莫大康:迎接存储器业的挑战

章鹰 2018-06-19 09:27 次阅读

中囯三大存储器厂,长江存储、晋华及合肥长鑫都已进入试产阶段,并计划2019年实现量产。这是中囯半导体业的一场存储器突围战,是零的突破。

中囯半导体业发展由于其独特的地位决定了它必须实现“自主可控”。然而半导体业有它的规律,包括有两个主要方面,一个是摩尔定律推动,其精髓是技术必须迅速的进步,每18个月同样的产品其成本可能下降50%;以及另一个是实现量产,半导体是个高度规模经济的产业。因而在一定程度上这个产业需要大量的投资,搜罗顶级的人材,以及生产线的严格管理。而这两个方面都与国家的工业基础紧密相关连,显然在现阶段中国半导体业是不足的,因此产业的突围,可能需要时间上的积累。

尽管面临的困难重重,也不可能阻挡突围的决心,因为中国存储器业突围存在不少的有利条件:

国家意志主导,加上政府,地方等齐动手,有充裕的资金支持。

中国消耗全球20%的DRAM及25%的NAND,2017年中国进口存储器889.21亿美元,同比2016年的637.14亿美元增长了39.56%。

根据美光、三星、海力士的财报统计,2017年,三家公司的半导体业务在中国营收分别为103.88亿美元、253.86亿美元、89.08亿美元,总计446.8亿美元,同比2016财年的321亿美元增长39.16%。

三家厂,属于三个不同类别,分别是长江存储的32层3D NAND闪存;晋华的32纳米、利基型DRAM,以及长鑫的19纳米先进型DRAM。

中国的IoT应用市场发展迅速,有著名的腾讯、百度与阿里巴巴等,它们推动5G、数据中心、互联网、车联网等应用。

存储器、控制器等配套产业链正在形成。

如何突围

按照存储器业的特点,中国把存储器芯片生产线打通是有把握的,然而困难的是产能爬坡的速率,也即产能由试产的5,000片至20,000,或者30,000片时,产品的良率,及成本,它直接决定了产能继续扩充的可能性,因为通常产能必须扩充到50,000,或者100,000片时,芯片生产线才有可能实现盈利,但是此段过程可能相对用较长的时间。

在产能扩充的过程中,对手们不会轻易放过我们,一定会利用专利及价格战阻碍我们的突围。

对手们十分清楚,专利战的目的在于阻碍中国存储器业的进步,如之前台积电打击中芯国际时,让您领军人物下台,以及赔款。

因此为了迎接专利战,必须学习上海中微半导体,从公司成立起就聘用美国律师,准备好一切材料准备好打专利战,并且不要抱有幻想,这一仗是不可避免的。

另一个是三星、美光惯用的产品价格战,它们占有先手的优势、产品的成熟、以及资金充裕,因此在短时间内甚至亏本销售是常用的策略,让我们的产品销售有困难。

因此中国存储器业面临的最大问题可能有两个方面,一个是不要轻敌,认为用不了几年就能突围成功,要把困难想得更多些,例如中国存储器的消耗量很大,依靠国家意志与支持就能生存下来,恐怕不能太依赖,因为只有产品的性价比相近,才有生存的可能性,因为国家的财力有限;另一个是坚持下去,这个产业的发展经验告诉我们,只有坚持到底,才有可能立足,生存下来。今天无论19纳米DRAM的良率提升与成本下降,以及32层3D NAND闪存向64层3D NAND闪存的技术过渡都需要时间上的积累,不可能一蹴而成。另外,由于没有经过真正的实践与体会,对于“板凳要坐十年冷”,可能仅停留在概念上。当那个时刻真的来临时,可能意想不到的各种困难会呈现,能坚持下来就一定十分不易。

较为乐观的估计,能用5年左右的时间,达到全球市场(2018年存储器业产值预测可达1,500亿美元)占比的3% - 5%,也即DRAM与NAND的累加产值能达到近50亿美元,表明中国存储器业的突围取得了初步的成功。

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The SN74BCT2414 is a decoder specially designed to be used in memory systems with battery backup during power failure. The two independent 2-line to 4-line decoders with separate and common control inputs may be externally cascaded to implement a 3-line to 8-line decoder. The circuit has two supply voltage inputs: the voltage monitor (bandgap) is powered via the VCC terminal; the internal logic of the circuit is powered via the Vbat terminal. In case VCC drops below 3.65 V (nominal), the voltage monitor forces the voltage-control (VS) and decoder outputs (Y) to the high level. VS may be used to disconnect the supply voltage of the memories (Vbat) from the system supply. This output is switched off when the on-chip supply voltage monitor detects a power failure. The SN74BCT2414 is characterized for operation from 0°C to 70°C. 特性 BiCMOS设计大幅降低待机电流 两个独立的2线到4线解码器或一个3线到8线解码器 用于简易级联的独立使能输入 两个电...

发表于 08-28 11:28 10次 阅读
SN74BCT2414 具有片上电源监控器的双路 2 线路至 4 线路存储器解码器

SN74LS399 具有存储器的四路 2 输入多路复用器

这款带有存储器的单片四路双输入多路复用器提供了两个独立的MSI功能(SN54LS157 /SN74LS157和SN54LS175 /SN74LS175)的等效功能16引脚封装。 当字选输入为低电平时,字1(A1,B1,C1,D1)应用于触发器。字输入的高输入将导致选择字2(A2,B2,C2,D2)。所选字在时钟脉冲的正向边沿输出到输出端。 典型功耗为37毫瓦。 SN54LS399的特点是可在-55°C至125°C的整个军事范围内工作。 SN74LS399的特点是工作温度范围为0°C至70°C。 特性 'LS399 上的单轨输出选择两个4位数据源中的一个并与系统同步存储数据时钟 应用程序: 算术处理器中操作数和常量的双源;可以释放处理器寄存器文件以获取新数据 实现能够并行交换内容但保留外部负载能力的单独寄存器 用于实现各种移位模式的通用类型寄存器:甚至还有复合左 - 权利能力 参数 与其它产品相比 编码器和解码器   Function Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Channels (#) Voltage (Nom) (V) F @ Nom Voltage (Max) (Mhz) ICC @ Nom Voltage (Max) (mA) tpd @ Nom Voltage (M...

发表于 08-23 16:16 6次 阅读
SN74LS399 具有存储器的四路 2 输入多路复用器