近日,科锐(NASDAQ:CREE)宣布与荷兰Nexperia公司签署非排他性、全球性的付费专利许可协议。通过这一协议,Nexperia将有权使用科锐GaN氮化镓功率器件专利组合,包括了超过300项已授权美国和国外专利,涵盖了HEMT(高电子迁移率场效晶体管)和GaN氮化镓肖特基二极管的诸多创新。这一专利组合针对新型器件结构、材料和工艺提升,以及封装技术。这一专利授权不包括技术转让。
科锐联合创始人兼Wolfspeed首席技术官JohnPalmour表示:“科锐创立以来,对包括GaN氮化镓和SiC碳化硅在内的新型化合物半导体材料进行了深入研究,并利用它们的独特性能开发出新型器件。基于科锐数十年创新成果的器件,帮助实现新型电源管理和无线系统的市场导入。为了加速这类新市场的增长,科锐正在对用于GaN氮化镓电源管理系统的GaN氮化镓功率器件专利开展授权。”
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
功率器件
+关注
关注
40文章
1523浏览量
89470 -
GaN
+关注
关注
19文章
1759浏览量
67714
原文标题:科锐与Nexperia签署GaN功率器件专利授权协议
文章出处:【微信号:CALI_1989,微信公众号:中国照明电器协会】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
Luminus Devices与湖南三安半导体签署合作协议
Luminus Devices近日宣布,已与湖南三安半导体签署了一项合作协议。根据协议,Luminus将成为湖南三安在美洲地区的独家销售渠道,负责销售其SiC和
三安宣布进军美洲市场,为市场提供SiC和GaN功率半导体产品
1月8日,Luminus Devices宣布,湖南三安半导体与其签署了一项合作协议,Luminus将成为湖南三安SiC和GaN产品在美洲的独家销售渠道,面向
首尔半导体、Silicon Core签署Micro LED专利许可协议
首尔半导体与美国Silicon Core签署Micro-LED专利许可协议。据推测,该合同的目的是加强使用Micro LED的虚拟生产业务。
比亚迪半导体“半导体功率器件”相关专利获授权
根据专利摘要,该实用新型公开了半导体电力配件的单元结构和半导体电力配件。上述细胞结构包括:第一导电类型的移动区域有相对设定的第一表面和第二表面。第二导电类型的第一混入区形成于漂流区的第一表面。第一导电型的源区是第二导电型的第一杂
功率器件厂商福斯特半导体和世强先进签署授权代理协议
日前,为覆盖更多工业用户需求扩大产品应用领域,深圳市福斯特半导体有限公司下称“福斯特半导体”与世强先进(深圳)科技股份有限公司(下称“世强先进”)签署授权代理
评论