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影响电源纹波测试结果的影响因素

2018-05-19 09:11 次阅读

用500MHz带宽的示波器对其开关电源输出5V信号的纹波进行测试时,发现纹波和噪声的峰峰值达到了900多mV(如下图所示),而其开关电源标称的纹波的峰峰值<20mv。虽然用户电路板上后级还有LDO对开关电源的这个输出再进行稳压,但用户认为测得的这个结果过大,不太可信,希望找出问题所在。

问题分析

电源纹波测试过大的问题通常和使用的探头以及前端的连接方式有关。首先检查了用户探头的连接方式,发现其使用的是如下面左图所示的长的鳄鱼夹地线,而且接地点夹在了单板的固定螺钉上,整个地环路比较大。由于大的地环路会引入更多的开关电源造成的空间电磁辐射噪声以及地环路噪声,于是更换成如下面右图所示的短的接地弹簧针。

探头的GND和信号两个探测点的距离也非常重要,当两点相距较远,会有很多EMI噪声辐射到探头的信号回路中(如下图所示),示波器观察的波形包括了其他信号分量,导致错误的测试结果。所以要尽量减小探头的信号与地的探测点间距,减小环路面积。

在隔离电源中,会产生大量流经探针接地连接点的共模电流。这就在电源接地连接点和示波器接地连接点之间形成了压降,从而表现为纹波。要防止这一问题的出现,我们就需要特别注意电源设计的共模滤波。另外,将示波器引线缠绕在铁氧体磁心周围也有助于最小化这种电流。这样就形成了一个共模电感器,其在不影响差分电压测量的同时,还减少了共模电流引起的测量误差。下图显示了该完全相同电路的纹波电压,其使用了改进的测量方法。这样,高频峰值就被真正地消除了。

经过实际测试,发现测得的纹波噪声的峰峰值有很大改善,如下图所示。但纹波噪声的峰峰值仍然有40多mV,和开关电源厂商标称的<20mV仍有较大差异。

进一步检查用户使用的探头的型号,发现用户使用的是示波器标配的10:1的无源探头。如下图所示。

10:1的探头会把被测信号衰减10倍再送入示波器,然后示波器再对被测信号进行10倍的数学放大。这种探头的好处是通过前面的匹配电路提升了探头带宽可以到几百MHz,而且扩展了示波器的量程,但是对于小信号的测量不是特备有利。 如果被测信号幅度本身就小,再衰减10倍可能就淹没在示波器的底噪声里了,即使再做10倍的数学放大,对于信噪比本身也是没有改善的。所以对于电源纹波噪声的测量应该尽量使用小衰减比的探头,比如1:1的探头。于是另外找了一个1:1无源探头,这种1:1的无源探头虽然带宽不高(通常几十MHz),但衰减比小,对于小信号测试非常合适。下图是换用1:1的无源探头后,和10:1 探头在不同带宽限制下的对比测试结果。可以看到,使用1:1探头并设置20MHz带宽限制后,测量到的纹波噪声的峰峰值只有不到10mV,远远好过10:1探头的测试结果。从1:1探头的测试结果里可以看到清晰的纹波的波形,并且满足用户对于电源纹波噪声<20mV的预期。另外,我们也可以看到,带宽限制对于噪声峰峰值也有一定的改善作用。

问题总结

这是一个典型的电源纹波测试的问题。我们通过使用短的地线连接、换用低衰减比的探头以及带宽限制功能使得纹波噪声的测试结果大大改善。一般来说,影响电源纹波测试结果的影响因素按照重要性主要有以下几个:

1、 前端连接线和地环路的长度:长的地环路会拾取更多开关电源的电磁辐射以及地噪声,因此需要使用尽可能短的地线连接。

2、 探头的衰减比:大衰减比的探头会使得小信号幅度更加微弱,甚至淹没在示波器底噪声里,所以应该尽量使用1:1衰减比的探头。

3、 带宽限制:很多电磁噪声和示波器的底噪声都是宽带的,设置合适的带宽限制可以滤除额外的噪声。很多电源纹波噪声测试场合使用20MHz的带宽限制,也有些芯片会要求测到80MHz或200MHz。

4、 测量量程:通常会在小量程档下(比如10mv/格或20mv/格)进行电源纹波的测试。量程打得越大,示波器的底噪声越高。但有些示波器的偏置范围有限,在小档位下时可能不能够把被测的直流电压信号拉回到屏幕中心附近进行测量,所以很多时候会使用示波器的AC耦合功能把直流隔离掉再进行纹波噪声测试。

5、 输入阻抗:很多示波器有50欧姆和1M欧姆的输入阻抗选择,通常50欧姆输入阻抗下示波器的底噪声更低。不过示波器连接大部分无源探头时都会自动把阻抗切换到1M欧姆,只有连接有源探头或同轴电缆时才可以设置为50欧姆输入阻抗。

在进行实际测试之前,一个比较好的习惯是先检查一下当前使用的设备和设置下的系统的底噪声。下面图中的5个波形分别是使用500M的S系列示波器在使用不同的探头和带宽设置下的底噪声结果。波形从上到下依次为:50欧姆输入阻抗,1:1探头,500MHz带宽;1M欧姆输入阻抗,1:1探头,20MHz带宽;1M欧姆输入阻抗,1:1探头,500MHz带宽;1M欧姆输入阻抗,10:1探头,20MHz带宽;1M欧姆输入阻抗,10:1探头,500MHz带宽。其底噪声的峰峰值从不到1mV直到接近30mV,可见测试中探头、带宽、输入阻抗设置的重要性。

如果手头实在没有合适的低衰减比的探头,也可以参考下图用50欧姆的同轴电缆用如下方式自制一个探头。实际上就是把电缆的一头接在示波器上,示波器设置为50欧姆输入阻抗;电缆的另一头剥开,屏蔽层焊接在被测电路地上,中心导体通过一个隔直电容连接被测的电源信号。这种方法的优点是低成本,低衰减比,缺点是一致性不好,隔直电容参数及带宽不好控制。

原文标题:电源纹波测试的正确姿势

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NCP81071 高速5A双低侧MOSFET驱动器

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1 / MC33151是双反相高速驱动器,专为需要低电流数字电路以驱动具有高压摆率的大容性负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流,使CMOS和LSTTL逻辑兼容,输入迟滞用于快速输出切换,与输入转换时间无关,两个高电流图腾柱输出非常适合驱动功率MOSFET。还包括带滞后的欠压锁定,以防止在低电源电压下系统运行不稳定。 典型应用包括开关电源,直流到直流转换器,电容器电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。 这些器件提供双列直插式和表面贴装封装。 特性 具有1.5 A图腾柱输出的两个独立通道 输出上升和下降时间为15 ns,负载为1000 pF 具有滞后的CMOS / LSTTL兼容输入 滞后欠压锁定 低待机电流 高效率高频操作 增强系统性能通用开关稳压器控制IC 引脚输出等效于DS0026和MMH0026 电路图、引脚图和封装图...
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MC33151 高速双MOSFET驱动器

NCV1117 线性稳压器 1 A 高PSRR

7系列是低压差(LDO)正线性稳压器,能够提供超过1.0 A的输出电流,在800 mA的温度范围内最大压差为1.2 V.该系列包含八个1.5 V,1.8 V,2.0 V,2.5 V,2.85 V,3.3 V,5.0 V和12 V的固定输出电压,无需维持稳压的最小负载要求。还包括可调输出版本,可通过两个外部电阻在1.25 V至18.8 V范围内进行编程。片上微调可将参考/输出电压调整到+/- 1.0%精度。内部保护功能包括输出电流限制,安全工作区补偿和热关断。 NCP1117系列可以在高达20 V的输入电压下工作。器件采用SOT223和DPAK封装。 特性 输出电流超过1.0 A 在800 mA过温时的1.2 V最大压差 固定输出电压为1.5 V,1.8 V,2.0 V,2.5 V,2.85 V,3.3 V,5.0 V和12 V 可调节输出电压选项 无固定电压输出设备的最小负载要求 参考/输出电压调整为+/- 1.0% 电流限制,安全操作和热关断保护 操作至20 V输入 无铅封装可用 应用 消费和工业设备监管点 2.85 V版本的有源SCSI端接 开关电源后置调节 硬盘控制器 电池充电器 汽车 电路图、引脚图和封装图...
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NCV1117 线性稳压器 1 A 高PSRR

NCP59300 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

00是一款3.0A超低压差系列线性稳压器,可提供低压,大电流输出,并且外部元件数量最少。它具有高精度,超低压差(典型值为300mV,3.0安培负载),同时还提供极低的接地电流。该器件的输入工作电压范围为2.25V至13.5V,最大输入电压容差为18V。内部保护功能包括输出电流限制,热关断和反向输出电流保护。 NCP59301产品具有额外的输出错误标志,采用5引脚D2PAK封装。 NCP59302还提供该系列的可调节版本。请联系您当地的销售办事处,了解您的具体要求。 特性 优势 在1.5 A输出时典型压降为175 mV,在3.0 A负载下典型压降为300 mV。 无需使用开关稳压器即可生成辅助电源轨 低接地电流 - 在3安培负载下典型值为60 mA 最小化功率调节器损失 输出端陶瓷电容器稳定 避免使用昂贵的极化钽电容器 适用于汽车应用的NCV版本 符合AECQ100标准且支持PPAP。 最大电压输入18V 适用于汽车和网通应用 NC59301选件上可用的错误标志 发出故障信号系统。 输出电流超过3安培 应用 终端产品 FPGA,DSP和处理器的负载点 开关电源调节后 服务器和...
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NCP59300 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

NCP59302 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

02是一款高精度,极低压差(VLDO),低接地电流正电压稳压器,能够提供超过3.0 A的输出电流,典型压差低于300 mV,负载电流为3.0 A 。该器件采用陶瓷输出电容稳定。该器件可承受高达18 V的最大输入电压。内部保护功能包括输出电流限制,内置热关断和反向输出电流保护。逻辑电平使能引脚可用。 NCP59302是一款可调电压器件,采用D2PAK-5封装。 特性 优势 在完整的3.0 A负载下300 mV典型的压差。 无需使用开关稳压器即可生成辅助电源轨 低接地电流 - 在3安培负载下典型值为60 mA 可最大限度地降低功率损耗调节器 在输出端使用陶瓷电容器稳定 避免昂贵的极化钽电容器 提供NCV版本适用于汽车应用 符合AECQ100标准且支持PPAP。 最大电压输入18V 适用于汽车和网通应用 输出电流超过3安培 汽车模块 应用 终端产品 用于FPGA,DSP和处理器的负载 开关电源后调节 服务器和网络设备 电路图、引脚图和封装图...
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NCP59302 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

NCP59150 LDO稳压器 1.5 A 低压差 快速瞬态响应

50系列是一款高精度,极低压差,低接地电流的正电压稳压器,能够提供超过1.5 A的输出电流,典型压差低于300 mV。该器件的输入工作电压范围为2.24V至13.5V,最大输入电压容差为18V。内部保护功能包括输出电流限制,热关断和反向输出电流保护。该器件可用作可调稳压器(NCP59152)或固定电压选项(NCP59150和NCP59151)。 NCP59151器件包括一个使能功能和一个输出错误标志。 特性 优势 输出电流超过1.5安培 低电压下的高电流输出 750 mA时175 mV典型压差1.5 A处的输出和300 mV典型压差 生成辅助电源轨而无需使用切换调节器 低接地电流 - 在1.5 mA负载下典型值为40 mA 最大限度地减少调节器的功率损耗 在输出端使用陶瓷电容器稳定 昂贵的钽电容器的成本效益解决方案 适用于Aut的NCV版本omotive应用 符合AECQ100标准且支持PPAP 最高电压输入高达18V 适用于汽车和网通应用程序 应用 终端产品 FPGA,DSP和处理器的负载点 开关电源调节后 服务器和网络设备 汽车模块 电路图、引脚图和封装图...
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NCP59150 LDO稳压器 1.5 A 低压差 快速瞬态响应

NCP58300 LDO稳压器 3A 低压差 快速瞬态响应

00系列是高精度,极低压差(VLDO),低接地电流正电压稳压器,能够提供超过3.0 A的输出电流,典型压差低于370 mV,负载电流为3.0 A这些器件采用钽输出电容稳定。该系列最初由可调输出电压版本组成,未来计划采用固定电压版本。 NCP58300系列可承受高达18 V的最大输入电压。内部保护功能包括输出电流限制,内置热关断和反向输出电流保护。 5引脚版本提供逻辑电平使能和错误标志引脚。 NCP58302是一款可调节电压器件,采用D2PAK-5封装。 特性 优势 完全3.0 A负载时370 mV典型压差 无需使用开关调节器即可生成辅助电源轨 低接地电流 - 在3.0 A负载下典型值为50 mA 最大限度地降低稳压器的功率损耗 输出上的钽电容稳定 指定使用钽电容稳定 提供NCV版本适用于汽车应用 符合AEC-Q100标准且支持PPAP 最高电压输入高达18 V 适用于汽车和网通应用 输出电流超过3安培 汽车模块 应用 终端产品 FPGA,DSP和处理器的负载点 开关电源调节后 服务器和网络设备 电路图、引脚图和封装图...
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NCP58300 LDO稳压器 3A 低压差 快速瞬态响应

NCP57302 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

02是一款高精度,极低压差(VLDO),低最小输入电压和低接地电流正电压稳压器,能够提供超过3.0 A的输出电流,典型压差为315 mV at 3.0负载电流和1.8 V及以上的输入电压。该器件采用陶瓷输出电容稳定。该器件可承受高达18 V的最大输入电压。内部保护功能包括输出电流限制,内置热关断和反向输出电流保护。逻辑电平使能引脚可用。 NCP57302是一款可调电压器件,采用D2PAK-5封装。 特性 输出电流超过3.0 A 全3 A输出电流的最小工作输入电压1.8 V 315 mV 3.0 A时的典型压差电压 可调节输出电压范围1.24 V至13 V 低接地电流 快速瞬态响应 开关电源后调节 陶瓷输出电容稳定 逻辑兼容使能引脚 电流限制,反向电流和热量关机保护 工作电压高达13.5 V 汽车和其他应用的NCV前缀需要独特的站点和控制变更要求; AECQ100合格和PPAP能力 这些是无铅设备 应用 终端产品 工业标准MIC29300,MIC39300,MIC37300的功能替代,具有改进的最小输入电压规格 消费者和工业设备点监管 服务器和网络设备 FPGA,DSP和逻辑电源 电池充...
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NCP57302 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

NCP57152 LDO稳压器 1.5 A 低压差 快速瞬态响应

52是一款高精度,极低压差(VLDO),低最小输入电压和低接地电流正电压稳压器,能够提供超过1.5 A的输出电流,典型压差为330 mV at 1.5负载电流和1.8 V及以上的输入电压。该器件采用陶瓷输出电容稳定。该器件可承受高达18 V的最大输入电压。内部保护功能包括输出电流限制,内置热关断和反向输出电流保护。逻辑电平使能和错误标志引脚可用。 NCP57152是一款可调节电压器件,采用D2PAK-5和DFN8封装。 特性 输出电流超过1.5 A 1.5 A输出电流的最小工作输入电压1.8 V 330 mV典型压差电压1.5 A 可调输出电压范围从1.24 V到13 V 低接地电流 快速瞬态响应 陶瓷稳定输出电容器 逻辑兼容使能和错误标志引脚 电流限制,反向电流和热关断保护 高达13.5 V输入电压的操作 NCV前缀适用于需要独特站点和控制变更要求的汽车和其他应用; AECQ100合格和PPAP能力 这些是无铅设备 应用 终端产品 具有改进的最小输入电压规格的工业标准MIC29150,MIC39150,MIC37150的功能替换 消费者和工业设备监管点 服务器和网络设备 FPGA,DSP和逻...
发表于 07-30 07:02 22次 阅读
NCP57152 LDO稳压器 1.5 A 低压差 快速瞬态响应

MC34268 LDO稳压器 800 mA 2.85 V SCSI-2有源端接器

8是一款中等电流,低压差(LDO)正线性稳压器,专为SCSI-2有源终端电路而设计。该器件为电路设计人员提供了一种经济的精密电压调节解决方案,同时将功率损耗降至最低。线性稳压器由1.0 V压差复合PNP / NPN传输晶体管,限流和热限制组成。该LDO采用SOIC-8和DPAK-3表面贴装功率封装。 应用包括有源SCSI-2端接器和开关电源的后置调节。 特性 2.85 V SCSI-2有源端接的输出电压 1.0 V Dropout 输出电流超过800 mA 热保护 短路保护 输出调整为1.4%容差 无需最低负载 节省空间的DPAK-3,SOT-223和SOIC-8表面贴装电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 27次 阅读
MC34268 LDO稳压器 800 mA 2.85 V SCSI-2有源端接器

NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.

系列降压开关稳压器是单片集成电路,非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线路和负载调节驱动1.0 A负载。这些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本。 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化电源设计。标准系列电感器针对LM2575进行了优化,由多家不同的电感器制造商提供。 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相比,其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下。在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低,不需要散热器,也不会大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部关断,具有80 uA典型待机电流。输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V至37 V +/- 4%最大线路和负载条件 保证1.0 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...
发表于 07-30 01:02 54次 阅读
NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.

SG3525A PWM控制器

A PWM控制器用于控制所有类型的开关电源,可提供更高的性能和更少的外部元件数量。片内+5.1 V基准电压调整为+/- 1%,误差放大器的输入共模电压范围包括参考电压,因此无需外部分压电阻。振荡器的同步输入使多个单元可以从属,或者单个单元与外部系统时钟同步。通过连接在CT和放电引脚之间的单个电阻可以编程大范围的死区时间。该器件还具有内置软启动电路,仅需外接定时电容。关断引脚控制软启动电路和输出级,通过脉冲关断的PWM锁存器提供瞬时关断,以及具有更长关断命令的软启动循环。当VCC低于标称值时,欠压锁定会禁止输出和软启动电容的变化。输出级采用图腾柱设计,能够吸收和输出超过200 mA的电流。 SG3525A的输出级具有NOR逻辑,导致关闭状态的低输出。 特性 8.0 V至35 V操作 5.1 V +/- 1.0%修剪参考 100 Hz至400 kHz振荡器范围 单独的振荡器同步引脚 可调节死区时间控制 输入欠压锁定 锁存PWM以防止多个脉冲 逐脉冲关机 双源/灌电流输出:+/- 400 mA峰值 无铅封装可用* 应用 半桥 推拉式 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 21:02 50次 阅读
SG3525A PWM控制器

ACPL-W349-000E 2.5A输出电流SiC / GaN MOSFET和IGBT栅极驱动光电耦合器

Broadcom ACPL-W349是一款高速2.5A栅极驱动光电耦合器件,它包含一个AlGaAs LED,光耦合到具有功率输出的集成电路阶段。该器件非常适合驱动用于功率转换应用的SiC / GaN(碳化硅/氮化镓)MOSFET和IGBT。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该器件支持高轨到轨输出电压和高峰值输出电流,非常适合直接驱动额定电压高达1200V / 100A的MOSFET和IGBT。 ACPL-W349具有高绝缘电压V IORM = 1140 V PEAK  符合IEC / EN / DIN EN 60747-5-5标准,并通过UL1577认证5000 V RMS 1分钟。 特性 2.5A最大峰值输出电流 宽工作V CC  范围:15至30 V 110ns最大传播延迟 50ns最大传播延迟差异  轨到轨输出电压 100-kV /μs最小共模抑制(CMR)在  V CM   = 1500 V 带迟滞的LED电流输入 I CC = 4.2 mA最大电源电流  带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 工业温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可5000 V RMS 1分钟。 CSA IEC / EN / DIN EN 60747-5-5 V IORM = 1140 V PEAK ...
发表于 07-04 12:58 43次 阅读
ACPL-W349-000E 2.5A输出电流SiC / GaN MOSFET和IGBT栅极驱动光电耦合器

ACPL-W346-000E 2.5安培输出电流功率,GaN和SiC MOSFET栅极驱动光电耦合器,具有拉伸SO6中的轨到轨输出电压

ACPL-W346是一款高速2.5A栅极驱动光电耦合器,它包含一个AlGaAs LED,它与一个带功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合用于逆变器或AC-DC / DC-DC转换器应用的驱动电源,GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合高频直接驱动MOSFET,实现高效率转换。 ACPL-W346具有IEC / EN / DIN EN 60747-5-5中V IORM = 1140Vpeak的最高绝缘电压,并且通过5000 V RMS认可UL1577 1分钟。 功能 2.5 A最大峰值输出电流 2.0最小峰值输出电流 轨到轨输出电压 120 ns最大传播延迟  50 ns最大传播延迟差 带滞后的LED电流输入 I CC = 4.0 mA允许自举电源的最大电源电流 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 100 kV / μ s最小共模抑制(CMR) V CM = 1500 V 宽工作V CC  范围:10工作温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可5000 V RMS 持续1分钟。 CSA IEC / EN / DIN EN 60747-5-5 V IORM = 1140 Vpeak 可用选项...
发表于 07-04 12:58 48次 阅读
ACPL-W346-000E 2.5安培输出电流功率,GaN和SiC MOSFET栅极驱动光电耦合器,具有拉伸SO6中的轨到轨输出电压

ACPL-P340-000E 具有轨到轨输出电压的1.0安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器,采用拉伸SO6封装

ACPL-P340 / ACPL-W340 g 驱动光电耦合器包含AlGaAs LED,光耦合到具有功率输出的集成电路阶段。此栅极驱动 光耦非常适合驱动电源 IGBT 以及用于电机控制逆变器应用的MOSFET 。 输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动IGBT,栅极驱动器额定电压高达1200V / 50A。 对于 具有更高额定值的IGBT ,ACPL-P340 / ACPL-W340  栅极驱动光电耦合器可用于驱动驱动IGBT 栅极的分立功率级。在IEC / EN / DIN EN 60747-5-2中,ACPL-P340和ACPL-W340的绝缘电压最高分别为V IORM = 891Vpeak和1140Vpeak。    功能 1.0最大峰值输出电流 0.8最小峰值输出电流 轨到轨输出电压 200 ns最大传播延迟  100 ns最大传播延迟差异 LED电流输入迟滞 I CC = 3.0 mA最大电源电流以允许自举电源 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 35 kV /μs最小共模抑制(CMR) V CM = 1500 V 宽工作电压V CC  范围:15至30 V 工业温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可375...
发表于 07-04 12:57 60次 阅读
ACPL-P340-000E 具有轨到轨输出电压的1.0安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器,采用拉伸SO6封装

HCPL-5121 2.0安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器

HCPL-5121是一款采用8引脚陶瓷DIP封装的高可靠性H级密封光电耦合器。还提供镀金引线,焊接浸渍引线和各种引线形式选项。有关详细信息,请参见数据表。 该产品可在整个军用温度范围内运行和存储,也可以商业级或DLA标准微电路图(SMD)5962-04204购买。 。 HCPL-5121在MIL-PRF-38534认证生产线上制造和测试,并包含在DLA 合格制造商列表QML-38534中,用于混合微电路。 该器件由光耦合的GaAsP LED组成到具有功率输出级的集成电路。该器件非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定电压高达1200V / 100A的IGBT。对于具有更高额定值的IGBT,HCPL-5121可用于驱动分立功率级,从而驱动IGBT栅极。 特性 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55摄氏度到125摄氏度 MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DLA 标准微电路图 2.0 A最小峰值输出电流 高共模抑制(CMR):10 kV /µ s 在VCM = 1000 V 0.5 V最大低电平输出电压 I...
发表于 07-04 12:45 36次 阅读
HCPL-5121 2.0安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器

HCPL-5151 0.5安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器

HCPL-5151是一款采用8引脚陶瓷DIP封装的高可靠性H级密封光电耦合器。还提供镀金引线,焊接浸渍引线和各种引线形式选项。有关详细信息,请参见数据表。 该产品可在整个军用温度范围内运行和存储,也可以商业级或DLA标准微电路图(SMD)5962-04205购买。 。 HCPL-5151在MIL-PRF-38534认证生产线上制造和测试,并包含在DLA 合格制造商列表QML-38534中,用于混合微电路。 该器件由光耦合的GaAsP LED组成到具有功率输出级的集成电路。该器件非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定电压高达1200V / 50A的IGBT。对于额定值较高的IGBT,HCPL-5151可用于驱动分立功率级,驱动IGBT栅极。 特性 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55摄氏度到125摄氏度 MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DLA 标准微电路图 0.5 A最小峰值输出电流 高共模抑制(CMR):10 kV /微; s,在VCM = 1000 V 1.0 V最大低电平输出电压 Icc = 5mA最大电源...
发表于 07-04 12:44 35次 阅读
HCPL-5151 0.5安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器