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中国反垄断机构正式启动了对于三星、SK 海力士、美光三家内存芯片厂商的调查

芯智讯 2018-06-04 14:27 次阅读

早在今年4月,芯智讯就曾发布过一篇题为《三星/SK海力士/美光涉嫌操控DRAM芯片价格!发改委也该出手了!》的文章,果不其然,5月31日,中国反垄断机构正式启动了对于三星、SK 海力士、美光三家内存芯片厂商的调查,以确认这三家厂商在近年来DRAM内存芯片市场价格飞涨中,是否有垄断价格行为,以及业界反映不合理产品搭售的相关问题。

据了解,5月31日,中国反垄断调查机构派出多个工作小组,分别对三星、SK 海力士、美光三家DRAM厂商位于北京、上海、深圳的办公室展开突袭调查和现场取证。这也是继2016年底内存芯片价格持续上涨以来,中国政府首次针对内存芯片市场的实质性调查行动。

自2016年下半年以来,内存芯片价格出现了持续不断的上涨,这也使得三星、SK海力士、美光等内存芯片大厂商更是赚了个盆满钵满。2017年,这三家被告在全球DRAM市场的份额总和为96%。在此期间,全球DRAM价格上涨多达130%。根据媒体报道,同期三星、SK海力士和美光的销售收入增长了一倍多。去年三星更是凭借存储业务的出色表现,一举超越了英特尔,成为了全球第一大半导体厂商。三星、SK海力士、美光等内存芯片大厂商今年一季度也纷纷交出了非常靓丽的财报。

从三星、SK海力士、美光的财报当中可以看到,受益于DRAM价格的持续上涨(平均售价环比上升约10%),三家DRAM厂商虽然DRAM出货量仅有个位数的增长甚至有些还出现了下滑,但是DRAM芯片所带来的营收和净利润都出现了两位数以上的大幅增长。

但是就在DRAM厂商大赚的同时,DRAM价格的持续上涨却给下游终端厂商及终端消费者带来了极大的压力。

而对于DRAM价格持续上涨的原因,此前业界认为是由于DRAM市场需求持续增长,以及各大存储厂商积极转进3DNAND Flash制造,但3DNAND Flash生产设备无法再转回生产DRAM,导致DRAM产能受限,最终推动了DRAM价格的持续上涨。但是,三星、SK海力士、美光等DRAM大厂也可能存在“串谋限制DRAM内存芯片供应”,以操控DRAM价格的垄断行为。

去年年底,国家发改委曾就此约谈过三星。

今年4月底,三星电子、SK海力士以及美光科技在美国遭遇了集体诉讼,被指控串谋限制DRAM内存芯片供应,造成2016年和2017年产品价格上涨,最终导致了在此期间关键的内存产品价格飙升。这一集体诉讼计划代表从2016年7月1日到2018年2月1日之间,购买了包含DRAM设备的美国消费者。

今年5月,中国反垄断机构还约谈了全球第三大存储厂商美光,调查内容可能涉及去年DRAM涨价以及滥用市场支配地位打压中国企业。美光存在限制设备商对福建晋华进行供货的行为,这对于正处于试产阶段的福建晋华而言无异形成了重大压力和挑战。

目前,中国的DRAM芯片仍几乎完全依赖于进口,而DRAM价格的持续上涨,确实对于中国的电子产业发展造成了极大的伤害,国外DRAM厂商确实存在操作价格的嫌疑。与此同时,国外DRAM厂商还出现了利用市场地位打压国产DRAM厂商的行为,这或许也促使了中国反垄断机构决定对于这三家DRAM厂商发起反垄断调查的主要原因。

不过,目前反垄断调查可能还是处于初期的调查阶段,是否能够拿到三星、SK海力士以及美光存在价格垄断的证据还不好说,不过可以确定的是,未来DRAM价格的上涨将会受到抑制。

原文标题:中国政府终于出手!三星/SK海力士/美光遭反垄断调查!

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A5191HRT 工业HART协议调制解调器

信息 A5191HRT是一款单芯片CMOS调制解调器,适用于高速公路可寻址远程传感器(HART)现场仪表和主机。调制解调器和一些外部无源组件提供满足HART物理层要求所需的所有功能,包括调制,解调,接收滤波,载波检测和发送信号整形。 A5191HRT与SYM20C15引脚兼容。有关引脚与SYM20C15兼容性的详细信息,请参见引脚说明和功能描述部分。 A5191HRT使用每秒1200位的相位连续频移键控(FSK)。为了节省功率,接收电路在发送操作期间被禁用,反之亦然。这提供了HART通信中使用的半双工操作。 低功耗 Bell 202移位频率为1200 Hz和2200 Hz 单芯片,半 - 双工1200比特FSK调制解调器 发送信号波形整形 接收带通滤波器 满足HART物理层要求 CMOS兼容 电路图、引脚图和封装图...
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A5191HRT 工业HART协议调制解调器

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...
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CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
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CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
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CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
发表于 04-18 19:13 48次 阅读
CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器

信息 MC10 / 100EP32是一个集成的2分频器,具有差分CLK输入。 V 引脚是内部产生的电源,仅适用于该器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01μF电容去耦V 和V ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V 应保持开路。复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP32。 100系列包含温度补偿。 350ps典型传播延迟 最大频率> 4 GHz典型 PECL模式工作范围:V = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态< / li> 输入安全钳位 Q输出打开或V 无铅封装可用时默认为低电平 < / DIV>...
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MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器