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中兴的尴尬和窘境,只是整个科技行业的一个缩影

芯世相 2018-05-10 10:27 次阅读

1980年8月26日,第五届全国人大常委会第十五次会议通过了由国务院提出的《广东省经济特区条例》,批准在深圳设置经济特区。深圳,这个昔日和千万普通沿海小县城一样平淡无奇的地方,从此插上翅膀,成为了新中国经济的增长极。

此时,远在在千里之外的西安691厂技术科长侯为贵,被派往美国负责半导体相关技术和设备引进。这个在国企里呆了12年的中年男人,在美国看到了真正公司的模样,接触到了“市场”的概念。

1984年2月,邓公第一次视察深圳时题词道:“深圳的发展和经验证明,我们建立经济特区的政策是正确的。”深圳人长长地松了一口气,蛇口工业园门口“时间就是金钱,效率就是生命”的标语牌再也不用被不停地拆下换上了。这“冲破思想禁锢的第一声春雷”震醒了被计划经济支配多年的国人。深圳,成为人们发家致富的梦想之地。

邓公南巡的第二年,见过大世面的侯为贵被691厂派到深圳,希望寻找商机。于是,中兴半导体有限公司成立了。这一年,侯为贵43岁。

1

中兴的诞生国有控股,授权经营

虽然叫半导体,但是创立之初的中兴跟半导体没有半毛钱关系。创立初期的中兴,和大多数中国公司一样,经营着来料加工、来样加工、来件装配和补偿贸易的 “三来一补”业务。侯为贵带领创业初期的38个人,在深圳沙河草丛中的厂房里加工电子表、电子琴和电话机。虽然利润低,但是凭借着吃苦耐劳的精神,中兴一年就赚了35万元,成为公司的第一桶金。

在做电话机生意的过程中,侯为贵敏锐的认识到通信行业未来必将有更大的发展。那时候,国内通信行业的交换机有“七国八制”之说,整个市场被7个国家厂商8种制式的机型完全占领。公司成立的第二年,侯为贵力排众议,用做贸易挣来的钱成立研发小组,专攻交换机领域。

4年后,中兴研发出自己第一台数字程控交换机ZX-500,打破了国外产品一统天下的局面,中兴也正式转型为通信设备制造商。1992年,凭借ZX-500,中兴合同销售额突破1亿元,利润2000多万元。

1990年,中兴成功研发第一台程控交换机ZX-500

中兴半导体成立时,由691厂、香港运兴电子贸易公司及其隶属航天部的长城工业公司深圳分公司共同出资280万元,成为深圳特区最早的一批技术类合资公司之一。但公司和人一样,往往可以共苦,却不能同甘。有了钱的中兴反而由于分红等问题使得股东间矛盾激化,严重影响了公司的效率。

1992年,那是一个春天,邓公第二次南巡。航天部领导漫不经心的一句话“实在不行你们可以自己出来干”,让焦头烂额的侯为贵茅塞顿开。趁港方股东因自身经营不善倒闭并退资的时机,他推动中兴半导体的创业元老们投资成立民营企业中兴维先通,希望打破体制壁垒。1993年,侯为贵率领维先通与691厂、深圳广宇工业公司进行了第一次重组,成立深圳市中兴新通讯设备有限公司,维先通持股49%,691厂持股34%,深圳广宇持股17%。这是深圳第一批股权清晰的“混合所有制”企业之一。

鉴于之前的教训,新的中兴董事会确定由中兴维先通承担经营责任,保证国有资产增值,若出现经营不善,则需用股本进行补偿;两家国有企业不参与运营。中兴在国内首创了“国有控股,授权经营”,即国企民营的全新模式。侯为贵被任命为总经理,正式进军通信设备行业。

纵观整个八、九十年代的企业史,鲁冠球、李经纬们无不是被产权所困,都在为理清产权而疲命奔走。而93年的中兴,就解决了桎梏那一代企业家的枷,为未来发展奠定了基础。

2

激进使中兴稳占市场

中兴的国企民营企业模式,在当时赋予了经营团队极高的自由度,并充分调动了他们的积极性,使得中兴的业绩火速攀升。1997年,中兴新通讯改制成立“中兴通讯股份有限公司”,并在深交所上市,市值4.4亿元。4年时间,升值了140多倍。而中国通信市场的红利期,才刚刚到来。

1999年2月,中国电信移动业务被正式剥离。面对固话利润下降、部分高端客户被移动运营商分流的局面,中国电信急需获得一种既可避开政策限制、又可变通地进入移动市场的业务。彼时,大胡子吴鹰的UT斯达康刚刚整合日本的PHS技术,在国内推出小灵通。中国电信马上跟进,与UT斯达康开展相关的推广工作。

看到这一形势,1999年7月,中兴正式开始大规模启动小灵通项目。尽管其间监管部门对于小灵通的政策几经反复,但是中兴基于对未来前景的乐观预计,一一应对,最终狠赚了一波。2000年,中兴的合同销售额超过了100亿元。2001年全球电信业务面临前所未有的低谷,而中兴凭借小灵通产品获得了近24亿元收入,为度过行业低谷起到了巨大作用。

奠定中兴无线通信领域强者地位基础的是CDMA,中兴也是第一个打破外国企业对中国CDMA系统设备垄断的中国企业。2001年,中兴通讯参与到国内CDMA骨干网建设,获得联通110万线CDMA合同,打破外企的垄断。

虽然当时中兴在这一期建设中所占份额只有7.5%,短短三年后,中兴已经成为联通在CDMA领域的第四大合作伙伴,市场份额接近20%。2004年,中兴营业收入达到212亿元,并在香港H股上市。侯为贵转任董事长,并获得当年的“CCTV中国经济年度人物”。

3

华为和中兴“狼”战胜了“牛”

侯为贵创立中兴的三年后,44岁的转业军人干部任正非由于在南油集团下属电子公司经营中被骗200万元,最终被迫“下海”。更为不幸的是,生活的压力也让他的家庭解体。带着身上仅有的21000元,离异中年大叔任正非在南油新村的一个居民楼里创立了深圳华为技术有限公司。

一个偶然的机会,任正非帮做程控交换机的朋友卖设备。和侯为贵一样,他看到了里面巨大的商机,也决定自己研发交换机。通过早期购买、组装、贴牌生产出来的用户交换机,华为积累了资金和经验技术。1991年,任正非说服本来要去清华读博士的华工老师郑宝用,在蚝业村工业大厦三层用一年时间开发出了HJD-04 500门交换机。在那里,他们吃喝拉撒睡全在公司,也因此形成了流传至今的“床垫文化”。1992年,华为开发的交换机开始批量进入市场,当年产值就高达1.2亿元,利润超过1000万。

这时候,中兴和华为站在了同一起跑线上。早期中兴的公司文化深受侯为贵的个人影响,就像教书先生侯为贵喜欢的牛一样,勤勉、温和、中规中矩。而华为则有着任正非强调的狼性文化,在当时军阀混战的通信市场,并没有人认可这个名不见经传的民营公司。

任正非为了快速占领市场,说服17个省市级电信局合资成立了莫贝克公司,任正非承诺每年给予33%的高额回报。这种捆绑利益的打法,使得华为销售额激增。1996年,华为销售额达到26亿元,而中兴只有6.8亿元。到了2000年,华为的销售额增加到220亿元,超过中兴一倍多。

但是,凭借前期小灵通和CDMA的布局,中兴在2003年营业收入激增,达到160亿元。而那时,华为正在绞尽脑汁围剿旧将天才李一男的港湾科技,营业收入增长放缓,为221亿元。这是二者进入新世纪 最为接近的一年,从此,华为一骑绝尘,把中兴远远甩在了身后。

2017财年,华为整体收入高达6036亿元,净利润达到475亿元。而中兴通讯的营业收入为1088.2亿元,归属上市公司股东的净利润为45.7亿元,连华为的零头都不到。

4

保守阻碍了中兴前进

幸福的人都是相似的,不幸的人各有各的不幸,甚至,更加不幸。4月15日,美国商务部工业与安全局在毫无预兆的情况下,激活了针对中兴的出口限制令。禁令限制及禁止中兴通讯申请、使用任何许可证或许可例外,或从事任何涉及受美国出口管制条例约束的物品、软件或技术的交易。

这意味着,中兴将无法使用美国进口的芯片、软件和EDA工具。由于从基础芯片、板卡、手机、交换机和基站全系列产品都对美国芯片和软件严重依赖。如果禁令生效,整个公司将彻底陷入瘫痪。

美国商务部制裁的理由主要是不诚信和整改措施不到位。虽然目前看来这是大国政治角力的借口,但不可否认,中兴这些年来的乏力也是有原因的。

侯为贵从南昌大学毕业当老师,再到军工厂工作,一直都是学者型处事方式。人们对他的评价都是“儒雅、亲和、简朴”,然而具体到战略制定上,就略显得保守。在技术路线制定上,除了CDMA中长期战略成功以外,大多都在跟随和保证公司有利可图的前提下布局产品。小灵通虽然让中兴赚了大钱,却铺了过多的人、财、物力在这个过时的技术上。而2004年担任总裁的继任者殷一民,更是技术出身,在他的带领下,中兴被华为远远甩在身后。

虽然中兴是国企民营的经营模式,但从他创立伊始,就离不开国企的管理文化。中兴的管理层级分为5级,最下面的两级分别叫科长和部长,有着明显的行政感。在管理中流程管理大于结果管理,所有的人仅对眼前的流程正确性负责,并不对事件响应的后果负责。于是,管的人多,越管越乱的情况时有发生。讽刺的是,这次美国商务部展示的违规文件,就是各级领导层层审批的结果。

中兴在经过股改、上市后的20多年发展中,股权结构变得越来越复杂。侯为贵和其他高层通过维先通持有中兴通讯约15%的股份。而其60多家子公司和10多家联合经营的企业,股东名单上多多少少都有中兴通讯高管和骨干的身影。子公司的好坏才是一些人关心的重点。而对于基层员工来讲,更羡慕的是华为的全员持股,将个人利益与公司发展绑定。当然,华为这几年也没有多少内部股可发了。

客观的说,这是每一个国企甚至大型企业都有的通病。而中兴的病症,只是发的不是时候。

5

尾声

中兴的尴尬和窘境,只是整个科技行业的一个缩影。2016年,我国集成电路进口额高达2271亿美元,连续4年成为最大进口商品。FPGA、高性能AD/DA、高速光电子芯片、CPU、存储器等核心芯片的国产化率最高不超过15%,有些甚至为0。任何一家高科技企业遇到中兴的遭遇,都会被判死刑。

中国飞速发展的四十年,造就了深圳速度。而在这种狂飙突进的速度中,绝大多数人都变得急功近利。就连国家的高科技项目,对标国外顶尖指标,有10年甚至更长时间的技术差距,往往也要求在2到3年内结题验收。伐柴的一位朋友,是业内知名的清华教授,有一次实在忍不住自揭伤疤:“连续3年,毕业的学生没有一个搞集成电路的,不挣钱”。

1981年,691厂正是在钱学森的要求下主攻半导体元器件研发,派遣侯为贵出国考察。而后来成立的中兴半导体,如今也栽在了半导体上。33年,是一个轮回,很多人在这个纷繁的世界里,忘了初心。

原文标题:中兴的33年轮回

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晶方科技发布半导体封测行业年报 去年净利下跌26%

以手机为主的全球消费电子市场低迷,快速波及到上游的半导体封测行业。
的头像 第一手机界 发表于 02-19 16:17 505次 阅读
晶方科技发布半导体封测行业年报 去年净利下跌26%

半导体公司表示预计2019年第1季前景不佳 但该季可能会触及周期底部

日前,瑞士信贷 (Credit Suisse) 董事总经理兼台湾股票研究主管Randy Abrams....
的头像 半导体动态 发表于 02-19 16:02 363次 阅读
半导体公司表示预计2019年第1季前景不佳 但该季可能会触及周期底部

RISC阵营便动作频频,为加速RISC-V的生态发展和相关技术成熟

中国开放指令生态(RISC-V)联盟(CRVA)秘书长包云岗也分析认为,RISC-V最大的特点就是“....
的头像 DIGITIMES 发表于 02-19 15:47 517次 阅读
RISC阵营便动作频频,为加速RISC-V的生态发展和相关技术成熟

盘点半导体晶圆的产业链

在AI 及区块链场景下,传统CPU 算力不足,新架构芯片成为发展趋势。当前主要有延续传统架构的GPU....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-19 15:42 528次 阅读
盘点半导体晶圆的产业链

HP 4155B半导体参数分析仪/HP 4156B精密半导体参数分析仪

4155B/4156B datasheet.
发表于 02-15 16:34 89次 阅读
HP 4155B半导体参数分析仪/HP 4156B精密半导体参数分析仪

如何进行无线电流检测

上期的参考电路,大家表示很感兴趣→ 那就继续我们的“组合参考电路”系列,今天的电路将告诉我们如何进行无线电流检测。 ...
发表于 02-13 13:32 78次 阅读
如何进行无线电流检测

欧姆社学习-漫画半导体

《欧姆社学习漫画》是日本欧姆社自2004年7月开始出版的一系列漫画类学习教材。该图书主要讲述了电气学,物理学,数学以及生物科学...
发表于 01-17 22:25 535次 阅读
欧姆社学习-漫画半导体

MQ-K1型半导体气敏元件规格书

MQ-K1型半导体气敏元件规格书
发表于 01-16 09:06 220次 阅读
MQ-K1型半导体气敏元件规格书

产品说明70820-5:提高半导体器件表征中的Delta时间精度

Product Note 70820-5: Microwave Transition Analyzer: Improve Delta Time Accuracies in Semiconductor Device M...
发表于 01-09 15:53 75次 阅读
产品说明70820-5:提高半导体器件表征中的Delta时间精度

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 477次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 41次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 40次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 42次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 48次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 34次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 43次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 71次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 175次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 46次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 51次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 64次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 43次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 67次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 66次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
发表于 01-08 17:51 53次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 68次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 68次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 50次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 48次 阅读
LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

简化半导体器件的直流表征和分析(AN 383-1)

This Application Note is for information only. Keysight no longer sells or supports these products....
发表于 01-04 15:51 96次 阅读
简化半导体器件的直流表征和分析(AN 383-1)

2019云计算七个预测

随着企业使其计算和网络架构现代化,云原生架构是主要的目标。云计算已成为企业应用程序的主要范式,随着企业使其计算和网络架构...
发表于 01-03 18:06 281次 阅读
2019云计算七个预测

半导体电容特性分析

Describes how to use the 4280A to make semiconductor CV measurements, Ct measurements, perform Zerbst analysis, an...
发表于 01-02 17:25 112次 阅读
半导体电容特性分析

将独立拆分半导体业务?夏普回应确有此事

近日,有消息称夏普将拆分半导体业务。对此,夏普在12月26日正式发布公告证实,夏普确实要剥离一些业务,以子公司的形式独立运营...
发表于 12-29 16:38 149次 阅读
将独立拆分半导体业务?夏普回应确有此事