【要闻集锦】台积电两岸布局不受中美贸易战影响,南京厂近期提前量产

集成电路园地 2018-05-07 17:09 次阅读

1. 紫光将转型为集成电路投资平台,刁石京全面接手芯片业务

5月2日,前工信部电子信息司司长刁石京正式入职紫光集团,担任联席总裁一职,直接向董事长赵伟国汇报,主要协助董事长管理集团芯片产业的业务规划与发展。除此之外,业界传出刁石京将会陆续出任长江存储、紫光国芯、紫光展锐董事长或联席董事长职务,成为紫光集团董事长赵伟国最佳左右手,协助打造“中国芯”。

刁石京是中国ICT领域的灵魂人物之一,在ICT领域拥有超过30年经验,除工信部电子信息司司长身份以外,他还兼任核高基重大专项实施办公室常务副主任、国家集成电路产业发展领导小组办公室负责人、全国信息技术标准化委员会副主任委员、全国音频视频及多媒体系统与设备标准化技术委员会主任委员、工信部电子科技委副主任委员、工信部通信科技委委员等职务。

紫光将转型为集成电路投资平台,刁石京全面接手芯片业务

业界认为,刁石京的加入意味着未来的紫光集团也将跟着转型,将逐渐成为国家专注发展集成电路产业的投资平台,从3D NAND存储器、移动通讯芯片、自有品牌的存储产品,以及云服务领域。刁石京未来会接手紫光集团旗下所有芯片相关业务,包括长江存储、紫光国芯、紫光展锐等,出任这些子公司的董事长或是联席董事长职务,为赵伟国分担发展集成电路产业的重责大任。

在此之前,电子信息司副司长彭红兵已经出任国家集成电路产业投资基金副总裁兼长江存储监事会主席。

至此,在紫光集团内部,向董事长赵伟国直接汇报的联席总裁已有4人,分别是:

刁石京,主管芯片板块。

于英涛,主管云网板块,曾任中国联通销售部总经理,现任紫光集团联席总裁、新华三集团总裁兼CEO、紫光股份董事长。

王慧轩,主管金融板块,曾任人保资本投资管理有限公司董事长,现任紫光集团董事、联席总裁。

李明,管政府关系、行政和品牌,曾任国务院发展研究中心信息中心副主任、信息办主任,现任紫光集团联席总裁。

这也意味着,紫光集团新的顶层管理架构已经基本搭建完成。

当然,作为中国在关键领域、核心技术的国家队,紫光集团及其旗下各家公司,都还会不断有新的大将入盟。比如,前中兴通讯执行副总裁曾学忠出任紫光集团全球执行副总裁、紫光展锐CEO,前联通运营公司副总裁韩志刚出任新华三联席总裁等重磅人事动作,都曾在业内引发轰动。

此外,紫光控股(00365.HK)以增资方式出售紫光芯云51%股权,增资2.11亿元。增资交易完成后,紫光芯云的注册资本将增至4.05亿元(以最后工商变更情况为准)。其中,UnisplendourInvestment及芯鑫融资租赁分别持有紫光芯云49%及51%的股权。(来源:搜狐科技)

2. 中芯国际与大基金等投资成立半导体产业基金

为了制造中国“芯”,各方在持续发力。5月3日,中芯国际发布公告称,与国家集成电路基金、上海尧芯等企业共同出资成立半导体产业基金,基金总额达16.16亿元。基金成立后,将主要用于支持半导体及相关企业发展。

业内认为,中芯国际联合国家集成电路基金成立半导体产业基金将有示范作用,继而撬动更多的资本投入到相关的行业中,助力我国半导体行业的加速发展。

公告显示,5月2日,上海尧芯作为普通合伙人与国家集成电路基金、中芯国际全资子公司中芯晶圆及作为有限责任合伙人的联力基金签订合作协议:共同出资16.16亿元成立中国半导体产业基金,其中上海尧芯出资1616万元、国家集成电路基金出资8亿元、中芯晶圆出资1.65亿元、联力基金出资6.35亿元,上海尧芯旗下盈富泰克负责基金的日常管理。

北京商报记者发现,此次成立的半导体产业基金的四个主体,仅中芯晶圆为实体高端制造业企业,而上海尧芯、国家集成电路基金、联力基金均为基金机构,这就意味着中芯国际将从基金成立中获益,并撬动更多的资本。

据了解,中芯国际总部位于中国上海,在国内的上海、北京、天津、深圳等地,以及意大利拥有晶圆厂,还在美国、欧洲、日本和中国台湾地区设立行销办事处,已经形成完备晶圆制造产业链。(来源:北京商报)

3. 大基金二期接近完成、化合物半导体成三大重心之一

据外媒报道,中国“大基金”接近完成190亿美元二期募资。由于贸易紧张局势加剧,目前计划增加该行业的整体投资。大基金已接近宣布成立一个新基金,专注于扶持本土芯片生产及技术。其中,化合物半导体是这支新基金重点关注的三大领域之一。业内表示,化合物半导体主要包括砷化镓、氮化镓、碳化硅等一系列非硅半导体材料。从2016年的统计数据来看,砷化镓是全球化合物半导体应用领域最主流的产品,占据半导体应用领域最主流的产品,约占据79%的份额。5G、3D感测和汽车电动化是行业增长的主要驱动力。

机构预测化合物半导体行业规模到2025年将达到673亿美元。有研新材作为国内靶材等半导体材料的领袖企业之一,同时也是国内水平砷化镓最大的供应商。云南锗业子公司云南鑫耀半导体成功投产2-6英寸半导体级以及半绝缘体砷化镓晶体和衬底,目前砷化镓单晶片产能为80万片/年。(来源:银河证券)

4. 厦门将设立500亿元投资基金

《厦门市加快发展集成电路产业实施细则》(以下简称《细则》)于日前出台,涵盖了厦门市发展集成电路的投融资政策、支持领域、人才补助和科研扶持等各类标准。

产业发展,资金先行。厦门市将设立规模不低于500亿元的厦门市集成电路产业投资基金,通过母基金引导社会资本、产业资本和金融资本等跟进。

《细则》对产业高端人才、核心高管、紧缺专业毕业生等都制定了不同的补助标准。经厦门市集成电路产业发展工作领导小组(简称IC领导小组)认定符合《厦门市集成电路产业高端人才评定标准》A类、B类、C类集成电路高端人才分别享有一次性安家补助100万元、50万元、30万元。

厦门将设立500亿元投资基金

对于集成电路产业相关紧缺专业毕业生,也给予一定的安家(租房)补助。《细则》明确,各类毕业生来厦集成电路企业就业安家(租房)补助标准为:本科生800元/月(400元/月),硕士生1200元/月(600元/月),博士生2000元/月(1000元/月)。

《细则》明确,重点支持集成电路企业(单位)与国内外重点高校、科研院所在厦门共建微电子领域人才培养基地。经认定为市级产业技工培养基地的,给予每个基地不少于50万元补助。经市里认定为示范性公共实训基地的,按照基地购置设备及装修费用的30%给予补助,单个基地最高补助500万元。

配套补助方面,由IC领导小组成员单位推荐申报并获得国家重大科技专项、重点研发计划、重大科技成果转化项目等资金支持的集成电路类项目,给予50%的配套支持,额度超过1000万元的,按1000万元予以补助。获批国家级企业技术中心、工程技术研究中心、重点实验室的,给予补足1000万元的奖励。

经IC领导小组认定、在厦设立研发总部(研发中心)或分中心,经市科技局备案、具备独立法人资格的集成电路企业(单位),按照其来厦后,非市财政资金购入研发设备等实际投入的30%予以补助,补助金额最高不超过2000万元。(来源:厦门日报)

5. 安徽出台半导体产业发展规划明确5项重点任务

为培育和促进半导体新兴产业发展,安徽省政府办公厅日前印发《安徽省半导体产业发展规划(2018—2021年)》。

《规划》的出台,对于培育壮大半导体产业骨干企业,构建具有安徽特色的半导体产业链,推动重点领域应用具有重要意义,有助于带动安徽省汽车电子、新型显示和家电等优势产业转型升级,培育和壮大经济增长新动能。

《规划》提出,到2021年,全省半导体产业规模力争达到1000亿元,产业链相关企业达到300家,打造以合肥为核心,以蚌埠、滁州、芜湖、铜陵、池州等城市为主体的产业发展弧,构建“一核一弧”的半导体产业空间分布格局。

《规划》明确了未来3年安徽省半导体产业发展的5项重点任务:

一是壮大芯片设计业规模。大力发展面板显示及触控驱动芯片、汽车电子芯片、家电芯片、微机电系统传感器、高端电力电子功率器件等专用芯片设计,引导芯片设计企业与整机制造企业协同开发。

二是增强芯片制造业能力。立足当前,加快推进存储芯片先进技术研发和产品规模化生产。瞄准国际集成电路龙头企业,积极引进下一代先进工艺、大尺寸晶圆生产线,推动高端制造。

三是提升封装测试业层次。大力发展凸块、倒装、晶片级封装、硅通孔等先进封装技术,支持建设先进封装测试产线和封装测试技术研发中心。

四是大力发展相关配套产业。吸引聚集一批靶材、基材、专用液体和专用气体等电子化工配套企业。进一步扩大半导体硅材料、引线框架、溅射靶材等基础材料的优势地位。

五是推动重点领域应用。在新型显示、汽车电子、计算机、可穿戴设备等领域,推动产学研用结合,逐步形成芯片设计制造和应用的联动发展,实施家电核心芯片国产化工程。(来源:科技日报)

6. 小米正式递交港股IPO申请

5月3日,小米正式向港交所递交了IPO申请,这将是今年全球最大规模IPO。招股书显示,中信里昂证券、高盛、摩根士丹利为联席全球协调人、联席账簿管理人兼联席牵头经办人。

小米近三年的财务数据体现了业务的飞速增长。招股书披露,小米2015年至2017年收入分别为668.11亿元、684.34亿元和1146.25亿元,2017年同比增长67.5%;经营利润为13.73亿元、37.85亿元和122.15亿元,2017年同比增长222.7%。

招股书披露,小米计划将IPO募集资金30%用于研发及开发智能手机、电视等核心产品;30%用于扩大投资及强化生活消费品与移动互联网产业链;30%用于全球扩展;10%用作一般营运用途。

小米董事长兼CEO雷军在招股书的公开信中向所有现有和潜在的用户承诺:“从2018年开始,每年小米整体硬件业务(包括智能手机、IoT及生活消费产品)的综合净利率不会超过5%。如有超出部分,我们都将回馈给用户。”公开信息显示,2017年苹果整体业务净利率为21.1%,华为整体业务净利率为7.9%。即便是公认净利率较低的家电行业,海尔为6.6%,美的为7.7%,都高于5%。

截至招股说明书签署日,在股权结构上,执行董事、董事会主席兼首席执行官雷军持股比例为31.4%,如计入总股本ESOP员工持股计划的期权池,则雷军的持股比例为28%。

具体数据上,雷军持有31.4124%的股份、林斌持有13.3286%、黎万强持3.2375%、黄江吉持3.2375%、洪锋持3.2207%、许达来持2.9312%、刘德持1.5494%、周光平持1.4317%、王川持1.1149%、晨兴集团持股17.1931%,其他投资者持有21.3430%。(来源:集微网)

7. ARM中国合资公司正式运营中方占股51%

新浪科技讯北京时间5月1日晚间消息,《日经亚洲评论》网站今日援引多位知情人士的消息称,ARM中国合资公司已于4月底投入运营,并接管ARM在中国市场的业务。

这些知情人士还称,该合资公司还计划在中国A股上市。报道称,该合资公司名为“Arm mini China”,总部设在深圳,中方投资者占股51%,而ARM拥有剩余49%的股权。该合资公司将接管ARM在中国市场的所有业务,包括授权和版税业务。

目前尚不清楚该合资公司的定价结构是否与母公司ARM有所差别,以及有多少员工被转移到合资公司。

另外,该合资公司还计划在中国进行IPO(首次公开招股)。4月初曾有报道称,ARM中国合资公司最快将在年内登陆A股市场。(来源:新浪科技)

8. 台积电两岸布局不受中美贸易战影响,南京厂近期提前量产

中美贸易大战甚嚣尘上,但台积电仍照公司既有布局蓝图,同步加快两岸布局。台积电预计,未来五年每年资本支出都会超过百亿美元,且先进制程集中在台湾,除加速7纳米量产,5纳米试产脚步也会加快。

台积电表示,目前美国提出的观察名单,并没有半导体领域,甚至相关电子产品都不在名单上,因此影响很小,若真的效应范围扩大,由于台积电是全球芯片厂重要代工厂,市占率也是全球最高,预期对台积电影响将会很小,但台积电会密切关注后续发展。

台积电两岸布局未受中美贸易大战而改变,南京厂提前在近期量产出货,正式启动在大陆第一座16纳米制程12英寸晶圆生产。(来源:集微网)

9. 日月光控股正式挂牌上市,日矽并购完成

2018年4月30日,日月光在发迹的高雄K1厂,举办日月光投资控股公司揭牌典礼。同日,日月光投控(3711)正式挂牌,日月光(2311)与矽品(2325)两家于同日下市。日矽并购案一波三折,总算结成硕果。

以日月光最后收盘价新台币44.5元计算,根据日月光以普通股1股換0.5股的换股比例,日月光投控挂牌参考价为新台币89元。日月光投控以每股新台币51.2元收购矽品普通股。

日月光投控董事长、副董事长分别由日月光董事长张虔生、副董事长张洪本担任。股本为新台币431.84亿元。

日月光和矽品及将以平行兄弟公司架构,维持公司存续、名称及现有独立经营及运作模式,并留任各自经营团队及员工,组织架构、薪酬、相关福利及人事规章制度不变。

张虔生表示,未来日月光与矽品将以控股公司作为平台,不仅可有效整合集团内部资源,也有利于组织决策,达到后端整合、前端专业分工的效益,将可同时提升两家公司之竞争力,让日月光可以继续稳坐全球半导体封测龙头的宝座。日矽在宣布将联合后不仅没掉单,且目前产能均满载,因此联合后的首件大事便是扩产,并于高雄动土兴建K25厂。张虔生认为,半导体产业已是成熟产业,未来10年将大者恒大,强化竞争力是唯一发展之道。日月光与矽品结合后合计将取得封测业高达9成利润,在强强联手下,将取得更高市占率。


原文标题:一周"芯"闻集锦

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自特朗普上任以来,各种国家保护主义的措施接踵而来,不仅是各种“退群”,诸如“丰田汽车如果不在美国建厂....

的头像 台电存储 发表于 11-10 10:50 623次 阅读
DRAM研制的集成电路公司遭到美国制裁

华为现在正携手台积电进行麒麟990的测试工作

据悉,麒麟990使用台积电的二代7nm工艺,相比一代,二代加入了V光刻机,可以使晶体管密度提升20%....

发表于 11-10 10:12 241次 阅读
华为现在正携手台积电进行麒麟990的测试工作

深入关键行业领域,具体对比中美科技实力

半导体可以分为分立器件、光电子、传感器、集成电路,其中集成电路占比最高,占到2016年全球半导体销售....

的头像 芯资本 发表于 11-09 17:12 1418次 阅读
深入关键行业领域,具体对比中美科技实力

OLED驱动电源设计与应用电子教材免费下载电子教材免费下载

本书结合国内外OLED技术的发展动态,全面系统地介绍了OLED在显示与照明领域的最新发展和应用技术,....

发表于 11-09 16:43 52次 阅读
OLED驱动电源设计与应用电子教材免费下载电子教材免费下载

多个传感器间相互位置关系校准方法

创意无极限,仪表大发明。今天为大家介绍一项国家发明授权专利——多个传感器间相互位置关系校准方法。该专利由上海微电子装备有...

发表于 11-09 16:14 22次 阅读
多个传感器间相互位置关系校准方法

60余个项目落户,“芯光”照亮创业路

统计数据显示,今年以来,已有60余个集成电路项目相继落户甬城,总投资超300亿元。近期,某IDM集成....

的头像 半导体行业联盟 发表于 11-09 09:21 472次 阅读
60余个项目落户,“芯光”照亮创业路

电子负载的介绍和功能及工作原理资料概述

 电子负载即电子负荷,电子负载能消耗电能,使之转化成热能或其它形式的能量。电子负载由电阻,电感,电容....

发表于 11-09 08:00 49次 阅读
电子负载的介绍和功能及工作原理资料概述

用于高压激光闪存驱动器的低输入电压1.2W隔离反激式设计

描述    PMP10712 是一种 1.2W 隔离反激式设计,具有较小的形状因子,支持非常低的 Vin (3.3 V - 6 V),并能...

发表于 11-08 16:40 125次 阅读
用于高压激光闪存驱动器的低输入电压1.2W隔离反激式设计

传比特大陆拖欠台积电3亿美元账款

11月4日,据CoinGeek网站报道,比特大陆将不再从其主要的芯片供应商台积电(TSMC)处获得芯....

的头像 半导体行业联盟 发表于 11-08 16:14 321次 阅读
传比特大陆拖欠台积电3亿美元账款

集成电路硅片产业面临建设热潮 企业如何控制风险

10月26日,郑州合晶硅材料有限公司年产240万片200毫米硅单晶抛光片生产项目投产;10月19日,....

的头像 半导体动态 发表于 11-08 15:43 452次 阅读
集成电路硅片产业面临建设热潮 企业如何控制风险

台积电南京12寸厂中国大陆制程技术最先进的晶圆代工厂

台积南京董事长何丽梅说,回溯南京十二吋晶圆厂的源起,台积公司在2015年底决定到南京投资。经过了15....

的头像 电子发烧友网工程师 发表于 11-08 15:04 585次 阅读
台积电南京12寸厂中国大陆制程技术最先进的晶圆代工厂

超微发表全新EPYC处理器 采用台积电7纳米制程量产

由于半导体龙头英特尔的中央处理器(CPU)持续供不应求,处理器大厂美商超微(AMD)相隔6年后在去年....

的头像 PCB开门网 发表于 11-08 14:54 359次 阅读
超微发表全新EPYC处理器 采用台积电7纳米制程量产

三星锁定中国市场将横扫国内IC设计订单

为加速集成电路代工事业发展,三星锁定中国市场欲横扫国内IC设计订单,首要将遭逢的就是老对手,由梁孟松....

的头像 DIGITIMES 发表于 11-08 14:31 571次 阅读
三星锁定中国市场将横扫国内IC设计订单

比特大陆临时代码出现或将正式宣布上市

2018年10月5日消息,比特大陆临时代码出现或将正式宣布上市,股票代码90027.HK。

的头像 电子发烧友网工程师 发表于 11-08 09:59 438次 阅读
比特大陆临时代码出现或将正式宣布上市

2018淮台半导体产业合作恳谈会成功举行

共有22个集成电路项目在江苏省淮安市举办的“淮台半导体产业合作恳谈会”上签约,总投资295.2亿元人....

的头像 电子发烧友网工程师 发表于 11-08 08:47 318次 阅读
2018淮台半导体产业合作恳谈会成功举行

集成电路小白希望大佬能够指点迷津

       我是西安邮电大学集成电路设计与集成系统专业的16级的学生,目前大三,目前已经学过电路基础,模拟电...

发表于 11-05 17:46 170次 阅读
集成电路小白希望大佬能够指点迷津

HQ2084xx

发表于 11-02 16:33 201次 阅读
HQ2084xx

HQ2084x

发表于 11-02 16:32 154次 阅读
HQ2084x

HQ2082x

发表于 11-02 16:31 178次 阅读
HQ2082x

HQ2080X

发表于 11-02 16:25 79次 阅读
HQ2080X

用于极端恶劣高温环境下的IC高性能背后有什么秘密

对于突破极端温度界限的应用,无论是操纵在地下一英里深度工作的油井钻机,还是在喷射发动机上进行精密测量,都需要专业的耐高温...

发表于 10-30 15:04 82次 阅读
用于极端恶劣高温环境下的IC高性能背后有什么秘密

实用电力电子技术丛书《MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用》

《MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用》在简析电力MOSFET和IGBT的基本工作原理、内部结构、主要...

发表于 10-29 16:42 374次 阅读
实用电力电子技术丛书《MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用》

LM45 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM45系列是精密集成电路温度传感器,其输出电压与摄氏(摄氏)温度成线性比例。 LM45不需要任何外部校准或微调,即可在室温下提供±2°C的精度,在整个-20至+ 100°C的温度范围内提供±3°C的精度。通过晶圆级的修整和校准确保低成本。 LM45的低输出阻抗,线性输出和精确的固有校准使得与读出或控制电路的接口特别容易。它可以与单个电源一起使用,也可以与正负电源一起使用。由于它的电源消耗仅为120μA,因此自然发热非常低,静止空气中的自热温度低于0.2°C。 LM45的额定工作温度范围为-20°至+ 100°C。 特性 直接以摄氏度(摄氏度)校准 线性+ 10.0 mV /°C比例因子 < li>±3°C精度保证 额定为-20°至+ 100°C范围 适用于远程应用 由于晶圆造成的低成本-Llevel Trimming 工作电压范围为4.0V至10V 电流消耗小于120μ 低自热,静止空气中为0.20°C 非线性仅±0.8°C最大温度 低阻抗输出,20 mA...

发表于 09-17 16:30 65次 阅读
LM45 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM62 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM62是一款精密集成电路温度传感器,可在+ 3.0V单电压下工作,检测0°C至+ 90°C温度范围供应。 LM62的输出电压与摄氏(摄氏)温度(+15.6 mV /°C)成线性比例,并具有+480 mV的直流偏移。偏移允许读取温度低至0°C而无需负电源。在0°C至+ 90°C的温度范围内,LM62的标称输出电压范围为+480 mV至+1884 mV。 LM62经过校准,可在室温和+ 2.5°C /-2.0°C范围内提供±2.0°C的精度,温度范围为0°C至+ 90°C。 LM62的线性输出,+ 480 mV偏移和工厂校准简化了在需要读取温度低至0°C的单电源环境中所需的外部电路。由于LM62的静态电流小于130μA,因此在静止空气中自热仅限于0.2°C。 LM62的关断功能是固有的,因为其固有的低功耗允许它直接从许多逻辑门的输出供电。 特性 校准线性比例因子+15.6 mV /°C 额定0°C至+ 90°C适用于远程应用的3.0V电压范围   关键规格 25°C±2.0或±3.0°时的精度C(最大) ...

发表于 09-17 15:48 4次 阅读
LM62 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM235 模拟输出温度传感器,军用级,采用气密性 TO 封装

LM135系列是精密,易于校准的集成电路温度传感器。作为双端齐纳二极管,LM135的击穿电压与10 mV /°K时的绝对温度成正比。该器件的动态阻抗小于1Ω,工作电流范围为400μA至5 mA,性能几乎没有变化。在25°C下校准时,LM135在100°C温度范围内的误差通常小于1°C。与其他传感器不同,LM135具有线性输出。 LM135的应用包括几乎任何类型的温度检测,温度范围为-55°C至150°C。低阻抗和线性输出使得与读出或控制电路的接口特别容易。 LM135工作温度范围为-55°C至150°C,而LM235工作温度范围为?? 40° C至125°C的温度范围。 LM335的工作温度范围为-40°C至100°C。 LMx35器件采用密封TO晶体管封装,而LM335也采用塑料封装 特性 直接校准至开尔文温度   1°C初始准确度 工作电流范围为400μA至5 mA 小于1Ω动态阻抗 轻松校准 宽工作温度范围 200 °C超范围 低成本 ...

发表于 09-13 14:35 17次 阅读
LM235 模拟输出温度传感器,军用级,采用气密性 TO 封装

LOG2112 片上电压参考为 2.5V 的精密对数和对数比放大器

LOG112和LOG2112是多功能集成电路,可计算输入电流相对于参考电流的对数或对数比。 LOG112和LOG2112的V LOGOUT 被调整为每十倍输入电流0.5V,确保在宽动态范围的输入信号上具有高精度。 LOG112和LOG2112具有2.5V基准电压源,可用于使用外部电阻产生精密电流基准。 低直流偏移电压和温度漂移可在指定温度范围内精确测量低电平信号。 °C至+ 75°C。 特性 易于使用的完整功能 输出缩放放大器 片上2.5V电压参考 高精度:0.2%FSO超过5个十年 宽输入动态范围: 7.5十年,100pA至3.5mA 低电流电流:1.75mA 宽电源范围:±4.5V至±18V 封装:SO-14(窄)和SO-16 应用 日志,日志比率: 通信,分析,医疗,工业,测试,一般仪器 光电信号压缩放大器 模拟信号压缩模拟前后的模拟信号压缩-DIGITAL(A /D)转换器 吸光度测量 ...

发表于 09-06 17:29 23次 阅读
LOG2112 片上电压参考为 2.5V 的精密对数和对数比放大器

LMX2485Q-Q1 用于射频个人通信的汽车类 Δ-Σ 低功率双路 PLL

LMX2485Q-Q1是一款带有辅助性整数N PLL的低功耗,高性能Δ-Σ分数N PLL。该器件采用TI高级工艺制造。 凭借Δ-Σ架构,低偏移频率下的分数杂波被推至回路带宽之外的更高频率。将杂波和相位噪声能量推至更高频率的能力是调制器阶数功能的直接体现。与模拟补偿不同,LMX2485Q-Q1采用的数字反馈技术对于温度变化和晶圆制造工艺变化的抗扰度较高.LMX2485Q-Q1Δ-Σ调制器经编程最高可达四阶,允许设计人员根据需要选择最优调制器阶数,从而满足系统对于相位噪声,杂波和锁定时间的要求。 对LMX2485Q-Q1进行编程的串行数据通过三线制高速(20MHz)MICROWIRE接口进行传输.LMX2485Q-Q1提供精确的频率分辨率,低杂波,快速编程以及改变频率的单字写入功能。这使其成为直接数字调制应用的理想选择。此类应用的N计数器通过信息直接调制.LMX2485Q-Q1采用4.0mm×4.0mm×0.8mm 24引脚超薄型四方扁平无引线(WQFN)封装。 特性 实现低分频系数分频的四模预分频器 射频(RF)锁相环(PLL ):8/9/12/13或16/17/20/21 中频(IF)PLL:8/9或16/17 < li>高级Δ-Σ分频补偿 12位或22位可选分频模量 最高可...

发表于 08-06 17:13 149次 阅读
LMX2485Q-Q1 用于射频个人通信的汽车类 Δ-Σ 低功率双路 PLL

LMX2615-SP 具有相位同步功且支持 JESD204B 的航空级 40MHz 至 15GHz 宽带合成器

LMX2615-SP是一款高性能宽带锁相环(PLL),集成了电压控制振荡器(VCO)和稳压器,可输出40MHz的任何频率和没有倍频器的15 GHz,无需½谐波滤波器。此设备上的VCO覆盖整个八度音程,因此频率覆盖范围可达40 MHz。高性能PLL具有-236 dBc /Hz的品质因数和高相位检测器频率,可以实现非常低的带内噪声和集成抖动。 LMX2615-SP允许用户同步设备的多个实例的输出。这意味着可以从任何用例中的设备获得确定性阶段,包括启用分数引擎或输出分频器的设备。它还增加了对生成或重复SYSREF(符合JESD204B标准)的支持,使其成为高速数据转换器的理想低噪声时钟源。 该器件采用德州仪器制造?先进的BiCMOS工艺,采用64引脚CQFP陶瓷封装。 特性 辐射规格 单一事件闩锁> 120MeV-cm 2 /mg < /li> 总电离剂量达到100krad(Si) 40 MHz至15 GHz输出频率 -110 dBc /Hz相位采用15 GHz载波的100 kHz偏移噪声 8 GHz(100 Hz至100 MHz)时54 fs RMS抖动 可编程输出功率 PLL关键规格 品质因数:-236 dBc /Hz 归一化1 /f噪声:-129dBc /Hz 高达200 MHz相位检测器频率< /li> 跨多个设...

发表于 08-03 17:56 64次 阅读
LMX2615-SP 具有相位同步功且支持 JESD204B 的航空级 40MHz 至 15GHz 宽带合成器