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美光表示:EUV光刻机在DRAM芯片制造上不是必须的,直到1α及1β工艺上都也不会用到它

半导体动态 2018-06-07 14:49 次阅读

今年台积电、三星及Globalfoundries等公司都会量产7nm工艺,第一代7nm工艺将使用传统的DUV光刻工艺,二代7nm才会上EUV光刻工艺,预计明年量产。那么存储芯片行业何时会用上EUV工艺?在美光看来,EUV光刻工艺并不是DRAM芯片必须的,未来几年内都用不上,在新一代工艺上他们正在交由客户验证1Y nm内存芯片,未来还有1Z、1α及1β工艺。

内存跟CPU等芯片虽然都是集成电路,生产制造过程有相似之处,不过工艺并不相同,CPU逻辑工艺今年进入到了7nm节点,但内存主流的还是20nm、18nm工艺,其中18nm就属于1X nm节点(16-19nm之间),后面的1Y nm则是14-16nm之间,1Z大概是12到14nm。再之后,美光提出的是1α及1β工艺,具体对应xx nm就不明了。

美光表示:EUV光刻机在DRAM芯片制造上不是必须的,直到1α及1β工艺上都也不会用到它

三星是第一家量产18nm工艺,也就是第一个进入1X nm节点的,遥遥领先其他公司,美光现在也开始向1X nm工艺转进,下一代的1Y nm工艺已经进入客户验证阶段了,今年下半年问世,1Z nm工艺节点在处于工艺优化阶段,1α及1β工艺则是在不同研发阶段。

美光CEO Sanjay Mehrotra日前在参加伯恩斯坦年度战略决策会上回答了有关的工艺问题,在EUV光刻工艺上,他认为EUV光刻机在DRAM芯片制造上不是必须的,直到1α及1β工艺上都也不会用到它。

在内存工艺上,美光认为1α及1β工艺上依然都不需要EUV光刻工艺,不过早前ASML两年前提到过内存在进入1Y nm节点时就需要考虑EUV工艺了,实际上并没有,包括三星在内的三大DRAM巨头都没有很快进入EUV节点的打算。

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