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关于输出噪声的分量探讨

2018-06-12 16:34 次阅读

简介

采样保持(THA)输出噪声有两个关键噪声分量:采样噪声和输出缓冲放大器噪声。本文将重点探讨这两个分量。

采样噪声分量

噪声的第一个分量是采样过程中产生的采样噪声,它用外差法将THA的前端噪声转化到频域的每个奈奎斯特区间中。整个前端带宽产生的噪声是在每个时域样本中捕获,然后将该噪声大致均匀地分布在每个奈奎斯特区间上。此噪声由前端热噪声和采样抖动噪声组成,无法被滤除,除非在输出端使用低通滤波器转折频率来显著降低奈奎斯特带宽。通常不使用这种滤波,因为它会损坏时钟速率所提供的可用带宽,并导致输出波形的建立时间性能降低。

输出缓冲放大器噪声分量

噪声的第二个分量是THA输出缓冲放大器噪声贡献。THA不会对此噪声采样,但滤波可以降低此噪声。可以承受的输出滤波量取决于所用特定时钟频率的建立时间要求。关于容差限制的大致原则是输出路径的带宽(包括模数转换器ADC)输入带宽)至少为时钟速率的2倍,以支持下游ADC所采样的THA波形的精确(例如线性)建立。高速ADC的输入带宽通常在2倍时钟速率指标附近;因此,使用高速ADC时通常不需要额外的滤波。

采样放大器的噪声密度

与常规非采样放大器不同,THA频域中的有效等效输入噪声谱密度取决于模数转换之前的输出滤波带宽。出于这个原因,采样器件通常不会用这些项来指定噪声,因为实际输出噪声是采样输入缓冲器噪声的复杂函数,其将整个输入带宽中的噪声混叠到第一奈奎斯特区间,输出缓冲放大器噪声响应输出限带的方式与常规放大器相似。采样系统的重要指标量是所保持输出样本中的时域输出噪声(参见HMC661LC4B数据手册),因为ADC会转换此输出噪声。

折合到输入端的频域噪声密度最好通过下式确定:输出时域采样噪声除以输入采样带宽与π/2的乘积的平方根。

单极点带宽和输出时域噪声相同时,该定义给出的折合到输入端噪声密度与单位增益连续波(CW)放大器(未采样)相同。之所以有π/2,是因为单极点低通传递函数的有效噪声带宽为BW3dB×π/2。对于没有输出限带的HMC661LC4B(例如输出缓冲放大器的全部7 GHz带宽),当使用1.05 mV rms时域采样噪声和18 GHz 3 dB输入带宽时,此噪声带宽对应于约6.2 nV/(√Hz)的等效输入噪声密度。由于热本底噪声为0.64 nV/(√Hz),所以有效噪声指数约为19.7 dB。此噪声指数很高,这是因为THA中有好几级,所有级均以单位增益工作,故每级都会增加噪声。

非采样放大器的噪声密度

就等效输入噪声性能而言,有效采样噪声指数的这种定义对普通非采样放大器是一个合理的比较。这并未考虑采样引起的噪声折叠,而典型混频器噪声指数定义可能会使用噪声折叠。要获得混频器噪声指数定义,须添加一个噪声折叠修正系数,它由输入采样噪声带宽与奈奎斯特带宽的比值给出,如下式所示:

NFCORRECTION = 噪声指数采样折叠校正 = 10log(BWN_INPUT/(fCLK_TH/2))

其中,BWN_INPUT表示输入采样带宽的有效噪声带宽。

例如,当HMC661LC4B以4 GHz时钟速率工作时,噪声折叠(18 GHz×π/2)至2 GHz的奈奎斯特区间所导致的额外降级是由混频器定义的,噪声指数额外降低约11.5 dB ,产生19.7dB + 11.5dB = 31.2dB的混频器定义总噪声指数。

估算输出噪声频谱

为了估算输出噪声频谱,应利用如下事实:所有前端噪声都被外差或折叠到一个奈奎斯特区间中,而输出缓冲器噪声分布在输出缓冲器噪声带宽的大约7×π/2 GHz上。仿真表明,尽管小信号输出缓冲器带宽为7 GHz,HMC661LC4B和HMC760LC4B中的组合输出缓冲放大器级的有效噪声带宽约为12.6 GHz,对应于8 GHz的有效-3 dB噪声密度带宽。这种微小差异似乎是由噪声在信号链中不同带宽点的分布式贡献造成的。表1和表2显示了不同输出噪声带宽滤波情况下HMC661LC4B和HMC760LC4B的输出时域和频域噪声分量的明细,工作时钟速率为1 GHz。

获得完整输出带宽

完整输出带宽数据来自全布线寄生效应下的详细芯片仿真,但结果与实验室数据相当吻合(对于HMC661LC4B,测得的集成噪声电压VNT = 1.05 mV rms)。假定输出缓冲器噪声谱密度不变(因为滤波通常在外部进行),计算输出带宽减小的情况。表1和表2模拟了完整输出带宽情况下的VNT_SAMPLE、VNT_OUT和VNF_OUT。根据这些基本参数可直接导出所有其他量。

在采样过程中,下游ADC将输入带宽(表1和表2中所示的滤波和ADC输入带宽的组合)上的所有THA噪声外差到一个ADC奈奎斯特区间。因此,总折叠噪声是ADC噪声带宽上的总THA输出放大器时域噪声的一部分。

作为参考,使用HMC661LC4B驱动National Semiconductor ADC12D1600 ADC的数据与表1和表2中的仿真值具有很好的一致性。特别是,针对ADC快速傅立叶变换(FFT)中的谱密度,测得THA噪声分量约为37 nV/(√Hz)。National Semiconductor转换器的输入噪声带宽估计约为2.8(π/2) = 4.4 GHz。对于这种情况,总THA输出时域噪声约为0.98 mV rms,对应于43.9 nV/√Hz的噪声谱密度(经ADC采样后)。此值在ADC数字化噪声频谱中的实测THA分量的1.5 dB以内。

表1.HMC661LC4B 18 GHz带宽THA仿真和计算得到的噪声分量汇总,时钟频率为1 GHz

1 针对任何滤波和ADC带宽。

2 仿真值,所有其他值均由仿真值计算。

表2.HMC760LC4B 5.5 GHz带宽THA仿真和计算得到的噪声分量汇总,时钟频率为1 GHz

1 针对任何滤波和ADC带宽。

2 仿真值,所有其他值均由仿真值计算。

结语

为了估算THA的输出噪声谱密度,用户可以将样本时域噪声扩展到一个奈奎斯特带宽上,并在下游ADC的有效噪声检测带宽上对输出缓冲器噪声谱密度进行滤波。因此,必须获得以下估算结果:

VNF_SAMPLE(f) = VNT_SAMPLE/(fCLK/2)1/2

VNF_OUTPUT(f) = 5.46 nV/√Hz (至7 GHz带宽)

VNF = [(VNF_SAMPLE)2 + (VNF_OUTPUT)2]1/2

VNF_TH_ADC = VNT/(fCLK/2)1/2

其中:

VNT和VNT_x是时域噪声量。

VNF和VNF_x是频域谱密度。

此计算假定仅测量输出波形的保持模式部分的频谱内容。如果ADC以相同时钟速率对THA波形进行采样,则在ADC输入带宽上发生的总时域噪声(包括THA输出端的任何额外输出滤波)将扩展到一个ADC奈奎斯特区间上。原则上,这些计算可以针对任意时钟频率执行。很显然,THA采样噪声占主导地位;因此,输出滤波的影响和好处是有限的。

在较高信号频率下,时钟和信号的抖动会给采样噪声带来一个额外的噪声分量。在这种较高时钟频率下,抖动噪声不可忽略,必须包含在总噪声中。抖动噪声通常通过引用数据手册中的抖动规格进行量化,因为抖动产生的噪声很容易计算,它取决于输入频率和抖动值。一般而言,采样过程中抖动产生的噪声均方根值近似等于

VNT_JITTER ~ SR × tj

其中:

SR为采样点处的信号压摆率。

tj为均方根抖动。

对于正弦信号,压摆率(SR)峰值通过下式计算:

VIN × 2π × fSIGNAL

其中:

VIN为零到峰值信号电平。

fSIGNAL为信号频率。

经过统计平均后,用于此计算的有效压摆率基于VIN的均方根值,有效压摆率(SREFFECTIVE) = (VIN/21/2) × 2π × fSIGNAL。因此,总抖动噪声(在时域样本中)为

VNT_JITTER = SREFFECTIVE × tj = (VIN/21/2) × 2π × fSIGNAL × tj

这种不可避免的噪声分量随着频率线性增加。因此,受抖动限制的信噪比(SNR)为

SNRJITTER ~ −20log[1/(2π × fSIGNAL × tj)]。

要计算给定频率时的总噪声,须将抖动噪声功率与热噪声功率相加。在HMC661LC4B数据手册中,HMC661LC4B THA中的抖动值《70 fs,这是仅对THA进行专门抖动测量得到的。在THA和ADC组合测量中测得的典型值与THA单独测量的结果基本一致,约为65 fs。在给定奈奎斯特采样间隔中,这种噪声往往具有相对平坦的频谱。要通过平均降低这种噪声的电平的均值,应使用多个独立的数据记录。为了实现这种水平的子系统总抖动,必须使用良好的信号和时钟发生器并相互锁相,信号和时钟发生器的输出必须进行滤波以消除非谐波杂散信号。

即便最先进的低相位噪声合成信号发生器,也可能会给采用HMC661LC4B的采样系统带来显著的抖动,特别是当整合信号与时钟发生器之间的锁相抖动时。对施加于THA的发生器输出信号进行带通滤波,可观察发生器噪声引起的抖动的影响。在此情况下,在THA输出信号和任何经ADC FFT处理的输出频谱上可观察到对应于带通滤波器带宽的相位噪声边带。使用较小滤波器带宽以消除来自发生器的宽带噪声,可获得最佳性能。此外还必须保持合理的时钟摆率。对每个时钟差分半电路输入使用2 V/ns至4 V/ns,以实现HMC661LC4B数据手册中说明的抖动性能。如果THA用在ADC之前,则THA决定抖动,ADC的抖动基本可以忽略不计,因为它是对THA输出的稳定保持波形进行采样。还可以通过多次记录求平均或扩频处理技术来处理抖动噪声,从而提高SNR。THA抖动噪声分量同样分布在一个奈奎斯特区间内,因为它往往是宽带噪声。因此,抖动频谱噪声密度为

VNF_JITTER ~ VNT_JITTER/(fCLK/2)1/2

这三个噪声贡献(样本热噪声、样本抖动噪声和输出缓冲器噪声)不具相关性,其功率线性相加。

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OPA828 36 V、高精度、低噪声、低偏置电流、JFET 输入运算放大器

OPA828 JFET是下一代OPA627和OPA827运算放大器,集高速度与高直流精密和交流性能与一体。该运算放大器可实现低失调电压(220μV最大值),低温漂(0.5μV/°C典型值),低偏置电流(1pA典型值)和低噪声(4.3nV /√ Hz 典型值,仅具有340nV < sub> PP 0.1Hz至10Hz噪声).OPA828具有±4V至±18V的宽电源电压范围,每通道电源电流仅为5.5mA(典型值)。 交流特性(包括50MHz增益带宽积(GBW)),150V /μs的压摆率和精密直流特性使得OPA828成为各种系统的理想选择。其中包括高速和高分辨率数据采集系统(例如16位和18位混合信号系统),跨阻(I /V转换)放大器,滤波器,精密±10V前端和高阻抗传感器接口应用。 OPA828器件可提供符合工业标准的8引脚SOIC表面贴装封装,额定工作温度范围为-40°C到+ 125°C。 < H2>特性 低输入电压噪声密度:1kHz 时为 4.3nV/√Hz输入电压噪声:0.1Hz 至 10Hz:120nVRMS低输入偏置电流:1pA输入失调电压:15µV输入温漂:0.5µV/°C支持多路复用器的输入增益带宽:50MHz压摆率:150V/µs16 位建立时间:175ns过载电源电流限制宽电源电压范围:±2.25V 至 ±18V...
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OPA828 36 V、高精度、低噪声、低偏置电流、JFET 输入运算放大器

AMC1302-Q1 具有 ±50mV 输入和高 CMTI 的汽车精密增强型隔离放大器

AMC1302-Q1是一款精密隔离放大器,带有电容隔离栅,具有很高的抗磁干扰能力。该屏障提供5 kV RMS (最大)的增强隔离,具有非常长的寿命和低功耗。当与隔离电源一起使用时,该器件隔离了在不同共模电压电平下工作的元件。此外,AMC1302-Q1还可以保护低压器件免受损坏。 AMC1302-Q1的输入经过优化用于直接连接分流电阻器或其他低电压电平信号源。 ±50mV的输入电压范围可显着降低分流器的功耗。此外,AMC1302-Q1的低端电源电流和电压允许使用低成本的隔离电源解决方案。该器件的性能支持精确的电流控制,从而实现系统级功耗节省和低转矩纹波,这在电机控制应用中尤为重要。 AMC1302-Q1的集成输入共模过压和低侧电源电压检测功能简化了系统级诊断。 特性 AEC-Q100符合汽车应用要求: 温度等级1:-40°C至125°C,T < sub> A ±50 mV输入电压范围,用于低耗散,基于分流电阻的电流测量 固定增益低漂移:41±0.3%,±50 ppm /°C 低输入失调和漂移:±100μV,±0.8μV/°C 低非线性和漂移:± 0.03%,±1 ppm /°C 3.3 V电源下工作时极低的隔离高侧功耗 系统级诊断功能 安全相关认证: 7071-V PK 根据DI...
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AMC1302-Q1 具有 ±50mV 输入和高 CMTI 的汽车精密增强型隔离放大器

OPA187 1µV Vos、0.005µV/°C、轨至轨输出、低功耗 36V 零漂移运算放大器

OPAx187系列运算放大器采用自动归零技术,可在时间和温度范围内同步提供低失调电压(1μV)以及近似为零的漂移。此类微型,高精度,低静态电流放大器提供高输入阻抗和流入高阻抗负载的摆幅在5mV电源轨范围内的轨道轨道输出。输入共模范围包括负电源轨。单电源或双电源可在4.5V至36V(±2.25V至±18V)范围内使用。 OPAx187器件的单通道版本采用微型8引脚超薄小外形尺寸(VSSOP)封装,5引脚SOT- 23封装和8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装。双通道版本采用8引脚VSSOP和8引脚SOIC封装。四通道版本采用14引脚SOIC,14引脚TSSOP和16引脚WQFN封装。所有器件版本的额定工作温度范围均为-40°C至+ 125°C。 特性 低失调电压:10μV(典型值) 零漂移:0.001μV/°C < li>低噪声:20 nV /√ Hz 电源抑制比(PSRR):160dB 共模抑制比(CMRR):140dB AOL:160dB 静态电流:100μA 宽电源电压:±2.25V至±18V 轨至轨输出运行 输入包括负电源轨 低偏置电流:100pA(典型值) 已滤除电磁干扰(EMI)的输入 微型封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 精密...
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OPA187 1µV Vos、0.005µV/°C、轨至轨输出、低功耗 36V 零漂移运算放大器

TLV6002-Q1 适用于成本敏感型汽车系统的 1MHz 低功耗运算放大器

TLV600x-Q1系列单通道和双通道运算放大器专为通用汽车应用而设计。具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(典型值75μA),宽带宽(1 MHz)和低噪声(1 kHz时为28nV /√Hz),该系列产品具有多种吸引力需要在成本和性能之间取得平衡的汽车应用,例如信息娱乐系统,发动机控制单元和汽车照明。低输入偏置电流(典型值±1 pA)使TLV600x-Q1能够用于具有兆赫源阻抗的应用。 TLV600x-Q1的稳健设计为电路设计人员提供了易用性:单位增益稳定性,高达150 pF的容性负载,集成RF /EMI抑制滤波器,过载条件下的nophase反转和高静电放电(ESD)保护(4kVHBM)。 器件经过优化,可在低至1.8 V(±0.9 V)和高达5.5 V(±2.75 V)的电压下工作),在-40°C至+ 125°C的扩展温度范围内指定。 单通道TLV6001-Q1采用SC70-5封装,双通道TLV6002- Q1采用SOIC和VSSOP封装。 特性 AEC-Q100符合汽车应用要求 器件温度等级1:-40°C至+ 125°C,T A 设备HBM ESD分类级别3A 设备CDM ESD分类级别C6 通用用于成本敏感系统的放大器 电源范围:1.8 V至5.5 V 增益带宽:1 MHz 低...
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TLV6002-Q1 适用于成本敏感型汽车系统的 1MHz 低功耗运算放大器

INA821 失调电压为 35µV、噪声为 7nV/√Hz 的低功耗、精密仪表放大器

INA821是一款高精度仪表放大器,可实现低功耗并且可在较宽的单电源或双电源电压范围内运行。可通过单个外部电阻器在1到10,000范围内设置任意增益。由于采用新的超β输入晶体管(这些晶体管可提供较低的输入失调电压,失调电压漂移,输入偏置电流以及输入电压和电流噪声),该器件可提供出色的精度。附加电路可以为输入提供高达±40V的过压保护。 INA821经过优化,可提供出色的共模抑制比。当G = 1时,整个输入共模范围内共模抑制比超过90dB。该器件可在4.5V单电源和高达±18V的双电源供电情况下实现低电压运行.INA821可提供8引脚SOIC封装,额定温度范围为-40° C至+ 125°C。 特性 低失调电压:35μV(最大值) 增益漂移:5ppm /°C(G = 1), 50ppm /°C(G&gt; 1) 噪声:7nV /√ Hz 带宽:5.6MHz(G = 1),280kHz(G = 100) 与1nF容式负载一起工作时保持稳定 输入保护电压高达±40V 共模抑制:110dB,G = 10(最小值) 电源抑制:110dB,G = 1(最小值) 电源电流:650μA(最大值) 电源范围: 单电源:4.5 V至36 V 双电源:±2.25V至±18V 额定温度范围: - 40°C至+ 125°C 封装:8引脚SOIC...
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INA821 失调电压为 35µV、噪声为 7nV/√Hz 的低功耗、精密仪表放大器

TLV6001-Q1 适用于成本敏感型系统的低功耗、RRIO、1MHz 运算放大器

TLV600x-Q1系列单通道和双通道运算放大器专为通用汽车应用而设计。具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(典型值75μA),宽带宽(1 MHz)和低噪声(1 kHz时为28nV /√Hz),该系列产品具有多种吸引力需要在成本和性能之间取得平衡的汽车应用,例如信息娱乐系统,发动机控制单元和汽车照明。低输入偏置电流(典型值±1 pA)使TLV600x-Q1能够用于具有兆赫源阻抗的应用。 TLV600x-Q1的稳健设计为电路设计人员提供了易用性:单位增益稳定性,高达150 pF的容性负载,集成RF /EMI抑制滤波器,过载条件下的nophase反转和高静电放电(ESD)保护(4kVHBM)。 器件经过优化,可在低至1.8 V(±0.9 V)和高达5.5 V(±2.75 V)的电压下工作),在-40°C至+ 125°C的扩展温度范围内指定。 单通道TLV6001-Q1采用SC70-5封装,双通道TLV6002- Q1采用SOIC和VSSOP封装。 特性 AEC-Q100符合汽车应用要求 器件温度等级1:-40°C至+ 125°C,T A 设备HBM ESD分类级别3A 设备CDM ESD分类级别C6 通用用于成本敏感系统的放大器 电源范围:1.8 V至5.5 V 增益带宽:1 MHz 低...
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TLV6001-Q1 适用于成本敏感型系统的低功耗、RRIO、1MHz 运算放大器

OPA859 具有 1.8GHz 单位增益带宽、3.3nV/√Hz 电压噪声的 FET 输入放大器

OPA859是一款具有CMOS输入的宽带低噪声运算放大器,适用于宽带跨阻和电压放大器应用。将该器件配置为跨阻放大器(TIA)时,0.9GHz增益带宽积(GBWP)能够在低电容光电二极管应用中实现高闭环带宽。 下图展示了在将OPA859设置为TIA时该放大器的带宽和噪声性能与光电二极管电容的函数关系。计算总噪声时的带宽范围为从直流到左轴上计算得出的频率f.OPA859封装具有一个反馈引脚(FB),可简化输入和输出之间的反馈网络连接。 OPA859经过优化,可在光学飞行时间(ToF)系统中运行,在该系统中OPA859与时数转换器(如TDC7201)配合使用。可在具有差分输出放大器(如THS4541或LMH5401)的高分辨率激光雷达系统中使用OPA859来驱动高速模数转换器(ADC)。 特性 高单位增益带宽:1.8GHz 增益带宽积:900MHz 超低偏置电流MOSFET输入:10pA 低输入电压噪声:3.3nV /√ Hz 压摆率:1150V /μs 低输入电容: 共模:0.6pF 差动:0.2pF 宽输入共模范围:< ul> 与正电源相差1.4V 包括负电源 TIA配置下的输出摆幅为2.5V PP 电源电压范围:3.3V至5.25V 静态电流:20.5mA ...
发表于 01-08 17:51 17次 阅读
OPA859 具有 1.8GHz 单位增益带宽、3.3nV/√Hz 电压噪声的 FET 输入放大器

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 380次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 27次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
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INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 32次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 30次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 15次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 36次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 26次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

从实践的角度来探讨高速电路的布线问题

所谓寄生效应就是那些溜进你的PCB并在电路中大施破坏、头痛令人、原因不明的小故障(按照字面意思)。它....
的头像 电子发烧友网 发表于 01-08 09:56 498次 阅读
从实践的角度来探讨高速电路的布线问题

常见保护电路如何影响电流检测放大器的精度

恶劣环境是电机控制或电磁阀控制应用中的许多电气系统必须面对的现实。控制电机和电磁阀的电子装置需要非常....
的头像 电机控制设计加油站 发表于 01-07 17:29 441次 阅读
常见保护电路如何影响电流检测放大器的精度

运算放大器15个常见指标介绍

在运放开环使用时, 加载在两个输入端之间的直流电压使得放大器直流输出电压为 0。   优劣范围: ....
的头像 人间烟火123 发表于 01-07 15:26 1792次 阅读
运算放大器15个常见指标介绍

1994到2015全国电子设计大赛题目资料合集免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是1994到2015全国电子设计大赛题目资料合集免费下载,参加电赛必修课。
发表于 01-07 08:00 102次 阅读
1994到2015全国电子设计大赛题目资料合集免费下载

在各种应用领域 采用模拟技术时都需要使用差分放大器电路

在各种应用领域,采用模拟技术时都需要使用差分放大器电路,如图 1 所示 。例如测量技术,根据其应用的....
发表于 01-03 15:41 273次 阅读
在各种应用领域 采用模拟技术时都需要使用差分放大器电路

实例讲解:什么是自举电路?

在电子电路中,利用晶体管的单向导电特性,电阻、电容器的充放电性质,将电子放大电路中的电压进行叠加提高....
发表于 12-31 14:52 1491次 阅读
实例讲解:什么是自举电路?

这个共源共栅放大器电路,为什么会产生密勒效应呢?

如图是一个共源共栅放大器,同时也可以看作双栅场效应管。请问:1.这样结构的电路为什么会产生密勒效应呢....
的头像 Duke 发表于 12-29 09:27 0次 阅读
这个共源共栅放大器电路,为什么会产生密勒效应呢?

FM立体声芯片SX6116的数据手册免费下载

SX6116在原来基础上改进增强开机关机功能,开机关机后记忆当前电台。加上极少数的元件即可收到调频立....
发表于 12-29 08:00 251次 阅读
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运算放大器中接电容有什么样的作用详细资料说明

本文档的主要内容详细介绍的是运放中接电容有什么样的作用详细资料说明主要介绍的是:运放的超前补偿,运放....
发表于 12-29 08:00 566次 阅读
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关于低噪声放大器的设计详细剖析

在整个接收系统中,低噪声放大器总是处于前端的位置。整个接收系统的噪声取决于低噪声放大器的噪声。与普通....
发表于 12-28 15:55 668次 阅读
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基于新型放大器实现高性能的电流检测设计浅析

绝大多数的模拟芯片(比较器、运算放大器、仪表放大器、基准源和滤波器等)都是用来处理电压信号的。当用来....
发表于 12-26 15:33 719次 阅读
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一种异相功率放大器提高WLAN系统功率效率设计详解

传统802.11a正交频分多路复用(OFDM)系统的高功耗和性能局限阻碍了802.11a和双频WLA....
发表于 12-26 15:23 512次 阅读
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B类和AB类推挽式放大器的工作原理和使用说明等详细资料概述

如果放大器偏压在截止区,使得在输入信号周期的前180。工作于线性区,后180。工作于截止区,则这种放....
发表于 12-25 11:22 371次 阅读
B类和AB类推挽式放大器的工作原理和使用说明等详细资料概述

甲类放大器乙类放大器及甲乙类放大器有什么区别和IBIS模型的介绍

甲类(Class-A)放大器的输出晶体管(或电子管)的工作点在其线性部分中点,不论信号电平如何变化,....
发表于 12-25 10:45 331次 阅读
甲类放大器乙类放大器及甲乙类放大器有什么区别和IBIS模型的介绍

PWM调制的无滤波Class D音频功率放大器的设计

随着便携式产品需求量不断增加,Class D数字功放因相比Class AB线性功放更符合便携式发展趋....
发表于 12-25 10:45 268次 阅读
PWM调制的无滤波Class D音频功率放大器的设计

如何使用微波电路仿真软件ADS设计S频段功率放大器的详细方法说明

介绍了应用微波电路仿真软件 ADS 设计S 频段功率放大器的方法。该设计采用直流分析仿真确定功率管的....
发表于 12-25 10:06 308次 阅读
如何使用微波电路仿真软件ADS设计S频段功率放大器的详细方法说明

低压工作的轨到轨输入和输出缓冲级放大器的详细资料说明

本文提出了一种低压工作的轨到轨输入/输出缓冲级放大器。利用电阻产生的输入共模电平移动,该放大器可以在....
发表于 12-24 14:40 310次 阅读
低压工作的轨到轨输入和输出缓冲级放大器的详细资料说明

一种音频小信号功率放大器信号放大电路设计浅析

音频功率放大器的作用是将微弱的声音电信号放大为功率或幅度足够大、且与原来信号变化规律一致的信号,即进....
发表于 12-20 16:32 531次 阅读
一种音频小信号功率放大器信号放大电路设计浅析

TI推出全差动零漂移36V可编程增益放大器 可提高准确度与长期稳定性

日前,德州仪器PGA281 的主要特性与优势: (TI) 宣布推出一款全差动零漂移 36V 可编程增....
发表于 12-20 16:25 560次 阅读
TI推出全差动零漂移36V可编程增益放大器 可提高准确度与长期稳定性

对PWM型功率放大器进行长线传输波形整型及剔除尖峰干扰过程详解

PWM型功率放大器的输出,是一种频率固定,占空比可连续调节变化的脉冲信号。由于长线(功率放大器与负载....
发表于 12-19 16:16 339次 阅读
对PWM型功率放大器进行长线传输波形整型及剔除尖峰干扰过程详解

功率放大器的详细介绍和放大器分类的详细资料概述

放大器的主要特性是线性、效率、输出功率和信号增益。一般来说,在这些特性之间有一个折衷。例如,提高放大....
发表于 12-19 14:05 297次 阅读
功率放大器的详细介绍和放大器分类的详细资料概述

TI一款D类立体声放大器可生成超出3倍的功率输出

日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款 D 类立体声放大器,为超极本、蓝牙 (Bluetooth®)....
发表于 12-18 16:12 277次 阅读
TI一款D类立体声放大器可生成超出3倍的功率输出

晶体管放大器的设计和仿真资料说明

本文采用的是分压式电流负反馈偏置电路设计成的共发射极放大器,对分压式电流负反馈偏置电路能稳定静态工作....
发表于 12-18 08:00 149次 阅读
晶体管放大器的设计和仿真资料说明

国产5G通信基站GaN功率放大器芯片通过认证

在10日揭幕的2018中国国际应用科技交易博览会上,国产5G通信基站GaN(氮化镓)功率放大器芯片,....
的头像 GaN世界 发表于 12-14 16:15 1265次 阅读
国产5G通信基站GaN功率放大器芯片通过认证

180篇功放制作学习资料合集免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是180篇功放制作学习资料合集免费下载。
发表于 12-14 10:16 524次 阅读
180篇功放制作学习资料合集免费下载

单斜形β-多晶型氧化镓肖特基势垒二极管具有最低的泄漏电流

为了比较,研究人员还制造出没有鳍结构的Ni / Pt肖特基二极管。目前的密度是根据设备面积而不是翅片....
的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 12-13 16:47 925次 阅读
单斜形β-多晶型氧化镓肖特基势垒二极管具有最低的泄漏电流

集成运算放大器电路设计的360例的详细资料说明

经典好书。。。本书全面系统地阐述了集成运算放大器〈集成运放)360种出用电路的设计公式、 设计步骤及....
发表于 12-13 08:00 508次 阅读
集成运算放大器电路设计的360例的详细资料说明

今日新闻:AirPower支持多种充电标准 魅族16s系列支持NFC功能

据消息报道,在2018年中国国际应用科技交易博览会上,国内5G通信基站氮化镓功率放大器芯片首次亮相。
的头像 牵手一起梦 发表于 12-12 17:25 1901次 阅读
今日新闻:AirPower支持多种充电标准 魅族16s系列支持NFC功能

如何在开关电源工作时抑制纹波和减小高频噪声

开关电源的纹波和噪声是一个本质问题,换而言之无论纹波和噪声多么小,也无法从根本上去除,再绝对的讲开关....
的头像 Torex产品资讯 发表于 12-12 15:07 589次 阅读
如何在开关电源工作时抑制纹波和减小高频噪声

OP07输入偏置电压的详细数据手册免费下载

OP07具有非常低的输入偏置电压(对于OP-07A,最大为25uV),这是通过在晶片级进行修整获得的....
发表于 12-11 08:00 77次 阅读
OP07输入偏置电压的详细数据手册免费下载

BD136G和BD138G及BD140G的数据手册免费下载

该系列塑料、中功率硅PNP晶体管被设计成使用互补或准互补电路作为音频放大器和驱动器。
发表于 12-11 08:00 89次 阅读
BD136G和BD138G及BD140G的数据手册免费下载

振荡器与放大器的区别

振荡器与放大器的区别是振荡器无需外加激励信号,放大器需要外加激励信号。振荡器主要功能是能量转换装置,....
的头像 发烧友学院 发表于 12-10 15:09 1032次 阅读
振荡器与放大器的区别

使用高能效的RF功率放大器能降低高数据速率移动通信系统的运营成本

然而,由于最新蜂窝标准中所用复杂调制方案的峰值平均功率比(PAR)较高,转而要求发射机PA具有高平均....
发表于 12-10 09:46 172次 阅读
使用高能效的RF功率放大器能降低高数据速率移动通信系统的运营成本

使用上变频功率放大器设计的寻迹小车电路原理图的详细资料免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是使用上变频功率放大器设计的寻迹小车电路原理图的详细资料免费下载。
发表于 12-07 08:00 110次 阅读
使用上变频功率放大器设计的寻迹小车电路原理图的详细资料免费下载