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电压调整器相关基础知识运用指南:线性调整器的相关技术

Torex产品资讯 2018-06-06 11:36 次阅读

熟练使用的技巧提示

钻研封装工艺增加容许损耗

线性调整器的热损耗决定于输入电压和输出电压、输出电流的关系。

热损耗(Pd)=(输入电压-输出电压)×输出电流

实际上制造仪器时如何改良封装的散热问题是极为重要的。高效率地散热的封装中有USP封装。封装背面搭载IC硅片的金属芯片暴露在外表,能从芯片向PCB基板散热。(照片2)散热量决定于PCB基板的金属面积,图15表示USP-6C封装的散热特性事例。对于USP-6C自身存在120mW的容许损耗,当薄铜片的面积为800mm²时损耗为1W,增加薄铜片的面积能获得更大的容许损耗。图16中介绍了作为评价损耗时使用的电路板

图15 Heat Dissipation Characteristics: USP-6C Package

激光微调

CMOS线性调整器的输出电压已被预先设定几乎不能用外置电阻来调整输出电压,而由0.1V或0.05V间隔的输出电压来弥补。这是因为应用了容易设定任意高精度电压的激光微调技术。因为CMOS工艺难以制作如(注1)所示的类似双极晶体管带隙参考电压的稳定基准电压源,把用于预先设定输出电压的电阻更改为激光微调可以把内部基准电压的不规则分散值设定为任意的电压值,同时,也是确保输出电压精度的一般方法。(图17)

一般产品的输出电压精度为±2%,高精度产品为±1%。根据产品的不同,对不同的工作温度范围规定了输出电压精度。

(注1)带隙参考电压 

用双极晶体管的功率带隙和电阻,利用与绝对温度成比例的电压温度系数的相反性,而得到能与温度相对应的稳定电压的电路

图17 The Image of Tolerance Compensation by Lazar Trimming Technology

少量购买时,哪些电压调整器容易选购?

因为几乎所有的输出电压都不能在外部调整,在采购时须确认库存状况。一般情况下容易得到的输出电压有5V,3.3V,3V,2.8V, 2.5V, 1.8V, 1.2V。

今后的开发动向

CMOS工艺LSI的微细化每年都在不断进步,现在已开始批量生产被称为22nm规格的产品。使用在线性调整器等电源IC,其输入电源必须耐压。虽然极端微细的工艺不一定认为全部有益,利用CMOS所具有的微细技术优势,可以实现使用0.25μm或0.35μm等的工艺,用1.7V输入电压能提供1.2V的输出电压和2A的电流。此外,耐压高等方面,也在不断推出使用CMOS的先端工艺的各种各样的新技术和优点。

CMOS工艺利用于LSI或内存等开发方面,积蓄了大量的工艺技术。可以预测今后CMOS调整器将使用于比移动仪器等方面更加广泛的领域。

原文标题:【应用指南--设计秘笈19】线性调整器的相关技术

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74LVC540 低压CMOS八路缓冲器流量引脚

信息 74LVC540A是一款高性能,反相八通道缓冲器,工作电压为1.2V至3.6V。该器件在功能上与MC74LCX240类似,同时提供流通架构。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 5.5 V的V 规格允许从5V器件安全驱动74LVC540A输入。 74LVC540A适用于存储器地址驱动和所有面向TTL电平总线的收发器应用。输出端的电流驱动能力为24 mA。输出使能(OE1bar,OE2bar)输入,当为高电平时,通过将输出置于高电平状态来禁用输出。 设计用于1.2至3.6 VV 操作 5 V容差 - 具有5 V TTL逻辑的接口功能 支持实时插入和拔出 I 规范保证VCC = 0 V时的高阻抗< / li> 24 mA输出接收器和电源能力 所有三种逻辑状态(10μA)的近零静态电源电流大幅降低系统电源要求 Latchup性能超过250 mA ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:45 4次 阅读
74LVC540 低压CMOS八路缓冲器流量引脚

74LVC245 八路收发器,CMOS,低电压

信息 74LVC245A是一款高性能,非反相八通道收发器,工作电压为1.2V至5.5V。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 5.5 V的V 规格允许从5V器件安全驱动74LVC245A输入。 74LVC245A适用于存储器地址驱动和所有面向TTL电平总线的收发器应用。 A和B端口的电流驱动能力均为24mA。发送/接收(T / Rbar)输入确定通过双向收发器的数据流的方向。发送(高电平有效)使能从A端口到B端口的数据;接收(低电平有效)使能从B到A端口的数据。输出使能输入,当为高电平时,通过将它们置于高电平状态来禁用A和B端口。 设计用于1.2至3.6 VV 操作 5 V容差 - 具有5 V TTL逻辑的接口功能 支持实时插入和拔出 I 规范保证V = 0 V 24 mA输出灌电流和电源能力 所有三种逻辑状态(10μA)的近零静态电源电流大幅降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
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74LVC245 八路收发器,CMOS,低电压

74LVC126 低压CMOS四路缓冲器,三态

信息 74LVC126A是一款高性能,非反相四通道缓冲器,采用1.2至3.6 V电源供电。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 5.5 V的VI规格允许从5.0 V器件安全驱动74LVC126A输入。 74LVC126A适用于存储器地址驱动和所有面向TTL电平总线的收发器应用。输出端的电流驱动能力为24 mA。输出使能(OEn)输入,当为高电平时,通过将输出置于高电平状态来禁用输出。 设计用于1.2至3.6 VV 操作 5.0 V容差 - 具有5.0 V TTL逻辑的接口功能 支持实时插入和拔出 I 规范保证VCC = 0 V时的高阻抗 24 mA输出接收器和电源能力 所有三种逻辑状态(10μA)的近零静态电源电流大幅降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA < / li> ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
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74LVC126 低压CMOS四路缓冲器,三态

74LVC373 低压CMOS八路透明锁存器

信息 74LVC373A是一款高性能,非反相八通道透明锁存器,采用1.2至3.6 V电源供电。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 5.5 V的V 规格允许从5 V器件安全驱动74LVC373A输入。 74LVC373A包含8个D型锁存器,具有3态输出。当锁存使能(LE)输入为高电平时,Dn输入上的数据进入锁存器。在这种情况下,锁存器是透明的,即每次其D输入改变时锁存器输出将改变状态。当LE为低电平时,锁存器将存储在D输入端的信息存储在LE的高电平到低电平转换之前的建立时间。 3态标准输出由输出使能(OEbar)输入控制。当OEbar为LOW时,启用标准输出。当OEbar为高电平时,标准输出处于高阻态,但这不会干扰进入锁存器的新数据。 设计用于1.2至3.6 VV 操作 5 V容差 - 具有5 V TTL逻辑的接口功能 支持实时插入和取出 I 规范保证高阻抗时V < / li> = 0 V 24 mA输出接收器和电源能力 所有三种逻辑状态(10μA)的近零静态电源电流大幅降低系统电源要求< / li> 闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS...
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74LVC373 低压CMOS八路透明锁存器

74LVC374 低压CMOS Octal D触发器

信息 74LVC374A是一款高性能,非反相八通道D型触发器,工作电压为1.2V至3.6V。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 5.5V的V 规格允许从5V器件安全驱动74LVC374A输入。 74LVC374A由8个边沿触发触发器组成,具有独立的D型输入和3态真输出。缓冲时钟和缓冲输出使能(OEbar)对所有触发器都是通用的。八个触发器将存储各个D输入的状态,满足低至高时钟(CP)转换的建立和保持时间要求。 OEbar为低电平时,输出端提供8个触发器的内容。当OEbar为高电平时,输出进入高阻态。 OEbar输入电平不会影响触发器的操作。 设计用于1.2至3.6 VV 操作 5 V容差 - 接口能力为5 V TTL逻辑 支持实时插入和取出 I 当V = 0 V 时,规格保证高阻抗 24 mA输出接收器和电源能力 所有三种逻辑状态(10μA)的近零静态电源电流大幅降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
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74LVC374 低压CMOS Octal D触发器

74LVC07 低压CMOS六路缓冲器,具有漏极开路输出和5V容差输入

信息 74LVC07A是一款高性能十六进制缓冲器,采用1.2 V至5.5 V电源供电。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载。这些LVC器件具有开漏输出,可提供设置输出电平,或执行高电平有效和低电平有效功能。 AV规格为5.5 V,允许从5.0 V器件安全驱动74LVC07A输入。 设计用于1.2 V至5.5 VV 操作 5.0 V容差输入/输出 兼容LVTTL LVCMOS兼容 24 mA输出接收能力 接近零静态电源电流(10μA)显着降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA 有线或,有线和 输出电平可在外部设置,不会影响设备速度< / li> ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:45 4次 阅读
74LVC07 低压CMOS六路缓冲器,具有漏极开路输出和5V容差输入

74LVC06 低压CMOS六路反向器,具有漏极开路输出和5V容差I / O.

信息 74LVC06A是一款高性能六角形逆变器,采用1.2 V至5.5 V电源供电。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载。这些LVC器件具有开漏输出,可提供设置输出电平,或执行高电平有效和低电平有效功能。 AV规格为5.5 V,允许从5.0 V器件安全驱动74LVC06A输入。 设计用于1.2 V至5.5 VV 操作 5.0 V容差输入/输出 32 mA输出吸收能力 近零静态电源电流(10μA)大幅降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA < / li> 有线连接,有线连接 可在不影响设备速度的情况下在外部设置输出电平 与LCX05功能兼容 ESD表现:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:44 24次 阅读
74LVC06 低压CMOS六路反向器,具有漏极开路输出和5V容差I / O.

74LVC00 低压CMOS四路2输入与非门

信息 74LVC00A是一款高性能,四路2输入与非门,工作电压为1.2V至3.6V。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 AV规格5.5V允许74LVC00A输入从5V器件安全驱动。输出电流驱动能力为24mA。 设计用于1.2 V至3.6 VV 操作 5 V容差输入 - 具有5 V TTL逻辑的接口功能 24 mA输出接收器和电源能力 接近零静态电源电流(10μA) )大幅度降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:44 32次 阅读
74LVC00 低压CMOS四路2输入与非门

74LVC04 低压CMOS六路反向器

信息 74LVC04A是一款高性能六角形逆变器,采用1.2至3.6 V电源供电。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。如果VCC小于5.0 V,则5.5 V的VI规格允许从5 V器件安全驱动74LVC04A输入。输出端的电流驱动能力为24mA。 设计用于1.2 V至3.6 VV 操作 5.0 V容差输入 - 具有5.0 V TTL逻辑的接口功能 24 mA输出接收器和源功能 接近零静态电源电流(10μA)大幅降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:44 30次 阅读
74LVC04 低压CMOS六路反向器

74LVC02 低压CMOS四路2输入NOR门

信息 74LVC02A是一款高性能,四路2输入NOR门,工作电压为1.2V至3.6V。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 AV规格5.5V允许74LVC02A输入从5V器件安全驱动。输出电流驱动能力为24mA。 设计为1.2 V至3.6 VV 操作 5 V容差输入 - 具有5 V TTL逻辑的接口功能 24 mA输出接收器和电源能力 接近零静态电源电流(10μA) )大幅度降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:44 30次 阅读
74LVC02 低压CMOS四路2输入NOR门

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 38次 阅读
CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 42次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
发表于 04-18 19:13 48次 阅读
CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。 5V最大值

信息 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。例如,5uV最大VOS规格比行业标准OP07E提高了15倍。 50 nV /°C偏移漂移规格比OP07E低25倍以上。性能的提高消除了VOS修整程序,周期性电位器调整以及修剪器损坏引起的可靠性问题。无需额外的制造复杂性和激光或“齐纳击穿”VOS微调技术所带来的成本,即可实现TC7650的性能优势。 TC7650归零方案通过温度校正DC VOS误差和VOS漂移误差。归零放大器交替校正其自身的VOS误差和主放大器VOS误差。失调归零电压存储在两个用户提供的外部电容上。电容连接到内部放大器VOS零点。主放大器输入信号从不切换。 TC7650输出端不存在开关尖峰。 14引脚双列直插式封装(DIP)具有外部振荡器输入,用于驱动归零电路以获得最佳噪声性能。 8引脚和14引脚DIP均具有输出电压钳位电路,可最大限度地减少过载恢复时间。 低偏移和偏移漂移的零漂移架构 ;低偏移,5uV(最大) 低偏移漂移,50nV /°C 宽工作电压范围,4.5V至16V 单一和拆分供应 No 1 / f Noise 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:07 36次 阅读
TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。 5V最大值