从美国集成电路的发展历程看“中国芯”的困境

2018-05-17 14:59 次阅读

文/西雅图雷尼尔

另前言

昨天饭统戴老板的文章刷屏了,文章更多是从产业历史,家国情怀,产业投资等角度叙述的。我不否认这些很重要,但从美苏日台韩的经验教训来说,靠这些根本不够的。

本来这是我的一个系列文章:试图回顾美国芯片技术发展的历史,带来一些启发。本想等一起写完再全部放出来的,但是现在为了“中国芯”大讨论提供一些观点,提前整理放出来一篇。

芯片技术并不是外星科技,而是人类科技发展到一定程度,智慧的高度结晶,每一次进步都有它的内在逻辑。今年中兴断芯的危机,引发了一场全民大反思,为什么中国缺芯?其实在芯片方面,即使很多核心科学技术方面远超中国的前苏联也远远落后于西方国家。

20 世纪的科技革命

首先,我们回顾一下 20 世纪发生的技术革命:

20 世纪人类首先经历了无线电技术革命,发明了电报,电话等技术。因为无线电技术的广泛使用,又催生了真空电子管技术。第二次世界大战,冷战中的太空竞赛,推动了军事技术的革命。军事技术的革命,催生了集成电路产业革命。由于芯片技术的成熟,又催生了个人电脑的技术革命。当个人电脑技术革命完成之后,又催生了互联网的革命。进入二十一世纪,其实还可以加一个移动互联网的的革命。

每次技术革命浪潮,都是以前面的一个技术革命为基础。由于中国的历史原因,几乎错过了所有的技术革命,只抓住了互联网革命的尾巴,并在此基础上快速抓住了移动互联网革命,一下子走在了世界前列。

然而这些优势都是建立在前面几场技术革命基础上的,如果今天美国及其盟国,对中国进行最严格的禁运:

大部分的PC技术革命的成果不复存在。

因为中国没有扎实地走过PC革命这一步,从硬件到操作系统,从行业软件到通用软件都没有拿得出手的产品。联想是个典型的例子。

大量依赖于集成电路的产品都无法顺利研发与生产。

因为中国没有扎实走过集成电路革命这一步,即便是落后的生产线,也是依赖于进口设备。

如果谈航空发动机的问题,那还要补机械,材料,数学,力学的课。

如果缺课后没有认真补课,那么期末考试的时候都要还会来的。

电子管时代

1883 年,爱迪生正在为寻找电灯泡最佳灯丝材料,曾做过一个小小的实验。结果,他发现了一个奇怪的现象:金属片虽然没有与灯丝接触,但如果在它们之间加上电压,灯丝就会产生一股电流,射向附近的金属片。

爱迪生效应

爱迪生效应

这股神秘的电流是从哪里来的?爱迪生也无法解释,但这不妨碍他不失时机地将这一发明注册了专利,并称之为“爱迪生效应”。

虽然后来,有人证明电流的产生是因为炽热的金属能向周围发射电子造成的。但最先预见到这一效应具有实用价值的,则是英国物理学家和电气工程师弗莱明(Sir John Ambrose Fleming)。

1904 年弗莱明利用爱迪生效应搞出来的第一个二极管(Diode),并获得了专利。这个二极管干可以用来做无线电电报的检波器。二极管这个东西在实验室中很好,但是一到实际应用场合就不很稳定。

第一个二极管  1904 年 10 月份

第一个二极管1904 年 10 月份

二极管专利原文

二极管专利原文

1906 年美国发明家,Lee de Forest (这个人故事很多)在二极管的灯丝之间巧妙加了一个栅板,从而发明了第一个真空电子三极管。 (grid Audion) 用于检波放大。我估计Lee打死也没有想到他这个发明的意义。

三极管的专利原文  1907 年 1 月提交

三极管的专利原文1907 年 1 月提交

但是早期的真空三极管真空度不高,导致性能不稳定。

1912 年,美国通用电气公司和美国电话电报公司合作研制出了高真空电子三极管,电子三极管的应用进入快车道。 这是具有划时代意义的产品,直接创造出了广播,电视,计算机等行业,是今天电子产品的奠基石。

第一台电子计算机 ENIAC

第一台电子计算机 ENIAC

1943 年,当二战激战正酣时,美军迫切需要高速计算工具,以计算炮弹的弹道。在迅速获得 15 万美元的预算后,速度成为第一诉求,继电器在收到信号后因为有百分之一秒延时而拖慢计算速度注定要被抛弃。真空三极管无机械结构,让计算机可以快速的通过控制栅极电流,来开启或关断电子管两端的电流,获得比继电器速度快成千上万倍的开关速度。这对于提升当时计算机的速度大有好处。正因为这样的优势,让电子管击败继电器,成为早期计算机的核心运算部件。 

第一台电子计算机用了 : 17468 个电子三极管、 7200 个电子二极管。

电子管比继电器的优点,快,显而易见。但是在制造ENIAC的过程中电子管的问题也暴露出来了,傻大笨粗。 ENIAC总重达 30 吨!

晶体管时代

二战结束后,美国贝尔实验室成立了一个固体物理研究小组,他们试图要制造一种能替代电子管的半导体器件,天才兼人渣威廉肖克利任组长。

肖克利是一位人渣,但不妨碍他也是一位天才。此人能力很强,但是人品和管理非常糟糕,这也为后来肖克利实验室的失败埋下了伏笔。但是此人的能力绝对一流的。

1936 年他在导师Davisson的指导下发表了多篇固体物理论文,并于 1938 年获得第一个专利“电子倍增放大器”。

1939 年他还设计了第一个场效应管,尽管当时这个器件没有被制造出来,但是这个模型在集成电路中广泛使用。

贝尔实验室就对半导体材料进行了研究,发现掺杂的半导体整流性能比电子管好。因此小组把注意力放在了锗和硅这两种半导体材料上。在肖克利的领导下,他们尝试、失败、再尝试、再失败。

1947 年 12 月 15 日,这种实验结出了硕果:他们用刀片在三角形金箔上划出了两道极细的缝隙,然后两边分别接上导线,用弹簧将其压进锗块表面。这是一个由锗、电池、金线、弹簧、纸板、组成的小装置。连好线后,当锗块上的两个接触点越来越近时,他们观察到了电压放大作用:1.3v电压被放大了 15 倍!

改变历史的第一个晶体管诞生了。

贝尔实验室第一个点接触式晶体管

贝尔实验室第一个点接触式晶体管

在贝尔实验室申请专利的时候,专利律师认为,肖克利的一项专利与新发明的专利之间有冲突,所以没把他加上。

肖克利火了,晶体管的诞生是基于他的理论,晶体管的研究他也直接参与了,但是最后专利上没有他的名字。他一生气,自己关了一个月后,在 1948 年 1 月 23 日,提出了更为先进可行的结晶型晶体三极管构想(Junction  transistor)。

1950 年 11 月,第一只结晶型三极管研制成功。这是今天所有集成电路的鼻祖。同时他还出版了一本书,详细阐述了结晶型半导体器件的理论和原理。让所有人都知道到底谁是晶体管之父。

肖克利的天才让他靠这个成果,赢得了诺贝尔奖。但是他的人渣特性,也让贝尔实验室的研发团队遭受重大挫折。但这不妨碍,晶体管开始逐渐替代电子管。最直接的产品就是收音机。

 1950 年代,第一代的晶体管收音机,大大降低了成本和体积

1950 年代,第一代的晶体管收音机,大大降低了成本和体积

而相比较的是中国,在 1960 年代还在大规模生产电子管的收音机,很晚才大规模生产出晶体管收音机。

上海 144 电子管收音机

上海 144 电子管收音机

集成电路时代-从实验室到市场

在 1950 年代末,美苏进入太空竞赛阶段。

苏联早早地把人送上了太空。美国急需将各种设备小型化,需要把大量电子管的产品替换成晶体管的产品。早期的晶体管技术还是实验室技术,离大规模生产还有一大段距离。

国内经常有一种错觉:

我们用集中力量办大事的模式,在实验室搞出一个产品,就真的“填补了国内空白,达到国际先进水平”。

从实验室到市场有非常长的路要走,也是最难走的。

晶体管之父肖克利在发明三极管后离开了贝尔实验室,去找了一批最优秀的科学家准备产业化生产晶体管。可惜肖克利这个人相当mean,管理能力一塌糊涂。从肖克利实验室中分裂出了大名鼎鼎的“仙童八叛将”。

仙童八叛将( 3 位是移民)

仙童八叛将( 3 位是移民)

这八个人中有一位Kleinier ,找到了负责他爸爸企业银行业务的纽约海•登斯通投资银行(Hayden Stone & Co。)。他们给投资银行去了封信,附了一份投资计划(BP)计划书除了提到他们曾在诺贝尔奖得主及晶体管发明人手下工作过。这份计划书,转到了投行员工Arthur Rock的手上,他敏锐地发现了其中的机会。Rock认为他和这 8 个人一起成立公司,开发半导体器件。

Rock说服自己的老板Coyle一起去加州见这 8 个人。Kleiner说,他们计划用硅产业化制造晶体管,如果成功,将是一场电子工业革命!

两个银行家被打动了,Coyle说,我没有准备协议书,拍出 10 张一美元的纸币,哥们,要入伙的,在上面签字。仙童八叛将与两位银行家在 1 美元纸币上签了名字。

硅谷第一家真正意义上的由风险投资资本投资创业的半导体公司诞生了!

收藏在斯坦福图书馆的签名版 1 美元纸币

收藏在斯坦福图书馆的签名版 1 美元纸币

1957 年 9 月 18 日,八个年轻人向肖克利辞职。肖克利没想到,他这些员工居然不感恩戴德,反要辞职。肖克利大怒,称他们为“叛逆八人帮”(traitorous eight)。肖克利创造的“叛逆八人帮”一词,很快成了一个硅谷传奇、一个高科技传奇、一个美国传奇。这种叛逆精神成了硅谷的一种全新的创业精神,影响了几代硅谷人。

美苏冷战给仙童带来了巨大的发展机会,仙童公司的销售在报纸上得知IBM在为空军设计导航计算机,但是找不到合适的晶体管。德州仪器的硅管没能通过IBM测试。仙童公司迅速抓住了机会,通过大股东的关系,找到了IBM,拿到了第一张订单 :IBM向仙童以每个 150 美元的价格,订购 100 个硅管。半年后,仙童八叛将,将 100 个双扩散NPN型晶体管交付给IBM。

这时是 1958 年,公司成立仅仅 1 年!

虽然,传统的电子管替换成晶体管,减少了体积。但是随着晶体管越堆越多,新的问题出现了:电路中器件和连线也越来越多,电路的布线和响应都遇到了瓶颈。唯一的出路就是缩小电路尺寸。

1958 年,仙童八叛将之一的Jean Hoerni发明了平面工艺,解决了晶体管的绝缘和连线问题。技术上解决了把晶体管拍平放在同一个晶片上的问题。

1959 年 1 月 23 日,仙童八叛将之一的Noyce,写下了:如何制造集成电路问题,可以把不同的元件制作在一块晶片上,然后用平面工艺再把各个元件连接起来。这样,就可以在一个硅片上实现一个逻辑电路。大大减少了尺寸,布线,功耗,成本。

而与此同时 1958 年 7 月 24 日,德州仪器TI的Kilby在工作笔记中也写道:

“由很多器件组成的极小的微型电路是可以在一块晶片上制作出来的。由电阻、电容、二极管和三极管组成的电路可以被集成在一块晶片上。”而且他在笔记中记录了大概的工艺构思。

1958 年 8 月 28 日,Kilby把他自己的设想实现了:

很快他对电路做了一些改进。在这个时间节点上很多有技术实力的公司都在冲刺集成电路。一家叫RCA的公司,准备在 1959 年初递交集成电路专利。TI非常紧张,赶紧帮Kilby 准备了宽泛的专利,于 2 月 6 日交给了专利局。

而此时仙童公司也在 1959 年 2 月提交了集成电路的专利申请书,但是强调了仙童的集成电路使用平面工艺来制造集成电路的。

 1959 年 8 月仙童公司展示的第一块商业集成电路

1959 年 8 月仙童公司展示的第一块商业集成电路

TI和仙童公司进入旷日长久的专利诉讼。最后的结果是,法庭将集成电路的发明权授予了TI的Kilby,内部连线技术专利授予了Noyce。相当于承认他们两人是集成电路的共同发明人。 1966 年,双方达成协议,承认对方享有部分集成电路发明专利权,其他任何生产集成电路的厂商,都要从TI和仙童取得授权。

从此人类社会进入集成电路时代,摩尔定律一步一步提高晶体管的集成度。今天随便一个PC的CPU内部都是 10 亿以上的晶体管。

而在集成电路这次技术革命上,中国和苏联已经在科技树上走到叉道上去了。

苏联的芯片之痛

前苏联的科学家一直是非常出色的,在跟踪了西方发展之后:

1953 年,就搞出了苏联第一批的点接触锗型晶体管。

1955 年,面接触锗型晶体管问世。

1956 年,硅晶体管问世,比美国仅仅晚了 6 年。

但是苏联在科技上走的很多一些弯路是学阀造成的。最典型的例子是苏联生物学中李森科,极大阻碍了苏联的生物学发展,凡是不同意见,哪怕仅仅是学术意见不同,统统封杀。

苏联的集成电路的产业化在苏联内部遭到了各种阻力,有些是出于部门利益,有些是出于无知,有些是出于学术分歧。苏联半导体权威约飞院士都不支持锗半导体研究,据复旦大学物理系教授王讯回 忆 1956 年他在中国科学院物理研究所进行半导体研究实习的时候说:

当时国内的锗、硅半导体材料是根本没有的,在苏联也不重视对锗材料和锗晶体管的研究。苏联当时半导体界受其权威约飞的控制,只相信他们自己的研究方向,做半导体热电效应和温差发电等。国内的研究受到他们影响,因为当时国家的十二年科学规划是苏联专家帮助制订的。所以在 1955 年,我们只能做氧化亚铜,这种材料是早期发现的一种半导体材料。

由于苏联国内的斗争, 1956 年在苏联部长会议一次讨论中,出现了“晶体管永远不会成为一个有用的东西,充其量就是做助听器,让社会保障机构去干 吧!”的结论。

youtube上苏联战机内部部分设备拆机图,集成度很低

youtube上苏联战机内部部分设备拆机图,集成度很低

然后苏联人就拼命攀爬缩小电子管这条羊肠小道去了,爬错科技树,而且不知道悔改。一直走到黑,真空电子管再也无法缩小了。然后再去爬集成电路技术已经晚了。

苏联错过了集成电路革命,也就错过了计算机革命,错过了互联网革命,更不要说什么移动互联网了。继承苏联衣钵的俄罗斯,黑客的能力很强,但是整个计算机产业真是乏善可陈,芯片市场份额仅占全球1%都不到。

苏联的失败例子其实对中国的科研非常有参考意义,有机会详细阐述。

中国芯的出路

“中国芯”不是第一次进入公众视野了,上一次高峰在 2003 年前后。当时都说搞IC的将来都是金领。我同学中最优秀的那部分人,很多人选择了VLSI方向。多年以后还在IC这个行业的已经非常少了。

上一波“中国芯”集中在 2000 年前后爆发不是没有原因的:中国市场的自身的需求以及政府的扶持。前国家领导人就有从电子工业部出身的,对集成电路的方向和重要性非常清楚,国家一直对集成电路行业扶持有加,但是种下的是龙种长出的是跳蚤。

2003 年前后中国的集成电路市场上大大小小玩家一堆,杭州有士兰微,上海有上海贝岭,华虹NEC,北京有中星微,大唐微电子。当初我还为了攒钱给女朋友买诺基亚手机,暑假去了某IC设计公司兼职。

 2003 年前后集成电路变化

2003 年前后集成电路变化

如果市场应用驱动芯片行业的健康发展,重现硅谷创新完全是可能的。但是那个时候集成电路成为了所谓风口,无数资金涌了进来,充满了各种躁动。

眼见他起高楼,眼见他宴宾客,眼见他楼塌了:

比如 2005 年凭借摄像头芯片,中星微登陆纳斯达克。中星微电子应该是国内第一个登陆纳斯达克的芯片股,然而中星微上市后,公司很快就蜕变成一个国企式伪科技企业, 2015 年中星微黯然退市。白白错过了中国移动互联网爆发的十年。不过创始人,混上了院士,也算如愿所偿。

直到 2006 年陈进的汉芯事件公之于众,芯片热潮才慢慢退去。

2018 年芯片热潮已经袭来,听投资人吐槽,上个月还在搞p2p的团队,这个月已经把BP改成芯片概念的了,如之奈何。

如果我们重看电子管到晶体管的漫长演化,看看苏联的集成电路产业是如何落后的,我们不禁要想想,两弹一星的模式是否适用于集成电路,高铁模式是否集成电路?我们要想在集成电路领域里面赶上国际先进水平缺什么?

从晶体管到电子管,我们可以看到:

人才

每次技术革命的发生都是一些优秀的人才,在一个一个节点上进行突破。科学家也不仅仅是美国人,有英国人,加拿大人,日本人。

但是中国现在的很多行业都存在一个问题,更愿意去挖人才,而不是去培养人才。而且由于种种原因,尤其是收入的压力,使得很多人不得不放弃这个行业。

知识产权保护

大家都要注意到每次技术小突破后,都会有专利来保护技术的革新。发明家,创新的公司也可以依靠专利获得巨大的收益。这样能让创新的力量不断地去创新。

这个我在我公号里说过无数遍了,也举了很多例子。如果知识产权保护的薄弱,那么我们不仅无法追上集成电路,将来的纳米管,量子计算等等方向上也会毫无建树。

前瞻的研究,宽松的学术氛围

超越电子管的未必是电子管,可能是硅管,也可能是锗管,也可能是其他。超越集成电路的也许是光计算,也许是量子计算,也许是生物计算。但肯定不是“透明计算”!

李森科毁掉了苏联的生物学,约飞毁掉了苏联的集成电路。学术自由,宽松的学术氛围,才有可能培育创新。

苏联有学阀,中国的大学,科研机构的近亲繁殖,学阀也不少。

反过来看看美国自己顾问团给美国总统提的建议《持续巩固美国半导体产业领导地位》

建议 3.1:加强人才培养和引进。全球聚集在人才密集的地方。随着技术进步和无晶圆模式的发展,推动半导体创新和生产所需的人才正在发生变化。美国应加强其本土人才的培养,同时吸引来自全球各地的人才。

建议 3.2:加强对先进技术研究的投资。

先进技术研究对于持续推动半导体产业发展和创新至关重要。

半导体产品和计算技术的未来关键在于多维度创新:执行计算的新方法(如非冯诺依曼和近似计算),非硅材料的利用率(如用于计算和存储的碳纳米管和 DNA),以及将半导体产品集成进我们所用设备的新方法(如嵌入织物与物联网)。(关于创新机会的进一步讨论见附录 A,特别是表 A1。)这与传统的摩尔定律将大多数创新专注于定期增加一个芯片上的晶体管的数量不同。它将更专注于创新的多维度,其中许多是新颖的,并且在创新力量特别强大的美国它还能发挥作用。

建议 3.3:推进公司税收改革。

美国的税收制度对重资产行业高征税以遏制资本投资。半导体行业,特别是半导体制造业,是资本密集型产业。为了鼓励半导体产业以市场为导向的投资,应当在保证公平性的前提下,改革公司税制,为企业在全球竞争中营造更有吸引力的环境。

小结

不知道为什么国内好像对科技史一点都不感兴趣,整个中文网络对于国外科技史的发展都是只言片语,也许我们更喜欢吃桃子,而不想知道这个桃树是怎么种出来的。

所以我从真空电子三极管的发明到晶体管的发明,到集成电路的发明,到分析为什么苏联集成电路也没有搞起来。真正想说明几个事情:

情怀不能当饭吃

芯片的产业化,需要依靠无数百万年薪的顶级工程师,而不是把希望寄托在拿几千块工资骑自行车上下班的老专家们的无私奉献。如果不能正确认识这个问题,中国人只能在产业一次又一次的挫折中,去怀念那些记忆中的劳模和雷锋。

(引用自网友评论)

真正的高科技是抄不来的。

即使是抄答案,抄完之后自己不重新做一遍,也是白搭。军工领域里最典型的例子就是枭龙vs歼八Z

没有良好的环境,创新是不会发生的。

砸钱,搞收购,挖牛人,自己的产学研乌烟瘴气是搞不好集成电路的。即使抄到了最好的答案,很快也会落伍的。

有时很值得想想,即便时光倒流,我们今天的环境穿越到了电子管vs晶体管的时代,以我们现在的研发土壤,用人机制,政府政策,知识产权环境能否迭代出集成电路行业呢?答案是令人沮丧的。

另外不要再缺席旷课了。不要再缺席旷课了。不要再缺席旷课了。

 
 
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的头像 半导体动态 发表于 10-22 14:24 305次 阅读
北京亦庄已经初步形成电子信息产业生态体系 实现产值723亿元

美国对众多俄罗斯科技公司实施了制裁,发展微芯片和其他高科技产品的计划备受阻挠

安特-T是一家制造半导体的科技公司,该公司董事会主席、俄罗斯前通信和信息技术部长利奥尼德·雷伊曼(L....

的头像 半导体行业联盟 发表于 10-22 11:00 509次 阅读
美国对众多俄罗斯科技公司实施了制裁,发展微芯片和其他高科技产品的计划备受阻挠

韩国半导体产业的发展历程、现状和得失经验

2017年半导体产业缔造了一项新纪录,国际研究机构Gartner研究总监George Brockle....

的头像 电子发烧友网工程师 发表于 10-22 10:57 410次 阅读
韩国半导体产业的发展历程、现状和得失经验

中微董事长尹志尧:十四年前毅然回国,造出“中国芯高端设备”

所谓芯片,就是内含集成电路的硅片,制造一块小小的芯片,涉及50多个学科、上千道工序。“芯片制造是人类....

的头像 半导体行业联盟 发表于 10-22 10:56 289次 阅读
中微董事长尹志尧:十四年前毅然回国,造出“中国芯高端设备”

美国想要领导“全世界”摆脱对“中国制造”的依赖,分析一场可能来临的“科技冷战”

华强北市场是中国在全球电子行业主导地位的完美体现。这里是全球供应链的核心,芯片和其他配件大量涌入,其....

的头像 半导体行业联盟 发表于 10-22 10:49 370次 阅读
美国想要领导“全世界”摆脱对“中国制造”的依赖,分析一场可能来临的“科技冷战”

瑞鼎科技在昆山开发区正式投入运营,为当地打造“强芯亮屏”产业

昆山开发区管委会副主任潘建康表示,此次瑞鼎科技项目落户昆山开发区,将有力地带动开发区集成电路产业快速....

的头像 CINNO 发表于 10-22 10:10 285次 阅读
瑞鼎科技在昆山开发区正式投入运营,为当地打造“强芯亮屏”产业

什么是半导体 什么是本征半导体

导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,称之为半导体。在电子器件中, 常用的半导体材料有硅(Si) 和锗....

的头像 HOT-ic 发表于 10-22 10:03 260次 阅读
什么是半导体 什么是本征半导体

AI芯片供不应求,半导体三巨头谁将称霸

万物互联和万物智能得以实现,核心推动力量来自半导体产业,数百亿智能设备连接网络,用于数据采集的物联网....

的头像 电子那些事儿 发表于 10-22 09:39 1835次 阅读
AI芯片供不应求,半导体三巨头谁将称霸

电子电路有哪些特点 如何去学习电子电路知识

电子技术的发展经历了电子管、晶体管、集成电路、大规模和超大规模集成电路 4 个时代,新的电子器件出现....

的头像 HOT-ic 发表于 10-22 09:35 146次 阅读
电子电路有哪些特点 如何去学习电子电路知识

2018年半导体技术愿景报告

埃森哲发布了“2018年半导体技术愿景报告”,调查了25个国家,18个行业的超过6,300名企业和I....

的头像 半导体行业联盟 发表于 10-22 09:16 316次 阅读
2018年半导体技术愿景报告

收购支持以客为先的增长策略

采用最新半导体技术的终端市场从各方面来看都是不断变化的:容量和复杂度的增长,应用数量的扩大,以及降低功耗和尺寸的需要。比...

发表于 10-22 08:59 36次 阅读
收购支持以客为先的增长策略

AD常用封装器件封装表的详细资料免费下载

根据不同的用途,半导体的封装可以分为多种类型。半导体的封装标准包括 JEDEC和JEITA标准,但有....

发表于 10-22 08:00 32次 阅读
AD常用封装器件封装表的详细资料免费下载

如何阅读数据手册LM555定时器芯片详细实例说明

为了使用PIC微控制器、触发器、光电探测器或实际上任何电子设备,您需要查阅数据表。这是制造商提供给你....

发表于 10-22 08:00 21次 阅读
如何阅读数据手册LM555定时器芯片详细实例说明

华翼微电子非接触式CPU卡芯片系列HYM4616A1介绍

市场推动产业发展,应用引领技术创新。由中国电子器材有限公司(CEAC)主办,中电会展与信息传播有限公....

的头像 ICChina 发表于 10-21 11:54 598次 阅读
华翼微电子非接触式CPU卡芯片系列HYM4616A1介绍

重庆万国即将量产亚洲首款12寸功率半导体晶元测试片

10月18日,记者从位于两江新区水土的市级重点项目重庆万国半导体科技有限公司(以下简称重庆万国)了解....

的头像 半导体行业联盟 发表于 10-21 11:37 929次 阅读
重庆万国即将量产亚洲首款12寸功率半导体晶元测试片

意法半导体MCU在中国市场的布局浅析

“在8年的时间里,意法半导体微控制器在中国市场从2007年的22亿美元增长到2015年的27亿美元,....

发表于 10-21 10:36 438次 阅读
意法半导体MCU在中国市场的布局浅析

台积电表示7纳米+加强版制程预计要到2020年才会正式放量

台积电2018年第3季法说会上,针对第4季的营运状况也做出了预测。表示,在新台币汇率30.8元兑换1....

的头像 半导体动态 发表于 10-21 10:36 384次 阅读
台积电表示7纳米+加强版制程预计要到2020年才会正式放量

至纯科技晶圆再生基地项目落户合肥 将填补省内产业空白

10月16日,至纯科技晶圆再生基地项目正式签约,合肥新站区集成电路产业再添生力军。合肥新站区招商局局....

的头像 半导体动态 发表于 10-21 10:29 405次 阅读
至纯科技晶圆再生基地项目落户合肥 将填补省内产业空白

探究SiP封装技术的奥妙

在拯救摩尔定律的道路上,人们挖尽心思。从设计角度出发,SoC将系统所需的组件高度集成到一块芯片上。从....

的头像 TechSugar 发表于 10-21 09:25 410次 阅读
探究SiP封装技术的奥妙

电子硬件的知识体系是怎样的

最近有不少软件领域的牛人进军硬件行业,但不知从何处入手。相信每个人面对一个庞大的知识体系时都一样迷茫....

的头像 玩转单片机 发表于 10-20 11:36 448次 阅读
电子硬件的知识体系是怎样的

创瑞科技携典型应用产品亮相IC Expo 2018

IC Expo为从事集成电路设计、芯片加工、封装测试、半导体专用设备、半导体专用材料、半导体分立器件....

的头像 ICChina 发表于 10-20 11:12 508次 阅读
创瑞科技携典型应用产品亮相IC Expo 2018

【转】集成电路应用电路识图方法

[table=98%] [tr][td]在无线电设备中,集成电路的应用愈来愈广泛,对集成电路应用电路的识图是电路分析中的一个重点,也是难点之...

发表于 10-19 22:35 230次 阅读
【转】集成电路应用电路识图方法

士兰微厦门12英寸芯片生产线开工

10月17日,以士兰微厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线的开工典礼为契机,厦门(海沧)集....

的头像 集成电路园地 发表于 10-19 17:07 866次 阅读
士兰微厦门12英寸芯片生产线开工

PLD脉冲激光沉积复合材料应用进展的详细资料概述

在实验科学中,新发现的(或重新发现的)合成技术在加速感兴趣的领域中立即提供增强的性能和简单性是一件罕....

发表于 10-19 16:51 24次 阅读
PLD脉冲激光沉积复合材料应用进展的详细资料概述

究竟这些倍增企业有何成功的密码?

为何取得这样的好成绩?企业董事长刘述峰详细道来:“生益科技非常非常重视研发投入,并且有非常明晰的战略....

的头像 PCBworld 发表于 10-19 16:05 1969次 阅读
究竟这些倍增企业有何成功的密码?

美将在人工智能领域对中国提出制裁

美国在贸易战的背景下向中国通信公司发难之后,又开始琢磨在人工智能领域向中国下手。英国路透社27日报道....

的头像 重庆人工智能 发表于 10-19 16:00 806次 阅读
美将在人工智能领域对中国提出制裁

意法半导体发布整合NFC控制器、安全元件和eSIM的高整合行动安全解决方案

整合这三个重要功能有助于提升在行动和连网产品设备之非接触通讯性能,再加上意法半导体软件合作伙伴生态系....

的头像 PCB开门网 发表于 10-19 15:55 395次 阅读
意法半导体发布整合NFC控制器、安全元件和eSIM的高整合行动安全解决方案

坤同柔性半导体服务制造基地项目在陕西省西咸新区沣西新城落地并启动

据西安发布9月报道,西咸新区党工委委员,沣西新城党委书记、管委会主任刘宇斌表示:“近期,我们成功招引....

的头像 PCB行业融合新媒体 发表于 10-19 15:44 1964次 阅读
坤同柔性半导体服务制造基地项目在陕西省西咸新区沣西新城落地并启动

半导体制造之封装技术分析

电子封装是集成电路芯片生产完成后不可缺少的一道工序,是器件到系统的桥梁。

的头像 传感器技术 发表于 10-19 15:26 273次 阅读
半导体制造之封装技术分析

浅析台湾地区与内陆半导体产业的区别

高薪与舞台,是吸引这群人到中国大陆的关键之一。

的头像 芯资本 发表于 10-19 15:13 1539次 阅读
浅析台湾地区与内陆半导体产业的区别

中国正式成立RISC–V产业联盟

2018年10月17日下午,中国RISC-V产业联盟(China RISC-V Industry C....

的头像 集成电路园地 发表于 10-19 15:10 325次 阅读
中国正式成立RISC–V产业联盟

半导体行业眼中的工业4.0

Thomas Brand   ADI 公司   现场应用工程师 目前,一场频繁地被称为工业4.0(德国称为Industrie 4.0...

发表于 10-19 10:54 35次 阅读
半导体行业眼中的工业4.0

《模拟CMOS集成电路设计》 - Behzad.Razavi著(英文版、中文版、答案)

《模拟CMOS集成电路设计》介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概...

发表于 10-18 16:09 276次 阅读
《模拟CMOS集成电路设计》 - Behzad.Razavi著(英文版、中文版、答案)

集成电路电源芯片的分类及发展

集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件,采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件...

发表于 10-18 14:54 307次 阅读
集成电路电源芯片的分类及发展

LM45 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM45系列是精密集成电路温度传感器,其输出电压与摄氏(摄氏)温度成线性比例。 LM45不需要任何外部校准或微调,即可在室温下提供±2°C的精度,在整个-20至+ 100°C的温度范围内提供±3°C的精度。通过晶圆级的修整和校准确保低成本。 LM45的低输出阻抗,线性输出和精确的固有校准使得与读出或控制电路的接口特别容易。它可以与单个电源一起使用,也可以与正负电源一起使用。由于它的电源消耗仅为120μA,因此自然发热非常低,静止空气中的自热温度低于0.2°C。 LM45的额定工作温度范围为-20°至+ 100°C。 特性 直接以摄氏度(摄氏度)校准 线性+ 10.0 mV /°C比例因子 < li>±3°C精度保证 额定为-20°至+ 100°C范围 适用于远程应用 由于晶圆造成的低成本-Llevel Trimming 工作电压范围为4.0V至10V 电流消耗小于120μ 低自热,静止空气中为0.20°C 非线性仅±0.8°C最大温度 低阻抗输出,20 mA...

发表于 09-17 16:30 45次 阅读
LM45 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM62 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM62是一款精密集成电路温度传感器,可在+ 3.0V单电压下工作,检测0°C至+ 90°C温度范围供应。 LM62的输出电压与摄氏(摄氏)温度(+15.6 mV /°C)成线性比例,并具有+480 mV的直流偏移。偏移允许读取温度低至0°C而无需负电源。在0°C至+ 90°C的温度范围内,LM62的标称输出电压范围为+480 mV至+1884 mV。 LM62经过校准,可在室温和+ 2.5°C /-2.0°C范围内提供±2.0°C的精度,温度范围为0°C至+ 90°C。 LM62的线性输出,+ 480 mV偏移和工厂校准简化了在需要读取温度低至0°C的单电源环境中所需的外部电路。由于LM62的静态电流小于130μA,因此在静止空气中自热仅限于0.2°C。 LM62的关断功能是固有的,因为其固有的低功耗允许它直接从许多逻辑门的输出供电。 特性 校准线性比例因子+15.6 mV /°C 额定0°C至+ 90°C适用于远程应用的3.0V电压范围   关键规格 25°C±2.0或±3.0°时的精度C(最大) ...

发表于 09-17 15:48 4次 阅读
LM62 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM235 模拟输出温度传感器,军用级,采用气密性 TO 封装

LM135系列是精密,易于校准的集成电路温度传感器。作为双端齐纳二极管,LM135的击穿电压与10 mV /°K时的绝对温度成正比。该器件的动态阻抗小于1Ω,工作电流范围为400μA至5 mA,性能几乎没有变化。在25°C下校准时,LM135在100°C温度范围内的误差通常小于1°C。与其他传感器不同,LM135具有线性输出。 LM135的应用包括几乎任何类型的温度检测,温度范围为-55°C至150°C。低阻抗和线性输出使得与读出或控制电路的接口特别容易。 LM135工作温度范围为-55°C至150°C,而LM235工作温度范围为?? 40° C至125°C的温度范围。 LM335的工作温度范围为-40°C至100°C。 LMx35器件采用密封TO晶体管封装,而LM335也采用塑料封装 特性 直接校准至开尔文温度   1°C初始准确度 工作电流范围为400μA至5 mA 小于1Ω动态阻抗 轻松校准 宽工作温度范围 200 °C超范围 低成本 ...

发表于 09-13 14:35 17次 阅读
LM235 模拟输出温度传感器,军用级,采用气密性 TO 封装

LOG2112 片上电压参考为 2.5V 的精密对数和对数比放大器

LOG112和LOG2112是多功能集成电路,可计算输入电流相对于参考电流的对数或对数比。 LOG112和LOG2112的V LOGOUT 被调整为每十倍输入电流0.5V,确保在宽动态范围的输入信号上具有高精度。 LOG112和LOG2112具有2.5V基准电压源,可用于使用外部电阻产生精密电流基准。 低直流偏移电压和温度漂移可在指定温度范围内精确测量低电平信号。 °C至+ 75°C。 特性 易于使用的完整功能 输出缩放放大器 片上2.5V电压参考 高精度:0.2%FSO超过5个十年 宽输入动态范围: 7.5十年,100pA至3.5mA 低电流电流:1.75mA 宽电源范围:±4.5V至±18V 封装:SO-14(窄)和SO-16 应用 日志,日志比率: 通信,分析,医疗,工业,测试,一般仪器 光电信号压缩放大器 模拟信号压缩模拟前后的模拟信号压缩-DIGITAL(A /D)转换器 吸光度测量 ...

发表于 09-06 17:29 14次 阅读
LOG2112 片上电压参考为 2.5V 的精密对数和对数比放大器

SN74CB3T16212 24 位 FET 总线交换器,具有 5V 容限电平转换器的 2.5V/3.3V 低电压总线开关

SN74CB3T16212是一款高速TTL兼容FET总线交换开关,具有低导通电阻(r on ),允许最小的传播延迟。该器件通过提供跟踪V CC 的电压转换,完全支持所有数据I /O端口上的混合模式信号操作。 SN74CB3T16212支持采用5 V TTL,3.3 V LVTTL和2.5 V CMOS开关标准的系统,以及用户定义的开关电平(参见图1)。 SN74CB3T16212采用24电路供电位总线开关或12位总线交换机,提供四个信号端口之间的数据交换。选择(S0,S1,S2)输入控制总线交换开关的数据路径。当总线交换机开启时,A端口连接到B端口,允许端口之间的双向数据流。当总线交换开关关闭时,A和B端口之间存在高阻抗状态。 该器件完全指定用于部分断电应用,使用I off 。 I off 功能可确保损坏的电流在断电时不会回流通过器件。器件在断电期间具有隔离功能。 为了确保上电或断电期间的高阻态,每个选择输入应通过下拉电阻连接到GND;电阻的最小值由驱动器的电流源能力决定。 特性 德州仪器广播公司的成员?系列 输出电压转换轨迹V CC 支持所有数据I /O端口上的混合模式信号操作 5-V输入低至3.3V输出电平转换,3.3VV CC 5V /3.3...

发表于 08-28 11:49 58次 阅读
SN74CB3T16212 24 位 FET 总线交换器,具有 5V 容限电平转换器的 2.5V/3.3V 低电压总线开关

SN74LV138A 3 线路到 8 线路解码器/多路解复用器

'LV138A器件是3线到8线解码器/解复用器,设计用于2 V至5.5 VV CC 这些器件专为需要极短传播延迟时间的高性能存储器解码或数据路由应用而设计。在高性能存储器系统中,这些解码器可用于最小化系统解码的影响。当采用利用快速使能电路的高速存储器时,这些解码器的延迟时间和存储器的使能时间通常小于存储器的典型存取时间。这意味着解码器引入的有效系统延迟可以忽略不计。 二进制选择输入(A,B,C)和三个使能输入的条件(G1, G2A , G2B )选择八个输出行中的一个。两个低电平有效( G2A , G2B )和一个高电平有效(G1)使能输入在扩展时减少了对外部门或逆变器的需求。无需外部逆变器即可实现24线解码器,32线解码器仅需一个逆变器。使能输入可用作多路分解应用的数据输入。 使用I off 为部分断电应用完全指定这些器件。 I off 电路禁用输出,防止电流断电时损坏电流回流。 特性 2-V至5.5-VV CC 操作 Max t pd 9.5 ns,5 V 典型V OLP (输出接地反弹)&lt; 0.8 V,V CC = 3.3 V, T A = 25°C 典型的V OHV (输出V OH 下冲)> V时 CC = 3.3 V,T A = 25°C 支持所有端口...

发表于 08-28 11:25 0次 阅读
SN74LV138A 3 线路到 8 线路解码器/多路解复用器

SN74AHCT139 双路 2 线路至 4 线路解码器/多路解复用器

?? AHCT139器件是双路2线到4线解码器/解复用器,设计用于4.5 V至5.5 VV CC 操作。这些器件设计用于需要非常短的传播延迟时间的高性能存储器解码或数据路由应用。在高性能存储器系统中,这些解码器可用于最小化系统解码的影响。当与利用快速使能电路的高速存储器一起使用时,这些解码器的延迟时间和存储器的使能时间通常小于存储器的典型存取时间。这意味着解码器引入的有效系统延迟可以忽略不计。 低电平有效使能(G)\输入可用作多路分解应用中的数据线。这些解码器/解复用器具有完全缓冲的输入,每个输入仅代表其驱动电路的一个归一化负载。 特性 输入兼容TTL电压 专为高速存储器解码器和数据传输系统而设计 合并两个使能输入以简化级联和/或数据接收 每个JESD的闩锁性能超过250 mA 17 ESD保护超过JESD 22 2000-V人体模型(A114-A) 200-V机型(A115-A) 1000-V充电设备型号(C101) 参数 与其它产品相比 编码器和解码器   Function Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Channels (#) Voltage (Nom) (V) F @ Nom Voltage (Max) (Mhz) I...

发表于 08-28 11:25 13次 阅读
SN74AHCT139 双路 2 线路至 4 线路解码器/多路解复用器

CD74HCT4543 用于 LCD 的高速 CMOS 逻辑 BCD 至 7 段锁存器/解码器/驱动器

CD74HCT4543高速硅栅是一种BCD至7段锁存器/解码器/驱动器,主要用于直接驱动液晶显示器。锁存使能(LD)为低电平时,锁存器可以存储BCD输入。当锁存器使能为高电平时,锁存器被禁用,使输出对BCD输入透明。该器件具有高电平有效消隐输入(BI)和相位输入(PH),方波应用于液晶应用。该方波也应用于液晶显示器的背板。 特性 4.5 V至5.5 VV CC 操作 BCD代码存储的输入锁存器 消隐功能 补充输出的相位输入 扇出(超温范围) 标准输出 - 10 LSTTL负载 平衡传播延迟和转换时间 与LSTTL逻辑IC相比显着降低功耗 直接LSTTL输入逻辑兼容性,V IL = 0.8 V最大值,V IH = 2 V最小值 CMOS输入兼容性,I I 1μA@ V OL ,V OH < /DIV> 参数 与其它产品相比 编码器和解码器   Function Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Channels (#) Voltage (Nom) (V) F @ Nom Voltage (Max) (Mhz) ICC @ Nom Voltage (Max) (mA) tpd @ Nom Voltage (Max) (ns) Configuration Type IOL (Max) (...

发表于 08-28 11:23 47次 阅读
CD74HCT4543 用于 LCD 的高速 CMOS 逻辑 BCD 至 7 段锁存器/解码器/驱动器

CC2533 用于 2.4GHz IEEE 802.15.4 和 ZigBee 应用的真正的片上系统解决方案

CC2533是基于IEEE 802.15.4的远程控制系统的优化片上系统(SoC)解决方案。当用作灵活的SoC时,它可以以低物料成本构建单芯片遥控器。当在RemoTI RF4CE堆栈的无线网络处理器配置中使用时,它还提供了将RF4CE功能添加到设备或目标的简单路径。可以以非常低的总物料清单成本构建强大的网络节点。 CC2533将领先的RF收发器的卓越性能与单周期8051兼容CPU相结合,最高可达96 KB - 系统可编程闪存,高达6 KB RAM,以及许多其他强大功能。 CC2533具有高效的功耗模式,RAM和寄存器保持低于1μA,非常适合需要超低功耗的低占空比系统。工作模式之间的短转换时间进一步确保了低能耗。 结合德州仪器的黄金单元状态RemoTI堆栈,CC2533提供了强大而完整的ZigBee RF4CE远程控制解决方案。它也非常适合在具有SPI /UART /I 2 C接口的网络处理器配置中实现远程控制系统的目标端。 CC2533配有参考设计和实现远程控制系统的示例软件,以确保高效的设计。 CC2533有三种内存大小配置: CC2533F32 - 32 KB闪存,4 KB RAM CC2533F64 - 64 KB闪存,4 KB RAM CC2533F96 - 96 K...

发表于 08-21 18:44 65次 阅读
CC2533 用于 2.4GHz IEEE 802.15.4 和 ZigBee 应用的真正的片上系统解决方案

TRPGR30ATGA TRPGR30ATGA 23mm 低频玻璃封装应答器,R/O

德州仪器(TI)23mm低频(LF)玻璃应答器提供出色性能并可在134.2kHz的共振频率上运行。此产品兼容ISO /IEC 11784/11785全球开放式标准。德州仪器(TI)LF玻璃应答器使用TI获专利的调谐制造工艺生产以提供持续的读取性能。送货前,将对此应答器进行全面的功能和参数测试,为用户提供他们所期望从TI获得的高质量产品。 特性 由获专利的半双工(HDX)技术提供的同类产品中最佳性能 获专利的应用器调谐提供稳定的和高读取性能 80位只读类型 64位芯片ID 对几乎所有非金属物质不敏感< /li> 应用范围 车辆识别 集装箱跟踪 资产管理 参数 与其它产品相比 其他无线技术   Frequency Device Type Standard Transmission Principle Operating Temperature Range (C) Approx. Price (US$) Rating   var link = "zh_CN_folder_p_quick_link_description_features_parametrics"; com.TI.Product.handleQuickLinks('parametric','参数变化','#parametrics',link); TRPGR30ATGA 134.2 kHz     Transponder     ISO11785     HDX - F...

发表于 08-20 18:04 45次 阅读
TRPGR30ATGA TRPGR30ATGA 23mm 低频玻璃封装应答器,R/O

RF-HDT-AJLE Tag-it™ HF-I 标准感应器芯片(晶圆、凸块、在磁带上标记、磨削、锯动)

Tag-it HF-I标准应答器IC是TI 13.56 MHz产品系列的一部分,该产品系列基于ISO /IEC 15693标准,适用于非接触式集成用于物品管理的电路卡(邻近卡)和ISO /IEC 18000-3标准。 Tag-it HF-I标准应答器IC构建了各种可用嵌体形状的基础,这些形状在需要快速准确识别物品的市场中用作消耗品智能标签。 用户数据被写入和读取使用非易失性EEPROM硅技术的存储器模块。每个块都可由用户单独编程,并且可以锁定以防止数据被修改。一旦数据被“锁定”,则无法更改。 举一些例子,有关交货检查点和时间,原产地/目的地,托盘分配,库存号甚至运输路线的信息可以是编码到发送应答器中。 可以使用唯一标识符(UID)识别,读取和写入多个发送应答器,这些发送应答器出现在读取器RF字段中,该标识符在工厂编程和锁定。 特性 低功耗全双工转发器IC 符合ISO /IEC 15693和ISO /IEC 18000-3标准标准 以13.56 MHz载波频率工作 每个IC具有64位工厂编程的唯一地址(UID) 参数 与其它产品相比 其他无线技术   Frequency Device Type Standard Transmission Principle Operating Tempe...

发表于 08-20 18:01 63次 阅读
RF-HDT-AJLE Tag-it™ HF-I 标准感应器芯片(晶圆、凸块、在磁带上标记、磨削、锯动)

RF-HDT-DVBE 基于 Tag-it HF-I 标准芯片的 13.56MHz Overmolded 感应器

德州仪器的13.56-MHz封装标准转发器符合ISO /IEC 15693和ISO /IEC 18000-3全球开放标准。该产品提供256位用户可访问存储器,以8个块组织,并具有优化的命令集。 专为恶劣环境而设计,例如洗衣店的服装跟踪,每个发送应答器都有一个64位工厂编程的只读号码,它也可以激光雕刻在发送应答器外壳上。在交付之前,应答器经过完整的功能和参数测试,以提供客户期望从TI获得的高质量。 13.56-MHz封装的标准发送应答器非常适合各种应用,包括但不限于洗衣服装跟踪,过程自动化,产品认证和资产管理。 特性 ISO /IEC 15693-2,-3;符合ISO /IEC 18000-3 13.56-MHz工作频率 8×32位块中的256位用户存储器 每个用户和工厂锁定阻止 应用程序系列标识符(AFI) 快速同时识别(防碰撞) 参数 与其它产品相比 其他无线技术   Frequency Device Type Standard Transmission Principle Operating Temperature Range (C) Approx. Price (US$) Rating   var link = "zh_CN_folder_p_quick_link_description_features_parametrics"; com.TI.Product.handleQuickLinks('pa...

发表于 08-20 17:58 49次 阅读
RF-HDT-DVBE 基于 Tag-it HF-I 标准芯片的 13.56MHz Overmolded 感应器

RI-ACC-008B RI-RFM-008B, RI-ACC-008B

RI-RFM-007B射频功率模块能够驱动各种天线,电感范围为26.0μH至27.9μH,包括TI标准天线RI- ANT-G01E,RI-ANT-G02E,RI-ANT-G04E门天线以及RI-ANT-S01C和RI-ANT-S02C棒状天线。 RI-RFM-007B模块的组合带控制模块非常适合广泛的应用,包括但不限于门禁控制,车辆识别,集装箱跟踪,资产管理和废物管理应用。 特性 常见 可变电源范围 多读取器阵列中的同步控制 高功率输出 标准RFM 电容调谐至共振 支持最长10米的天线电缆长度(取决于天线设计) 远程天线RFM 支持长达120米的天线电缆长度 电容和电感调谐到谐振< /li> 参数 与其它产品相比 其他无线技术   Frequency Device Type Standard Transmission Principle Operating Temperature Range (C) Approx. Price (US$) Rating   var link = "zh_CN_folder_p_quick_link_description_features_parametrics"; com.TI.Product.handleQuickLinks('parametric','参数变化','#parametrics',link); RI-ACC-008B 134.2 kHz     Reader     N/A     ...

发表于 08-20 17:58 63次 阅读
RI-ACC-008B RI-RFM-008B, RI-ACC-008B

RF430CL331H RF430CL331H 动态 NFC 接口应答器

德州仪器(TI)动态近场通信(NFC)/射频识别(RFID)接口应答器RF430CL331H是一款NFC标签类型4器件,可结合一个非接触式NFC /RFID接口和一个有线I 2 C接口将器件连接到主机.NDEF消息可通过集成的I 2 C串行通信接口读写,也可通过支持高达848kbps速率的集成ISO /IEC 14443标准类型B RF接口进行非接触式访问或更新。 该器件按主机控制器的需求请求响应NFC类型4命令,每次仅在其缓存中存储部分NDEF消息。这使得NDEF消息的大小仅受主机控制器的存储器容量以及规范的限制。 该器件支持读缓存,预取和写自动确认功能,可提高数据吞吐量。 该器件可利用简单而直观的NFC连接切换来替代载波方式,只需一次点击操作即可完成诸如,低功耗(BLE)或Wi- Fi的配对过程或认证过程。 作为一个常见N. FC接口,RF430CL331H使得终端设备能够与启用NFC的智能手机,平板电脑和笔记本电脑这类快速发展的基础设施进行通信。 特性 通过直通操作向主机控制器发送数据更新和请求 I 2 C接口允许对内部静态随机存取存储器(SRAM)进行读写操作 预取,缓存和自动应答特性提高数据吞吐量 支持数据流 <...

发表于 08-20 17:57 70次 阅读
RF430CL331H RF430CL331H 动态 NFC 接口应答器

CC8531 用于无线数字音频流的 PurePath™ 无线 2.4GHz 射频 SoC

PurePath™无线平台是一种经济高效的低功耗解决方案,专为高质量数字音频的无线传输而优化。 CC85xx包含强大的内置无线音频传输协议,可以控制所选的外部音频设备。利用多种共存机制,CC85xx可以避免干扰或受到其他2.4 GHz无线电系统的干扰。 CC85xx可以自主运行,可以在有或没有外部MCU的情况下使用。外部主处理器可以通过SPI连接并控制其操作的某些方面。 CC85xx可与其他TI音频IC和DSP轻松连接(使用I2S和DSP /TDM接口)。更多详细信息,请参见CC85xx系列用户指南。 特性 内置音频协议 CD质量无压缩音频 通过多种技术实现出色的稳健性和共存 自适应跳频 前向ErrorCorrection 缓冲和重传 错误隐藏 可选的高质量音频压缩 在自主模式下使用时无需开发软件 外部系统 可以自主使用,或者可以通过外部主机MCU控制以获得最大的灵活性 外部音频编解码器,DAC的无缝连接和控制/ADC和数字音频放大器使用I 2 S和I 2 C HID功能类似于电源控制,配对,音量控制,< br>音频通道选择eand等。可以映射到I /O 符合RoHS标准的6 mm x 6 mm QFN-40封装 RF部分 < ul> 5或2 Mbps空中数...

发表于 08-20 17:55 118次 阅读
CC8531 用于无线数字音频流的 PurePath™ 无线 2.4GHz 射频 SoC

RI-RFM-007B RI-RFM-007B, RI-RFM-008B, RI-ACC-008B

RI-RFM-007B射频功率模块能够驱动各种天线,电感范围为26.0μH至27.9μH,包括TI标准天线RI- ANT-G01E,RI-ANT-G02E,RI-ANT-G04E门天线以及RI-ANT-S01C和RI-ANT-S02C棒状天线。 RI-RFM-007B模块的组合带控制模块非常适合广泛的应用,包括但不限于门禁控制,车辆识别,集装箱跟踪,资产管理和废物管理应用。 特性 常见 可变电源范围 多读取器阵列中的同步控制 高功率输出 标准RFM 电容调谐至共振 支持最长10米的天线电缆长度(取决于天线设计) 远程天线RFM 支持长达120米的天线电缆长度 电容和电感调谐到谐振< /li> 参数 与其它产品相比 其他无线技术   Frequency Device Type Standard Transmission Principle Operating Temperature Range (C) Approx. Price (US$) Rating   var link = "zh_CN_folder_p_quick_link_description_features_parametrics"; com.TI.Product.handleQuickLinks('parametric','参数变化','#parametrics',link); RI-RFM-007B 134.2 kHz     Reader     ISO 11785 ...

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CC3200MOD SimpleLink Wi-Fi CC3200 片上因特网无线 MCU 模块

使用业界首款可编程FCC,IC,CE和Wi-Fi认证无线微控制器(MCU)模块,内置Wi-Fi,开始您的设计连接。 SimpleLink CC3200MOD专为物联网(IoT)而创建,是一个集成了ARM Cortex-M4 MCU的无线MCU模块,允许客户使用单个设备开发整个应用程序。凭借片上Wi-Fi,互联网和强大的安全协议,无需先前的Wi-Fi体验即可加快开发速度。 CC3200MOD将所有必需的系统级硬件组件(包括时钟,SPI闪存,RF开关和无源元件)集成到LGA封装中,以便于组装和低成本PCB设计。 CC3200MOD作为完整的平台解决方案提供,包括软件,样本应用,工具,用户和编程指南,参考设计以及TI E2E支持社区。 应用MCU子系统包含行业标准的ARM Cortex- M4内核以80 MHz运行。 该器件包括各种外设,包括快速并行相机接口,I2S,SD /MMC,UART,SPI,I2C和四通道ADC。 CC3200系列包括用于代码和数据的灵活嵌入式RAM;带外部串行闪存引导程序和外设驱动程序的ROM;用于Wi-Fi网络处理器服务包,Wi-Fi证书和凭证的SPI闪存。 Wi-Fi网络处理器子系统具有Wi-Fi片上网络,并包含一个附加功能专用的ARM...

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CC3200MOD SimpleLink Wi-Fi CC3200 片上因特网无线 MCU 模块

RI-INL-R9QM 24mm 圆形 Inlay R/O

德州仪器的24 mm LF圆盘嵌体提供卓越的性能,并在134.2 kHz的共振频率下运行。该产品符合ISO /IEC 11784/11785全球开放标准。德州仪器LF嵌体采用TI专利调谐工艺制造,可提供一致的读写性能。在交付之前,嵌体经过完整的功能和参数测试,以提供TI期望的高质量客户。嵌体非常适合广泛的应用,包括但不限于访问控制,车辆识别,容器跟踪,资产管理和废物管理应用,以及各种封装过程。 特性 通过专利的HDX(半双工)技术实现一流的性能 获得专利的转发器调整可提供稳定的高读/写性能 64位只读,80位读/写 对几乎所有非金属材料不敏感 应用程序 访问控制< /li> 车辆识别 集装箱跟踪 资产管理 废物管理 TI-RFid是德州仪器的商标 参数 与其它产品相比 其他无线技术   Frequency Device Type Standard Transmission Principle Operating Temperature Range (C) Approx. Price (US$) Rating   var link = "zh_CN_folder_p_quick_link_description_features_parametrics"; com.TI.Product.handleQuickLinks('parametric','参数变化','#parametrics',link); RI-INL-R...

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RI-INL-R9QM 24mm 圆形 Inlay R/O

RI-RFM-008B RI-RFM-008B, RI-ACC-008B

RI-RFM-007B射频功率模块能够驱动各种天线,电感范围为26.0μH至27.9μH,包括TI标准天线RI- ANT-G01E,RI-ANT-G02E,RI-ANT-G04E门天线以及RI-ANT-S01C和RI-ANT-S02C棒状天线。 RI-RFM-007B模块的组合带控制模块非常适合广泛的应用,包括但不限于门禁控制,车辆识别,集装箱跟踪,资产管理和废物管理应用。 特性 常见 可变电源范围 多读取器阵列中的同步控制 高功率输出 标准RFM 电容调谐至共振 支持最长10米的天线电缆长度(取决于天线设计) 远程天线RFM 支持长达120米的天线电缆长度 电容和电感调谐到谐振< /li> 参数 与其它产品相比 其他无线技术   Frequency Device Type Standard Transmission Principle Operating Temperature Range (C) Approx. Price (US$) Rating   var link = "zh_CN_folder_p_quick_link_description_features_parametrics"; com.TI.Product.handleQuickLinks('parametric','参数变化','#parametrics',link); RI-RFM-008B 134.2 kHz     Reader     ISO 11785 ...

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RI-RFM-008B RI-RFM-008B, RI-ACC-008B

RI-CTL-MB6B 具有 USB 和 RS422/485 接口的 2000 系列控制模块

与其它产品相比 其他无线技术   Frequency Device Type Standard Transmission Principle Operating Temperature Range (C) Approx. Price (US$) Rating   var link = "zh_CN_folder_p_quick_link_description_features_parametrics"; com.TI.Product.handleQuickLinks('parametric','参数变化','#parametrics',link); RI-CTL-MB6B 134.2 kHz     Reader     N/A     N/A     -40 to 85     347.11 | 100u     Catalog    

发表于 08-20 17:51 18次 阅读
RI-CTL-MB6B 具有 USB 和 RS422/485 接口的 2000 系列控制模块