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美商务部对中兴通讯出口禁令暂时部分解禁 中兴新掌门人李自学表示尽快恢复生产

章鹰 2018-07-04 09:19 次阅读

据中央电视台新闻报道,7月2日,美国商务部发布公告,暂时、部分解除对中兴通讯公司的出口禁售令。公告称:从公告发布之日起至8月1日,在有限条件下解除对中兴通讯公司的出口禁令。美国商务部公共事务总监丽贝卡·格洛弗在接受CGTN记者问询时表示,对中兴通讯的7年禁售令并未正式取消。

这份公告的授权对象是已经与中兴通讯开展业务的公司,期限是一个月。这些公司销售给中兴通讯的产品必须用于以下方面。第一是支持现有网络和设备的持续运行,其次是支持现有的手机,第三是用于网络安全研究和漏洞披露,另外还有一个条件是交易资金必须在美国商务部授权的机构间转移。

目前还不清楚,对中兴的7年禁售令,随后会不会完全解除。2018年4月15日,美国商务部下令禁止美国公司向中兴通讯出口电讯零部件等产品,期限为7年。5月13日美国总统特朗普表示,将要给中兴通讯“一条迅速恢复业务的途径”,并已指示商务部“完成此事”。隔天,美国商务部部长罗斯表示,将尽快找出其它替代方案。一些美国国会议员曾经反对对中兴解禁,并试图在国会通过相关法案阻止美国政府解除对中兴禁令。

中兴新掌门人李自学表示:尽快恢复生产

6月29日,中兴通讯(000063.SH、00763.HK)新任董事长李自学在公司举行的股东大会上表示,“拒绝令还没有解除,后面我们的任务还是提振整个公司的信心,包括公司的员工(信心),在拒绝令解除之后,尽快恢复生产,在这之后再做一些工作。”

根据资料,李自学出生于1964年,现年54岁。1987年毕业于西安交通大学电子元件与材料专业,获得工学学士学位。同年,他加入西安微电子技术研究所后,1987年至2010年历任技术员、副主任、混合集成电路事业部副部长、部长。

2010年至2014年,李自学历任西安微电子技术研究所副所长、党委副书记、纪委书记、监事长;2014年至2015年任西安微电子技术研究所党委书记兼纪委书记、监事长、副所长;2015年至今任西安微电子技术研究所党委书记兼副所长。

李自学近30年的微电子、集成电路技术研发方向,或许也正是长于通信设备,而在集成电路、芯片技术方面存在短板的中兴通讯未来所着重补齐的方向。

从工作经历看,现龄54岁的李自学与中兴这几年推行的“少壮派”管理风格显得有些不搭调,但从其所在的西安微电子技术研究所与中兴通讯的渊源来看,他也许是最合适的人选。

“很多人并不知道,在2004年之前,就是微电子的所长担任中兴董事长,侯为贵是当时的总经理。”一位与李自学有过接触的中兴离职高管对第一财经记者表示,西安微电子技术研究所是中兴通讯的股东之一,相当于娘家人,而目前来看没有更适合的人选了。

在中兴通讯申请IPO时,筹委会主任张太峰就是当时的西安微电子技术研究所所长,也是中兴的第一任董事长。一位已经离职的中兴高管对第一财经记者表示,此前中兴通讯的党委书记田东方也是来自西安微电子技术研究所。

从股权关系来看,西安微电子技术研究所是中兴通讯控股股东中兴新的股东之一,与之关系颇深。

西安微电子技术研究所(771所)官网显示,该研究所又名骊山微电子公司,隶属于中国航天科技集团公司第九研究院,始建于1965年10月,主要从事计算机、半导体集成电路、混合集成三大专业的研制开发、批产配套、检测经营,是国家唯一集计算机、半导体集成电路和混合集成科研生产为一体的大型专业研究所。其前身为“156工程处”,由时任国家领导亲自批示成立,在国防、集成电路和计算机发展上,立下汗马功劳。中兴通讯创始人侯为贵也出身于该研究所。

上世纪80年代初,搞副业创收成为科研单位中一种通用做法。身为单位技术科长的侯为贵,以“引进技术”的名义率队南下寻找机会,也就有了后来的中兴。

因此有声音认为,李自学出任中兴通讯新任董事长其实是代表大股东来掌舵。

此前,为了顺利完成董事会换届,中兴大股东中兴新通讯提交了关于修改《公司章程》及《董事会议事规则》有关条款、选举非独立董事、选举独立非执行董事的三项临时提案。其中,关于《公司章程》拟删掉“董事长必须从担任公司董事或高级管理人员三年以上的人士中产生”,另将两条款变更为独立非执行董事要求细化。

有中兴内部人士对记者表示,删除了上述条款,表明董事长或空降,也扩大了可以选择的范围。

可以看到,在新任董事会中,成员均来自中兴新的多个股东阵营。李步青在中兴新的股东深圳航天广宇工业有限公司任董事;顾军营在中兴新的间接股东中国航天电子技术研究院任院长助理;诸为民在中兴新的股东深圳市中兴维先通设备有限公司任董事;方榕在中兴新的参股公司中兴发展有限公司任董事、常务副总裁。

独立董事候选人中,蔡曼莉曾在证监会从事上市公司监管工作;Yuming Bao(鲍毓明)现任杰瑞股份(002353.SZ)及其附属公司杰瑞集团的副总裁兼首席法务官;吴君栋现任中国航天万源(01185.HK)、飞达控股(01100.HK)的独立董事一职。

而在更早的时候,像曾学忠、徐慧俊这样的中坚力量也陆续离开或者“辞职”。

殷一民似乎还是希望在股东大会上尽可能地挽回外界对中兴的信心,他不断地强调T0重组方案,不断地强调中兴在5G上的领先优势。

“T0工作组一个月前就做了具体的恢复计划,不会因为管理层的变化而对公司造成变化。我们的核心研发能力仍然存在。”他表示,签订以来,到现在已经有20多天,公司第一时间成立了专门的工作小组,来执行和解协议,当时就知道,公司的董事会和管理层都会发生剧烈的变化,这个执行小组一开始就定要求,不对个人负责,只对组织负责。老的董事会在的时候对老董事会负责,新的董事会在的时候对新的董事会负责。我们为了达到解决拒绝令的目标,目前只剩下最后的环节,我也相信,公司尽到了自己的责任和义务。

对于具体有何措施,李自学并没有做更多的阐述。在股东大会现场,他更多的时间是在倾听现场股东的发言,面部没有太多的表情,言语中提到最多的词汇是“信心”和“合规”。

通信专家项立刚对第一财经记者表示,李自学临危受命体现的更多是大股东的意志,在具体的工作上很难说会有什么特别“大刀阔斧”的改革,而在管理机制上,稳定也许是目前管理团队最希望达到的效果。

“但对于中兴来说,此时面临的市场环境以及公司内部的问题,需要的是一个市场化出身的人,对内激发活力,以及对外重新在市场上形成新的凝聚力。”项立刚对记者表示,但这样的人并不好找,如果管理机制没有办法做新的突破的话,对于中兴来说,可能是比交数亿元罚款的代价来得更为严重。

事实上,项立刚更为担心的是,经历了重挫的中兴如何在竞争激烈的通信市场上获得新的认可,重回“稳定”的老路,对于中兴来说,未来的发展一定不会乐观。

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和特点 产品详情 AD53509是一款单芯片器件,用于在ATE VLSI和存储器测试仪中执行驱动器、比较器和有源负载的引脚电子功能。此外,它还内置一个用于有源负载的肖特基二极管桥和一个VCOM缓冲器。 驱动器采用专有设计,提供三种有源状态:数据高电平状态、数据低电平状态和期限状态,以及一种抑制状态。输出电压范围为−2 V至+7 V,支持多种测试设备。整个信号范围内的输出漏电流典型值小于250 nA。 双通道比较器的输入范围与驱动器输出范围相同,内置锁存器并提供ECL兼容型输出。输出能够驱动端接到−2 V电压的50 Ω信号线路。信号跟踪能力大于>5 V/ns。有源负载可以用来提供最高40 mA的负载电流,整个设置范围内的线性度误差小于10 μA。IOH、IOL和缓冲VCOM均可独立调整。片上肖特基二极管具有高速开关和低电容特性。 片内还集成温度传感器,其作用是指示DCL的表面温度。可以利用此信息来测量θJC和θJA,或者在失去正常冷却功能时提示报警。传感器输出是一个与绝对温度成比例的吸电流。增益被调整到1.0 μA/K的标称值。例如,可以利用一个连接在10 V电压与THERM引脚之间的10 kΩ电阻来检测输出电流。该电阻上的压降为...
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AD53509G 单芯片、高性能驱动器/比较器有源负载

ADATE305 250 MHz双通道集成DCL,提供电平设置DAC、单引脚PMU和单芯片(Per Chip) VHH功能

和特点 驱动器欲了解更多信息,请参考数据手册比较器窗口和差分比较器输入等效带宽:500 MHz负载最大±12 mA电流能力单引脚PMU欲了解更多信息,请参考数据手册电平欲了解更多信息,请参考数据手册HVOUT输出缓冲器输出范围:0 V至13.5 V100引脚14 mm × 14 mm TQFP_EP封装功耗:每通道900 mW(空载) 产品详情 ADATE305是一款完整的单芯片解决方案,用于在ATE应用中执行驱动器、比较器和有源负载(DCL)、单引脚(Per Pin) PMU、直流电平的引脚电子功能。它还内置一个HVOUT驱动器和VHH缓冲器,能够产生最高13.5 V的电压。驱动器提供三种有源状态:数据高电平状态、数据低电平状态和期限状态,以及一种抑制状态。抑制状态与集成动态箝位一起使用时,有利于实现高速有源端接。通过调整正负电源电压,ADATE305支持两种输出电压范围:−2.0 V至+6.0 V和−1.5 V至+6.0 V。ADATE305既可以用作双单端驱动/接收通道,也可以用作单差分驱动/接收通道。每个通道都提供用于功能测试的高速窗口比较器,以及带FV/FI和MV/MI功能的单引脚PMU。DCL功能所需的全部直流电平都由片内14位DAC产生。单引脚PMU具有一...
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ADATE305 250 MHz双通道集成DCL,提供电平设置DAC、单引脚PMU和单芯片(Per Chip) VHH功能

ADATE304 200 MHz双通道集成DCL,提供电平设置DAC、单引脚PMU和单芯片(Per Chip) VHH功能

和特点 驱动器3电平驱动器,提供高阻态模式和内置箝位电路精密调整的输出电阻低泄漏模式:<10 nA(典型值)电压范围:−2.0 V至+6.0 V脉冲宽带:2.4 ns(最小值),2 V端接比较器窗口和差分比较器输入等效带宽:500 MHz负载最大±12 mA电流能力单引脚PMU驱动电压范围:−2.0 V至+6.0 V5种电流范围:32 mA、2 mA、200 µA、20 µA、2 µA电平14位DAC提供DCL电平校准的INL典型值小于±5 mV16位DAC提供PMU电平FV模式下校准的INL线性度典型值小于±1.5 mVHVOUT输出缓冲器输出范围:0 V至13.5 V84引脚、9 mm × 9 mm倒装芯片BGA封装 功耗:每通道900 mW(空载) 产品详情 ADATE304是一款完整的单芯片解决方案,用于在ATE应用中执行驱动器、比较器和有源负载(DCL)、单引脚(Per Pin) PMU、直流电平的引脚电子功能。它还内置一个HVOUT驱动器和VHH缓冲器,能够产生最高13.5 V的电压。驱动器提供三种有源状态:数据高电平状态、数据低电平状态和期限状态,以及一种抑制状态。抑制状态与集成动态箝位一起使用时,有利于实现高速有源端接。通过调整正负电源电压,ADATE304支持两种输出电压范围:...
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ADATE304 200 MHz双通道集成DCL,提供电平设置DAC、单引脚PMU和单芯片(Per Chip) VHH功能

LTC2942-1 具内部检测电阻器和温度/电压测量功能的 1A 电池电量测量芯片

和特点 可指示累积的电池充电和放电电量 SMBus/I2C 接口 集成 50mΩ 高端检测电阻器 ±1A 检测电流范围 高准确度模拟积分 ADC 负责测量电池电压和温度 集成化温度传感器 1% 电压和充电准确度 可配置报警输出/充电完成输入 2.7V 至 5.5V 工作范围 静态电流小于 100μA 小外形 6 引脚 2mm x 3mm DFN 封装 产品详情 LTC®2942-1 可测量手持式 PC 和便携式产品应用中的电池充电状态、电池电压和芯片温度。其工作范围非常适合于单节锂离子电池。一个精准的库仑计量器负责对流经位于电池正端子和负载或充电器之间的一个检测电阻器的电流进行积分运算。电池电压和片内温度利用一个内部 14 位无延迟增量累加 (No Latency ΔΣ™) ADC 来测量。所测量的三种物理参数值 (电荷、电压和温度) 被存储于可通过板上 SMBus/I2C 接口进行存取的内部寄存器中。 LTC2942-1 具有针对所有三种测量物理量的可编程高门限和低门限。如果超过了某个编程门限,则该器件将采用 SMBus 报警协议或通过在内部状态寄存器中设定一个标记来传送一个报警信号。 集成检测电阻 LTC2942 否 LTC2942-1 是 应用 低功率手持式产品 蜂窝电话 M...
发表于 02-22 12:23 0次 阅读
LTC2942-1 具内部检测电阻器和温度/电压测量功能的 1A 电池电量测量芯片

HMC655-DIE 固定、6 dB无源衰减器芯片,DC - 50 GHz

和特点 宽带宽: DC - 50 GHz 9款衰减器产品:固定电平:0、2、3、4、6、10、15和20 dB 功率处理: +25 dBm HMC651和HMC658裸片尺寸: 0.57 x 0.45 x 0.1 mm HMC650, HMC652, HMC653, HMC654, HMC655, HMC656 和HMC657裸片尺寸: 0.42 x 0.45 x 0.1 mm产品详情 HMC650/651/652/653/654/655/656/657/658是一系列宽带固定值50 Ω匹配衰减器芯片,提供0、2、3、4、6、10、15和20 dB相对衰减电平。 这些无源旋转器和衰减器非常适合需要极端平坦衰减和出色的VSWR与频率关系的微带、混合及多芯片模块应用。 宽带衰减器采用低电感片内过孔,无需额外的接地连接。 HMC650至HMC658背面镀金,适合共晶或环氧树脂芯片贴装。 所有9款产品均可通过相应的产品型号单独购买,或购买HMC-DK006固定衰减器芯片设计套件(含10件)。应用 光纤产品 微波无线电 军事和太空混合器件 测试与测量 科研仪器 RF/微波电路原型制作 方框图...
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HMC655-DIE 固定、6 dB无源衰减器芯片,DC - 50 GHz

HMC365-DIE InGaP HBT 4分频芯片,DC - 13 GHz

和特点 超低SSB相位噪声: -151 dBc/Hz 宽带宽 输出功率: 5 dBm 单直流电源: +5V 小尺寸: 1.30 x 0.69 x 0.1 mm 产品详情 HMC365是低噪声的4分频静态分频器,使用InGaP GaAs HBT技术,拥有1.30 x 0.69 mm的小巧尺寸。此器件在DC(使用方波输入)至13 GHz的输入频率下工作,使用+5V DC单电源。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-151 dBc/Hz,有助于用户保持良好的系统噪声性能。 应用 卫星通信系统 光纤产品 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT方框图...
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HMC365-DIE InGaP HBT 4分频芯片,DC - 13 GHz

HMC-ABH209 中等功率放大器芯片,55 - 65 GHz

和特点 输出IP3: +25 dBm P1dB: +16 dBm 增益: 13 dB 电源电压: +5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.2 x 1.22 x 0.1 mm 产品详情 THMC-ABH209是一款高动态范围、两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为55至65 GHz。 HMCABH209提供13 dB增益,采用+5V电源电压时具有+16 dBm输出功率(1dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 /p>HMC-ABH209 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 军事和太空 方框图...
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HMC-ABH209 中等功率放大器芯片,55 - 65 GHz

HMC-AUH320 中等功率放大器芯片,71 - 86 GHz

和特点 增益: 16 dB (76 GHz) P1dB: +15 dBm 电源电压: +4V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.20 x 0.87 x 0.1 mm 产品详情 HMC-AUH320是一款高动态范围的四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,在71至86 GHz的频率下工作。 HMC-AUH320在74 GHz频率下提供16 dB的增益,在1 dB压缩点提供+15 dBm的输出功率,采用+4V电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-AUH320 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 汽车雷达 军事和太空 E波段通信系统 方框图...
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HMC-AUH320 中等功率放大器芯片,71 - 86 GHz

HMC562 宽带驱动放大器芯片,2 - 35 GHz

和特点 P1dB输出功率: +12 dBm 增益: 12.5 dB 输出IP3: +19 dBm 电源电压: +8V (80 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸:3.12 x 1.42 x 0.1 mm 产品详情 HMC562是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驱动放大器裸片,在2至35 GHz的频率下工作。 该放大器提供12.5 dB增益,+27 dBm输出IP3和12 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为80 mA(采用+8V电源)。 HMC562非常适合EW、ECM和雷达驱动放大器应用。 HMC562放大器I/O是隔直的,内部匹配50 Ω阻抗,方便集成到多芯片模块(MCM)。 所有数据均由通过最短0.31mm (12 mil)的两条0.075mm (3 mil)线焊带连接的芯片获取。应用 军事和太空 测试仪器仪表 光纤产品 方框图...
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HMC562 宽带驱动放大器芯片,2 - 35 GHz

HMC-ALH376 低噪声放大器芯片,35 - 45 GHz

和特点 噪声系数: 2 dB 增益: 16 dB (40 GHz) P1dB输出功率: +6 dBm 电源电压: +4V (87 mA) 裸片尺寸: 2.7 x 1.44 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH376是一款GaAs MMIC HEMT三级、自偏置、低噪声放大器芯片,工作频率范围为35至45 GHz。该放大器提供16 dB增益、2 dB噪声系数和+6 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+4V单电源时功耗仅为87 mA。由于尺寸较小(3.9 mm²),这款自偏置LNA适合集成到混合组件或多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 测试设备和传感器 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:14 0次 阅读
HMC-ALH376 低噪声放大器芯片,35 - 45 GHz

HMC519-DIE GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器芯片,18 - 32 GHz

和特点 噪声系数: 2.8 dB 增益: 15 dB OIP3: 23 dBm 单电源: +3V (65 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.27 x 1.32 x 0.1 mm 产品详情 HMC519是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器芯片,工作频率范围为18至32 GHz。 HMC519提供15 dB小信号增益、2.8 dB噪声系数及高于23 dBm的输出IP3。 由于尺寸较小,该芯片可轻松集成到混合组件或多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.075 mm (3 mil)、最小长度0.31 mm (12 mil)的焊线连接。 也可用两根直径为0.025mm (1 mil)的焊线进行RFIN和RFOUT连接。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 军事和太空 方框图...
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HMC519-DIE GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器芯片,18 - 32 GHz

HMC-ALH508 低噪声放大器芯片,71 - 86 GHz

和特点 噪声系数: <5 dB P1dB: +7 dBm 增益: 13 dB 电源电压: +2.4V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.2 x 1.6 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH508是一款三级GaAs HEMT MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为71至86 GHz。 HMC-ALH508具有13 dB小信号增益、4.5 dB噪声系数和+7 dBm输出功率(1 dB压缩),分别采用2.1V和2.4V两个电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 这款多功能LNA兼容传统的芯片贴装方式以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线局域网(LAN) 汽车雷达 军事和太空 E波段通信系统 方框图...
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HMC-ALH508 低噪声放大器芯片,71 - 86 GHz

AD847 高速、低功耗、单芯片运算放大器

和特点 出众的性能高单位增益带宽:50 MHz低电源电流:5.3 mA高压摆率:300 V/µs出色的视频特性驱动任何容性负载快速的0.1%建立时间(10 V步进):65 ns出色的直流性能5.5 V/mV高开环增益(PLOAD = 1 kΩ)低输入失调电压:0.5 mV额定工作电压:±5 V和±15 V提供多种选择塑料DIP和SOIC封装Cerdip封装裸片形式MIL-STD-883B工艺卷带和卷盘(EIA-481A标准)提供双通道版本:AD827(8引脚)LM6361的增强替代产品 产品详情 AD847代表高速放大器的一个突破,实现了低成本、低功耗的出众交流和直流性能。出色的直流性能表现在它±5 V的规格值,包括3500 V/V的开环增益(500Ω负载)和0.5 mV的低输入失调电压。共模抑制最低为78 dB。输出电压摆幅为±3 V(负载低至150Ω)。ADI公司还提供其他超过30种高速放大器,从低噪声AD829(1.7nV/√Hz)到终极的视频放大器AD811(差分增益0.01%,差分相位0.01°)。 方框图...
发表于 02-22 12:12 0次 阅读
AD847 高速、低功耗、单芯片运算放大器

HMC-ALH216 低噪声放大器芯片,14 - 27 GHz

和特点 噪声系数: 2.5 dB (20 GHz) 增益: 18 dB P1dB输出功率: +14 dBm 电源电压: +4V (90 mA) 裸片尺寸: 2.25 x 1.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH216是一款GaAs MMIC HEMT宽带低噪声放大器芯片,工作频率范围为14至27 GHz。该放大器提供18 dB增益、2.5 dB噪声系数和+14 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+4V电源电压时功耗仅为90 mA。由于尺寸较小,HMC-ALH216放大器适合集成到多芯片模块(MCM)中。应用 点对点无线电 点对多点无线电 军事和太空 测试仪器仪表 方框图...
发表于 02-22 12:08 0次 阅读
HMC-ALH216 低噪声放大器芯片,14 - 27 GHz

HMC396 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 8 GHz

和特点 增益: 12 dB P1dB输出功率: +14 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC396芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至8 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+16 dBm的HMC混频器LO。 HMC396提供12 dB的增益,+30 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供56 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC396可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
发表于 02-22 12:07 22次 阅读
HMC396 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 8 GHz

HMC-APH196 中等功率放大器芯片,17 - 30 GHz

和特点 输出IP3: +31 dBm P1dB: +22 dBm 增益: 20 dB (20 GHz) 电源电压: +4.5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.3 x 1.95 x 0.1 mm 产品详情 HMC-APH196是一款两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为17至30 GHz。 HMC-APH196在20 GHz下提供20 dB增益,采用+4.5V电源电压时具有+22 dBm输出功率(1 dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-APH196 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:07 0次 阅读
HMC-APH196 中等功率放大器芯片,17 - 30 GHz

HMC-ABH241 中等功率放大器芯片,50 - 66 GHz

和特点 输出IP3: +25 dBm P1dB: +17 dBm 增益: 24 dB 电源电压: +5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.2 x 1.42 x 0.1 mm 产品详情 THMC-ABH241是一款四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为50至66 GHz。 HMC-ABH241提供24 dB增益,采用+5V电源电压时具有+17 dBm输出功率(1dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-ABH241 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:07 0次 阅读
HMC-ABH241 中等功率放大器芯片,50 - 66 GHz

HMC-MDB277 DBL-BAL混频器芯片,70 - 90 GHz

和特点 宽IF带宽: DC - 18 GHz 无源双平衡拓扑结构 LO输入功率: +14 dBm 裸片尺寸: 1.55 x 1.4 x 0.1 mm 产品详情 HMC-MDB277是一款无源双平衡MMIC混频器,采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术,可用作上变频器或下变频器。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB277双平衡混频器可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 这款紧凑型MMIC可以取代混合型双平衡式混频器,而且体积要小得多,性能更加稳定。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量无线电 FCC E波段通信系统 汽车雷达 传感器 测试和测量设备 方框图...
发表于 02-22 12:07 19次 阅读
HMC-MDB277 DBL-BAL混频器芯片,70 - 90 GHz

ADM691A 微处理器电源监控器,内置备用电池切换、可调复位周期与可调看门狗周期、芯片使能信号、看门狗、备用电池功能和4.65V阈值电压、低VCC状态输出、250MA输出电流特性

和特点 低功耗 精密电压监控器 ADM800L/M容差:±2% 复位时间延迟:200 ms或可调 待机电流:1 µA 备用电池电源自动切换 芯片使能信号快速片内选通 同时提供TSSOP封装(ADM691A)产品详情 ADM691A/ADM693A/ADM800L/ADM800M系列监控电路均为完整的单芯片解决方案,可实现微处理器系统中的电源监控和电池控制功能。这些功能包括微处理器复位、备用电池切换、看门狗定时器、CMOS RAM写保护和电源故障警告。该系列产品是MAX691A/93A/800M系列的升级产品。所有器件均提供16引脚DIP和SO封装。ADM691A同时提供节省空间的TSSOP封装。主要提供下列功能:启动、关断和掉电情况下的上电复位输出。即使VCC低至1 V,电路仍然可以工作。CMOS RAM、CMOS微处理器或其它低功耗逻辑的备用电池切换。如果可选的看门狗定时器在指定时间内未切换,则提供复位脉冲。1.25 V阈值检波器,用于电源故障警告、低电池电量检测或+5 V以外电源的监控。 方框图...
发表于 02-22 12:06 0次 阅读
ADM691A 微处理器电源监控器,内置备用电池切换、可调复位周期与可调看门狗周期、芯片使能信号、看门狗、备用电池功能和4.65V阈值电压、低VCC状态输出、250MA输出电流特性

MAT14 匹配单芯片四通道晶体管

和特点 低失调电压:400 μV(最大值) 高电流增益:300(最小值) 出色的电流增益匹配度:4%(最大值) 低电压噪声密度(100 Hz、1 mA):3 nV/√Hz(最大值) 出色的对数一致性:体电阻 rBE = 0.6 Ω (最大值) 所有晶体管保证匹配产品详情 MAT14是一款四通道单芯片NPN型晶体管,具有出色的参数匹配性能,适合精密放大器和非线性电路应用。MAT14的性能特征包括:在很宽的集电极电流范围内提供高增益(最小300)、低噪声(在100 Hz、IC = 1 mA条件下最大值为3 nV/√Hz)以及出色的对数一致性。失调电压典型值低至100 μV,精密电流增益匹配度可达4%以内。MAT14的每个晶体管均经过独立测试,符合数据手册性能规格。为使参数匹配(失调电压、输入失调电流和增益匹配),双晶体管组合中的每个晶体管均经过验证,达到了规定的限制要求。在25°C的环境温度和工业温度范围内保证器件性能。匹配参数的长度稳定性由各晶体管基极-发射极结上的保护二极管保证。这些二极管能够防止反向偏置基极-发射极电流导致β和匹配特性下降。MAT14的出色对数一致性和精确匹配特性使它非常适合用于对数和反对数电路。MAT14是需要低噪声和高增益的应用的理想选...
发表于 02-22 12:01 30次 阅读
MAT14 匹配单芯片四通道晶体管