​了解如何创建一个设计,及运行Vout变换仿真

电子设计 2018-05-25 09:51 次阅读

对于服务器、以太网交换机、基站、以及等云端基础设施终端设备内电源的功率密度的要求越来越高。为了应对这一要求,将集成MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管DC/DC转换器用于高电流POL(负载点)电源轨的已经成为主流。而在此之前,一直将具有外部MOSFET的PWM(脉宽调制)控制器用于电源轨。此外,高性能处理器和那些与FPGA相类似的器件在自适应电压缩放方面的需求(根据处理器运行配置文件对Vout进行按需即时调节,以优化功率损耗)也变得越来越重要。而且,电源设计人员越来越注意不使用外部组件,并且更加关注可靠性的提升,以及对于故障的防范。

目前,TI提供TPS544C20和TPS544B20电源转换器;这两款转换器将上述这两个非常不错的想法组合在了一起。另一方面,它们已经集成了电流承载能力高达30A和20A的MOSFET,除此之外,它们还特有PMBus™ 控制功能。

‘PMBus’是什么,它在电源方面为什么具有如此之高的价值?PMBus代表“电源管理总线”,它是对电源管理的“远程控制”。PMBus控制的设计理念在于,你可以用软件命令来即时控制和设定电源管理器件。在纯粹的模拟设计中,你需要在设计阶段设定器件运行方式,并且选择电阻器电容器,所以这一点是无法实现的。借助PMBus协议,一个控制处理器能够改变开关频率、电流限值和输出电压等参数。PMBus还能提供遥感勘测功能,比如说读取IC温度和电流等数值,这样的话,处理器就能够动态地监视电源系统了。

PMBus的设计理念来源于19世纪80年代早期开发出来的普遍采用I2C总线。I2C总线,表示内部IC(集成电路),曾经是一个控制和监视任一电子系统的通用总线。它曾经是一个简单的总线协议,取代了当时的很多专有协议。基于I2C总线,在1995年定义了SMBus协议或称为系统管理总线。由于它增加了数据包错误校验而使其自身变得更加稳健耐用,SMBus与I2C之间有着些许的不同。SMBus曾被用于个人电脑和服务器。不过,这个行业的从业人员很快认识到,最好用一个共同协议和标准集来满足系统的电源管理需求,而这一想法最终催生出PMBus控制定义。在将SMbus用作物理层的同时,PMBus设立了针对电源管理的协议,从而取代了数个专有协议。

TI的SWIFT™ TPS544C20和TPS544B20是业内第一款具有集成FET和PMBus数字接口的4.5V至18V,30A DC/DC转换器。为了使工程师在使用这些产品进行设计时更加简便,我们在WEBENCH® 电源设计工具中增加了支持。在WEBENCH工具内部,你能够练习很多的PMBus命令,并且可以立即看到这些命令对于设计产生的影响,从而帮助你快速分析设计,以及进行原型设计。

比如说,我们用PMBus命令来实时改变一个控制器的输出电压。例如,为了延长电池的使用寿命,你希望限制笔记本电脑等功耗敏感应用内的微处理器的性能。你知道,微处理器的功率耗散与C V 2 f成比例。功率耗散取决于电压的平方,所以,电压的减少对于功耗降低会产生更加明显的效果。微处理器能够动态地发出一个PMBus命令给电源转换器,以通过PMBus总线来减小输出电压。这个Vout转换命令由TPS544C20或TPS544B20来执行,以改变其Vout。下面给出了这些设计步骤。

我用TPS544C20创建了一个设计,3.3V的标称输出电压能够提供20A的输出电流。输入电压在4.5V至5.5V之间。在高级选项中,我将PMBus命令Vref Margin Low(裕量低值)设定为-16.67%,并且将运行裕量设定为“Margin Low”,以降低输出电压(图1)。

图1.在“Advanced Options”WEBENCH控制面板内设定PMBus命令。

这一设置使得TPS544C20将Vout从3.3V的标称值变换为2.75V,降低了16.67%。你可以在WEBENCH电源设计工具中用在线“Vout变换”仿真来模拟这个效果(图2)。

图2.Vout变换仿真。

如果你放大输出电压波形,你将会发现输出电压纹波沿着平均Vout变化,从3.3V变换为2.75V。OP Val部分中的工作值表示针对全新Vout的全部变量。


在这部视频中获得与我所使用的WEBENCH设计完全一样的设计(这个设计由全新的“与大家分享”特性创建)。

在WEBENCH电源设计工具中,用PMBus特性来试着创建一个PMBus系统电源设计,并且用在线SPICE仿真来分析这个设计。

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UCC27210和UCC27211驱动器是基于广受欢迎的UCC27200和UCC27201 MOSFET驱动器,但性能得到了显着提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。现在,输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC2721x的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27210(a CMOS输入)和UCC27211( TTL输入)已经增加了滞后特性,从而使得到模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器接口的抗扰度得到了增强。 低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了2ns的延迟匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低...

发表于 10-16 11:19 0次 阅读
UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27710 具有互锁功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27710是一款620V高侧和低侧栅极驱动器,具有0.5A拉电流,1.0A灌电流能力,专用于驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT,建议的VDD工作电压为10V至20V,对于MOSFET,建议的VDD工作电压为17V。 UCC27710包含保护特性,在此情况下,当输入保持开路状态时,或当未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外,该器件可接受的偏置电源范围宽幅达10V至20V,并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO保护。 该器件采用TI先进的高压器件技术,具有强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA),以及互锁。 该器件包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO),后者专用于自电源或隔离式电源操作。该器件具有快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配。在UCC27710上,每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。 特性 高侧和低侧配置 双输入,带输出互锁和150ns死区时间 在高达620V的电压下完全可正常工作,HB引脚上的绝对最高电压为700V VDD建...

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UCC27710 具有互锁功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27533 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

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UCC27533 栅极驱动器

UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

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UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

TPS51604驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有降低死区时间驱动和自动零交越等 SKIP 引脚提供CCM操作选项,以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604支持两种低功耗模式。借助于脉宽调制(PWM)输入三态,静态电流被减少至130μA,并支持立即响应。当 SKIP 被保持在三态时,电流被减少至8μA(恢复切换通常需要20μs)。此驱动器与合适的德州仪器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系统。 TPS51604器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至105°C。 特性 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本(超极本)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V IN < /sub>):4.5V至28V 2mm×2mm 8引脚WSON散热垫封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 半桥驱动器   Number of Channels (#) ...

发表于 10-16 11:19 0次 阅读
TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

为基于LLC的电源设计提供最优方案的新型同步整流控制器

  推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor),推出了先进的同步整流(SR)控制器优化用于LLC谐振转换器拓扑结构。...

发表于 10-15 16:35 18次 阅读
为基于LLC的电源设计提供最优方案的新型同步整流控制器

具有电流均衡功能的汽车日间行车灯双串LED驱动器包括BOM及层图

描述             This reference design is a dual string LED driver that i...

发表于 10-15 15:02 81次 阅读
具有电流均衡功能的汽车日间行车灯双串LED驱动器包括BOM及层图

宽动态范围的高端电流检测的三种解决方案

在电机控制、电磁阀控制、通信基础设施和电源管理等诸多应 用中,电流检测是精密闭环控制所必需的关键功能。如何设计宽动态范围的...

发表于 10-15 14:42 11次 阅读
宽动态范围的高端电流检测的三种解决方案

手势识别器终端的系统组成、功能与如何设计

本系统利用三轴加速度的值来判定对物体运动预定义的六种姿势。首先,分别对三个轴采样,每个轴各获得50个....

的头像 电子设计 发表于 10-15 09:12 254次 阅读
手势识别器终端的系统组成、功能与如何设计

400W可调输出双向升压转换器包括BOM及层图

描述             PMP21112 是采用 LM25112-Q1 控制器的双相升压参考设计,适...

发表于 10-12 15:28 160次 阅读
400W可调输出双向升压转换器包括BOM及层图

通过软件设计0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件并进行仿真实验

近年来全球范围内出现了新一轮的太空探索热潮,世界各主要航天大国相继出台了一系列雄心勃勃的航天发展规划....

的头像 电子设计 发表于 10-12 09:08 371次 阅读
通过软件设计0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件并进行仿真实验

IGBT的替换、保存及使用注意事项说明

由于IGBT管工作在大电流 高电压状态,工作频率较高,发热量大,因此其故障率较高,又由于其价格较高,....

的头像 电子设计 发表于 10-12 08:17 96次 阅读
IGBT的替换、保存及使用注意事项说明

电源管理IC的8种类型简介

    在日常生活中,人们对电子设备的依赖越来越严重,电子技术的更新换代,也同时意味着人们对电源的技术发展寄予厚望...

发表于 10-11 16:09 62次 阅读
电源管理IC的8种类型简介

正激电源谐振去磁技术

            一 概述     单端正激型开关电源只使用一支功率开关管,整体电...

发表于 10-11 16:06 42次 阅读
正激电源谐振去磁技术

具有电感式传感的低功耗水流测量包括BOM及层图

描述             This reference design demonstrates a highly-integrated solu...

发表于 10-11 15:33 126次 阅读
具有电感式传感的低功耗水流测量包括BOM及层图

仿真器和模拟器有什么不一样?

仿真器(emulator)的目的是作为目标系统的替代品,可以完全替代目标系统,完成其对外的功能,即仿....

的头像 沈丹 发表于 10-11 14:53 137次 阅读
仿真器和模拟器有什么不一样?

请问TMS320F28335如何实现软复位?

需求是这样的: 早期软件复位向量在0x33FFF6,FLASHA,由于使用仿真器升级软件不方便,因此做了一个bootloader,占用F...

发表于 10-11 10:09 147次 阅读
请问TMS320F28335如何实现软复位?

RF功率MOSFET的性能和结构特征及其应用

RF 功率 MOSFET的最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期,RF功率MO....

的头像 电子设计 发表于 10-11 08:33 157次 阅读
RF功率MOSFET的性能和结构特征及其应用

低噪声放大器(LNA)的介绍和详细资料免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是1.LNA的功能和性能指标 2.MOSFET的噪声模型 3.MOSF....

发表于 10-11 08:00 31次 阅读
低噪声放大器(LNA)的介绍和详细资料免费下载

MAX17633同步降压DC-DC转换器的功能特点介绍

This video provides an introduction to the MAX1763....

的头像 Maxim视频 发表于 10-11 03:49 90次 观看
MAX17633同步降压DC-DC转换器的功能特点介绍

MAX17761同步降压型DC-DC转换器的功能特点与应用

本视频简要介绍MAX17761,器件为4.5V–76V、1A、高效、同步降压型DC-DC转换器,带有....

的头像 Maxim视频 发表于 10-11 03:11 104次 观看
MAX17761同步降压型DC-DC转换器的功能特点与应用

MAX20037/38汽车级Buck转换器的特点功能与应用

本视频简要介绍MAX20037-38汽车级、3.5A同步USB buck转换器,器件具有I2C和保护....

的头像 Maxim视频 发表于 10-11 03:10 74次 观看
MAX20037/38汽车级Buck转换器的特点功能与应用

反激开关MOSFET源极流出的电流精细剖析

反激式转换器工作原理         图1为一个最简单的反激式转换器拓扑结构,并且包含以下寄生元件...

发表于 10-10 20:44 373次 阅读
反激开关MOSFET源极流出的电流精细剖析

基于电解电容器的数据备份电源解决方案

    引言     在嵌入式系统依赖持续供电的电信、工业和汽车应用中,数据丢失是引人关切的。供电的突然中断...

发表于 10-10 15:26 36次 阅读
基于电解电容器的数据备份电源解决方案

Trinamic大功率步进电机的完美电流控制

TRINAMIC发布了全新的高性能步进电机驱动器TMC2160。该多功能芯片结合强大的外部MOSFE....

的头像 章鹰 发表于 10-10 14:23 672次 阅读
Trinamic大功率步进电机的完美电流控制

英飞凌的OpTimoSTM功率MOSFET数据表的详细解读方法资料免费下载

数据表是电子工程师理解功率MOSFET器件并充分理解其预期功能的最重要的工具。由于数据表提供的信息量....

发表于 10-09 08:00 42次 阅读
英飞凌的OpTimoSTM功率MOSFET数据表的详细解读方法资料免费下载

EE-Sim仿真设计工具该如何使用

EE-Sim是Maxim的一款仿真设计工具。我们的工程师将向您全面讲解如何使用该工具,包括如何使用O....

的头像 Maxim视频 发表于 10-09 03:30 88次 观看
EE-Sim仿真设计工具该如何使用

高功率密度碳化硅MOSFET软开关三相逆变器损耗分析

相比硅 IGBT,碳化硅 MOSFET 拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。 碳化硅 MOSFET ....

发表于 10-08 08:00 62次 阅读
高功率密度碳化硅MOSFET软开关三相逆变器损耗分析

采用SiC材料元器件的特性结构介绍

SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍....

的头像 电子设计 发表于 09-29 09:08 282次 阅读
采用SiC材料元器件的特性结构介绍

电子鼻系统中的关键传感器解析

电子鼻是利用气体传感器阵列的响应图案来识别气味的电子系统,它可以在几小时、几天甚至数月的时间内连续地....

发表于 09-29 08:58 58次 阅读
电子鼻系统中的关键传感器解析

基于51单片机嵌入式系统仿真设计

传统的嵌入式系统中,设计周期、硬件和软件的开发是分开进行的,并在硬件完成后才将系统集成在一起,很多情....

发表于 09-28 15:28 140次 阅读
基于51单片机嵌入式系统仿真设计

有刷直流电机工作过程及应用

在有刷电机中,磁极方向的跳转是通过移动固定位置的接触点来完成的,该接触点在电机转子上与电触点相对连接....

的头像 电子设计 发表于 09-28 08:35 295次 阅读
有刷直流电机工作过程及应用

米勒效应会对MOSFET管造成怎样的影响

米勒效应在MOS驱动中臭名昭著,他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应,在MOS管开通过程中,GS电....

的头像 电子设计 发表于 09-28 08:02 602次 阅读
米勒效应会对MOSFET管造成怎样的影响

MP2359单片降压开关模式转换器内置的功率MOSFET详细数据手册

该MP2359是一个单片降压开关模式转换器内置的功率MOSFET。它在宽的输入电源范围内达到1.2A....

发表于 09-28 08:00 41次 阅读
MP2359单片降压开关模式转换器内置的功率MOSFET详细数据手册

MPS430单片机教程之MSP430入门学习资料免费下载

在论坛中经过和一大部分初学者接触一段时间以来,发现了一些初学者对MSP430的学习不知如何入手、如何....

发表于 09-27 16:05 82次 阅读
MPS430单片机教程之MSP430入门学习资料免费下载

Littelfuse公司推出首款1700V SiC器件

Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件,使其在碳化硅(SiC)MOSFET上....

的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 09-26 11:32 556次 阅读
Littelfuse公司推出首款1700V SiC器件

深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择

MOSFET是电子系统中的重要部件,需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。这些关键指标中,....

的头像 周立功单片机 发表于 09-26 10:16 672次 阅读
深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择

浅析MOS替换方法及流程之零点tempoc

根据MOSFET传输特性,新的MOSFET (IRF和INFINEON)的热稳定性不如NXP MOS....

的头像 汽车电子硬件设计 发表于 09-25 16:43 330次 阅读
浅析MOS替换方法及流程之零点tempoc

一种智能的碳化硅MOSFET驱动核

近年来,以碳化硅、氮化镓材料为代表的第三代宽禁带功率半导体器件越来越受到客户的追捧。特别是碳化硅材料....

的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 09-24 09:13 271次 阅读
一种智能的碳化硅MOSFET驱动核

积分器使用功率Mosfet的预防措施

在积分器(R2、C2和Q1)中使用功率Mosfet,如果不采取一些预防措施,可能会导致故障或«神秘»....

的头像 汽车电子硬件设计 发表于 09-23 11:24 276次 阅读
积分器使用功率Mosfet的预防措施

MOS替换方法及流程之SOA的安全操作区域

在汽车环境中,它们必须能够以可接受的可靠性水平耗散能量。因此,有了非常好的可靠性级别,就有必要定义这....

的头像 汽车电子硬件设计 发表于 09-23 11:21 385次 阅读
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MOS替换方法及流程之栅源阈值电压的mosfet源

VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。关于计算,栅电压(V)GATE_max) 总是小于V....

的头像 汽车电子硬件设计 发表于 09-23 11:17 372次 阅读
MOS替换方法及流程之栅源阈值电压的mosfet源

CW1053-5串锂电池组保护芯片的应用指南详细资料免费下载

CW1053 系列芯片内置高精度的电压检测电路、电流检测电路、温度检测电路以及延时电路,适用于 5 ....

发表于 09-19 08:00 87次 阅读
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LTspice IV高性能Spice III仿真器应用程序免费下载

LTspice IV 是一款高性能 Spice III 仿真器、电路图捕获和波形观测器,并为简化开关....

发表于 09-18 17:48 34次 阅读
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基于AVR单片机的常见问题解答

所有的C 编译器均已在ATMEL 网站上有关第三方工具供应商的网页上列出;ATMEL 公司在它的网站....

发表于 09-18 16:52 148次 阅读
基于AVR单片机的常见问题解答

python基础教程之Python的MyHDL详细说明和使用手册免费下载

MyHDL项目的目标是赋予Python语言优雅和简单的硬件设计人员。   MyHDL是使用Py....

发表于 09-18 08:00 48次 阅读
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深入探讨功率MOSFET变化对电流和电压回路行为的影响

讨论功率MOSFET变化对两个回路(电流和电压)行为的影响。由于MOSFET只影响功率单元,所以理论....

的头像 汽车电子硬件设计 发表于 09-17 09:22 665次 阅读
深入探讨功率MOSFET变化对电流和电压回路行为的影响

MOSFET的结构和重点参数介绍及应用前景如何?

最近,国内对MOSFET的需求大涨,导致业内缺货,很多厂商有钱买不到货,这是MOSFET厂商最愿意看....

的头像 半导体观察IC 发表于 09-15 11:46 550次 阅读
MOSFET的结构和重点参数介绍及应用前景如何?

东芝推出新一代超结功率MOSFET,进一步提高电源效率

东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET,新器件进一步提高电源效率。在这个连小学生做作业都讲求高效率的....

的头像 东芝半导体与存储产品 发表于 09-13 15:54 1515次 阅读
东芝推出新一代超结功率MOSFET,进一步提高电源效率

浅析IGBT以及MOSFET器件的隔离驱动技术

由于不间断电源的兴起,IGBT技术得以飞速发展。IGBT的特点是具有电流拖尾效应,因此在关断的瞬间对....

的头像 MCU开发加油站 发表于 09-13 15:41 422次 阅读
浅析IGBT以及MOSFET器件的隔离驱动技术

三菱电机开发了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模块

6.5kV新型全SiC MOSFET功率模块内部采用半桥拓扑,一般的大功率应用可以采用并联连接来提高....

的头像 三菱电机半导体 发表于 09-13 15:04 451次 阅读
三菱电机开发了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模块

浅析MOSFET和电动汽车的12V配电架构

总的背景,是在整个智能化配电单元上,继电器被MOSFET所取代。12V的配电架构,特别是电动汽车,由....

的头像 汽车电子设计 发表于 09-13 09:50 461次 阅读
浅析MOSFET和电动汽车的12V配电架构

Sentaurus是什么?半导体工艺及器件仿真工具Sentaurus TCAD教程概述

Sentaurus TCAD全面继承了Tsuprem4,Medici和ISE TCAD的特点和优势,....

发表于 09-12 08:00 82次 阅读
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开关电源损耗知识点之开关电源产品各个部分的损耗计算

学电源电源看这里,这次我们分享一下开关电源功率损耗及热耗的工程估算! 电源在为负载提供能量的同时也在....

的头像 电源研发精英圈 发表于 09-06 11:23 478次 阅读
开关电源损耗知识点之开关电源产品各个部分的损耗计算

MOSFET,IGBT的工作原理是什么?《MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用》免费下载

本书在简析电力MOSFET和IGBT的基本工作原理、内部结构、主要参数及其对驱动电路的要求的基础上,....

发表于 09-05 08:00 283次 阅读
MOSFET,IGBT的工作原理是什么?《MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用》免费下载

怎么用自供电运放建立一个低泄漏整流器

用一只精心挑选的运放、一个低阈值的P沟道MOSFET,以及两只反馈电阻,就可以做出一个正向压降小于二....

的头像 电子设计 发表于 09-04 09:22 866次 阅读
怎么用自供电运放建立一个低泄漏整流器

2017至2022年预计:CMOS图像传感器销售量将以11.7%以上的速度增长

随着高端双摄智能手机的陆续推出,不仅相机摄像头需要CIS,像是虹膜识别模块、3D人脸识别模块都会用到....

发表于 09-03 16:42 288次 阅读
2017至2022年预计:CMOS图像传感器销售量将以11.7%以上的速度增长

飞兆开发出二极管的器件FDZ3N513ZT,专为智能电话的显示屏提供照明

飞兆半导体 (NYSE: FCS) 开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513....

发表于 08-31 11:29 101次 阅读
飞兆开发出二极管的器件FDZ3N513ZT,专为智能电话的显示屏提供照明

电源中的MOSFET性能的四项关键测试

了解 4 个常用 MOSFET 测试的基本原理:漏电波形系列、门限电压、门电路漏电和跨导。

发表于 08-31 10:49 144次 阅读
电源中的MOSFET性能的四项关键测试

栅极驱动器是什么?如何定义其基本参数?

MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的....

的头像 电机控制设计加油站 发表于 08-31 08:54 985次 阅读
栅极驱动器是什么?如何定义其基本参数?

Nexperia功率MOS场效应晶体管的详细应用手册资料免费下载

鉴于20多年的经验,功率MOSFET应用手册汇集了一套关于功率MOSFET实际应用的学习和参考资料。....

发表于 08-31 08:00 83次 阅读
Nexperia功率MOS场效应晶体管的详细应用手册资料免费下载

浅析开关电源MOS的损耗计算与选型原则

在电源电路应用中,往往首先考虑漏源电压 VDS 的选择。在此上的基本原则为 MOSFET 实际工作环....

的头像 电源研发精英圈 发表于 08-29 08:40 696次 阅读
浅析开关电源MOS的损耗计算与选型原则

ADP3110A单相12V MOSFET栅极驱动器的详细中文数据手册免费下载

ADP3110A是一个单相12V MOSFET栅极驱动器,它被优化成在同步降压转换器中同时驱动高_侧....

发表于 08-27 10:44 261次 阅读
ADP3110A单相12V MOSFET栅极驱动器的详细中文数据手册免费下载

M51995A一级开关稳压控制器的详细中文资料免费下载

M51995A是一级开关稳压控制器,它专门设计用来从交流电源获得稳压的直流电压。

发表于 08-27 08:00 100次 阅读
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MP2457高频、降压、开关稳压器的详细数据手册免费下载

MP2457是一种高频、降压、开关稳压器,具有集成高侧和低侧功率MOSFET,专为功率表应用而设计。....

发表于 08-27 08:00 119次 阅读
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