EMI及PCB设计与开关频率详解

ZLG致远电子 2018-05-18 08:58 次阅读

本文导读

电源模块发展至今,工程师们都着眼于如何将模块做得更为小型化,轻量化,其实大家都明白可以通过提升开关频率来提高产品的功率密度。但为什么迄今为止模块的体积没有变化太大?是什么限制了开关频率的提升呢?

开关电源产品在市场的应用主导下,日趋要求小型、轻量、高效率、低辐射、低成本等特点满足各种电子终端设备,为了满足现在电子终端设备的便携式,必须使开关电源体积小、重量轻的特点,因此,提高开关电源的工作频率,成为设计者越来越关注的问题,然而制约开关电源频率提升的因素是什么呢?其实主要包括三方面,开关管、变压器和EMI及PCB设计。

一、开关管与开关频率

开关管作为开关电源模块的核心器件,其开关速度与开关损耗直接影响了开关频率的极限,下文为大家大概分析一下。

1、开关速度

MOS管的损耗由开关损耗和驱动损耗组成,如图1所示:开通延迟时间td(on)、上升时间tr、关断延迟时间td(off)、下降时间tf。

图1 MOS管开关示意图

FAIRCHILD公司的MOS为例,如图2所示:FDD8880开关时间特性表。

图2 FDD8880开关时间特性表

对于这个MOS管,它的极限开关频率为:fs=1/(td(on)+tr+td(off)+tf) Hz=1/(8ns+91ns+38ns+32ns) =5.9MHz,在实际设计中,由于控制开关占空比实现调压,所以开关管的导通与截止不可能瞬间完成,即开关的实际极限开关频率远小于5.9MHz,所以开关管本身的开关速度限制了开关频率提高。

2、开关损耗

开关导通时对应的波形图如图3(A),开关截止时对应的波形图如图3(B),可以看到开关管每次导通、截止时开关管VDS电压和流过开关管的电流ID存在交叠的时间(图中黄色阴影位置),从而造成损耗P1,那么在开关频率fs工作状态下总损耗PS=P1 *fs,即开关频率提高时,开关导通与截止的次数越多,损耗也越大,如下图3所示。

图3 开关管损耗示意图

二、变压器铁损与开关频率

变压器的铁损主要由变压器涡流损耗产生,如图4所示。

给线圈加载高频电流时,在导体内和导体外产生了变化的磁场垂直于电流方向(图中1→2→3和4→5→6)。根据电磁感应定律,变化的磁场会在导体内部产生感应电动势,此电动势在导体内整个长度方向(L面和N面)产生涡流(a→b→c→a和d→e→f→d),则主电流和涡流在导体表面加强,电流趋于表面,那么,导线的有效交流截面积减少,导致导体交流电阻(涡流损耗系数)增大,损耗加大。

图4 变压器涡流示意图

如图5所示,变压器铁损是和开关频率的kf次方成正比,又与磁性温度的限制有关,所以随着开关频率的提高,高频电流在线圈中流通产生严重的高频效应,从而降低了变压器的转换效率,导致变压器温升高,从而限制开关频率提高。

图5 变压器铁损与开关频率关系图

三、EMI及PCB设计与开关频率

假设上述的功率器件损耗解决了,真正做到高频还需要解决一系列工程问题,因为在高频下,电感已经不是我们熟悉的电感,电容也不是我们已知的电容了,所有的寄生参数都会产生相应的寄生效应,严重影响电源的性能,如变压器原副边的寄生电容、变压器漏感,PCB布线间的寄生电感和寄生电容,会造成一系列电压电流波形振荡和EMI问题,同时对开关管的电压应力也是一个考验。

四、小结

要提高开关电源产品的功率密度,首先考虑的是提高其开关频率,能有效减小变压器、滤波电感、电容的体积,但面临的是由开关频率引起的损耗,而导致温升散热设计难,频率的提高也会导致驱动、EMI等一系列工程问题。

ZLG致远电子自主研发、生产的隔离电源模块已有近20年的行业积累,当前采用全新方案,实现同类型产品,体积最小,例如E_UHBDD-10W模块较上一代ZY_UHBD-10W体积缩减了一半,如下图6所示。

图6 E_UHBDD-10WN与ZY_UHBD-10W规格对比

同时ZLG致远电子为保证电源产品性能建设了行业内一流的测试实验室,配备最先进、齐全的测试设备,全系列隔离DC-DC电源通过完整的EMC测试,静电抗扰度高达4KV、浪涌抗扰度高达2KV,可应用于绝大部分复杂恶劣的工业现场,为用户提供稳定、可靠的电源隔离解决方案。

原文标题:什么限制了电源小型化?

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TPS2811双通道高速MOSFET驱动器能够为高容性负载提供2 A的峰值电流。这种性能是通过一种设计实现的,该设计本身可以最大限度地减少直通电流,并且比竞争产品消耗的电源电流低一个数量级。 TPS2811驱动器包括一个稳压器,允许在14 V和14 V之间的电源输入工作。 40 V.稳压器输出可以为其他电路供电,前提是功耗不超过封装限制。当不需要稳压器时,REG_IN和REG_OUT可以保持断开状态,或者两者都可以连接到V CC 或GND。 TPS2811驱动器采用8引脚TSSOP封装并在-40°C至125°C的环境温度范围内工作。 特性 符合汽车应用要求 行业标准驱动程序更换 25-ns Max Rise /下降时间和40-ns Max 传播延迟,1-nF负载,V CC = 14 V 2-A峰值输出电流,V CC < /sub> = 14 V 输入电压高或低的5μA电源电流 4 V至14 V电源电压范围;内部调节器将范围扩展至40 V -40°C至125°C环境温度工作范围 参数 与其它产品相比 低侧驱动器   Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Tim...

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TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向双路高速 MOSFET 驱动器

UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27511和UCC27512单通道高速低侧栅极驱动器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27511和UCC27512采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为13ns)。 UCC27511特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚均可用于控制驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保 UCC27 511器件的输入引脚阈值基于与TTL和COMS兼容的低电压逻辑电路,此逻辑电路是固定的且与V DD 电源电压无关。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗扰度。 UCC27511和UCC27512提供4A拉电流,8A灌电流(非对称驱动)峰值驱动电流能力。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生,米勒接通效应的能力.UCC27511器件还具有一个独特的分离输出配置,其中的栅极驱动电流通过OUTH引脚拉出,通过OUTL引脚灌入。这种独特的引脚排列使...

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UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(当前VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围,以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保...

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UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和独立的高侧和低侧驱动器输入以实现最大的控制灵活这允许在半桥,全桥,双开关正向和有源钳位正激转换器中进行N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器可独立控制,并在相互之间的开启和关断之间匹配1 ns。 片内自举二极管消除了外部分立二极管。为高侧驱动器和低侧驱动器提供欠压锁定,如果驱动器电压低于指定阈值,则强制输出为低电平。 提供两种版本的UCC2720x-Q1 - UCC27200-Q1具有高噪声免疫CMOS输入阈值,UCC27201-Q1具有TTL兼容阈值。 两款器件均采用8引脚SO PowerPAD(DDA)封装。对于所有可用封装,请参见数据手册末尾的可订购附录。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1: -40°C至125°C环境工作温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C5 驱动两个高侧和低侧配置的N沟道MOSFET 最大启动电压:120 V 最大V DD < /sub>电压:20 V 片内0.65 V VF,0.6ΩRD自举二极管 大于1 MHz的工作 20- ns传播延迟时间 3-A漏极,3A源输出电流 8-ns上升和...

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UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

UCC27538 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

发表于 10-16 11:19 10次 阅读
UCC27538 栅极驱动器

UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管UCC27517A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载值为13ns)。 UCC27517A-Q1器件在输入上处理-5V电压。 当V DD = 12V时,UCC27517A-Q1可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27517A-Q1在4.5V至18V的宽V DD 范围以及-40°C至140° C的宽温度范围内运行.V DD 引脚上的内部欠压锁定(UVLO)电路可在V DD 超出运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中最佳的开关特性,因此非常适用于驱动诸的GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100标准的下列结果: 符合汽车应用要求的器件温度1级:-40°C至125°C的环境运行温度范围 器件人体放电模式(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件组件充电模式(CDM)ESD分类等级C6 低成本栅极驱动器件提供NPN和PNP离散解决方案的高品质替代产品 4A峰值拉电流和灌电流对称驱动 能够输入上处理负...

发表于 10-16 11:19 0次 阅读
UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27210和UCC27211驱动器是基于广受欢迎的UCC27200和UCC27201 MOSFET驱动器,但性能得到了显着提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。现在,输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC2721x的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27210(a CMOS输入)和UCC27211( TTL输入)已经增加了滞后特性,从而使得到模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器接口的抗扰度得到了增强。 低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了2ns的延迟匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低...

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UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27710 具有互锁功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27710是一款620V高侧和低侧栅极驱动器,具有0.5A拉电流,1.0A灌电流能力,专用于驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT,建议的VDD工作电压为10V至20V,对于MOSFET,建议的VDD工作电压为17V。 UCC27710包含保护特性,在此情况下,当输入保持开路状态时,或当未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外,该器件可接受的偏置电源范围宽幅达10V至20V,并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO保护。 该器件采用TI先进的高压器件技术,具有强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA),以及互锁。 该器件包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO),后者专用于自电源或隔离式电源操作。该器件具有快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配。在UCC27710上,每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。 特性 高侧和低侧配置 双输入,带输出互锁和150ns死区时间 在高达620V的电压下完全可正常工作,HB引脚上的绝对最高电压为700V VDD建...

发表于 10-16 11:19 15次 阅读
UCC27710 具有互锁功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27533 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

发表于 10-16 11:19 14次 阅读
UCC27533 栅极驱动器

UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

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UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

TPS51604驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有降低死区时间驱动和自动零交越等 SKIP 引脚提供CCM操作选项,以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604支持两种低功耗模式。借助于脉宽调制(PWM)输入三态,静态电流被减少至130μA,并支持立即响应。当 SKIP 被保持在三态时,电流被减少至8μA(恢复切换通常需要20μs)。此驱动器与合适的德州仪器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系统。 TPS51604器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至105°C。 特性 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本(超极本)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V IN < /sub>):4.5V至28V 2mm×2mm 8引脚WSON散热垫封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 半桥驱动器   Number of Channels (#) ...

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TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

PCB设计EMC/EMI的仿真分析

由于PCB板上的电子器件密度越来越大,走线越来越窄,走线密度也越来越高,信号的频率也越来越高,不可避....

发表于 10-16 10:18 206次 阅读
PCB设计EMC/EMI的仿真分析

HUD的有哪些EMI问题?如何解决HUD的EMI问题?详细分析

自上世纪80年代,HUD开始从飞机嫁接于汽车,但HUD真正受到世人瞩目还是在虚拟显示概念被广泛了解的....

的头像 韬略科技EMC 发表于 10-14 11:39 589次 阅读
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如何减少D类放大器中的电磁干扰?

在手机、GPS系统、膝上型电脑和笔记本电脑、平板电脑、游戏机、玩具等,这些电子产品中通常选用的驱动扬....

的头像 电磁兼容EMC 发表于 10-14 10:44 597次 阅读
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苹果抛弃Imagination后,A系列芯片的GPU已经完成自研

苹果将以3亿美元现金收购Dialog Semiconductor(一家总部位于欧洲的芯片制造商)公司....

的头像 电子发烧友网工程师 发表于 10-12 14:10 903次 阅读
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描述符是什么?如何在简单程序中传输数据

在第3节视频中,分别介绍8种外设管理单元(PMU)指令 — 也称为描述符,以及了解在简单程序中....

的头像 Maxim视频 发表于 10-12 03:16 228次 观看
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低功耗处理器与MAX23625、MAX32630的性能介绍

本期视频主要介绍了:1. Maxim在处理器的经验,2.在可穿戴应用中可能遇到的问题,3.MA....

的头像 Maxim视频 发表于 10-12 03:07 306次 观看
低功耗处理器与MAX23625、MAX32630的性能介绍

苹果6亿美元买通Dialog电源IC技术

Dialog公司对外宣布,已经与苹果达成深入合作。苹果将以6亿美元的代价,买通了Dialog公司的电....

发表于 10-11 16:18 266次 阅读
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在Eclipse工具中如何设置MAX32630/31评估板

Venkatesh演示如何设置MAX32630和MAX32631超低功耗、Arm Cortex-M4....

的头像 Maxim视频 发表于 10-11 04:16 277次 观看
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如何用MAX32630配置微控制器进行深度睡眠

In this video, Mohamed discusses some of the low-p....

的头像 Maxim视频 发表于 10-10 13:44 224次 观看
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什么是外设管理单元?有何特点

本系列视频总共分为5部分。在第1部分视频中,介绍Maxim独有的外设管理单元(即PMU),及其如何减....

的头像 Maxim视频 发表于 10-10 03:00 361次 观看
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浅析EMC基础理论下的工业及消费电子产品设备

电源 EMI 滤波器是一种无源双向网络,它一端接电源,另一端接负载。在所关心的衰减频带的较高频段,可....

发表于 10-08 15:01 168次 阅读
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GT3LS01L电容式液位传感器的详细资料免费下载

 GT3LS01L是GRANTUOCH3TM电容式液位传感器系列之一。特别是GT3LS01L可以在G....

发表于 10-08 08:00 59次 阅读
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第一部分:MAX32630微控制器的设置

在本视频短片中,Mohamed介绍利用实时时钟(RTC)电路计时的不同方法。Mohamed演示在智能....

的头像 Maxim视频 发表于 10-08 03:19 457次 观看
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英飞凌推出第二代适用于各式LIN伺服电机控制应用的嵌入式功率器件

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出第二代嵌入式功率器....

发表于 09-30 16:33 1128次 阅读
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村田murata磁珠EMI静噪元件的详细数据表免费下载

村田磁珠属于种EMI静噪元件也同属于静噪滤波器,学名叫片状铁氧体磁珠,功效等效于电阻和电感串联在电路....

发表于 09-29 08:00 83次 阅读
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浅析电磁干扰的原理及其应用

电磁波会与电子元件作用,产生干扰现象,称为EMI。例如,TV荧光屏晌常见的“雪花”,表示接受到的讯号....

的头像 电磁兼容EMC 发表于 09-28 16:45 631次 阅读
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电源适配器EMI确实和开关频率不成线性关系

在我接触EMI前,很多电源适配器工程师以他们有丰富的EMI调试经验来鄙视我们这些菜鸟,搞的我一直以为....

的头像 电子设计 发表于 09-27 10:07 1202次 阅读
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如何设计符合电磁相容要求的印刷电路板布线?

本书是要帮助工程师们,减少来自于元件及电路之电磁干扰,以达到 EMC 之可接受程度。其谈到以下两个 ....

发表于 09-27 08:00 90次 阅读
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MIX2008高效率,无滤波器单声道F类音频放大器中文数据手册免费下载

MIX2008是一款高效率、无滤波器3W单声道 F类音频放大器。超低的EMI非常适合应用于带FM功能....

发表于 09-27 08:00 43次 阅读
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MIX2009单声道F类音频放大器的详细中文数据手册免费下载

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MIX2015A高效率,无滤波器单声道F类音频放大器中文数据手册免费下载

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发表于 09-27 08:00 68次 阅读
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MIX2018A高效率、无滤波器单声道F类音频放大器中文数据手册免费下载

MIX2018A的单端输入架构和极高的PSRR有效地提高了MIX2018A对RF噪声的抑制能力。无需....

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MIX2023高效率,无滤波器单声道F类音频放大器的中文数据手册免费下载

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PCB布线模拟和数字布线的基本相似之处及差别解析

在电路板上加旁路或去耦电容,以及这些电容在板上的位置,对于数字和模拟设计来说都属于常识。但有趣的是,....

发表于 09-25 15:23 153次 阅读
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ESD有什么危害如何进行预防?

电子行业除 ESD 损伤外 静电还会导致 ESA (Electro-Static Attractio....

发表于 09-25 08:00 98次 阅读
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SF1560高性能、高集成度的电流模式PWM控制器资料免费下载

SF1560是一种高性能、高集成度的电流模式PWM控制器,用于中大型反激变换器应用。

发表于 09-25 08:00 65次 阅读
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激光雷达系统正在进入各种其他应用领域

随着激光雷达的发展,相关市场也会出现增长。据Yole Développement预测,氮化镓功率器件....

的头像 CadencePCB和封装设计 发表于 09-21 16:20 980次 阅读
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单芯片电源管理和端口控制器解决方案

以太网供电 (PoE) 的主要优势体现在它的简易性上。但在 IEEE 802.3 以太网标准中引入对....

的头像 Duke 发表于 09-21 09:41 1725次 阅读
单芯片电源管理和端口控制器解决方案