举二极管消除了外部分立二极管。为高侧驱动器和低侧驱动器提供欠压锁定,如果驱动器电压低于指定阈值,则强制输出为低电平。 提供两种版本的UCC2720x-Q1 - UCC27200-Q1具有高噪声免疫CMOS输入阈值,UCC27201-Q1具有TTL兼容阈值。 两款器件均采用8引脚SO PowerPAD(DDA)封装。对于所有可用封装,请参见数据手册末尾的可订购附录。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1: -40°C至125°C环境工作温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C5 驱动两个高侧和低侧配置的N沟道MOSFET 最大启动电压:120 V 最大V DD < /sub>电压:20 V 片内0.65 V VF,0.6ΩRD自举二极管 大于1 MHz的工作 20- ns传播延迟时间 3-A漏极,3A源输出电流 8-ns上升和...

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UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

UCC27538 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

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UCC27538 栅极驱动器

UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管UCC27517A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载值为13ns)。 UCC27517A-Q1器件在输入上处理-5V电压。 当V DD = 12V时,UCC27517A-Q1可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27517A-Q1在4.5V至18V的宽V DD 范围以及-40°C至140° C的宽温度范围内运行.V DD 引脚上的内部欠压锁定(UVLO)电路可在V DD 超出运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中最佳的开关特性,因此非常适用于驱动诸的GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100标准的下列结果: 符合汽车应用要求的器件温度1级:-40°C至125°C的环境运行温度范围 器件人体放电模式(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件组件充电模式(CDM)ESD分类等级C6 低成本栅极驱动器件提供NPN和PNP离散解决方案的高品质替代产品 4A峰值拉电流和灌电流对称驱动 能够输入上处理负...

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UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27210和UCC27211驱动器是基于广受欢迎的UCC27200和UCC27201 MOSFET驱动器,但性能得到了显着提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。现在,输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC2721x的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27210(a CMOS输入)和UCC27211( TTL输入)已经增加了滞后特性,从而使得到模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器接口的抗扰度得到了增强。 低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了2ns的延迟匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低...

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UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27710 具有互锁功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27710是一款620V高侧和低侧栅极驱动器,具有0.5A拉电流,1.0A灌电流能力,专用于驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT,建议的VDD工作电压为10V至20V,对于MOSFET,建议的VDD工作电压为17V。 UCC27710包含保护特性,在此情况下,当输入保持开路状态时,或当未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外,该器件可接受的偏置电源范围宽幅达10V至20V,并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO保护。 该器件采用TI先进的高压器件技术,具有强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA),以及互锁。 该器件包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO),后者专用于自电源或隔离式电源操作。该器件具有快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配。在UCC27710上,每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。 特性 高侧和低侧配置 双输入,带输出互锁和150ns死区时间 在高达620V的电压下完全可正常工作,HB引脚上的绝对最高电压为700V VDD建...

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UCC27710 具有互锁功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27533 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

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UCC27533 栅极驱动器

UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

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UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

TPS51604驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有降低死区时间驱动和自动零交越等 SKIP 引脚提供CCM操作选项,以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604支持两种低功耗模式。借助于脉宽调制(PWM)输入三态,静态电流被减少至130μA,并支持立即响应。当 SKIP 被保持在三态时,电流被减少至8μA(恢复切换通常需要20μs)。此驱动器与合适的德州仪器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系统。 TPS51604器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至105°C。 特性 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本(超极本)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V IN < /sub>):4.5V至28V 2mm×2mm 8引脚WSON散热垫封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 半桥驱动器   Number of Channels (#) ...

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TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

电源管理中的热管理解决方案分析

在讨论热管理和使用诸如“散热”或“排热”等短语时总要牢记在心的一个问题是:热量要散发到哪里? 愤世嫉....

的头像 电子设计 发表于 10-15 08:16 803次 阅读
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苹果抛弃Imagination后,A系列芯片的GPU已经完成自研

苹果将以3亿美元现金收购Dialog Semiconductor(一家总部位于欧洲的芯片制造商)公司....

的头像 电子发烧友网工程师 发表于 10-12 14:10 1195次 阅读
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描述符是什么?如何在简单程序中传输数据

在第3节视频中,分别介绍8种外设管理单元(PMU)指令 — 也称为描述符,以及了解在简单程序中....

的头像 Maxim视频 发表于 10-12 03:16 338次 观看
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低功耗处理器与MAX23625、MAX32630的性能介绍

本期视频主要介绍了:1. Maxim在处理器的经验,2.在可穿戴应用中可能遇到的问题,3.MA....

的头像 Maxim视频 发表于 10-12 03:07 531次 观看
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苹果6亿美元买通Dialog电源IC技术

Dialog公司对外宣布,已经与苹果达成深入合作。苹果将以6亿美元的代价,买通了Dialog公司的电....

发表于 10-11 16:18 330次 阅读
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瑞萨电子通过其独家DRP技术以低功耗实现了出色的实时图像处理

瑞萨电子株式会社今日宣布,扩展其嵌入式人工智能(e-AI)解决方案,将AI整合到嵌入式系统,从而实现....

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在Eclipse工具中如何设置MAX32630/31评估板

Venkatesh演示如何设置MAX32630和MAX32631超低功耗、Arm Cortex-M4....

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华虹半导体第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台成功量产

全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司(“华虹半导体”或“公司”,股份代号:1347....

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瑞萨电子扩展嵌入式人工智能(e-AI)解决方案 终端设备更加智能

瑞萨电子通过其独家DRP技术以低功耗实现了出色的实时图像处理。

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如何用MAX32630配置微控制器进行深度睡眠

In this video, Mohamed discusses some of the low-p....

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什么是外设管理单元?有何特点

本系列视频总共分为5部分。在第1部分视频中,介绍Maxim独有的外设管理单元(即PMU),及其如何减....

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全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社今日宣布,推出创新的新型双向四开关同步升降压控制器系列....

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瑞萨电子推出业界唯一真正的双向同步升降压控制器

高效率的 ISL81601 和 ISL81401 利用专有的升降压控制策略实现可靠的双向运行和平滑的....

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第一部分:MAX32630微控制器的设置

在本视频短片中,Mohamed介绍利用实时时钟(RTC)电路计时的不同方法。Mohamed演示在智能....

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瑞萨电子宣布与阿里巴巴合作 将共建物联网生态系统

2018年9月25日,瑞萨电子株式会社宣布,与阿里巴巴旗下云计算科技公司阿里云就IoT领域进行深度合....

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瑞萨电子67亿美元收购IDT,两大重点意图

2018年9月11日, 全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社与包括传感器、互联和无线电源在....

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日本瑞萨电子拟以67亿美元收购美国芯片厂商IDT

近日,日本芯片制造商瑞萨电子(Renesas)表示,同意以约67亿美元收购美国芯片厂商Integra....

的头像 机器人技术与应用 发表于 10-01 15:59 1230次 阅读
日本瑞萨电子拟以67亿美元收购美国芯片厂商IDT

瑞萨电子宣布扩大其知识产权(IP)的授权范围

有意为人工智能(AI)、自动驾驶汽车和机器人等应用开发定制芯片的制造商,现在可以在其子系统设计中利用....

的头像 瑞萨电子 发表于 09-28 11:45 850次 阅读
瑞萨电子宣布扩大其知识产权(IP)的授权范围

电源管理芯片的未来发展趋势如何

据市调机构iSuppli预计,2016年电源管理IC市场预计将达到387亿美元,消费电子、网络通信、....

的头像 电子设计 发表于 09-27 08:10 1313次 阅读
电源管理芯片的未来发展趋势如何

瑞萨电子推出了RX65N/RX651系列MCU

瑞萨电子还独有一项更强大的安全技术——Trusted Secure IP(TSIP),可以在安全环境....

的头像 瑞萨电子 发表于 09-25 15:02 968次 阅读
瑞萨电子推出了RX65N/RX651系列MCU

海外并购成为后起者实现弯道超车的途径之一 产业链上游发展突破成重点

9月11日,日本半导体厂商瑞萨电子(Renesas)宣布,将以67亿美元的总额收购美国半导体厂商In....

的头像 半导体动态 发表于 09-25 10:41 1041次 阅读
海外并购成为后起者实现弯道超车的途径之一 产业链上游发展突破成重点

碳化硅在电子产品中的应用(2)

功率电子是基础产业;所有电力设备都将使用某种形式的电源管理器件。因此,功率器件的进步也推动了大量应用....

的头像 电子设计 发表于 09-25 10:36 1751次 阅读
碳化硅在电子产品中的应用(2)

超省电型应用设备中的电源管理设计

当考虑到需要某种形式无线连接的电池供电型设备时,无论在简单的点对点无线网络配置,或是更复杂的星型或网....

的头像 电子设计 发表于 09-25 09:38 793次 阅读
超省电型应用设备中的电源管理设计

瑞萨电子收购IDT后将有什么变化?

IDT的数据传感、存储和互联模拟混合信号产品是支持数据经济增长主要部件。通过收购有助于瑞萨电子将业务....

发表于 09-21 11:29 228次 阅读
瑞萨电子收购IDT后将有什么变化?

单芯片电源管理和端口控制器解决方案

以太网供电 (PoE) 的主要优势体现在它的简易性上。但在 IEEE 802.3 以太网标准中引入对....

的头像 Duke 发表于 09-21 09:41 1875次 阅读
单芯片电源管理和端口控制器解决方案