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从美国集成电路的发展历程看“中国芯”的困境

2018-05-17 14:59 次阅读

文/西雅图雷尼尔

另前言

昨天饭统戴老板的文章刷屏了,文章更多是从产业历史,家国情怀,产业投资等角度叙述的。我不否认这些很重要,但从美苏日台韩的经验教训来说,靠这些根本不够的。

本来这是我的一个系列文章:试图回顾美国芯片技术发展的历史,带来一些启发。本想等一起写完再全部放出来的,但是现在为了“中国芯”大讨论提供一些观点,提前整理放出来一篇。

芯片技术并不是外星科技,而是人类科技发展到一定程度,智慧的高度结晶,每一次进步都有它的内在逻辑。今年中兴断芯的危机,引发了一场全民大反思,为什么中国缺芯?其实在芯片方面,即使很多核心科学技术方面远超中国的前苏联也远远落后于西方国家。

20 世纪的科技革命

首先,我们回顾一下 20 世纪发生的技术革命:

20 世纪人类首先经历了无线电技术革命,发明了电报,电话等技术。因为无线电技术的广泛使用,又催生了真空电子管技术。第二次世界大战,冷战中的太空竞赛,推动了军事技术的革命。军事技术的革命,催生了集成电路产业革命。由于芯片技术的成熟,又催生了个人电脑的技术革命。当个人电脑技术革命完成之后,又催生了互联网的革命。进入二十一世纪,其实还可以加一个移动互联网的的革命。

每次技术革命浪潮,都是以前面的一个技术革命为基础。由于中国的历史原因,几乎错过了所有的技术革命,只抓住了互联网革命的尾巴,并在此基础上快速抓住了移动互联网革命,一下子走在了世界前列。

然而这些优势都是建立在前面几场技术革命基础上的,如果今天美国及其盟国,对中国进行最严格的禁运:

大部分的PC技术革命的成果不复存在。

因为中国没有扎实地走过PC革命这一步,从硬件到操作系统,从行业软件到通用软件都没有拿得出手的产品。联想是个典型的例子。

大量依赖于集成电路的产品都无法顺利研发与生产。

因为中国没有扎实走过集成电路革命这一步,即便是落后的生产线,也是依赖于进口设备。

如果谈航空发动机的问题,那还要补机械,材料,数学,力学的课。

如果缺课后没有认真补课,那么期末考试的时候都要还会来的。

电子管时代

1883 年,爱迪生正在为寻找电灯泡最佳灯丝材料,曾做过一个小小的实验。结果,他发现了一个奇怪的现象:金属片虽然没有与灯丝接触,但如果在它们之间加上电压,灯丝就会产生一股电流,射向附近的金属片。

爱迪生效应

爱迪生效应

这股神秘的电流是从哪里来的?爱迪生也无法解释,但这不妨碍他不失时机地将这一发明注册了专利,并称之为“爱迪生效应”。

虽然后来,有人证明电流的产生是因为炽热的金属能向周围发射电子造成的。但最先预见到这一效应具有实用价值的,则是英国物理学家和电气工程师弗莱明(Sir John Ambrose Fleming)。

1904 年弗莱明利用爱迪生效应搞出来的第一个二极管(Diode),并获得了专利。这个二极管干可以用来做无线电电报的检波器。二极管这个东西在实验室中很好,但是一到实际应用场合就不很稳定。

第一个二极管  1904 年 10 月份

第一个二极管1904 年 10 月份

二极管专利原文

二极管专利原文

1906 年美国发明家,Lee de Forest (这个人故事很多)在二极管的灯丝之间巧妙加了一个栅板,从而发明了第一个真空电子三极管。 (grid Audion) 用于检波放大。我估计Lee打死也没有想到他这个发明的意义。

三极管的专利原文  1907 年 1 月提交

三极管的专利原文1907 年 1 月提交

但是早期的真空三极管真空度不高,导致性能不稳定。

1912 年,美国通用电气公司和美国电话电报公司合作研制出了高真空电子三极管,电子三极管的应用进入快车道。 这是具有划时代意义的产品,直接创造出了广播,电视,计算机等行业,是今天电子产品的奠基石。

第一台电子计算机 ENIAC

第一台电子计算机 ENIAC

1943 年,当二战激战正酣时,美军迫切需要高速计算工具,以计算炮弹的弹道。在迅速获得 15 万美元的预算后,速度成为第一诉求,继电器在收到信号后因为有百分之一秒延时而拖慢计算速度注定要被抛弃。真空三极管无机械结构,让计算机可以快速的通过控制栅极电流,来开启或关断电子管两端的电流,获得比继电器速度快成千上万倍的开关速度。这对于提升当时计算机的速度大有好处。正因为这样的优势,让电子管击败继电器,成为早期计算机的核心运算部件。 

第一台电子计算机用了 : 17468 个电子三极管、 7200 个电子二极管。

电子管比继电器的优点,快,显而易见。但是在制造ENIAC的过程中电子管的问题也暴露出来了,傻大笨粗。 ENIAC总重达 30 吨!

晶体管时代

二战结束后,美国贝尔实验室成立了一个固体物理研究小组,他们试图要制造一种能替代电子管的半导体器件,天才兼人渣威廉肖克利任组长。

肖克利是一位人渣,但不妨碍他也是一位天才。此人能力很强,但是人品和管理非常糟糕,这也为后来肖克利实验室的失败埋下了伏笔。但是此人的能力绝对一流的。

1936 年他在导师Davisson的指导下发表了多篇固体物理论文,并于 1938 年获得第一个专利“电子倍增放大器”。

1939 年他还设计了第一个场效应管,尽管当时这个器件没有被制造出来,但是这个模型在集成电路中广泛使用。

贝尔实验室就对半导体材料进行了研究,发现掺杂的半导体整流性能比电子管好。因此小组把注意力放在了锗和硅这两种半导体材料上。在肖克利的领导下,他们尝试、失败、再尝试、再失败。

1947 年 12 月 15 日,这种实验结出了硕果:他们用刀片在三角形金箔上划出了两道极细的缝隙,然后两边分别接上导线,用弹簧将其压进锗块表面。这是一个由锗、电池、金线、弹簧、纸板、组成的小装置。连好线后,当锗块上的两个接触点越来越近时,他们观察到了电压放大作用:1.3v电压被放大了 15 倍!

改变历史的第一个晶体管诞生了。

贝尔实验室第一个点接触式晶体管

贝尔实验室第一个点接触式晶体管

在贝尔实验室申请专利的时候,专利律师认为,肖克利的一项专利与新发明的专利之间有冲突,所以没把他加上。

肖克利火了,晶体管的诞生是基于他的理论,晶体管的研究他也直接参与了,但是最后专利上没有他的名字。他一生气,自己关了一个月后,在 1948 年 1 月 23 日,提出了更为先进可行的结晶型晶体三极管构想(Junction  transistor)。

1950 年 11 月,第一只结晶型三极管研制成功。这是今天所有集成电路的鼻祖。同时他还出版了一本书,详细阐述了结晶型半导体器件的理论和原理。让所有人都知道到底谁是晶体管之父。

肖克利的天才让他靠这个成果,赢得了诺贝尔奖。但是他的人渣特性,也让贝尔实验室的研发团队遭受重大挫折。但这不妨碍,晶体管开始逐渐替代电子管。最直接的产品就是收音机。

 1950 年代,第一代的晶体管收音机,大大降低了成本和体积

1950 年代,第一代的晶体管收音机,大大降低了成本和体积

而相比较的是中国,在 1960 年代还在大规模生产电子管的收音机,很晚才大规模生产出晶体管收音机。

上海 144 电子管收音机

上海 144 电子管收音机

集成电路时代-从实验室到市场

在 1950 年代末,美苏进入太空竞赛阶段。

苏联早早地把人送上了太空。美国急需将各种设备小型化,需要把大量电子管的产品替换成晶体管的产品。早期的晶体管技术还是实验室技术,离大规模生产还有一大段距离。

国内经常有一种错觉:

我们用集中力量办大事的模式,在实验室搞出一个产品,就真的“填补了国内空白,达到国际先进水平”。

从实验室到市场有非常长的路要走,也是最难走的。

晶体管之父肖克利在发明三极管后离开了贝尔实验室,去找了一批最优秀的科学家准备产业化生产晶体管。可惜肖克利这个人相当mean,管理能力一塌糊涂。从肖克利实验室中分裂出了大名鼎鼎的“仙童八叛将”。

仙童八叛将( 3 位是移民)

仙童八叛将( 3 位是移民)

这八个人中有一位Kleinier ,找到了负责他爸爸企业银行业务的纽约海•登斯通投资银行(Hayden Stone & Co。)。他们给投资银行去了封信,附了一份投资计划(BP)计划书除了提到他们曾在诺贝尔奖得主及晶体管发明人手下工作过。这份计划书,转到了投行员工Arthur Rock的手上,他敏锐地发现了其中的机会。Rock认为他和这 8 个人一起成立公司,开发半导体器件。

Rock说服自己的老板Coyle一起去加州见这 8 个人。Kleiner说,他们计划用硅产业化制造晶体管,如果成功,将是一场电子工业革命!

两个银行家被打动了,Coyle说,我没有准备协议书,拍出 10 张一美元的纸币,哥们,要入伙的,在上面签字。仙童八叛将与两位银行家在 1 美元纸币上签了名字。

硅谷第一家真正意义上的由风险投资资本投资创业的半导体公司诞生了!

收藏在斯坦福图书馆的签名版 1 美元纸币

收藏在斯坦福图书馆的签名版 1 美元纸币

1957 年 9 月 18 日,八个年轻人向肖克利辞职。肖克利没想到,他这些员工居然不感恩戴德,反要辞职。肖克利大怒,称他们为“叛逆八人帮”(traitorous eight)。肖克利创造的“叛逆八人帮”一词,很快成了一个硅谷传奇、一个高科技传奇、一个美国传奇。这种叛逆精神成了硅谷的一种全新的创业精神,影响了几代硅谷人。

美苏冷战给仙童带来了巨大的发展机会,仙童公司的销售在报纸上得知IBM在为空军设计导航计算机,但是找不到合适的晶体管。德州仪器的硅管没能通过IBM测试。仙童公司迅速抓住了机会,通过大股东的关系,找到了IBM,拿到了第一张订单 :IBM向仙童以每个 150 美元的价格,订购 100 个硅管。半年后,仙童八叛将,将 100 个双扩散NPN型晶体管交付给IBM。

这时是 1958 年,公司成立仅仅 1 年!

虽然,传统的电子管替换成晶体管,减少了体积。但是随着晶体管越堆越多,新的问题出现了:电路中器件和连线也越来越多,电路的布线和响应都遇到了瓶颈。唯一的出路就是缩小电路尺寸。

1958 年,仙童八叛将之一的Jean Hoerni发明了平面工艺,解决了晶体管的绝缘和连线问题。技术上解决了把晶体管拍平放在同一个晶片上的问题。

1959 年 1 月 23 日,仙童八叛将之一的Noyce,写下了:如何制造集成电路问题,可以把不同的元件制作在一块晶片上,然后用平面工艺再把各个元件连接起来。这样,就可以在一个硅片上实现一个逻辑电路。大大减少了尺寸,布线,功耗,成本。

而与此同时 1958 年 7 月 24 日,德州仪器TI的Kilby在工作笔记中也写道:

“由很多器件组成的极小的微型电路是可以在一块晶片上制作出来的。由电阻、电容、二极管和三极管组成的电路可以被集成在一块晶片上。”而且他在笔记中记录了大概的工艺构思。

1958 年 8 月 28 日,Kilby把他自己的设想实现了:

很快他对电路做了一些改进。在这个时间节点上很多有技术实力的公司都在冲刺集成电路。一家叫RCA的公司,准备在 1959 年初递交集成电路专利。TI非常紧张,赶紧帮Kilby 准备了宽泛的专利,于 2 月 6 日交给了专利局。

而此时仙童公司也在 1959 年 2 月提交了集成电路的专利申请书,但是强调了仙童的集成电路使用平面工艺来制造集成电路的。

 1959 年 8 月仙童公司展示的第一块商业集成电路

1959 年 8 月仙童公司展示的第一块商业集成电路

TI和仙童公司进入旷日长久的专利诉讼。最后的结果是,法庭将集成电路的发明权授予了TI的Kilby,内部连线技术专利授予了Noyce。相当于承认他们两人是集成电路的共同发明人。 1966 年,双方达成协议,承认对方享有部分集成电路发明专利权,其他任何生产集成电路的厂商,都要从TI和仙童取得授权。

从此人类社会进入集成电路时代,摩尔定律一步一步提高晶体管的集成度。今天随便一个PC的CPU内部都是 10 亿以上的晶体管。

而在集成电路这次技术革命上,中国和苏联已经在科技树上走到叉道上去了。

苏联的芯片之痛

前苏联的科学家一直是非常出色的,在跟踪了西方发展之后:

1953 年,就搞出了苏联第一批的点接触锗型晶体管。

1955 年,面接触锗型晶体管问世。

1956 年,硅晶体管问世,比美国仅仅晚了 6 年。

但是苏联在科技上走的很多一些弯路是学阀造成的。最典型的例子是苏联生物学中李森科,极大阻碍了苏联的生物学发展,凡是不同意见,哪怕仅仅是学术意见不同,统统封杀。

苏联的集成电路的产业化在苏联内部遭到了各种阻力,有些是出于部门利益,有些是出于无知,有些是出于学术分歧。苏联半导体权威约飞院士都不支持锗半导体研究,据复旦大学物理系教授王讯回 忆 1956 年他在中国科学院物理研究所进行半导体研究实习的时候说:

当时国内的锗、硅半导体材料是根本没有的,在苏联也不重视对锗材料和锗晶体管的研究。苏联当时半导体界受其权威约飞的控制,只相信他们自己的研究方向,做半导体热电效应和温差发电等。国内的研究受到他们影响,因为当时国家的十二年科学规划是苏联专家帮助制订的。所以在 1955 年,我们只能做氧化亚铜,这种材料是早期发现的一种半导体材料。

由于苏联国内的斗争, 1956 年在苏联部长会议一次讨论中,出现了“晶体管永远不会成为一个有用的东西,充其量就是做助听器,让社会保障机构去干 吧!”的结论。

youtube上苏联战机内部部分设备拆机图,集成度很低

youtube上苏联战机内部部分设备拆机图,集成度很低

然后苏联人就拼命攀爬缩小电子管这条羊肠小道去了,爬错科技树,而且不知道悔改。一直走到黑,真空电子管再也无法缩小了。然后再去爬集成电路技术已经晚了。

苏联错过了集成电路革命,也就错过了计算机革命,错过了互联网革命,更不要说什么移动互联网了。继承苏联衣钵的俄罗斯,黑客的能力很强,但是整个计算机产业真是乏善可陈,芯片市场份额仅占全球1%都不到。

苏联的失败例子其实对中国的科研非常有参考意义,有机会详细阐述。

中国芯的出路

“中国芯”不是第一次进入公众视野了,上一次高峰在 2003 年前后。当时都说搞IC的将来都是金领。我同学中最优秀的那部分人,很多人选择了VLSI方向。多年以后还在IC这个行业的已经非常少了。

上一波“中国芯”集中在 2000 年前后爆发不是没有原因的:中国市场的自身的需求以及政府的扶持。前国家领导人就有从电子工业部出身的,对集成电路的方向和重要性非常清楚,国家一直对集成电路行业扶持有加,但是种下的是龙种长出的是跳蚤。

2003 年前后中国的集成电路市场上大大小小玩家一堆,杭州有士兰微,上海有上海贝岭,华虹NEC,北京有中星微,大唐微电子。当初我还为了攒钱给女朋友买诺基亚手机,暑假去了某IC设计公司兼职。

 2003 年前后集成电路变化

2003 年前后集成电路变化

如果市场应用驱动芯片行业的健康发展,重现硅谷创新完全是可能的。但是那个时候集成电路成为了所谓风口,无数资金涌了进来,充满了各种躁动。

眼见他起高楼,眼见他宴宾客,眼见他楼塌了:

比如 2005 年凭借摄像头芯片,中星微登陆纳斯达克。中星微电子应该是国内第一个登陆纳斯达克的芯片股,然而中星微上市后,公司很快就蜕变成一个国企式伪科技企业, 2015 年中星微黯然退市。白白错过了中国移动互联网爆发的十年。不过创始人,混上了院士,也算如愿所偿。

直到 2006 年陈进的汉芯事件公之于众,芯片热潮才慢慢退去。

2018 年芯片热潮已经袭来,听投资人吐槽,上个月还在搞p2p的团队,这个月已经把BP改成芯片概念的了,如之奈何。

如果我们重看电子管到晶体管的漫长演化,看看苏联的集成电路产业是如何落后的,我们不禁要想想,两弹一星的模式是否适用于集成电路,高铁模式是否集成电路?我们要想在集成电路领域里面赶上国际先进水平缺什么?

从晶体管到电子管,我们可以看到:

人才

每次技术革命的发生都是一些优秀的人才,在一个一个节点上进行突破。科学家也不仅仅是美国人,有英国人,加拿大人,日本人。

但是中国现在的很多行业都存在一个问题,更愿意去挖人才,而不是去培养人才。而且由于种种原因,尤其是收入的压力,使得很多人不得不放弃这个行业。

知识产权保护

大家都要注意到每次技术小突破后,都会有专利来保护技术的革新。发明家,创新的公司也可以依靠专利获得巨大的收益。这样能让创新的力量不断地去创新。

这个我在我公号里说过无数遍了,也举了很多例子。如果知识产权保护的薄弱,那么我们不仅无法追上集成电路,将来的纳米管,量子计算等等方向上也会毫无建树。

前瞻的研究,宽松的学术氛围

超越电子管的未必是电子管,可能是硅管,也可能是锗管,也可能是其他。超越集成电路的也许是光计算,也许是量子计算,也许是生物计算。但肯定不是“透明计算”!

李森科毁掉了苏联的生物学,约飞毁掉了苏联的集成电路。学术自由,宽松的学术氛围,才有可能培育创新。

苏联有学阀,中国的大学,科研机构的近亲繁殖,学阀也不少。

反过来看看美国自己顾问团给美国总统提的建议《持续巩固美国半导体产业领导地位》

建议 3.1:加强人才培养和引进。全球聚集在人才密集的地方。随着技术进步和无晶圆模式的发展,推动半导体创新和生产所需的人才正在发生变化。美国应加强其本土人才的培养,同时吸引来自全球各地的人才。

建议 3.2:加强对先进技术研究的投资。

先进技术研究对于持续推动半导体产业发展和创新至关重要。

半导体产品和计算技术的未来关键在于多维度创新:执行计算的新方法(如非冯诺依曼和近似计算),非硅材料的利用率(如用于计算和存储的碳纳米管和 DNA),以及将半导体产品集成进我们所用设备的新方法(如嵌入织物与物联网)。(关于创新机会的进一步讨论见附录 A,特别是表 A1。)这与传统的摩尔定律将大多数创新专注于定期增加一个芯片上的晶体管的数量不同。它将更专注于创新的多维度,其中许多是新颖的,并且在创新力量特别强大的美国它还能发挥作用。

建议 3.3:推进公司税收改革。

美国的税收制度对重资产行业高征税以遏制资本投资。半导体行业,特别是半导体制造业,是资本密集型产业。为了鼓励半导体产业以市场为导向的投资,应当在保证公平性的前提下,改革公司税制,为企业在全球竞争中营造更有吸引力的环境。

小结

不知道为什么国内好像对科技史一点都不感兴趣,整个中文网络对于国外科技史的发展都是只言片语,也许我们更喜欢吃桃子,而不想知道这个桃树是怎么种出来的。

所以我从真空电子三极管的发明到晶体管的发明,到集成电路的发明,到分析为什么苏联集成电路也没有搞起来。真正想说明几个事情:

情怀不能当饭吃

芯片的产业化,需要依靠无数百万年薪的顶级工程师,而不是把希望寄托在拿几千块工资骑自行车上下班的老专家们的无私奉献。如果不能正确认识这个问题,中国人只能在产业一次又一次的挫折中,去怀念那些记忆中的劳模和雷锋。

(引用自网友评论)

真正的高科技是抄不来的。

即使是抄答案,抄完之后自己不重新做一遍,也是白搭。军工领域里最典型的例子就是枭龙vs歼八Z

没有良好的环境,创新是不会发生的。

砸钱,搞收购,挖牛人,自己的产学研乌烟瘴气是搞不好集成电路的。即使抄到了最好的答案,很快也会落伍的。

有时很值得想想,即便时光倒流,我们今天的环境穿越到了电子管vs晶体管的时代,以我们现在的研发土壤,用人机制,政府政策,知识产权环境能否迭代出集成电路行业呢?答案是令人沮丧的。

另外不要再缺席旷课了。不要再缺席旷课了。不要再缺席旷课了。

 
 
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近两年来,国内硅片项目密集上马、“遍地开花”,日前再添一个百亿级大硅片项目。
的头像 半导体动态 发表于 01-21 15:16 376次 阅读
嘉兴再添百亿级大硅片项目 建成后预计实现年销售产值达35亿元

中美科技摩擦频发,全球半导体现状如何?

中国半导体市场增速在17Q3至18Q1曾短暂低于全球增速,主要由于国内存储器产业仍处于突破初期,而本....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 01-21 15:08 2310次 阅读
中美科技摩擦频发,全球半导体现状如何?

2019年全球半导体产业的预期增长率降至1%

在苹果(Apple)下修财测后,众人对台积电首季的修正已有心理准备,但最后端出季减超过 20 % 的....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 01-21 14:53 483次 阅读
2019年全球半导体产业的预期增长率降至1%

回顾台积电的黄金十年

昨日,台积电举办了一场财报说明会。在会上,台积电方面表示,公司在去年营收月342亿美元,同比增长5.....
的头像 传感器技术 发表于 01-21 13:42 390次 阅读
回顾台积电的黄金十年

探析EUV光刻未来的发展趋势

用于高端逻辑半导体量产的EUV(Extreme Ultra-Violet,极紫外线光刻)曝光技术的未....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 01-21 10:45 282次 阅读
探析EUV光刻未来的发展趋势

美光诉福建晋华案件有了最新的进展

美光科技随后表示会提起上诉,认为诉讼所涉每项专利都已经获得授权,福建晋华和联华电子提出的诉讼完全不实....
的头像 芯论 发表于 01-21 10:02 709次 阅读
美光诉福建晋华案件有了最新的进展

传德淮半导体拖欠供应商货款,多项工程已停止建设

在这一市场和技术趋势下,2016年1月,德淮半导体有限公司(HiDM: Huaian Imaging....
的头像 半导体行业联盟 发表于 01-21 09:37 526次 阅读
传德淮半导体拖欠供应商货款,多项工程已停止建设

什么是电源模块?解决电源模块发热难题的方法

使用的是线性电源导致发热:线性电源工作原理通过调节调整管RW改变输出电压的大小。由于调整管相当于一个....
的头像 电子工程技术 发表于 01-20 10:00 432次 阅读
什么是电源模块?解决电源模块发热难题的方法

EDA平台构建的目的和意义

基于硅技术之上的半导体集成电路技术是现代信息技术的核心技术,半导体技术的发展造就了今天的信息化、网络....
发表于 01-20 09:51 66次 阅读
EDA平台构建的目的和意义

坚持以客户需求为导向 高云半导体推出两款集成大容量DRAM的FPGA芯片

广东高云半导体科技股份有限公司(以下简称“高云半导体”)今日宣布,高云半导体小蜜蜂家族新增两款集成大....
发表于 01-19 10:39 193次 阅读
坚持以客户需求为导向 高云半导体推出两款集成大容量DRAM的FPGA芯片

2018年中国集成电路产品进出口情况

据海关总署公布:2018年,中国集成电路进口量为4175.7亿块(个),同比增长10.80%。进口集....
的头像 集成电路园地 发表于 01-19 10:30 639次 阅读
2018年中国集成电路产品进出口情况

3000亿市场容量!半导体材料国产化亟待提升

半导体协会数据显示统计,2017-2020 年全球约有 63 座晶圆厂新建,其中约有 26 座晶圆厂....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 01-19 10:21 610次 阅读
3000亿市场容量!半导体材料国产化亟待提升

SEMI预测 半导体市场2019年仅成长2.6%

根据南韩媒体《the elec》的报导,根据国际半导体设备协会(SEMI)的资料显示,预期2019 ....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 01-19 10:04 414次 阅读
SEMI预测 半导体市场2019年仅成长2.6%

2018年中央和地方的集成电路政策你知道吗相关政策梳理整合

中央和地方层面相继出台了一系列的配套措施,从政策、资金、财税、人才培养、产业规划等领域推动产业发展,....
的头像 半导体投融资 发表于 01-19 09:58 400次 阅读
2018年中央和地方的集成电路政策你知道吗相关政策梳理整合

台积电营收成长停滞 全面冲击全球封测、设备及材料产业链

热闹多年的半导体产业2019年上半将遭遇寒风强袭,指标大厂台积电上半年营收成长将停滞、资本支出也略为....
的头像 DIGITIMES 发表于 01-19 09:46 417次 阅读
台积电营收成长停滞 全面冲击全球封测、设备及材料产业链

中国集成电路高贸易逆差是好还是坏

中国集成电路快速发展的过程中总会伴随很多热议的话题,其中之一就是“贸易逆差”。
的头像 TechSugar 发表于 01-19 09:27 460次 阅读
中国集成电路高贸易逆差是好还是坏

关于半导体FAB厂的技术100个问题汇总

关于FAB(代工厂)100问影响工厂成本的主要因素有哪些? 答:Direct Material 直....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 01-19 09:27 476次 阅读
关于半导体FAB厂的技术100个问题汇总

探讨2019年全球半导体市场发展趋势

2018年对我国半导体产业来说是不平凡的一年,受中美贸易摩擦以及中兴、华为等国际事件的影响,对全球产....
的头像 CINNO 发表于 01-19 08:58 668次 阅读
探讨2019年全球半导体市场发展趋势

飞凯材料苏斌:《积极探索显示及封测产业国内电子材料的发展机遇》的主题演讲

随着时间的推移,OLED的渗透率在慢慢提升,LCD的市场份额在慢慢的下降。我们先看LCD这块,全球的....
的头像 CINNO 发表于 01-18 17:52 3534次 阅读
飞凯材料苏斌:《积极探索显示及封测产业国内电子材料的发展机遇》的主题演讲

欧姆社学习-漫画半导体

《欧姆社学习漫画》是日本欧姆社自2004年7月开始出版的一系列漫画类学习教材。该图书主要讲述了电气学,物理学,数学以及生物科学...
发表于 01-17 22:25 374次 阅读
欧姆社学习-漫画半导体

“年货”采购进行时,华强芯城15家代购渠道全系列特惠,最高满减2000元

年关将至,元器件“年货”采购进行时华强芯城15家代购渠道,现已开启全系列型号特惠促销最高满减2000元成功下单还能享受积分翻倍...
发表于 01-16 16:34 155次 阅读
“年货”采购进行时,华强芯城15家代购渠道全系列特惠,最高满减2000元

MQ-K1型半导体气敏元件规格书

MQ-K1型半导体气敏元件规格书
发表于 01-16 09:06 76次 阅读
MQ-K1型半导体气敏元件规格书

基于运算放大器和模拟集成电路的电路设计习题答案

基于运算放大器和模拟集成电路的电路设计-习题答案 (953.21 KB ) (1.11 MB ) (770.98 KB ) (681.83 KB ) (1.1...
发表于 01-09 16:21 88次 阅读
基于运算放大器和模拟集成电路的电路设计习题答案

产品说明70820-5:提高半导体器件表征中的Delta时间精度

Product Note 70820-5: Microwave Transition Analyzer: Improve Delta Time Accuracies in Semiconductor Device M...
发表于 01-09 15:53 40次 阅读
产品说明70820-5:提高半导体器件表征中的Delta时间精度

【转帖】学会这八个电路设计技巧,你的专业素养将大大提升

1.使用框图 本技巧似乎显而易见,但往往被过分自信的人忽视,他们认为自己已经把要做的活都弄明白了。完全按照你的需要表述电路...
发表于 01-09 13:19 346次 阅读
【转帖】学会这八个电路设计技巧,你的专业素养将大大提升

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 384次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 27次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 13次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 22次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 24次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 20次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 19次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 41次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 33次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 32次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 32次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 24次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 17次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 35次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 34次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
发表于 01-08 17:51 21次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 41次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 41次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 28次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 29次 阅读
LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

简化半导体器件的直流表征和分析(AN 383-1)

This Application Note is for information only. Keysight no longer sells or supports these products....
发表于 01-04 15:51 48次 阅读
简化半导体器件的直流表征和分析(AN 383-1)

2019云计算七个预测

随着企业使其计算和网络架构现代化,云原生架构是主要的目标。云计算已成为企业应用程序的主要范式,随着企业使其计算和网络架构...
发表于 01-03 18:06 182次 阅读
2019云计算七个预测

IC生产制造的全流程

集成电路生产流程见下图: 整个流程分为六个部分: 单晶硅片制造,IC设计,光罩制作,IC制造,IC测试和封装。 1...
发表于 01-02 16:28 152次 阅读
IC生产制造的全流程