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“中国芯”为何会成“难言之隐”

传感器技术 2018-06-06 09:37 次阅读

当特朗普政府再一次主动发动贸易争端时,我们深深地感受到了美国扼住了中国的要害,才敢这般肆无忌惮和反复无常。当“中兴事件”让盲目自大的爱国者惊恐地睁开双眼时,“中国芯”这个产业好比“文革”时期的地主后人,被国人戳着脊梁骨批判。

但是,中国经历过比“缺芯”更困难的时刻,我们的先人和长辈都挺过来了,我国集成电路产业虽然实力不强,但也并非是“狐狸捉刺猬,无从下手。”十二届全国人大五次会议代表委员提交的《关于在家电行业鼓励使用国产芯片的建议》指出,上世纪90年代以来,国内一批科学家、企业和研究机构投入芯片研发,再加上在《集成电路产业发展推进纲要》等多项“强芯”政策和国家产业投资基金扶持下,我国国产芯片产业有了不小的进步。这份意见说明我国集成电路还是有根基的。

大家都知道我国集成电路第一波大好前途败给了“造不如买”。上世纪50年代到70年代,我国集成电路产业在一段时间内做过世界第二,仅次于美国。但是,到了上世纪80年代,国内出现了当时称为“做不如买”言论,集成电路研发投资荒唐地变成了贷款。进入上世纪90年代后,908和909工程的出现表明中国开始重视集成电路制造,但是积重难返让造芯者看不到希望,千禧年后更是出现了震惊全国的“汉芯”造假事件。近几年,国内电子产业意识到了“中国芯”弱势的危机,但是“中美贸易战”没出现时这份意识并不深刻也没有痛苦的意味。

认清自我

“中兴事件”这一巴掌打得这么响,蒙蔽在我们眼前的那份优越感该消失了,让我们清楚地看一看我国集成电路产业的现状。根据联合国贸易统计,2016年中国进口了2276亿美元的电子集成线路板,进口数额超过了中国的原油进口。2017年中国集成电路进口量高达3770亿块,同比增长10.1%,进口额为2601亿美元,中国在半导体芯片进口上的花费已经接近原油的两倍。

图:2015-2017年美国出口到中国的货品清单

我国集成电路产业当然并不是只进不出,但是这中间有着巨大的贸易逆差。2016年出口集成电路613.8亿美元,下降11.1%,贸易逆差高达1657亿美元。预计未来几年,集成电路进口额仍将维持高位。好在这些集成电路进入国内市场不是完全的自我消化,中国是世界上最大的代工基地,很多集成电路进口到国内被组装到电子产品上又出口到了美国、欧洲、日本等地。

我们具体看一下当前我国在集成电路各个环节的情况。首先是IC设计,大陆地区在这个领域主要有以下企业:紫光集团、华为海思、中兴微电、汇顶科技、国科微、士兰微、上海贝岭和中电华大等。近几年我国IC设计的成长还是有目共睹的,受益于本土市场的催动,2015 年我国 IC 设计业实现了 26.5%高速增长,规模达到 1,325 亿元,且占我国集成电路产业的比重由2012年的28.8%提升至2015年的36.7%。 2016年,我国 IC 设计业继续保持了 24.10%的高速增长, 规模达到了 1644.30 亿元。根据2017年的调研数据显示,我国大陆地区 IC 设计业规模仅次于美国和我国台湾地区。

接下来看一下封装测试,这个领域大陆地区主要的企业有太极实业、华天科技、通富微电、晶方科技、苏州固得这几家,看着虽然企业数量不多,但是我国大陆地区在半导体封测上还是具有很强的实力的。在封装领域,我国企业技术水平和世界一流水平已经不存在代差,体量已经进入世界前三位,且发展速度显著高于其他竞争对手。2012年,中国大陆地区集成电路封装测试业的收入仅为805.68亿元,2016年变为1523.2亿元,是2012年的1.89倍。

接下来是晶圆制造,集成电路的三大环节,大陆地区在制造领域最弱小。在晶圆制造方面,大陆地区有中芯国际、华虹半导体、福建晋华和晶合科技等潜力股。虽然当前大陆地区晶圆制造不强,但近年发展势头很猛。据 SEMI 统计,2017到2020 年全球计划兴建晶圆厂 62 座,其中 26 座将落户中国,占比达到 40%。 

纵观整个半导体产业链,还有一个领域我们不得不重视,那就是半导体设备,晶圆制造产业落后和设备落后有很大的关系。

造芯片不是捧网红

美国屡次敢于挑衅中国,无非就是看准了中国这条东方巨龙有 “七寸”,集成电路对于任何一个想要科技腾飞的国家都是重中之重。美国国内曾有研究机构表明,如果将一枚核电磁脉冲弹在美国正中央上空的某个特定高度爆炸,就能摧毁全美绝大部分集成电路。这会让整个美国陷于瘫痪,瞬间倒退回蒸汽时代,甚至更糟,而且短时间内难以恢复。可见,集成电路是电气和互联网时代的基础。

我国国家领导人和多份政府文件都倡导我国要从制造大国进化成为制造强国,这其中的区别是传统制造到智能制造的质变,而引发这场质变的是数不清的集成电路。“中兴事件”美国给出的断供期限(到2025年)其实也从侧面印证集成电路是“中国制造2025”必须要跳过去的坎。

集成电路产业素有“吞金”行业之称,稍微不慎,巨额投资就会“打了水漂”。企业投对了方向失败了无可厚非,技术研发自然有成就有败,可是 “汉芯一号”这样的项目就能骗的国家多层机构心甘情愿地掏出一个亿,投资监管部门和骗子一样不可饶恕。如果你有兴趣翻一下这个事件,你会发现这个事件的结尾是草草了之,这种态度造不出芯片。

时下网红经济盛行,大众的心态也都浮躁了。网红经纪公司打造网红就像车间的流水线,不同的人像是不同的原材料,清纯的就是校园系,热辣的就是御姐系,当然来一个男士也会分一个“鲜肉”和大叔……结果就是想到papi酱就是吐槽,想到被封杀的MC天佑就是喊麦,形象加内容打造出来的就是浮躁的粉丝经济,有些人吃个饭都能圈到几十万粉丝。

这样的投资来钱快,但是在以科技定律为基础的集成电路产业使不得,一口气投不出一个胖子,很可能投出一个“黑天鹅”。中共中央政治局常委、国务院总理李克强在中国科学院第十九次院士大会和中国工程院第十四次院士大会上作经济社会发展形势报告指出:“我们既要对中国发展充满信心,又不能急于求成,还是要埋头苦干。”总之,集成电路产业发展来不得“弯弯绕”。

三星的“疯劲”

三人行必有我师,我们的老师就是我们的邻居——韩国,更具体的说就是三星。

时光回到上世纪70年代,在中国集成电路产业还行的时候,三星电子还是一个归零的状态。但是,没产品并不代表没想法。三星创始人李秉喆在那时便开始在内部会议中,注意到了芯片将成为未来几十年科技发展的“万金油”,从此多次提及开发芯片,并下决心投入巨资,三星在集成电路产业斥巨资是有传统的。

三星半导体起步的时候,全球芯片产业已被美国镁光、日本三菱、夏普等企业牢牢占据,美国依靠长期以来的系统集成的技术积累优势,日本依靠长期积累的应用科技等,具有明显的先发优势。而三星是靠什么得来的技术呢?李秉喆曾向美国镁光及日本夏普派遣员工学习初期技术,根据传闻三星员工曾用指间距和步幅去记住产线的信息。无论如何,美日当时对三星的技术封和今天对中国的技术封锁别无二致。但是,三星还是做起来了。

1974年,李健熙买下韩国半导体公司,剑指当时正在兴起的内存技术。1983年,三星在京畿道器兴建立第一个半导体工厂,正式向内存宣战,这个产业就是三星今天称霸半导体市场的最强助力。回顾内存发展史,你会发展这是一个跌宕起伏的产业,心脏不好的不好在这一领域混迹,内存价格起起伏伏最后让三星明白了一个道理,也让中国集成电路产业从三星身上学到了一个道理,那就是用钱砸死对手,认准一个产业你要死心塌地去投资,投死了别人市场就是你的,这中间来不得半分投机取巧。

1983年,三星开发64K DRAM时,关键技术整整落后日本5年。1984年,三星刚推出64K DRAM,内存价格就暴跌,从每片4美元雪崩至每片30美分,而三星的成本是每片1.3美元。到1986年底,三星累计亏损3亿美元,股权资本全部亏空。也是在1984年,美国和日本闹掰帮助三星盈利了。三星的10年亏损,结合我国的武汉新芯成立11年才盈利来看,半导体想要发展,学费和时间成本一个少不了。

盈利后的三星在李健熙的带领下做的就是加投、加投、再加投,这种加投疯狂到2008年经济危机,DRAM价格和股市一样雪崩,三星依然在加投。最后的结果就是对手一个个倒下来,而三星坐上了半导体行业的第一宝座,终结了英特尔长达25年的王者之路。研究数据显示,2017年三星的销售额增长52.6%,达到612亿美元,市场份额为14.6%。英特尔销售额只增长6.7%,达到577亿美元,占市场份额的13.8%。

当然,三星在集成电路尤其是半导体产业取得成功离不开政府的支持,首先是人才的政策。韩国不断更新的人才吸引政策让大批人才流入韩国人才市场,三星在这中间得到了大利益。此外,韩国还推进“政府+大财团”的经济发展模式,并推动“资金+技术+人才”的高效融合。不仅如此,当年为了发展集成电路产业,韩国还动用了日本赔付的战争补偿款。

诚然,我们知道三星超越英特尔属于“时势造英雄”,民用存储颗粒的价格就像刮彩票,但是三星刮到了今天的大奖离不开前面几十年疯狂的投资。我们借鉴三星是学习那种执着和疯狂,在投资上不刷滑头,参照三星先借鉴后创新的发展之路。但是我们的目标是造就英特尔这样的巨轮,IC Insights最新集成电路产业预测报告McClean Report指出,2017年英特尔在研发方面的支出远远超过其他所有半导体公司,达到131亿美元。因此,英特尔看待三星超越自己很平淡,因为大家和英特尔自己都知道未来半导体市场由谁主导。

集成电路这个产业在中国并不是无根之木,它虽然不茁壮,但依然是一棵树。我国当前集成电路局面虽然不乐观,但也不至于过分悲观,我们要做的就是投资、投资、再投资。当然也不能被不法之徒“钓凯子”,政府支持企业是一回事,做好审查更是一回事。

原文标题:造芯片不是捧网红

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电子人不得不看的书——基于运算放大器和模拟集成电路的电路设计(第3版)

《基于运算放大器和模拟集成电路的电路设计(第3版)》全面阐述以运算放大器和模拟集成电路为主要器件构成的电路原理、设计方法和...
发表于 08-14 10:30 723次 阅读
电子人不得不看的书——基于运算放大器和模拟集成电路的电路设计(第3版)

如何设计Gbps无线通信基站系统?

如何设计Gbps无线通信基站系统?为什么要这样做?有什么优势? ...
发表于 08-14 07:16 81次 阅读
如何设计Gbps无线通信基站系统?

怎么设计交通控制系统芯片?

集成电路的发展经历了从小规模、中规模、大规模和超大规模集成的过程,但随着科学技术的发展,许多特定功能的专用集成电路(AS...
发表于 08-14 06:44 49次 阅读
怎么设计交通控制系统芯片?

电子技术初学者实践指导书——面包板电子制作130例

本书是在《面包板电子制作68例》的基础上精简和添加内容而成的,包括元器件基础、分立元件试验篇、555集成电路实验篇、数字电路实...
发表于 08-13 15:14 710次 阅读
电子技术初学者实践指导书——面包板电子制作130例

请问BA1148是什么集成电路?

发表于 08-12 22:00 247次 阅读
请问BA1148是什么集成电路?

MM74HC02 四路2输入 或 门

02 NOR门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗。所有门带缓冲输出,具有高抗扰度,可以驱动10个LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:8 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电源电流:20 μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 高输出电流:4 mA(最小值) 应用 这个p产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 15:02 9次 阅读
MM74HC02 四路2输入  或  门

MM74HC00 四路2输入NAND门

00 NAND门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗。所有栅极都有缓冲输出。所有器件都有高抗扰度,并且能够驱动10 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:8 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:20μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 14:02 4次 阅读
MM74HC00 四路2输入NAND门

MM74HCU04 六路反相器

U04反相器利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗.MM74HCU04是一款无缓冲反相器。它具有高抗扰度,并且能够驱动15 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:7 ns 15 LS-TTL负载的高扇出 静态功耗:室温条件下最大值为10μA 低输入电流:1μA,最大值 应用 本产品是一般用途,适用于许多不同的产品应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 11:02 4次 阅读
MM74HCU04 六路反相器

MM74HCT164 8位串进/并出移位寄存器

T164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HCT逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS MM.7HCT器件专用于TTL和NMOS组件与标准CMOS器件之间的接口。另外,这些器件也是LS-TTL器件的插件替换件,而且可用于降低现有设计的功耗。 特 典型传播延迟:20 ns 低静态电流:40μA,最大值(74HCT系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 兼容TTL输入 应用 此产品是一般用途,适用于许多不...
发表于 08-02 03:02 4次 阅读
MM74HCT164 8位串进/并出移位寄存器

MM74HC595 带输出闩锁的8位移位寄存器

595高速移位寄存器采用先进的硅栅极CMOS技术。此器件具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。它包含一个8位串进并移位寄存器,可以馈入8位D型存储寄存器。该存储寄存器具有8个3态输出。移位寄存器和存储寄存器都提供独立的时钟。移位寄存器具有直接覆盖清零,串行输入和串行输出(标准)引脚,以用于级联。移位寄存器和存储寄存器都使用正边沿触发时钟。如果两个时钟连接在一起,则移位寄存器状态始终比存储寄存器提前一个时钟脉冲.74HC逻辑系列在速度,功能和引脚输出上与标准74LS逻辑系列兼容。所有输入通过钳位至V CC 和接地的内部二极管加以保护,以免因静电放电而受损。 特性 低静态电流最大值(最大值) / ul> 带存储功能的8位串进并出移位寄存器 宽工作电压范围2V-6V 可级联 移位寄存器具有直接清零引脚 保证移位频率:DC到30MHz 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 02:02 2次 阅读
MM74HC595 带输出闩锁的8位移位寄存器

MM74HC164 8位串进/并出移位寄存器

164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型工作频率:50 MHz 典型传播延迟:19 ns(调时至Q) 宽工作电压范围:2V至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC系列) 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 该产品是一般用途,适用于许多不同的应用...
发表于 08-02 02:02 4次 阅读
MM74HC164 8位串进/并出移位寄存器

MM74HC373 3态八路d型锁存器

373高速8路D类锁存采用先进的硅栅极CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。当MM74HCT373 LATCH ENABLE(锁存使能)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何.74HC逻辑系列在容量。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入[0] > 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 02:02 4次 阅读
MM74HC373 3态八路d型锁存器

MM74HC573 3态八路d型锁存器

573高速八路D型锁存器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。当LATCH ENABLE(LE)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于输出控制OC输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么74HC逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 。信号,也不管存储元件的状态如何。和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值(74HC系列) 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 02:02 4次 阅读
MM74HC573 3态八路d型锁存器

MM74HCT74 带预设和清零功能的双通道d型触发器

T74利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与时钟无关,通过适当输入端的低电平实现.74HCT逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC...
发表于 08-01 22:02 6次 阅读
MM74HCT74 带预设和清零功能的双通道d型触发器

MM74HC175 带清零功能的四通道D型触发器

175高速D型触发器带互补输出,采用先进硅栅极CMOS技术达到标准CMOS集成电路的高抗干扰度和低功耗以及驱动10个LS-TTL负载的能力.MM74HC175 D输入信息在时钟脉冲的正向转换边沿被传输至Q和Q#输出。每个触发器都由外部提供原码和补充输入。所有四个触发器都由一个共用时钟和一个共用CLEAR控制。清零由CLEAR输入的一个负脉冲完成。所有四个Q输出被清零至逻辑“0”,所有四个Q#输出设为逻辑“1”.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:15 ns 宽工作电压范围:2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC) 高输出驱动电流:4 mA最小值(74HC) 应用 此产品是一般的用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 22:02 2次 阅读
MM74HC175 带清零功能的四通道D型触发器

MM74HC574 3态八通道d型边沿触发式触发器

574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口.D输入端符合设置和保持时间要求的数据在时钟(CK)输入的正向转换期间传输到Q输出。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何。 74HC逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延:18 ns 宽工作电压范围2V-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 22:02 8次 阅读
MM74HC574 3态八通道d型边沿触发式触发器

MM74HC74A 带预设和清零功能的双通道d型触发器

74A利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与742C逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:40μA,最大值(74HC系列) 低输入电流: 1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 22:02 4次 阅读
MM74HC74A 带预设和清零功能的双通道d型触发器

MM74HC374 3态八通道d型边沿触发式触发器

574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。在这里(CK)输入的正向转换过程中,D输入端的数据(符合设置和保持时间的要求)被传输到Q输出端。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管74储逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽工作电压范围2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 22:02 4次 阅读
MM74HC374 3态八通道d型边沿触发式触发器

NCV7812 线性稳压器 1 A 12 V.

线性稳压器是单片集成电路,设计用作固定电压调节器,适用于各种应用,包括本地,卡上调节。这些稳压器采用内部限流,热关断和安全区域补偿。通过充分的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器,但这些器件可以与外部元件一起使用,以获得可调电压和电流。 特性 输出电流超过1.0 A 无需外部元件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 输出电压提供1.5%,2%和4%容差 无铅封装可用 应用 可用于Surface Mount D 2 PAK和Standard 3 -Lead Transistor Packages 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 4次 阅读
NCV7812 线性稳压器 1 A 12 V.

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 4次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

NCV896530 双输出降压转换器 低电压 2.1 MHz

530双路降压DC-DC转换器是一款单片集成电路,专用于下游电压轨的汽车驾驶员信息系统。两个通道均可在0.9 V至3.3 V范围内进行外部调节,并可提供高达1600 mA的电流。转换器的工作频率为2.1 MHz,高于敏感的AM频段,并且相位差180°,以减少轨道上的大量电流需求。同步整流提高了系统效率。 NCV896530提供汽车电源系统的其他功能,如集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.1 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCV896530采用节省空间的3 x 3 mm 10引脚DFN封装。 特性 优势 同步整改 效率更高 2.1 MHz开关频率 电感更小,没有AM频段发射 热限制和短路保护 故障保护 2输出为180°异相 降低输入纹波 内部MOSFET 降低成本和解决方案规模 应用 音频 资讯娱乐t 仪器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 05:02 6次 阅读
NCV896530 双输出降压转换器 低电压 2.1 MHz

NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

2双级降压DCDC转换器是一款单片集成电路,专用于为采用1节锂离子电池或3节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用提供新型多媒体设计的核心和I / O电压。两个通道均可在0.9V至3.3V之间进行外部调节,每个通道可提供高达1.6A的电流,最大电流为1.0A。转换器以2.25MHz的开关频率运行,通过允许使用小电感(低至1uH)和电容器并以180度异相工作来减小元件尺寸,从而减少电池的大量电流需求。自动切换PWM / PFM模式和同步整流可提高系统效率。该器件还可以工作在固定频率PWM模式,适用于需要低纹波和良好负载瞬变的低噪声应用。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.25 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCP1532采用节省空间的超薄型3x3 x 0.55 mm 10引脚uDFN封装。 特性 优势 97%效率,50uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和'播放时间' 2.25MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容 模式引脚操作:仅在轻载或PWM模式下自动切换PWM / PFM模式 允许用户在轻载或低噪声和纹波性能之间选择低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 复位输出引脚...
发表于 07-30 03:02 11次 阅读
NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

NCP1522B 降压转换器 DC-DC 3 MHz 600 mA

2B降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,针对便携式应用进行了优化,采用单节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电。该器件采用0.9 V至3.3 V的可调输出电压,可提供高达600 mA的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部部件数量。该器件还内置3 MHz(标称)振荡器,通过允许更小的电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1522B采用节省空间的薄型TSOP5和UDFN6封装。 特性 优势 94%效率,50 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和'播放时间' 3.0 MHz开关频率 允许使用更小的电感(低至1uH)和电容 轻负载条件下PWM和PFM模式之间的自动切换 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 应用 终端产品 电源f或应用处理器 核心电压低的处理器电源 智能手机手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 数码相机和摄像机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 02:02 10次 阅读
NCP1522B 降压转换器 DC-DC 3 MHz 600 mA

NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

9降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,适用于由一节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用。该器件可在外部可调范围为0.9 V至3.9 V或固定为1.2 V或1.35 V的输出范围内提供高达1.0 A的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部元件数量。该器件还内置1.7 MHz(标称)振荡器,通过允许使用小型电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。 其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1529采用节省空间的扁平2x2x0.5 mm UDFN6封装和TSOP-5封装。 特性 优势 96%效率,28 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池续航时间和'播放时间' 1.7 MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容器 在轻负载条件下自动切换PWM和PFM模式 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.9V 即使在PFM模式下,同类最佳低纹波 应用 终端产品 电池供电应用电源管理 核心电压低的处理器电源 USB供电设备 低压直流电源电源管理 手机,智能手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 02:02 12次 阅读
NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.

系列降压开关稳压器是单片集成电路,非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线路和负载调节驱动1.0 A负载。这些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本。 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化电源设计。标准系列电感器针对LM2575进行了优化,由多家不同的电感器制造商提供。 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相比,其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下。在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低,不需要散热器,也不会大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部关断,具有80 uA典型待机电流。输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V至37 V +/- 4%最大线路和负载条件 保证1.0 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...
发表于 07-30 01:02 24次 阅读
NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.