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容性负载如何将放大器变为振荡器

电子设计 2018-06-12 09:19 次阅读

容性负载一定会影响运算放大器的性能。简单地说,容性负载可以将放大器变为振荡器。今天我们就来说说——

◎ 容性负载如何将放大器变为振荡器

◎ 如何处理容性负载?

放大器变振荡器?这是有原理的!

“”

运算放大器固有的输出电阻Ro与容性负载一起,构成放大器传递函数的另一个极点。如波特图所示,在每个极点处,幅度斜率(负值)减小20dB/10倍。请注意各极点如何增加多达-90°的相移。我们可以从两个角度来考察不稳定性问题。请看对数图上的幅度响应,当开环增益与反馈衰减之和大于1时,电路就会变得不稳定。类似地,还可以看相位响应,在环路相移超过-180°的频率,如果此频率低于闭环带宽,则运算放大器往往会发生振荡。电压反馈型运算放大器电路的闭环带宽等于运算放太器的增益带宽积(GBP,或单位增益频率)除以电路的闭环增益(ACL)。

运算放大器电路的相位余量可以看作是使电路变得不稳定时所需的闭环带宽的额外相移量(即相移+相位余量=-180°)。随着相位余量趋于0,环路相移趋于-180°,运算放大器电路便趋于不稳定。通常而言,如果相位余量值远小于45°,就会导致频率响应的尖峰,以及阶跃响应时的过冲或响铃振荡等问题。为了保持足够的相位余量,容性负载所产生的极点至少应比电路的闭环带宽高10倍。如果不是这样,请考虑电路不稳定的可能性。

如何处理容性负载?教你三招

首先应当确定,运算放大器能否安全地驱动自身负载。许多运算放大器数据手册规定了“容性负载驱动能力”,另有一些则提供了关于“小信号过冲与容性负载之间关系”的典型数据。查看这些数值,可以发现过冲随着负载电容增加成倍递增。当过冲接近100%时,运算放大器便趋于不稳定。如果可能,请让过冲远低于此限值。另外请注意,此图针对特定增益而言。对于电压反馈型运算放大器,容性负载驱动能力随着增益的增加而提高。因此,在单位增益时能够安全驱动100pF电容的电压反馈型运算放大器,在增益为10时应当能够驱动1000pF电容。

一些运算放大器数据手册给出了开环输出电阻(Ro),由此可算出上述附加极点的频率。如果附加极点的频率(fp)比电路带宽高出10倍,电路将保持稳定。

如果运算放大器的数据手册没有说明容性负载驱动能力或开环输出电阻,并且没有提供过冲与容性负载的关系图,那么为了确保稳定性,必须假设任何负载电容均要求采取某种补偿技术。有许多方法都能使标准运算放大器电路稳定驱动容性负载,下面是其中几种:

噪声增益操控

这是一种在低频应用中保持稳定的有效方法,然而却经常被设计人员所忽略。其原理是提高电路的闭环增益(也称为“噪声增益”),而不改变信号增益,从而降低开环增益与反馈衰减之积变为1的频率。在一些电路的运算放大器输入端之间连接RD即可实现,如下图所示。利用所给的公式可求得这些电路的“噪声增益”。

“”

由于稳定性受噪声增益而不是信号增益控制,因此上面的电路可提高稳定性,且不会影响信号增益。只需使“噪声带宽”(GBP/ANOISE)比负载所产生的极点至少低10倍,便可确保稳定。

“”

这种稳定方法有一个缺点,即折合到输入端的电压噪声和输人失调电压进一步放大,导致输出噪声和失调电压增加。将电容CD与RD串联,可以消除增加的直流偏置电压,但这种技术会增加噪声,无法消除。这些电路在包含CD和不含CD两种情况下的有效噪声增益如图所示。

使用时,CD应尽可能大;最小值应为10ANOISE/(2πRDGBP),才能使“噪声极点”至少比“噪声带宽”低10倍。

环外补偿

这种方法是在运算放大器的输出端与负载电容之间增加一个电阻RX,如下图所示。该电阻显然在反馈环路之外,但它与负载电容一起,可将一个零点引人反馈网络的此传递函数,从而减小高频时的环路相移。

“”

为确保稳定,RX值应使所增加的零点(fZ)至少比运算放大器电路的闭环带宽低10倍。增加RX后,电路性能不会像第一种方法一样受到影响,输出噪声不会增加,但相对负载而言的输出阻抗会提高。由于RX和RL构成电阻分压器,这可能会降低信号增益。如果RL已知且相当稳定,则可以提高运算放大器电路的增益,以抵消该增益损失。

这种方法对于驱动传输线路非常有效。为了避免驻波,RL和RX的值必须等于电缆的特性阻抗(一般为50Ω或75Ω)。因此,RX是预先确定的,剩下的工作就是让放大器的增益加倍,以便抵消电阻分压器造成的信号损耗,这样问题就解决了。

环内补偿

如果RL是未知的或动态变化的,则增益级的有效输出电阻必须保持较低。这种情况下,将RX连接在整个反馈环路以内可能有帮助,如下图所示。采用这种配置,直流和低频反做来自负载本身,因此从输入端到负载的信号增益仍然不受分压器(RX和RL)的影响。

“”

此电路中增加的电容CF可以抵消CL所造成的极点和零点。简单地说,CF所产生的零点与CL所产生的极点一致,同时CF所产生的极点与CL所产生的零点一致。因此,总传递函数和相位响应与没有电容时完全一样。为了确保极点和零点组合均得以抵消,必须精确求解上述方程式。另外应注意条件;如果负载阻抗相对较大,则这些条件很容易得到满足。

如果RO未知,将难以计算。这种情况下,设计程序就变成猜谜游戏,这可以说是电路设计的噩梦。关于SPICE,有一点应当注意:运算放大器的SPICE模型并未精确模拟开环输出电阻(RO),因此并不能完全取代补偿网络的经验设计。

还有一点必须注意:CL必须为已知且恒定的值,才能应用这种技术。许多应用中,放大器驱动非常规负载,CL可能会因负载不同而有很大差别。只有CL是闭环系统的一部分时,使用以上电路才是最佳选择。

一种应用是对基准电压进行缓冲或反相,以驱动较大的去耦电容。此时,CL为固定值,可以精确抵消极点/零点组合。这种方法的低直流输出阻抗和低噪声(与前两种方法相比)非常有利。此外,基准电压的去耦电容可能很大(经常为若干微法),使用其它补偿方法并不可行。

以上三种方法均应用于“标准”、单位增益稳定、电压反馈型运算放大器,每种方法各有利弊。现在,您可以应用自己的知识来判断哪种方法最适合您的应用啦~

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OPA187 1µV Vos、0.005µV/°C、轨至轨输出、低功耗 36V 零漂移运算放大器

OPAx187系列运算放大器采用自动归零技术,可在时间和温度范围内同步提供低失调电压(1μV)以及近似为零的漂移。此类微型,高精度,低静态电流放大器提供高输入阻抗和流入高阻抗负载的摆幅在5mV电源轨范围内的轨道轨道输出。输入共模范围包括负电源轨。单电源或双电源可在4.5V至36V(±2.25V至±18V)范围内使用。 OPAx187器件的单通道版本采用微型8引脚超薄小外形尺寸(VSSOP)封装,5引脚SOT- 23封装和8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装。双通道版本采用8引脚VSSOP和8引脚SOIC封装。四通道版本采用14引脚SOIC,14引脚TSSOP和16引脚WQFN封装。所有器件版本的额定工作温度范围均为-40°C至+ 125°C。 特性 低失调电压:10μV(典型值) 零漂移:0.001μV/°C < li>低噪声:20 nV /√ Hz 电源抑制比(PSRR):160dB 共模抑制比(CMRR):140dB AOL:160dB 静态电流:100μA 宽电源电压:±2.25V至±18V 轨至轨输出运行 输入包括负电源轨 低偏置电流:100pA(典型值) 已滤除电磁干扰(EMI)的输入 微型封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 精密...
发表于 01-08 17:51 8次 阅读
OPA187 1µV Vos、0.005µV/°C、轨至轨输出、低功耗 36V 零漂移运算放大器

TLV6002-Q1 适用于成本敏感型汽车系统的 1MHz 低功耗运算放大器

TLV600x-Q1系列单通道和双通道运算放大器专为通用汽车应用而设计。具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(典型值75μA),宽带宽(1 MHz)和低噪声(1 kHz时为28nV /√Hz),该系列产品具有多种吸引力需要在成本和性能之间取得平衡的汽车应用,例如信息娱乐系统,发动机控制单元和汽车照明。低输入偏置电流(典型值±1 pA)使TLV600x-Q1能够用于具有兆赫源阻抗的应用。 TLV600x-Q1的稳健设计为电路设计人员提供了易用性:单位增益稳定性,高达150 pF的容性负载,集成RF /EMI抑制滤波器,过载条件下的nophase反转和高静电放电(ESD)保护(4kVHBM)。 器件经过优化,可在低至1.8 V(±0.9 V)和高达5.5 V(±2.75 V)的电压下工作),在-40°C至+ 125°C的扩展温度范围内指定。 单通道TLV6001-Q1采用SC70-5封装,双通道TLV6002- Q1采用SOIC和VSSOP封装。 特性 AEC-Q100符合汽车应用要求 器件温度等级1:-40°C至+ 125°C,T A 设备HBM ESD分类级别3A 设备CDM ESD分类级别C6 通用用于成本敏感系统的放大器 电源范围:1.8 V至5.5 V 增益带宽:1 MHz 低...
发表于 01-08 17:51 0次 阅读
TLV6002-Q1 适用于成本敏感型汽车系统的 1MHz 低功耗运算放大器

INA821 失调电压为 35µV、噪声为 7nV/√Hz 的低功耗、精密仪表放大器

INA821是一款高精度仪表放大器,可实现低功耗并且可在较宽的单电源或双电源电压范围内运行。可通过单个外部电阻器在1到10,000范围内设置任意增益。由于采用新的超β输入晶体管(这些晶体管可提供较低的输入失调电压,失调电压漂移,输入偏置电流以及输入电压和电流噪声),该器件可提供出色的精度。附加电路可以为输入提供高达±40V的过压保护。 INA821经过优化,可提供出色的共模抑制比。当G = 1时,整个输入共模范围内共模抑制比超过90dB。该器件可在4.5V单电源和高达±18V的双电源供电情况下实现低电压运行.INA821可提供8引脚SOIC封装,额定温度范围为-40° C至+ 125°C。 特性 低失调电压:35μV(最大值) 增益漂移:5ppm /°C(G = 1), 50ppm /°C(G&gt; 1) 噪声:7nV /√ Hz 带宽:5.6MHz(G = 1),280kHz(G = 100) 与1nF容式负载一起工作时保持稳定 输入保护电压高达±40V 共模抑制:110dB,G = 10(最小值) 电源抑制:110dB,G = 1(最小值) 电源电流:650μA(最大值) 电源范围: 单电源:4.5 V至36 V 双电源:±2.25V至±18V 额定温度范围: - 40°C至+ 125°C 封装:8引脚SOIC...
发表于 01-08 17:51 27次 阅读
INA821 失调电压为 35µV、噪声为 7nV/√Hz 的低功耗、精密仪表放大器

TLV6001-Q1 适用于成本敏感型系统的低功耗、RRIO、1MHz 运算放大器

TLV600x-Q1系列单通道和双通道运算放大器专为通用汽车应用而设计。具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(典型值75μA),宽带宽(1 MHz)和低噪声(1 kHz时为28nV /√Hz),该系列产品具有多种吸引力需要在成本和性能之间取得平衡的汽车应用,例如信息娱乐系统,发动机控制单元和汽车照明。低输入偏置电流(典型值±1 pA)使TLV600x-Q1能够用于具有兆赫源阻抗的应用。 TLV600x-Q1的稳健设计为电路设计人员提供了易用性:单位增益稳定性,高达150 pF的容性负载,集成RF /EMI抑制滤波器,过载条件下的nophase反转和高静电放电(ESD)保护(4kVHBM)。 器件经过优化,可在低至1.8 V(±0.9 V)和高达5.5 V(±2.75 V)的电压下工作),在-40°C至+ 125°C的扩展温度范围内指定。 单通道TLV6001-Q1采用SC70-5封装,双通道TLV6002- Q1采用SOIC和VSSOP封装。 特性 AEC-Q100符合汽车应用要求 器件温度等级1:-40°C至+ 125°C,T A 设备HBM ESD分类级别3A 设备CDM ESD分类级别C6 通用用于成本敏感系统的放大器 电源范围:1.8 V至5.5 V 增益带宽:1 MHz 低...
发表于 01-08 17:51 19次 阅读
TLV6001-Q1 适用于成本敏感型系统的低功耗、RRIO、1MHz 运算放大器

OPA859 具有 1.8GHz 单位增益带宽、3.3nV/√Hz 电压噪声的 FET 输入放大器

OPA859是一款具有CMOS输入的宽带低噪声运算放大器,适用于宽带跨阻和电压放大器应用。将该器件配置为跨阻放大器(TIA)时,0.9GHz增益带宽积(GBWP)能够在低电容光电二极管应用中实现高闭环带宽。 下图展示了在将OPA859设置为TIA时该放大器的带宽和噪声性能与光电二极管电容的函数关系。计算总噪声时的带宽范围为从直流到左轴上计算得出的频率f.OPA859封装具有一个反馈引脚(FB),可简化输入和输出之间的反馈网络连接。 OPA859经过优化,可在光学飞行时间(ToF)系统中运行,在该系统中OPA859与时数转换器(如TDC7201)配合使用。可在具有差分输出放大器(如THS4541或LMH5401)的高分辨率激光雷达系统中使用OPA859来驱动高速模数转换器(ADC)。 特性 高单位增益带宽:1.8GHz 增益带宽积:900MHz 超低偏置电流MOSFET输入:10pA 低输入电压噪声:3.3nV /√ Hz 压摆率:1150V /μs 低输入电容: 共模:0.6pF 差动:0.2pF 宽输入共模范围:< ul> 与正电源相差1.4V 包括负电源 TIA配置下的输出摆幅为2.5V PP 电源电压范围:3.3V至5.25V 静态电流:20.5mA ...
发表于 01-08 17:51 17次 阅读
OPA859 具有 1.8GHz 单位增益带宽、3.3nV/√Hz 电压噪声的 FET 输入放大器

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 380次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 27次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 20次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 32次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 30次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 15次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 36次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 26次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

从实践的角度来探讨高速电路的布线问题

所谓寄生效应就是那些溜进你的PCB并在电路中大施破坏、头痛令人、原因不明的小故障(按照字面意思)。它....
的头像 电子发烧友网 发表于 01-08 09:56 498次 阅读
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常见保护电路如何影响电流检测放大器的精度

恶劣环境是电机控制或电磁阀控制应用中的许多电气系统必须面对的现实。控制电机和电磁阀的电子装置需要非常....
的头像 电机控制设计加油站 发表于 01-07 17:29 441次 阅读
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运算放大器15个常见指标介绍

在运放开环使用时, 加载在两个输入端之间的直流电压使得放大器直流输出电压为 0。   优劣范围: ....
的头像 人间烟火123 发表于 01-07 15:26 1792次 阅读
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9HT10晶体振荡器谐振器的数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是9HT10晶体振荡器谐振器的数据手册免费下载频率 32.768kHz 频....
发表于 01-07 08:00 21次 阅读
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1994到2015全国电子设计大赛题目资料合集免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是1994到2015全国电子设计大赛题目资料合集免费下载,参加电赛必修课。
发表于 01-07 08:00 102次 阅读
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在各种应用领域 采用模拟技术时都需要使用差分放大器电路

在各种应用领域,采用模拟技术时都需要使用差分放大器电路,如图 1 所示 。例如测量技术,根据其应用的....
发表于 01-03 15:41 273次 阅读
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555定时器电路设计软件V1.2免费下载

555定时器电路图设计软件,一个小巧的电路设计工具,它列出了555电路可实现的十几种应用电路单元,如....
发表于 01-02 08:00 117次 阅读
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实例讲解:什么是自举电路?

在电子电路中,利用晶体管的单向导电特性,电阻、电容器的充放电性质,将电子放大电路中的电压进行叠加提高....
发表于 12-31 14:52 1491次 阅读
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这个共源共栅放大器电路,为什么会产生密勒效应呢?

如图是一个共源共栅放大器,同时也可以看作双栅场效应管。请问:1.这样结构的电路为什么会产生密勒效应呢....
的头像 Duke 发表于 12-29 09:27 0次 阅读
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FM立体声芯片SX6116的数据手册免费下载

SX6116在原来基础上改进增强开机关机功能,开机关机后记忆当前电台。加上极少数的元件即可收到调频立....
发表于 12-29 08:00 251次 阅读
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运算放大器中接电容有什么样的作用详细资料说明

本文档的主要内容详细介绍的是运放中接电容有什么样的作用详细资料说明主要介绍的是:运放的超前补偿,运放....
发表于 12-29 08:00 566次 阅读
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STM32F10x的常见应用解析

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关于低噪声放大器的设计详细剖析

在整个接收系统中,低噪声放大器总是处于前端的位置。整个接收系统的噪声取决于低噪声放大器的噪声。与普通....
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数字电路教程之脉冲波形的产生和整形课件资料免费下载

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发表于 12-28 08:00 122次 阅读
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接下来,我们将展示一种方法,可以用于在多个收发器上强制杂散去相关。首先,通过编程板载锁相环(PLL)....
的头像 亚德诺半导体 发表于 12-24 13:59 832次 阅读
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一种音频小信号功率放大器信号放大电路设计浅析

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发表于 12-20 16:32 531次 阅读
一种音频小信号功率放大器信号放大电路设计浅析

TI推出全差动零漂移36V可编程增益放大器 可提高准确度与长期稳定性

日前,德州仪器PGA281 的主要特性与优势: (TI) 宣布推出一款全差动零漂移 36V 可编程增....
发表于 12-20 16:25 560次 阅读
TI推出全差动零漂移36V可编程增益放大器 可提高准确度与长期稳定性

对PWM型功率放大器进行长线传输波形整型及剔除尖峰干扰过程详解

PWM型功率放大器的输出,是一种频率固定,占空比可连续调节变化的脉冲信号。由于长线(功率放大器与负载....
发表于 12-19 16:16 339次 阅读
对PWM型功率放大器进行长线传输波形整型及剔除尖峰干扰过程详解

功率放大器的详细介绍和放大器分类的详细资料概述

放大器的主要特性是线性、效率、输出功率和信号增益。一般来说,在这些特性之间有一个折衷。例如,提高放大....
发表于 12-19 14:05 297次 阅读
功率放大器的详细介绍和放大器分类的详细资料概述

TI一款D类立体声放大器可生成超出3倍的功率输出

日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款 D 类立体声放大器,为超极本、蓝牙 (Bluetooth®)....
发表于 12-18 16:12 277次 阅读
TI一款D类立体声放大器可生成超出3倍的功率输出

晶体管放大器的设计和仿真资料说明

本文采用的是分压式电流负反馈偏置电路设计成的共发射极放大器,对分压式电流负反馈偏置电路能稳定静态工作....
发表于 12-18 08:00 149次 阅读
晶体管放大器的设计和仿真资料说明

详细介绍各种直流电机的控制技术

在实际应用中,最流行的还是混和型的步进电机。但工作原理与图1所示的可变磁阻型同步电机相同。但结构上稍....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 12-17 11:25 640次 阅读
详细介绍各种直流电机的控制技术