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芯片巨头三家公司的反垄断罚款额预计在8-80亿美元之间

半导体观察IC 2018-06-07 16:24 次阅读

上周末有爆料称中国反垄断监管部门对三星、SK Hynix及美光进行了调查,美光已经公开承认有反垄断部门官员到访并索要材料。三星公司随后也确认了此事,表示接受了官方问询。中国的反垄断调查不是官方主动发起,而是有公司举报,而且立案调查意味着有了初步证据,根据这三家公司在中国的营收额来判断,他们最多将会被处以80亿美元的罚款。

对于内存反垄断调查,官方目前还没有发布消息,不过此前有媒体宣称中国反垄断机构派出多个工作小组,分别对三星、海力士、美光三家公司位于北京、上海、深圳的办公室展开“突袭调查”和现场取证,标志着中国反垄断机构正式对三家企业展开立案调查。

中国反垄断机构上周末对韩国的三星电子、SK海力士以及美国美光三家芯片企业以涉嫌操控价格展开反垄断调查后,三星及SK海力士本周均对《环球时报》记者回应称正在积极配合相关部门。受调查影响,三星电子和SK海力士4日的股价都出现小幅下跌,三星电子下跌0.39%,SK海力士下跌1.75%,而韩国电子股指数则下跌0.28%。

存储芯片两年涨一倍

韩国《中央日报》4日的报道称,上月31日,中国的反垄断机构突然前往三星电子、SK海力士、美国美光在中国的分支机构办公室展开调查。 中国政府怀疑在过去两年间存储芯片(DRAM)的价格暴涨1倍以上的原因是这三家企业恶意利用供给不足违法进行捆绑销售。一旦嫌疑被确认,这三家企业将面临中国政府8亿至80亿美元的罚款。    

今年4月,一起美国消费者起诉三星电子、SK 海力士、美国美光等厂商人为操控零售价格,诉讼人表示上述三家公司的行动导致DRAM芯片价格在2016年7月1日至2018年2月1日内上涨130%。《中央日报》报道称,DRAM价格现在依然在持续“高空飞行”。4GB DRAM的价格从2016年6月的1.31美元上涨至今年4月的3.94美元,增长3倍左右。据推测,下半年DRAM的价格还将持续上涨。 

▲三星电子资料图

中国电信行业专家马继华4日对《环球时报》记者表示,DRAM价格在去年经历的暴涨已超出正常的市场定价范畴。这直接导致手机厂商利润下降,部分企业经营困难,小企业退出市场,也促进了手机产业进一步集中化。另一方面,芯片涨价也限制了手机行业的产能。

中企对三巨头依赖度高

韩国《亚洲经济》报道称,遭调查的3家公司的半导体芯片业务2017年在中国营收依次为253.86亿美元、89.08亿美元、103.88亿美元,总计446.8亿美元,同比2016财年的321亿美元增长39.16%。    

韩国SBS电视台4日的报道称,有分析认为,中国对三星等世界三大存储芯片企业展开反垄断调查,与推进中国“半导体崛起”不无关系。最近中国华为、小米等厂商通过包括智能手机在内的各种电子产品成功抢占国际市场,但由此进口的半导体芯片也呈现“滚雪球式”的增长。去年中国在该领域的贸易赤字高达1900亿美元,而三星电子一家就在中国创下253亿美元的半导体芯片销售额,中国市场份额高达46%。

《中央日报》分析称,由于DRAM价格的暴涨与供给不足,中国智能手机等信息技术企业正在面临困境。报道称,中国企业对这三家企业的依赖度很高。除华为、小米、OPPO、vivo等智能手机企业及联想等电脑企业之外,连阿里巴巴、腾讯、百度这样的互联网企业也为构筑数据中心而大量使用芯片。仅去年从韩国进口的该类产品就超过42万亿韩元(约合2500亿元人民币)。

发展要自主可控

一位不具名的半导体行业分析人士4日对《环球时报》记者表示,此前内存价格的上涨对包括手机在内的中国国内产业链带来成本上的巨大压力。因此,在国内厂商的要求下,反垄断机构开始出手调查。    

手机中国联盟秘书长王艳辉4日接受《环球时报》记者采访时表示,相比欧盟不断向谷歌、苹果、高通等以垄断理由开出罚单,中国反垄断机构由于人力有限,对市场监督的力度不是太大而是太小。需要更强有力的市场监督机构保证公平、公正的市场竞争秩序。

分析人士表示,这次反垄断的调查可以参考此前高通案,2015年2月,在经历了1年多的反垄断调查后,中国国家发改委宣布对高通处以人民币60.88亿元罚款。分析人士称,反垄断调查对于3家公司的半导体芯片业务会有一定影响,但最终影响如何还要看监管机构的调查结果。近期市场情况也提醒中国半导体芯片产业需要做到自主可控。

集邦咨询半导体研究中心的数据显示,今年一季度,三星、SK海力士和美光占全球市场总份额达96%,分别为44.9%、27.9%、22.6%。与此同时,中国是全球最大的内存产品进口国,消费了全球20%的DRAM和25%的闪存。集邦咨询分析称,在目前寡头垄断的市场情况下,中国政府已经开始加快发展国内的半导体芯片产业,但发展为实际产能还需要时间。

经济观察网日前原因三星中国区负责人的消息证实了此事,“5月31日有过现场调查,目前我们正在协助调查,”三星中国公司相关负责人告诉经济观察网记者,这位人士还表示“中国三星在接受问询当中。”

原文还援引律师的话称反垄断调查大多数都是基于举报进行的,凡是立案调查的都必须掌握初步证据,目前已经进行立案并突袭调查了,说明官方已经掌握了一定证据。

这次调查是商务部反垄断部门发起的,而在此之前,去年底中国发改委约谈了三星公司,那次就是因为有中国手机厂商因存储芯片价格上涨而举报了三星公司,经济观察网表示举报者可能不止中国手机公司,应该还有竞争对手。

在这方面,三年前高通在中国的反垄断调查也是基于中国手机公司举报才发起的,最终高通公司被发改委处以61亿人民币的罚款。

从2016年下半年到现在为止,NAND闪存、DRAM芯片涨价已经持续了两年,NAND闪存价格目前正在回落,但是DRAM芯片价格依然居高不下,而中国是全球最大的存储芯片消费市场,根据调查数据中国去年进口了价值889亿美元的存储芯片,同比增长了40%,高昂的成本已经让中国智能手机以及其他行业承受了巨大压力。

三星、SK Hynix及美光是全球主要的DRAM芯片供应商,三家占据了全球95%的份额,三星一家就占到全球的46%份额。根据原文所述,2017财年三家公司半导体业务在中国营收依次分别为253.86亿美元、89.08亿美元、103.88亿美元,总计446.8亿美元,同比2016财年的321亿美元增长39.16%。

如果依据中国《反垄断法》第四十六、第四十七、第四十九条进行处罚,他们将会被处以上一年度销售额1%-10%的罚款,且需要考虑违法行为的持续时间,因此从2016年开始计算的话,三家公司的反垄断罚款额预计在8-80亿美元之间。

原文标题:最高可罚80亿美元!在中国赚翻的芯片三巨头突遭中方反垄断调查

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信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SC-75表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 这些器件是无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准
发表于 04-18 19:13 38次 阅读
BAS116T 75 V开关二极管

BAS16H 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 S汽车及其他应用的前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 42次 阅读
BAS16H 100 V开关二极管

BAS116L 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 8 mm卷带和卷盘 - 使用BAS116LT1订购7英寸/ 3,000单位卷轴 Pb - 免费套餐。 汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
BAS116L 75 V开关二极管

BAR43 肖特基二极管

信息 BAR43 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 44次 阅读
BAR43 肖特基二极管

BAR43C 肖特基二极管

信息 BAR43C 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 53次 阅读
BAR43C 肖特基二极管

BAR43S 肖特基二极管

信息 BAR43S 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 52次 阅读
BAR43S 肖特基二极管

BAL99L 70 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 48次 阅读
BAL99L 70 V开关二极管

A5191HRT 工业HART协议调制解调器

信息 A5191HRT是一款单芯片CMOS调制解调器,适用于高速公路可寻址远程传感器(HART)现场仪表和主机。调制解调器和一些外部无源组件提供满足HART物理层要求所需的所有功能,包括调制,解调,接收滤波,载波检测和发送信号整形。 A5191HRT与SYM20C15引脚兼容。有关引脚与SYM20C15兼容性的详细信息,请参见引脚说明和功能描述部分。 A5191HRT使用每秒1200位的相位连续频移键控(FSK)。为了节省功率,接收电路在发送操作期间被禁用,反之亦然。这提供了HART通信中使用的半双工操作。 低功耗 Bell 202移位频率为1200 Hz和2200 Hz 单芯片,半 - 双工1200比特FSK调制解调器 发送信号波形整形 接收带通滤波器 满足HART物理层要求 CMOS兼容 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
A5191HRT 工业HART协议调制解调器

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...
发表于 04-18 19:13 42次 阅读
CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 44次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
发表于 04-18 19:13 50次 阅读
CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器

信息 MC10 / 100EP32是一个集成的2分频器,具有差分CLK输入。 V 引脚是内部产生的电源,仅适用于该器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01μF电容去耦V 和V ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V 应保持开路。复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP32。 100系列包含温度补偿。 350ps典型传播延迟 最大频率> 4 GHz典型 PECL模式工作范围:V = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态< / li> 输入安全钳位 Q输出打开或V 无铅封装可用时默认为低电平 < / DIV>...
发表于 04-18 19:13 42次 阅读
MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器