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一种电动汽车芯片级的检测方案----TMR

汽车电子设计 2018-07-04 08:56 次阅读

电动汽车上需要检测电流的地方很多,比如BMS, MCU, PDU,车载充电器,DC-DC等目前行业内对电流的检测和监控,除了一些高端车型会采用精度更高、响应速度更快的HALL闭环电流传感器,普遍用的都是HALL开环方案。

HALL电流传感器虽然HALL开环电流传感器的精度、线性度、响应速度、温漂特性等性能方面均不如HALL闭环方案,但是汽车电气工程师普遍更在乎其能满足一般工作要求情况的经济性(4-10美金),当下国产的HALL开环方案市场价更是有朝3美金方向走的趋势。

HALL 开环方案 

HALL 闭环方案

HALL开环电流传感器的确有一定的经济性,但是其较肥大的体积,要占用很大空间也越来越受到工程师的诟病。尤其是在电动汽车行业,动力模块的小型化是各家车厂都竞相研究的方向。

本文介绍一种电动汽车芯片级的检测方案----TMR(穿隧磁阻效应),这种方案可实现级小体积的芯片来精确检测铜排或者导线上电流,其精度、线性度、响应速度和温漂特性可以媲美HALL闭环方案,而且该方案的成本甚至比HALL开环方案还有优势。

之前网上资料都反应说TMR(穿隧磁阻效应)技术很高端很强大,但是成本高,大家用不起。然而随着技术的突破, TMR技术用在电流传感器芯片在2016年就市场化了,而且价格相当的亲咱们工程师。

首先简单介绍一下TMR概念穿隧磁阻效应(Tunnel Magnetoresistance,TMR)穿隧磁阻效应是指在铁磁-绝缘体薄膜(约1纳米)-铁磁材料中,其穿隧电阻大小随两边铁磁材料相对方向变化的效应。此效应首先于1975年由MichelJulliere在铁磁材料(Fe)与绝缘体材料(Ge)发现;室温穿隧磁阻效应则于1995年,由TerunobuMiyazaki与Moodera分别发现。此效应更是磁性随机存取内存(magneticrandomaccessmemory,MRAM)与硬盘中的磁性读写头(readsensors)的科学基础。 TMR技术最初是用在硬盘中磁性读写头上的,因此其对磁场检测的精度、准确度以及寿命可靠性在硬盘中经过了几十年的市场检验。在检测汽车动力电流时是通过检测铜排和导线上电流所产生的磁场,再通过芯片一定的运算来得到电流大小的。

上图比较理论化,就是说明TMR技术很牛逼,直接跳过。下图是TMR芯片方案的应用图上图可以了解到实际应用中:

1)检测母排上电流,TMR芯片方案是没有电流限制的

2)检测导电铜柱上的电流,TMR芯片方案可到KA级别

3)检测PCB板级的电流时,TMR芯片方案量程在100A以内

4)检测铜柱/导线上采用TMR芯片阵列方案,量程无限制,只需套在铜柱或者导线上,无需固定----这也太方便了吧?

TMR芯片方案是不需要磁芯辅助聚磁的,这个是与HALL电流传感器的本质区别。省去了磁芯的成本,封装磁芯的成本,其价格自然就比HALL电流传感器有优势。工程师只需要在厂家指导下设计放大电路就可以,非常简单。因为不用磁芯了,其体积比HALL电流传感器方案要大大减小,为工程师省下大量空间,这才是TMR最大的优势。

另外TMR芯片电流检测方案还有一个非常大优势就是带宽高,响应时间快。这个有什么用呢?

电动汽车电气工程师都知道电驱动功率模块(IGBT/MOSFET)的趋势很快会从硅基芯片朝SiC (碳化硅)或者GaN(氮化镓)转化。为什么呢?因为SiC/GaN 功率模块更适合高压大电流、功率损耗极低(发热量小、对冷却要去低)、外围电路更简单,功率总成的体积比IGBT/MOSFET要小30%以上,吸引力巨大呀。但是SiC/GaN 功率模块工作带宽比传统IGBT要高10倍以上,可达1MHZ。相应的对电流传感器的响应速度要求就非常高,要达到0.01微秒级别。这个时候HALL电流传感器是达不到的了,只能采用TMR电流检测方案才能跟上。作为优秀的汽车电气工程师做相应的技术储备,多了解TMR电流检测方案,才能轻松应对技术升级。

那么TMR芯片电流传感器是如何保证全温区电流检测精度的呢?

1 TMR 电流传感器没有磁芯,磁芯所带来的磁滞效应、温漂等影响就避免了

2 TMR 电流传感器的独特布局可以抵抗外部电磁干扰,这里主要指检测的磁场与检测芯片平行的布局----有点太理论了,哈哈。

3 TMR 电流传感器采用梯度差分结构监测磁场,进一步提高精度

目前国外各大电流传感器厂家都在竞相研发基于TMR技术的芯片,但是这方面最成熟,而且能市场化量产的无疑就是XXXX公司,我们众所周知的LEM, MELEXIS,ALLEGRO, INFINEON, HONEYWELL的TMR芯片技术都是他们家支持的呢,毕竟要市场化量产TMR芯片是有门槛的。我们知道硬盘界两大巨头希捷和西部数据是掌握了TMR技术的,但是人家硬盘界的巨头看不上电流传感器的市场,也就没往这方面发展。

国内已经有比亚迪和阳光电源采用了TMR芯片电流检测方案,毕竟新技术只有行业龙头才有实力验证其可靠性,然而这种新技术也给这些龙头在提高性能的同时节约了大量成本,尝到了甜头。可以预计未来电动汽车电流检测技术一定是TMR的天下了。本人因为工作原因,对TMR电流传感器技术了解一点,写出一点心得供大家交流。如果错漏之处还请各位大虾指正。

原文标题:芯片级电流传感器方案在新能源汽车上的应用

文章出处:【微信号:QCDZSJ,微信公众号:汽车电子设计】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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HMC-ALH445 低噪声放大器芯片,18 - 40 GHz

HMC-ALH310 低噪声放大器芯片,37 - 42 GHz

和特点 噪声系数: 3.5 dB P1dB: +12 dBm 增益: 22 dB 电源电压: +2.5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 1.80 x 0.73 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH310是一款三级GaAs HEMT MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为37至42 GHz。 HMC-ALH310具有22 dB小信号增益、3.5 dB噪声系数和+12 dBm输出功率(1 dB压缩),采用+2.5V电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 这款多功能LNA兼容传统的芯片贴装方式以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 军事和太空方框图...
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HMC-ALH310 低噪声放大器芯片,37 - 42 GHz

HMC-ALH313 低噪声放大器芯片,27 - 33 GHz

和特点 噪声系数: 3.0 dB 增益: 20 dB P1dB输出功率: +12 dBm 电源电压: +2.5V (52 mA) 裸片尺寸: 1.80 x 0.73 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH313是一款三级GaAs MMIC HEMT低噪声放大器芯片,工作频率范围为27至33 GHz。 该放大器提供20 dB增益、3 dB噪声系数和+12 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+2.5V电源电压时功耗仅为52 mA。 由于尺寸较小(1.30 mm²),该放大器芯片适合用作LNA或驱动放大器,并可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 测试设备和传感器 军事和太空方框图...
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HMC-ALH313 低噪声放大器芯片,27 - 33 GHz

HMC-ALH140 低噪声放大器芯片,24 - 40 GHz

和特点 噪声系数: 4 dB 增益: 11.5 dB P1dB输出功率: +15 dBm 电源电压: +4V (60 mA) 裸片尺寸: 2.5 x 1.4 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH140是一款两级GaAs MMIC HEMT低噪声放大器芯片,工作频率范围为24至40 GHz。 该放大器提供11.5 dB增益,采用+4V/66 mA偏置电源,噪声系数为4 dB。 由于尺寸较小(2.10 mm²),HMC-ALH140放大器芯片适合集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 卫星通信方框图...
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HMC-ALH140 低噪声放大器芯片,24 - 40 GHz

HMC-ALH244 低噪声放大器芯片,24 - 40 GHz

和特点 噪声系数: 3.5 dB 增益: 12 dB P1dB输出功率: +13 dBm 电源电压: +4V (45 mA) 裸片尺寸: 2.50 x 1.4 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH244是一款两级GaAs MMIC HEMT低噪声放大器芯片,工作频率范围为24至40 GHz。 该放大器提供12 dB增益、3.5 dB噪声系数,采用+4V电源电压时功耗仅为45 mA。 由于尺寸较小(3.5 mm2),HMC-ALH244放大器芯片适合集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 卫星通信方框图...
发表于 02-15 18:44 12次 阅读
HMC-ALH244 低噪声放大器芯片,24 - 40 GHz

HMC395 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 4 GHz

和特点 增益: 15 dB P1dB输出功率: +16 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC395芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC - 4 GHz放大器。 此款放大器芯片可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+17 dBm的HMC混频器LO。 HMC395提供16 dB的增益,+31 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供54mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC395可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
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HMC395 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 4 GHz

HMC397 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 10 GHz

和特点 增益: 15 dB P1dB输出功率: +15 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC397芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至10 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+16 dBm的HMC混频器LO。 HMC397提供15 dB的增益,+32 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供56 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC397可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
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HMC397 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 10 GHz

HMC-ALH364 低噪声放大器芯片,24 - 32 GHz

和特点 出色的噪声系数: 2.0 dB 增益: 21 dB P1dB输出功率: +7 dBm 电源电压: +5V (68 mA) 裸片尺寸: 1.49 x 0.73 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH364是一款GaAs MMIC HEMT三级、自偏置、低噪声放大器芯片,工作频率范围为24至32 GHz。 该放大器提供21 dB增益、2 dB噪声系数和+7 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+5V单电源时功耗仅为68 mA。 由于尺寸较小(1.09 mm2),HMC-ALH364放大器芯片适合集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 卫星通信 方框图...
发表于 02-15 18:44 12次 阅读
HMC-ALH364 低噪声放大器芯片,24 - 32 GHz

HMC594-DIE 低噪声放大器芯片,2 - 4 GHz

和特点 增益平坦度: 0.2 dB 输出IP3: +36 dBm 增益: 10 dB 直流电源: +6V (100mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 1.32 x 1.21 x 0.10 mm 产品详情 HMC594是一款GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器(LNA)芯片,工作频率范围为2至4 GHz。 HMC594在整个工作频段内具有极平坦的性能特性,包括10dB小信号增益、2.6dB噪声系数和+36 dBm输出IP3。 由于尺寸较小、一致的输出功率和隔直RF I/O,这款多功能LNA非常适合MCM组件和混合应用。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度为0.31 mm (12 mils)的焊线连接。应用 固定微波 点对多点无线电 测试和测量设备 雷达和传感器 军事和太空方框图...
发表于 02-15 18:44 23次 阅读
HMC594-DIE 低噪声放大器芯片,2 - 4 GHz

HMC405 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 10 GHz

和特点 增益: 16 dB P1dB输出功率: +13 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC405芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至10 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+17 dBm的HMC混频器LO。 HMC405提供16 dB的增益,+32 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供50 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC405可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
发表于 02-15 18:44 18次 阅读
HMC405 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 10 GHz

HMC635-DIE 驱动放大器芯片,18 - 40 GHz

和特点 增益: 19.5 dB P1dB: +23 dBm 输出IP3: +29 dBm 饱和功率:+24 dBm (15% PAE) 电源电压: +5V (280 mA) 50 Ω匹配输入/输出< 裸片尺寸: 1.95 x 0.84 x 0.10 mm 产品详情 HMC635是一款GaAs PHEMT MMIC驱动放大器裸片,工作频率范围为18至40 GHz。 该放大器提供19.5 dB的增益,+29 dBm输出IP3及+23 dBm的输出功率(1 dB增益压缩时),功耗为280 mA(+5V电源)。 HMC635非常适合作为微波无线电应用的驱动放大器,或用作工作频率范围为18至40 GHz的混频器LO放大器,可提供高达+24 dBm的饱和输出功率(15% PAE)。 隔直放大器I/O内部匹配50 Ω,非常适合集成到多芯片模块(MCM)中。 所有芯片数据均利用芯片获取,其通过两个长度为500 μm的1 mil线焊连接输入和输出RF端口。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 混频器用LO驱动器 军事和太空 方框图...
发表于 02-15 18:43 0次 阅读
HMC635-DIE 驱动放大器芯片,18 - 40 GHz

HMC649A HMC649A/HMC649LP6 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,3 GHz至6 GHz

和特点 低RMS相位误差: 3度 低插入损耗: 6.5 dB至8 dB 高线性度: 44 dBm 正控制逻辑 360度覆盖,LSB = 5.625度 裸片尺寸: 4.5 mm x 1.9 mm x 0.1 mm 28引脚QFN无引脚SMT封装: 36 mm² 产品详情 components.HMC649A是一款6位数字移相器芯片,额定频率范围为3 GHz至6 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC649A在所有相态具有3度的低RMS相位误差及±0.5 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/5 V的正控制逻辑控制。HMC649A采用紧凑型6 mm x 6 mm无引脚SMT塑料封装,内部匹配50 Ω,无需任何外部元件。 应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消 方框图...
发表于 02-15 18:43 10次 阅读
HMC649A HMC649A/HMC649LP6 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,3 GHz至6 GHz

HMC648A HMC648A/HMC648ALP6E 6位数字移相器芯片,采用SMT封装,2.9 GHz至3.9 GHz

和特点 低RMS相位误差: 1.2度 低插入损耗: 5 dB 高线性度: 45 dBm 正控制逻辑 360度覆盖,LSB = 5.625度 裸片尺寸: 3.27 mm x 1.90 mm x 0.1 mm 28引脚QFN无铅SMT封装: 36 mm²产品详情 HMC648A是一款6位数字移相器芯片,额定频率范围为2.9 GHz至3.9 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC648A在所有相态具有1.2度至1.5度的极低RMS相位误差及±0.5 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/5 V的正控制逻辑控制。HMC648A采用紧凑型6 mm x 6 mm塑料无铅SMT封装,内部匹配50 Ω,无需任何外部元件。 应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消方框图...
发表于 02-15 18:43 17次 阅读
HMC648A HMC648A/HMC648ALP6E 6位数字移相器芯片,采用SMT封装,2.9 GHz至3.9 GHz

HMC642A HMC642A/HMC642LC5 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,9 GHz至12.5 GHz

和特点 低RMS相位误差: 2.5度至3.5度 低插入损耗: 6.5 dB至7 dB 高线性度: 41 dBm 正控制电压和正控制逻辑 360度覆盖,LSB = 5.625度 裸片尺寸: 3.25 mm x 1.9 mm x 0.1 mm 32引脚SMT陶瓷封装: 25 mm² 产品详情 HMC642A是一款6位数字移相器芯片,额定频率范围为9 GHz至12.5 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC642A在所有相态具有2.5度至3.5度的极低RMS相位误差及±0.25 dB至±0.4 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/5 V的正控制逻辑控制。HMC642A采用紧凑型5 mm x 5 mm无引脚SMT陶瓷封装,内部匹配50 Ω,无需任何外部元件。应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消 方框图...
发表于 02-15 18:43 20次 阅读
HMC642A HMC642A/HMC642LC5 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,9 GHz至12.5 GHz

HMC913-DIE 连续检波对数视频放大器(SDLVA)芯片,0.6 - 20 GHz

和特点 高对数范围: 59 dB(-54至+5 dBm,18 GHz) 输出频率平坦度: ±1.5 dB 对数线性度: ±1 dB 快速上升/下降时间: 5/10 ns 单正电源: +3.3V ESD灵敏度(HBM): 1A级 产品详情 HMC913是一款连续检波对数视频放大器(SDLVA),工作频率范围为0.6至20 GHz。 HMC913提供59 dB的对数范围。 该器件提供5/10 ns的典型快速上升/下降时间,延迟时间仅14 ns。 HMC913对数视频输出斜率为14 mV/dB(典型值)。 最大恢复时间不到30 ns。 HMC913非常适合高速通道接收机应用,采用+3.3 V单电源供电,功耗仅为80 mA。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 Applications EW、ELINT和IFM接收机 DF雷达系统 ECM系统 宽带测试和测量 功率测量和控制电路 军事和太空应用 方框图...
发表于 02-15 18:41 14次 阅读
HMC913-DIE 连续检波对数视频放大器(SDLVA)芯片,0.6 - 20 GHz

HMC694-DIE 模拟可变增益放大器芯片,6 - 17 GHz

和特点 宽增益控制范围: 23 dB 单控制电压 输出IP3(最大增益): +30 dBm 输出P1dB: +22 dBm 无需外部匹配 裸片尺寸: 2.26 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC694是一款GaAs MMIC PHEMT模拟可变增益放大器裸片,工作频率范围为6至17 GHz。 该放大器非常适合微波无线电应用,提供高达24 dB增益、22 dBm输出P1dB、30 dBm输出IP3(最大增益时),同时在+5V电源下功耗仅为170 mA。 提供栅极偏置(Vctrl)使可变增益控制高达23 dB。 HMC694在6至17 GHz范围内的增益平坦度非常出色,因而非常适合EW、ECM和雷达应用。 由于尺寸较小且无需外部匹配,HMC694可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均通过50 Ω测试夹具中的芯片获取,通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度为0.31 mm (12 mil)的线焊连接。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 EW和 ECM X频段雷达 测试设备 方框图...
发表于 02-15 18:38 10次 阅读
HMC694-DIE 模拟可变增益放大器芯片,6 - 17 GHz

请问有认识图中芯片的吗?

最近研究一个东西,遇到一款芯片,有没有大神知道这是哪个系列的芯片?芯片的大小尺寸是:1.1mm*2.1mm。...
发表于 02-13 10:53 35次 阅读
请问有认识图中芯片的吗?

0-3.3V输入,4-20mA输出,3.3V或5V或12V供电的芯片选型

最近需要一款0-3.3V输入,4-20mA输出,3.3V或5V或12V供电的芯片,有什么好推荐的吗...
发表于 01-29 10:35 91次 阅读
0-3.3V输入,4-20mA输出,3.3V或5V或12V供电的芯片选型

请问用什么12V降5V的芯片比较好?

用什么12 V降5V的芯片比较好?
发表于 01-28 06:36 84次 阅读
请问用什么12V降5V的芯片比较好?

推荐一个和M74HC138 PIN对PIN的芯片型号?

推荐一个和M74HC138 PIN对PIN的芯片型号?
发表于 01-24 15:01 343次 阅读
推荐一个和M74HC138 PIN对PIN的芯片型号?

请问软件读出来的信息怎么看批次

C:\Users\Tom.chan\Desktop用软件读出以下信息,怎么能看出芯片的生产日次(年+周) CPU 96bits ID: 0X30343934...
发表于 01-24 08:22 239次 阅读
请问软件读出来的信息怎么看批次

一组 UART_CTS,UART_RTS,这有什么区别?

芯片管脚有两组UART,一组UART_TX,UART_RX。一组 UART_CTS,UART_RTS,这有什么区别?都是作为I/O...
发表于 01-23 11:23 247次 阅读
一组 UART_CTS,UART_RTS,这有什么区别?

以太网控制器外部PHY芯片模拟程序代码实现

模拟程序模拟了简化的 LXT971A 芯片(Inter 公司的外部 PHY 芯片)。PHY 芯片通过 MIIM(媒体无关接口管理模块)...
发表于 01-18 14:20 186次 阅读
以太网控制器外部PHY芯片模拟程序代码实现

请问HMC681A芯片手册里的Relative Phase这个指标是什么意思?

问题如题。在校学生做项目遇到问题请大家帮忙回答...
发表于 01-18 09:34 80次 阅读
请问HMC681A芯片手册里的Relative Phase这个指标是什么意思?