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中国反垄断机构正式启动了对于三星、SK 海力士、美光三家内存芯片厂商的调查

cMdW_icsmart 来源:未知 作者:李倩 2018-06-04 14:27 次阅读

早在今年4月,芯智讯就曾发布过一篇题为《三星/SK海力士/美光涉嫌操控DRAM芯片价格!发改委也该出手了!》的文章,果不其然,5月31日,中国反垄断机构正式启动了对于三星、SK 海力士、美光三家内存芯片厂商的调查,以确认这三家厂商在近年来DRAM内存芯片市场价格飞涨中,是否有垄断价格行为,以及业界反映不合理产品搭售的相关问题。

据了解,5月31日,中国反垄断调查机构派出多个工作小组,分别对三星、SK 海力士、美光三家DRAM厂商位于北京、上海、深圳的办公室展开突袭调查和现场取证。这也是继2016年底内存芯片价格持续上涨以来,中国政府首次针对内存芯片市场的实质性调查行动。

自2016年下半年以来,内存芯片价格出现了持续不断的上涨,这也使得三星、SK海力士、美光等内存芯片大厂商更是赚了个盆满钵满。2017年,这三家被告在全球DRAM市场的份额总和为96%。在此期间,全球DRAM价格上涨多达130%。根据媒体报道,同期三星、SK海力士和美光的销售收入增长了一倍多。去年三星更是凭借存储业务的出色表现,一举超越了英特尔,成为了全球第一大半导体厂商。三星、SK海力士、美光等内存芯片大厂商今年一季度也纷纷交出了非常靓丽的财报。

从三星、SK海力士、美光的财报当中可以看到,受益于DRAM价格的持续上涨(平均售价环比上升约10%),三家DRAM厂商虽然DRAM出货量仅有个位数的增长甚至有些还出现了下滑,但是DRAM芯片所带来的营收和净利润都出现了两位数以上的大幅增长。

但是就在DRAM厂商大赚的同时,DRAM价格的持续上涨却给下游终端厂商及终端消费者带来了极大的压力。

而对于DRAM价格持续上涨的原因,此前业界认为是由于DRAM市场需求持续增长,以及各大存储厂商积极转进3DNAND Flash制造,但3DNAND Flash生产设备无法再转回生产DRAM,导致DRAM产能受限,最终推动了DRAM价格的持续上涨。但是,三星、SK海力士、美光等DRAM大厂也可能存在“串谋限制DRAM内存芯片供应”,以操控DRAM价格的垄断行为。

去年年底,国家发改委曾就此约谈过三星。

今年4月底,三星电子、SK海力士以及美光科技在美国遭遇了集体诉讼,被指控串谋限制DRAM内存芯片供应,造成2016年和2017年产品价格上涨,最终导致了在此期间关键的内存产品价格飙升。这一集体诉讼计划代表从2016年7月1日到2018年2月1日之间,购买了包含DRAM设备的美国消费者。

今年5月,中国反垄断机构还约谈了全球第三大存储厂商美光,调查内容可能涉及去年DRAM涨价以及滥用市场支配地位打压中国企业。美光存在限制设备商对福建晋华进行供货的行为,这对于正处于试产阶段的福建晋华而言无异形成了重大压力和挑战。

目前,中国的DRAM芯片仍几乎完全依赖于进口,而DRAM价格的持续上涨,确实对于中国的电子产业发展造成了极大的伤害,国外DRAM厂商确实存在操作价格的嫌疑。与此同时,国外DRAM厂商还出现了利用市场地位打压国产DRAM厂商的行为,这或许也促使了中国反垄断机构决定对于这三家DRAM厂商发起反垄断调查的主要原因。

不过,目前反垄断调查可能还是处于初期的调查阶段,是否能够拿到三星、SK海力士以及美光存在价格垄断的证据还不好说,不过可以确定的是,未来DRAM价格的上涨将会受到抑制。

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原文标题:中国政府终于出手!三星/SK海力士/美光遭反垄断调查!

文章出处:【微信号:icsmart,微信公众号:芯智讯】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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