莫大康:迎接存储器业的挑战

章鹰 2018-06-19 09:27 次阅读

中囯三大存储器厂,长江存储、晋华及合肥长鑫都已进入试产阶段,并计划2019年实现量产。这是中囯半导体业的一场存储器突围战,是零的突破。

中囯半导体业发展由于其独特的地位决定了它必须实现“自主可控”。然而半导体业有它的规律,包括有两个主要方面,一个是摩尔定律推动,其精髓是技术必须迅速的进步,每18个月同样的产品其成本可能下降50%;以及另一个是实现量产,半导体是个高度规模经济的产业。因而在一定程度上这个产业需要大量的投资,搜罗顶级的人材,以及生产线的严格管理。而这两个方面都与国家的工业基础紧密相关连,显然在现阶段中国半导体业是不足的,因此产业的突围,可能需要时间上的积累。

尽管面临的困难重重,也不可能阻挡突围的决心,因为中国存储器业突围存在不少的有利条件:

国家意志主导,加上政府,地方等齐动手,有充裕的资金支持。

中国消耗全球20%的DRAM及25%的NAND,2017年中国进口存储器889.21亿美元,同比2016年的637.14亿美元增长了39.56%。

根据美光、三星、海力士的财报统计,2017年,三家公司的半导体业务在中国营收分别为103.88亿美元、253.86亿美元、89.08亿美元,总计446.8亿美元,同比2016财年的321亿美元增长39.16%。

三家厂,属于三个不同类别,分别是长江存储的32层3D NAND闪存;晋华的32纳米、利基型DRAM,以及长鑫的19纳米先进型DRAM。

中国的IoT应用市场发展迅速,有著名的腾讯、百度与阿里巴巴等,它们推动5G、数据中心、互联网、车联网等应用。

存储器、控制器等配套产业链正在形成。

如何突围

按照存储器业的特点,中国把存储器芯片生产线打通是有把握的,然而困难的是产能爬坡的速率,也即产能由试产的5,000片至20,000,或者30,000片时,产品的良率,及成本,它直接决定了产能继续扩充的可能性,因为通常产能必须扩充到50,000,或者100,000片时,芯片生产线才有可能实现盈利,但是此段过程可能相对用较长的时间。

在产能扩充的过程中,对手们不会轻易放过我们,一定会利用专利及价格战阻碍我们的突围。

对手们十分清楚,专利战的目的在于阻碍中国存储器业的进步,如之前台积电打击中芯国际时,让您领军人物下台,以及赔款。

因此为了迎接专利战,必须学习上海中微半导体,从公司成立起就聘用美国律师,准备好一切材料准备好打专利战,并且不要抱有幻想,这一仗是不可避免的。

另一个是三星、美光惯用的产品价格战,它们占有先手的优势、产品的成熟、以及资金充裕,因此在短时间内甚至亏本销售是常用的策略,让我们的产品销售有困难。

因此中国存储器业面临的最大问题可能有两个方面,一个是不要轻敌,认为用不了几年就能突围成功,要把困难想得更多些,例如中国存储器的消耗量很大,依靠国家意志与支持就能生存下来,恐怕不能太依赖,因为只有产品的性价比相近,才有生存的可能性,因为国家的财力有限;另一个是坚持下去,这个产业的发展经验告诉我们,只有坚持到底,才有可能立足,生存下来。今天无论19纳米DRAM的良率提升与成本下降,以及32层3D NAND闪存向64层3D NAND闪存的技术过渡都需要时间上的积累,不可能一蹴而成。另外,由于没有经过真正的实践与体会,对于“板凳要坐十年冷”,可能仅停留在概念上。当那个时刻真的来临时,可能意想不到的各种困难会呈现,能坚持下来就一定十分不易。

较为乐观的估计,能用5年左右的时间,达到全球市场(2018年存储器业产值预测可达1,500亿美元)占比的3% - 5%,也即DRAM与NAND的累加产值能达到近50亿美元,表明中国存储器业的突围取得了初步的成功。

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