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3D非易失性存储领域飞速发展,中国厂商能否争得一席之地?

MEMS 来源:未知 作者:李倩 2018-04-27 14:45 次阅读

3D Non-Volatile Memory

3D非易失性存储领域飞速发展,中国厂商能否争得一席之地?


巨头林立的新兴市场,专利竞争瞬息万变相继问世的3D NAND闪存器件典型代表包括:2015年Samsung Electronics(三星电子)的3D V-NAND-32L,以及随后2016年的SK Hynix(SK海力士)3D NAND V2-36L、Toshiba/SanDisk(东芝/闪迪)3D NAND-48L以及Micron/Intel(美光/英特尔)3D NAND-32L。

3D NVM主要厂商产品路线图近阶段,3D非易失性存储(NVM)领域动作频频,例如Western Digital(西部数据)收购了SanDisk,中国政府在存储领域的大举投资,以及Intel宣布Micron/Intel的合作将分道扬镳,以进一步发展3D NAND。我们从产业专利申请印证了这些产业发展动态,中国厂商(YMTC/YRST)近阶段在该领域申请了大量与3D NVM相关的专利,并且,三星近几个月在中国、美国和韩国都公开了大量专利,反映其进一步加强自身在3D NVM领域专利地位的意图。此外,我们还注意到Conversant IP和WiLAN等NPE(非专利实施主体)机构正在积极进入该领域。这些NPE机构的涉足,标志着该市场的繁荣,当它们有朝一日准备利用手中的专利赚钱时,将在未来挑起专利战。在本报告中,KnowMade(Yole旗下全资子公司)深入分析了与3D NVM相关的全球专利,详细介绍了当前该领域的专利现状以及潜在发展趋势。SanDisk/Western Digital、Samsung和Toshiba在3D NVM领域的专利布局处于行业领先位置。这几家厂商一共掌握了该领域65%的专利,Western Digital与Toshiba签订了直到2029年的JV联营扩展协议,而Samsung和Western Digital则更新了一份到2024年的专利交叉许可协议。另一方面,我们还注意到中国厂商在3D NVM专利领域开始暂露头角。

3D NVM领域专利申请动态3D NVM领域的专利申请始于1990年代的Toshiba和SanDisk,双方在1999年关于闪存签订了联合投资协议。2000年代末期,3D存储架构研发相关的专利申请开始出现,主要包括BiCS(Bit Cost Scalable,SanDisk和Toshiba)、TCAT(Terabit Cell Array Transistor,Samsung Electronics)以及FG(Floating Gate,SK Hynix)。不久之后,Micron Technology也开发出了FG架构,Macronix International则在2015年开发出了SGVC(Single Gate Vertical Channel)架构。自2008年以来,3D NVM相关专利申请一直在持续增长,现在该领域的专利申请已达3400多个专利家族,共计超过9400件专利。该领域的专利现状非常复杂,包括了多家行业巨头,以及近年刚刚进入该领域的中国厂商。

核心专利申请人分析

本报告通过对顶级专利申请人的专利数量、专利引用网络、专利申请国家以及当前法律状态等指标,展示了它们专利地位的强弱。通过深入的专利分析,本报告提供了6家主要厂商的专利概览(SanDisk/Western Digital、Micron Technology、SK Hynix、Toshiba、Samsung和Macronix International),具体包括对其专利动态、专利策略以及3D NAND产品相关核心专利的详细分析。3D NVM专利领域包含多家大型厂商,新进厂商很难进入这块相对封闭的领域。不过,中国企业通过金融手段成功涉足,或将在未来改变3D NVM技术的进一步发展。值得注意的是,Applied Materials、Tokyo Electron和Lam Research等设备制造商,也申请了近20件3D NVM相关专利。

3D NVM领域的专利领导者(样刊模糊化)

核心技术分析

本报告研究的3400多个专利家族按照存储类型和主架构进行了分类。本报告揭示了专利申请人的专利策略和技术选择,并根据存储类型(Flash、MRAM、ReRAM、PCRAM)和架构(垂直、Xpoint)重点分析了主要厂商的专利现状。有些厂商(如Micron Technology)主要专注于PCRAM一种存储类型,我们预计它们也在研发3D Xpoint存储。其它厂商(如SanDisk)则涉及多种类型的3D NVM存储。

按存储类型对专利进行分类(样刊模糊化)聚焦中国凭借中国政府在存储领域的巨额投资,YMTC/YRST在去年开发出了上一代3D NAND 36L,试图追赶市场主要厂商的脚步。不过,我们需要搞清楚,中国厂商的知识产权来自哪里?本报告分析了中国存储领域相关的专利现状(包括2D、3D、DRAM、SRAM、Flash、新兴存储),以了解中国厂商拥有的技术和专利发展趋势,它们包括XMC、YRST、Tsinghua Unigroup以及SMIC等。本报告还调研了市场主要厂商在中国的专利申请现状,包括Samsung、SK Hynix以及Intel等。

专利数据库本报告还提供了一份Excel专利数据库,包含了本研究所分析的9400多件专利。该数据库支持多字段检索,包括专利公开号、原始文件超链接、优先权日、专利名称、专利摘要、专利申请人、存储类型/架构以及当前法律状态等。

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原文标题:《3D非易失性存储(NVM)全球专利全景分析-2018版》

文章出处:【微信号:MEMSensor,微信公众号:MEMS】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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