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5年超20亿美元 美国启动重振芯片产业计划

章鹰 2018-07-02 09:45 次阅读

美国将在未来四年向两项研究计划投入1 亿美元,创造一种新的芯片开发工具,旨在大幅降低设计芯片的壁垒。

这两项计划涉及 15 家公司和 200 多名研究人员,此前一直处于秘密筹备阶段,在刚刚结束的设计自动化大会(DAC 2018)上首次得到公开讨论。

不仅如此,这两项计划都只是美国国家“电子复兴计划”(Electronics Resurgence Initiative,ERI)的一部分。电子复兴计划(ERI)由 DARPA 管理,预计在未来五年投入 15 亿美元,推动美国电子行业向前发展。

美国国会最近还增加了对 ERI 的投入,每年多注资 1.5 亿美元。因此,整个项目资金将达到 22.5 亿美元。

DARPA 计划7 月底在硅谷举办为期 3 天的“电子复兴计划峰会”,汇聚受摩尔定律影响最大的企业,包括来自商业部门、国防工业基地、学术界和政府的高级代表,就电子、人工智能、光子等五大领域的未来研究计划展开头脑风暴,共同塑造美国半导体创新的未来方向。

就在6月27 日,美国正式开始了他们的“十年量子计划”,确保美国不落后于推动量子计划的其他国家。

过去 70 年来,美国因其在电子和半导体领域的领先地位,享受到了经济、政治和国家安全上的优势。如今,在摩尔定律走向终结,电子领域急需转变突破的关键点,在人工智能和量子等新兴技术及产业涌现的当下,美国正在积极计划开创他们下一个十年乃至百年的领先。

人类历史上最重要的技术轨迹走向停滞,技术创新和进步更加大胆的时代即将开始

电子复兴计划的源起,是美国国防部在 2018 年财政年度预算中,提出给 DARPA 补充拨款 7500 万美元,联合公共部门和私人企业,提升芯片性能,方法包括但不限于:不断缩小元件体积,全新的微系统材料,设计和架构的创新。

之所以说“补充”,是因为国防部此前已经计划拨款 2 亿美元,用于协调电子和光子相关系统方面的工作,此外还不算商业部门的额外投资。

目前,微系统技术界经过 20 世纪高速发展后,正陷入一系列可以预期的长期发展障碍。微电子革命始于第二次世界大战后晶体管的发明,如今,一片小小片的芯片上已经可以容纳几十亿的晶体管。但转折点已经到来。

“近 70 年来,美国一直享受着由电子创新领先地位而带来的经济和安全优势,”DARPA 微系统技术办公室(MTO)主管 Bill Chappell 说。“如果我们想保持领先地位,就需要推动一场不依赖传统方法取得进展的电子革命。电子复兴计划的要点,就是通过电路专业化(circuit specialization)来争取进步,并理清下一阶段进步的复杂性,这将对商业和国防利益产生深远的影响。”

电子革命,20世纪最伟大的科技发展奇迹之一

为了理解美国电子复兴计划意在实现的变革的重要性,我们有必要在这里回顾一下上一次这样的范式转换,带来了多么巨大的变革。

1948 年7 月1 日,《纽约时报》的D4页(一个完全不重要的版面),悄然出现了一个叫做“晶体管”(transistor)的词。

当天的“无线电通讯”专栏,一开始是在介绍两个新的电台节目,但却不知为何在收尾的时候,落脚到一个晦涩的技术新闻上面:

昨天,一种叫做晶体管的设备在贝尔实验室首次得到了公开展示,它在通常使用真空管的无线电设备中有几项应用。

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HMC-ALH140 低噪声放大器芯片,24 - 40 GHz

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HMC-ALH311 低噪声放大器芯片,22 - 26.5 GHz

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HMC-ALH244 低噪声放大器芯片,24 - 40 GHz

和特点 噪声系数: 3.5 dB 增益: 12 dB P1dB输出功率: +13 dBm 电源电压: +4V (45 mA) 裸片尺寸: 2.50 x 1.4 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH244是一款两级GaAs MMIC HEMT低噪声放大器芯片,工作频率范围为24至40 GHz。 该放大器提供12 dB增益、3.5 dB噪声系数,采用+4V电源电压时功耗仅为45 mA。 由于尺寸较小(3.5 mm2),HMC-ALH244放大器芯片适合集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 卫星通信方框图...
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HMC395 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 4 GHz

和特点 增益: 15 dB P1dB输出功率: +16 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC395芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC - 4 GHz放大器。 此款放大器芯片可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+17 dBm的HMC混频器LO。 HMC395提供16 dB的增益,+31 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供54mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC395可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
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HMC397 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 10 GHz

和特点 增益: 15 dB P1dB输出功率: +15 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC397芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至10 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+16 dBm的HMC混频器LO。 HMC397提供15 dB的增益,+32 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供56 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC397可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
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HMC-ALH364 低噪声放大器芯片,24 - 32 GHz

和特点 出色的噪声系数: 2.0 dB 增益: 21 dB P1dB输出功率: +7 dBm 电源电压: +5V (68 mA) 裸片尺寸: 1.49 x 0.73 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH364是一款GaAs MMIC HEMT三级、自偏置、低噪声放大器芯片,工作频率范围为24至32 GHz。 该放大器提供21 dB增益、2 dB噪声系数和+7 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+5V单电源时功耗仅为68 mA。 由于尺寸较小(1.09 mm2),HMC-ALH364放大器芯片适合集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 卫星通信 方框图...
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HMC594-DIE 低噪声放大器芯片,2 - 4 GHz

和特点 增益平坦度: 0.2 dB 输出IP3: +36 dBm 增益: 10 dB 直流电源: +6V (100mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 1.32 x 1.21 x 0.10 mm 产品详情 HMC594是一款GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器(LNA)芯片,工作频率范围为2至4 GHz。 HMC594在整个工作频段内具有极平坦的性能特性,包括10dB小信号增益、2.6dB噪声系数和+36 dBm输出IP3。 由于尺寸较小、一致的输出功率和隔直RF I/O,这款多功能LNA非常适合MCM组件和混合应用。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度为0.31 mm (12 mils)的焊线连接。应用 固定微波 点对多点无线电 测试和测量设备 雷达和传感器 军事和太空方框图...
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HMC405 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 10 GHz

和特点 增益: 16 dB P1dB输出功率: +13 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC405芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至10 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+17 dBm的HMC混频器LO。 HMC405提供16 dB的增益,+32 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供50 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC405可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
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HMC635-DIE 驱动放大器芯片,18 - 40 GHz

和特点 增益: 19.5 dB P1dB: +23 dBm 输出IP3: +29 dBm 饱和功率:+24 dBm (15% PAE) 电源电压: +5V (280 mA) 50 Ω匹配输入/输出< 裸片尺寸: 1.95 x 0.84 x 0.10 mm 产品详情 HMC635是一款GaAs PHEMT MMIC驱动放大器裸片,工作频率范围为18至40 GHz。 该放大器提供19.5 dB的增益,+29 dBm输出IP3及+23 dBm的输出功率(1 dB增益压缩时),功耗为280 mA(+5V电源)。 HMC635非常适合作为微波无线电应用的驱动放大器,或用作工作频率范围为18至40 GHz的混频器LO放大器,可提供高达+24 dBm的饱和输出功率(15% PAE)。 隔直放大器I/O内部匹配50 Ω,非常适合集成到多芯片模块(MCM)中。 所有芯片数据均利用芯片获取,其通过两个长度为500 μm的1 mil线焊连接输入和输出RF端口。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 混频器用LO驱动器 军事和太空 方框图...
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HMC649A HMC649A/HMC649LP6 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,3 GHz至6 GHz

和特点 低RMS相位误差: 3度 低插入损耗: 6.5 dB至8 dB 高线性度: 44 dBm 正控制逻辑 360度覆盖,LSB = 5.625度 裸片尺寸: 4.5 mm x 1.9 mm x 0.1 mm 28引脚QFN无引脚SMT封装: 36 mm² 产品详情 components.HMC649A是一款6位数字移相器芯片,额定频率范围为3 GHz至6 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC649A在所有相态具有3度的低RMS相位误差及±0.5 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/5 V的正控制逻辑控制。HMC649A采用紧凑型6 mm x 6 mm无引脚SMT塑料封装,内部匹配50 Ω,无需任何外部元件。 应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消 方框图...
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HMC648A HMC648A/HMC648ALP6E 6位数字移相器芯片,采用SMT封装,2.9 GHz至3.9 GHz

和特点 低RMS相位误差: 1.2度 低插入损耗: 5 dB 高线性度: 45 dBm 正控制逻辑 360度覆盖,LSB = 5.625度 裸片尺寸: 3.27 mm x 1.90 mm x 0.1 mm 28引脚QFN无铅SMT封装: 36 mm²产品详情 HMC648A是一款6位数字移相器芯片,额定频率范围为2.9 GHz至3.9 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC648A在所有相态具有1.2度至1.5度的极低RMS相位误差及±0.5 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/5 V的正控制逻辑控制。HMC648A采用紧凑型6 mm x 6 mm塑料无铅SMT封装,内部匹配50 Ω,无需任何外部元件。 应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消方框图...
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HMC648A HMC648A/HMC648ALP6E 6位数字移相器芯片,采用SMT封装,2.9 GHz至3.9 GHz

HMC642A HMC642A/HMC642LC5 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,9 GHz至12.5 GHz

和特点 低RMS相位误差: 2.5度至3.5度 低插入损耗: 6.5 dB至7 dB 高线性度: 41 dBm 正控制电压和正控制逻辑 360度覆盖,LSB = 5.625度 裸片尺寸: 3.25 mm x 1.9 mm x 0.1 mm 32引脚SMT陶瓷封装: 25 mm² 产品详情 HMC642A是一款6位数字移相器芯片,额定频率范围为9 GHz至12.5 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC642A在所有相态具有2.5度至3.5度的极低RMS相位误差及±0.25 dB至±0.4 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/5 V的正控制逻辑控制。HMC642A采用紧凑型5 mm x 5 mm无引脚SMT陶瓷封装,内部匹配50 Ω,无需任何外部元件。应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消 方框图...
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HMC642A HMC642A/HMC642LC5 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,9 GHz至12.5 GHz

HMC913-DIE 连续检波对数视频放大器(SDLVA)芯片,0.6 - 20 GHz

和特点 高对数范围: 59 dB(-54至+5 dBm,18 GHz) 输出频率平坦度: ±1.5 dB 对数线性度: ±1 dB 快速上升/下降时间: 5/10 ns 单正电源: +3.3V ESD灵敏度(HBM): 1A级 产品详情 HMC913是一款连续检波对数视频放大器(SDLVA),工作频率范围为0.6至20 GHz。 HMC913提供59 dB的对数范围。 该器件提供5/10 ns的典型快速上升/下降时间,延迟时间仅14 ns。 HMC913对数视频输出斜率为14 mV/dB(典型值)。 最大恢复时间不到30 ns。 HMC913非常适合高速通道接收机应用,采用+3.3 V单电源供电,功耗仅为80 mA。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 Applications EW、ELINT和IFM接收机 DF雷达系统 ECM系统 宽带测试和测量 功率测量和控制电路 军事和太空应用 方框图...
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HMC913-DIE 连续检波对数视频放大器(SDLVA)芯片,0.6 - 20 GHz

HMC694-DIE 模拟可变增益放大器芯片,6 - 17 GHz

和特点 宽增益控制范围: 23 dB 单控制电压 输出IP3(最大增益): +30 dBm 输出P1dB: +22 dBm 无需外部匹配 裸片尺寸: 2.26 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC694是一款GaAs MMIC PHEMT模拟可变增益放大器裸片,工作频率范围为6至17 GHz。 该放大器非常适合微波无线电应用,提供高达24 dB增益、22 dBm输出P1dB、30 dBm输出IP3(最大增益时),同时在+5V电源下功耗仅为170 mA。 提供栅极偏置(Vctrl)使可变增益控制高达23 dB。 HMC694在6至17 GHz范围内的增益平坦度非常出色,因而非常适合EW、ECM和雷达应用。 由于尺寸较小且无需外部匹配,HMC694可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均通过50 Ω测试夹具中的芯片获取,通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度为0.31 mm (12 mil)的线焊连接。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 EW和 ECM X频段雷达 测试设备 方框图...
发表于 02-15 18:38 0次 阅读
HMC694-DIE 模拟可变增益放大器芯片,6 - 17 GHz

传华为将部分芯片生产转移至南京工厂

由于美国方面对于华为发起了刑事诉讼,为避免未来可能遭遇的供应链被切断的问题,最新的消息显示,华为目前....
的头像 芯智讯 发表于 02-15 16:56 732次 阅读
传华为将部分芯片生产转移至南京工厂

一波小微企业普惠性减税措施落地,或给实体LED企业注入新的活力

另外,越来越多上市公司股东通过股权质押方式获得现金流,几乎到了“无股不押”的程度。在LED行业内,绝....
的头像 高工LED 发表于 02-15 15:55 229次 阅读
一波小微企业普惠性减税措施落地,或给实体LED企业注入新的活力

芯片公司表示预计2019年可能会触及周期底部 半导体行业的低迷周期可能比预期短得多

瑞士信贷(Credit Suisse)董事总经理、台湾股票研究主管Randy Abrams表示,许多....
的头像 半导体动态 发表于 02-15 15:55 463次 阅读
芯片公司表示预计2019年可能会触及周期底部 半导体行业的低迷周期可能比预期短得多

中芯国际宣布14nm工艺进入客户验证阶段 12nm工艺开发取得突破

2月14日,国内晶圆代工大厂中芯国际发布2018年第四季度业绩,宣布14nm工艺进入客户验证阶段,且....
的头像 半导体动态 发表于 02-15 15:25 503次 阅读
中芯国际宣布14nm工艺进入客户验证阶段 12nm工艺开发取得突破

世界信息领域2018年发展态势,世界信息领域2019年趋势展望

全球网络安全威胁升级,各国不断强化网络安全战略。当前,网络攻击形式多变,攻击能力不断提升。勒索病毒A....
的头像 全球技术地图 发表于 02-15 15:16 383次 阅读
世界信息领域2018年发展态势,世界信息领域2019年趋势展望

中国再次攻克世界级难题,领先美国15年!

实际上,量子计算的概念从提出至今已有39年,当时俄罗斯数学家只是提出了一个模糊的概念,在该轮廓下陆续....
的头像 传感器技术 发表于 02-15 14:49 164次 阅读
中国再次攻克世界级难题,领先美国15年!

SF16A18国产路由器芯片打破了国外无线路由芯片垄断局面

我们如今身处在一个网络化的社会中,手机、电脑以及各种移动终端让我们离不开无线网络,路由器几乎部署在了....
发表于 02-15 13:43 159次 阅读
SF16A18国产路由器芯片打破了国外无线路由芯片垄断局面

快讯:英特尔扩大爱尔兰产能,投资70亿欧元新建两芯片厂

英特尔公司的爱尔兰总经理思诺特(Eamonn Snutt)表示:「英特尔爱尔兰公司向基尔代尔县议会提....
的头像 高工智能未来 发表于 02-15 11:10 287次 阅读
快讯:英特尔扩大爱尔兰产能,投资70亿欧元新建两芯片厂

联发科技推出了支持下一代WiFi技术Wi-Fi 6(802.11ax)的智能连接芯片组

当你走进家门,灯会自动开启,甚至电视会自动打开,播放你最喜欢的节目。而当你准备睡觉时,灯的亮度会自动....
的头像 联发科技 发表于 02-15 10:54 1433次 阅读
联发科技推出了支持下一代WiFi技术Wi-Fi 6(802.11ax)的智能连接芯片组

2.5D异构和3D晶圆级堆叠正在重塑封装产业

对于目前的高端市场,市场上最流行的2.5D和3D集成技术为3D堆叠存储TSV,以及异构堆叠TSV中介....
的头像 MEMS 发表于 02-15 10:42 343次 阅读
2.5D异构和3D晶圆级堆叠正在重塑封装产业

Moto P40配置曝光 搭载Exynos 9610芯片

集微网消息,近日有外媒曝光了 Moto 新机 P40 的参数。而在 Moto P40 的参数中,笔者....
的头像 MCA手机联盟 发表于 02-15 10:16 385次 阅读
Moto P40配置曝光 搭载Exynos 9610芯片

韩最高法院起诉高通违反贸易公平法,涉嫌垄断的案子有了新进展

KFTC认为高通滥用市场垄断地位,在销售芯片时强迫手机制造商为一些不必要的专利支付费用,同时他们还拒....
的头像 芯智讯 发表于 02-15 10:13 594次 阅读
韩最高法院起诉高通违反贸易公平法,涉嫌垄断的案子有了新进展

吴江区新春重大项目集中开工 总投资达283亿元

据“今吴江”报道,2月13日,苏州吴江新区(盛泽镇)举行2019年吴江区新春重大项目集中开工活动,3....
的头像 半导体动态 发表于 02-14 16:50 375次 阅读
吴江区新春重大项目集中开工 总投资达283亿元

深圳市发改委组织征集2019年人工智能项目 将围绕多个领域推动人工智能融合创新应用

2018年,广东省正式发布《广东省新一代人工智能发展规划》,将推动多个人工智能产业集约集聚发展,其中....
的头像 半导体动态 发表于 02-14 16:37 511次 阅读
深圳市发改委组织征集2019年人工智能项目 将围绕多个领域推动人工智能融合创新应用

探访我国首条压敏传感芯片生产车间

12年坚持终圆芯片制造梦,探访我国首条压敏传感芯片生产车间作为湖南省重点项目。
的头像 MEMS 发表于 02-14 14:32 412次 阅读
探访我国首条压敏传感芯片生产车间

华为去年半导体支出暴增45% 仅次于三星和苹果

市场研究公司Gartner Inc日前指出,中国网络设备和智能手机供应商华为去年的半导体支出暴增45....
的头像 EDA365 发表于 02-14 14:24 969次 阅读
华为去年半导体支出暴增45% 仅次于三星和苹果

亚马逊的芯片大局,亚马逊从软到硬的背后

据亚马逊官方介绍,AWS Inferentia提供数百 TOPS(每秒万亿次运算)推理吞吐量,以允许....
的头像 传感器技术 发表于 02-14 13:58 641次 阅读
亚马逊的芯片大局,亚马逊从软到硬的背后

2万亿进口额背后的中国芯发展历程

2018年底,工信部设立的国家集成电路产业基金开始了第二轮募集资金,预计筹资总规模为1500亿~20....
的头像 中关村集成电路设计园 发表于 02-14 13:53 528次 阅读
2万亿进口额背后的中国芯发展历程

新兴手机市场芯片之王,5G+AI今年落地

对于5G来说同样如此,5G从商用到普及是一个系统工程,首先需要的是网络的基本覆盖,大量的配套到位,才....
的头像 第一手机界 发表于 02-14 11:11 658次 阅读
新兴手机市场芯片之王,5G+AI今年落地

nRF51 DK板载的开发指导手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是nRF51 DK板载的开发指导手册免费下载。
发表于 02-14 08:00 15次 阅读
nRF51 DK板载的开发指导手册免费下载

智能无线耳机前景看好 去手机化将成2019年发展关键点

2018年,全球智能无线耳机零售市场规模达到新高点。2019年的智能无线耳机市场,去手机化成为智能无....
发表于 02-14 08:00 328次 阅读
智能无线耳机前景看好 去手机化将成2019年发展关键点

Altium designer批量导入引脚的详细资料说明

随着集成电路的发展,芯片的管脚数量越来越多。比如xilinx V6 系列的FPGA 芯片动辄上千管脚....
发表于 02-13 17:18 32次 阅读
Altium designer批量导入引脚的详细资料说明

xilinx的FPGA芯片选型手册免费下载

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发表于 02-13 17:16 35次 阅读
xilinx的FPGA芯片选型手册免费下载

我国首条压敏传感芯片生产线在浏阳高新区成功通线 年产值将超过150亿元

据新湖南客户端报道,我国首条具有完全自主知识产权的压敏传感芯片生产线已于1月16日在浏阳高新区成功通....
的头像 半导体动态 发表于 02-13 16:23 317次 阅读
我国首条压敏传感芯片生产线在浏阳高新区成功通线 年产值将超过150亿元

特朗普承诺立法投资未来的前沿产业

在当天上午的国情咨文讲话中,美国总统特朗普承诺立法投资“未来的前沿产业”。这次演讲似乎都是在是回顾过....
的头像 芯智讯 发表于 02-13 16:16 220次 阅读
特朗普承诺立法投资未来的前沿产业

Nichia首次展出工业用激光与UVLED产品

Photonics West 2019为光电业规模最大,参观者最为集中的国际光电展,每年一度在旧金山....
的头像 CNLED网 发表于 02-13 14:10 238次 阅读
Nichia首次展出工业用激光与UVLED产品

探讨国外人工智能芯片发展状况

人工智能芯片作为终端实现人工智能算法的载体,是实现人工智能技术创新的重要基础;同时,作为人工智能时代....
的头像 全球技术地图 发表于 02-13 13:56 526次 阅读
探讨国外人工智能芯片发展状况

请问有认识图中芯片的吗?

最近研究一个东西,遇到一款芯片,有没有大神知道这是哪个系列的芯片?芯片的大小尺寸是:1.1mm*2.1mm。...
发表于 02-13 10:53 27次 阅读
请问有认识图中芯片的吗?

后摩尔定律世界存在怎样的新问题

加速器已经无处不在:世界上的比特币是由旨在加速这种加密货币的关键算法的芯片采矿得来,几乎每一种能发出....
的头像 IEEE电气电子工程师学会 发表于 02-13 10:16 212次 阅读
后摩尔定律世界存在怎样的新问题

比40台基于GPU的服务器更牛的是什么?一台有40个GPU的服务器!

与芯片本身内部的互连相比,这些链路吸收能量并且速度慢。 更重要的是,由于芯片和印刷电路板的机械特性之....
的头像 新智元 发表于 02-13 10:04 302次 阅读
比40台基于GPU的服务器更牛的是什么?一台有40个GPU的服务器!

新iPhone芯片A13第二季度量产 台积电再次独揽

11日消息,尽管芯片代工巨头台积电今年很可能依旧是苹果最新 A 系列芯片的独家代工商,但是该公司还是....
的头像 高工智能未来 发表于 02-13 08:51 389次 阅读
新iPhone芯片A13第二季度量产 台积电再次独揽

全球第三大芯片买家落定,华为即将赶超苹果与三星

近几年,华为智能手机的市场规模正快速增长,随着市场对智能手机需求量的增加,对于华为芯片的需求也逐渐攀....
的头像 电子魔法师 发表于 02-12 17:38 1372次 阅读
全球第三大芯片买家落定,华为即将赶超苹果与三星

Zynq-7000可编程SOC芯片组合产品表的资料免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是Zynq-7000可编程SOC芯片组合产品表的资料免费下载。
发表于 02-12 16:07 30次 阅读
Zynq-7000可编程SOC芯片组合产品表的资料免费下载

华为采购支出巨增 成为全球第三大芯片买家

市场研究公司Gartner的最新数据显示,华为去年半导体采购支出增加45%,成为全球第三大芯片买家。
的头像 扩展触控快讯 发表于 02-12 14:03 555次 阅读
华为采购支出巨增 成为全球第三大芯片买家

AI和5G经历振荡期 芯片企业如何应对

5G和AI会怎样推动数字社会的发展?紫光展锐市场副总裁周晨在近日召开的紫光展锐媒体沙龙上表示,AI和....
的头像 芯智讯 发表于 02-12 10:29 456次 阅读
AI和5G经历振荡期 芯片企业如何应对

中国汽车借协同创新分析相关产业发展趋势

中国品牌汽车在2018年中面临的市场压力,正是有志之士加大汽车电子化的动力,更是汽车生态与半导体生态....
的头像 华兴万邦技术经济学 发表于 02-12 09:57 452次 阅读
中国汽车借协同创新分析相关产业发展趋势

量子霸权争夺战:美国欲实现量子技术全方位发展

世界经济和军事格局很可能就此改变。
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-12 09:51 393次 阅读
量子霸权争夺战:美国欲实现量子技术全方位发展

Hi3716C高清网络媒体处理器的硬件用户指南免费下载

本文档主要介绍 Hi3716C 芯片的硬件特性和管脚复用的配置方法。本文档提供 Hi3716C 芯片....
发表于 02-12 08:00 29次 阅读
Hi3716C高清网络媒体处理器的硬件用户指南免费下载

Hi3516A和Hi3516D硬件设计用户指南资料免费下载

本文档主要介绍 Hi3516A/Hi3516D 芯片方案的硬件原理图设计、PCB 设计、单板热设计建....
发表于 02-12 08:00 37次 阅读
Hi3516A和Hi3516D硬件设计用户指南资料免费下载

早期诊聋防聋诞生中国“芯”

采集一滴新生儿足跟血,将从中提取的核酸样本经扩增放大后注入载玻片上,放进普通打印机大小的配套仪器里,....
的头像 微流控 发表于 02-11 16:17 458次 阅读
早期诊聋防聋诞生中国“芯”

半导体芯片知识科普

制程并不能无限制的缩小,当我们将晶体管缩小到 20 奈米左右时,就会遇到量子物理中的问题,让晶体管有....
的头像 TechSugar 发表于 02-11 14:36 522次 阅读
半导体芯片知识科普

0-3.3V输入,4-20mA输出,3.3V或5V或12V供电的芯片选型

最近需要一款0-3.3V输入,4-20mA输出,3.3V或5V或12V供电的芯片,有什么好推荐的吗...
发表于 01-29 10:35 84次 阅读
0-3.3V输入,4-20mA输出,3.3V或5V或12V供电的芯片选型

请问用什么12V降5V的芯片比较好?

用什么12 V降5V的芯片比较好?
发表于 01-28 06:36 76次 阅读
请问用什么12V降5V的芯片比较好?

推荐一个和M74HC138 PIN对PIN的芯片型号?

推荐一个和M74HC138 PIN对PIN的芯片型号?
发表于 01-24 15:01 331次 阅读
推荐一个和M74HC138 PIN对PIN的芯片型号?

请问软件读出来的信息怎么看批次

C:\Users\Tom.chan\Desktop用软件读出以下信息,怎么能看出芯片的生产日次(年+周) CPU 96bits ID: 0X30343934...
发表于 01-24 08:22 233次 阅读
请问软件读出来的信息怎么看批次

一组 UART_CTS,UART_RTS,这有什么区别?

芯片管脚有两组UART,一组UART_TX,UART_RX。一组 UART_CTS,UART_RTS,这有什么区别?都是作为I/O...
发表于 01-23 11:23 243次 阅读
一组 UART_CTS,UART_RTS,这有什么区别?

以太网控制器外部PHY芯片模拟程序代码实现

模拟程序模拟了简化的 LXT971A 芯片(Inter 公司的外部 PHY 芯片)。PHY 芯片通过 MIIM(媒体无关接口管理模块)...
发表于 01-18 14:20 175次 阅读
以太网控制器外部PHY芯片模拟程序代码实现

请问HMC681A芯片手册里的Relative Phase这个指标是什么意思?

问题如题。在校学生做项目遇到问题请大家帮忙回答...
发表于 01-18 09:34 71次 阅读
请问HMC681A芯片手册里的Relative Phase这个指标是什么意思?

求教日立投影机电源板上这个芯片是什么?

求教日立投影机电源板上这个芯片是什么?
发表于 01-17 20:39 282次 阅读
求教日立投影机电源板上这个芯片是什么?

老师们看看是什么芯片!根据线路图

老师们看看是什么芯片!根据线路图
发表于 01-09 10:53 330次 阅读
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