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中国半导体产业的死穴在设备进口

2018-04-19 10:16 次阅读

事 件

美国贸易代表署于4月3日正式建议对中国1300多项产品及120多项的科技电子产品课征额外25%的关税, 紧接着美国商务部在4月16日宣布禁止美国公司向中兴通讯销售零部件, 半导体,商品, 软件和技术七年,直到2025年3月13号。虽然我们认为这是中兴通讯违反美国规定的单一事件,对中兴通讯和美国芯片厂商都有伤害,但我们不排除, 美国政府利用各种不公平贸易的藉口, 来采取各种对中国的贸易战,首先我们不排除美国政府禁止单一中国公司在美国投资和销售敏感科技产品和服务,其次不排除美国政府禁止美国公司在中国投资和销售敏感科技产品,设备,和服务。 要是以上这两项假设发生时,哪些科技公司和产业在未来几年会被影响最大,哪些会大幅受惠?

评 论

中国半导体产业的死穴在设备进口:以中国半导体产业而言,最大的死穴在晶圆代工,封装测试,记忆体生产的设备进口,我们估计中国晶圆代工封装测试,记忆体整合制造商将近有30-40%的资本支出,是购买美国的半导体设备,而其中20-30%的这些设备是短中期没办法由其他国家设备厂的产品所替代, 而这些晶圆代工和封装测试公司也有20-30%的营收销往美国客户,双边禁令一旦发生,将重创中国晶圆代工和封装测试产业,未来3年营收获利影响超过30%。但另一方面, 中国本土半导体设备厂商, 台湾晶圆代工及封装测试厂商将大幅受惠。

实现自主可控,国产替代机会: 此次的“中兴事件”,国内的电子产业短期会受到影响,中国智能手机芯片及射频前端、功率半导体分立器件、高性能模拟/混合信号电路对美依赖度较高, 摩擦升级会破坏市场公平竞争环境,不利于国内智能手机产业的发展。但是也会带来发展机遇,中国电子产业已具备一定的资金、技术实力,逐步实现自主可控,看好设备、存储、射频前端、功率半导体分立器件等国产替代机会,受惠厂商:北方华创、晶盛机电、中微半导体、兆易创新、三安光电、信维通信、卓胜微电子、扬杰科技。

两败俱伤还是走向和解: 我们认为美国商务部对中兴通讯的权限禁令若不能在1-2月内达成和解 (中兴备有供2个月左右生产的零部件存货),会对中兴的通信设备和手机业务产生一定影响。中兴通讯约有25%至30%的元器件由总部在美国的厂商供应, 中兴通讯需要的高速ADC/DAC、3D MIMO芯片、调制器、高性能锁相环、中频VGA等产品,目前暂时没有国产芯片厂商可提供替代品。如果禁运实行,对中美两国将是两败俱伤。我们认为,美方以此作为谈判筹码的可能性极大,根据类似历史案例,最终在双方政府的干预下将走向和解。

贸易战对云领域影响有限, 关注自主可控和网络安全: 美国针对云计算领域的可能限制,对国内云计算产业的发展整体影响非常有限,我们将继续看好国内云计算产业快速发展的势头。同时,中美贸易战,特别是针对高新技术的限制,进一步凸显了自主可控、网络安全的重要战略价值。

风险提示

中兴通讯事件、中美贸易战进一步升级,美国扩大对中国进口产品目录,限制更多企业进入美国市场。

一、中美贸易摩擦升级,中国电子、半导体产业挑战与机遇并存

中国半导体产业的死穴在设备进口

以中国半导体产业而言,最大的死穴在晶圆代工,封装测试,记忆体生产的敏感精密设备进口, 我们估计中国晶圆代工,封装测试,记忆体整合制造商将近有30-40%的资本支出,是购买美国的半导体设备,而其中20-30%的这些设备是短中期没办法由其他国家设备厂的产品所替代,禁令一旦发生,将重创中国晶圆代工,封装测试,记忆体整合制造产业,未来3年营收获利影响超过30%。

无晶圆半导体设计受惠较大

我们认为,除了中国本土半导体设备厂商, 台湾晶圆代工及封装测试厂商将大幅受惠外,大多数的中国无晶圆半导体设计公司和产业, 因为产品不具敏感性,卖到美国市场的比重偏低, 又不需购买美国精密半导体设备来生产, 加上又有强大的替代性, 将是美国对中国贸易战下的主要受惠族群。受惠于遍地开花的各种物联网,互联网,和人工智能应用, 我们预估中国无晶圆设计产业未来8年的复合成长率将达到17%,是全球无晶圆设计市场8%成长率的二倍, 中国无晶圆设计产业自给率将从大约今年的31%,提升到2025年的43%左右; 占全球的市场份额, 将从现在的17%提升到2025年的29%左右。

中国是全球最大集成电路需求市场,美国企业中国营收占比持续上升

中国已发展成为全球最大的集成电路需求市场,全球半导体企业都极度依赖中国市场,而最主要的“玩家”则是在全球半导体产业处于领导地位的美国企业。根据美国半导体协会(SIA)、国际半导体贸易统计协会(WSTS)数据,2017年,全球半导体总销售额4122亿美元,其中美国半导体企业销售额高达1890亿美元,在全球占比高达46%。而在中国市场,美国企业的市场占有率达到51%。

大部分美国半导体企业的主要营收地均为中国,根据21世纪经济报道统计,2017财年,美光、高通博通德州仪器赛灵思、应用材料、泛林等21家美国上市半导体公司企业总营收2231亿美元(含部分专利等非半导体收入),其中中国市场收入828亿美元,中国市场收入占比超过37%,其中,Skyworks(思佳讯)公司2017年中国营收占比高达82.65%。

根据财报统计,2010-2017财年,上述企业总计中国市场营收占比从25%提升至37%,中美半导体产业的相互依存愈发紧密。

国内智能手机需求的基带芯片及射频前端对美企业依赖度大

国内智能手机对美依赖度最高的莫过于芯片及射频前端了,虽然华为在芯片端走的很快,自给率不断提升,但是通过P20 Pro拆机发展,还是大量采用了美光、德州仪器、Skyworks等公司的产品。

射频前端主要包括PA,SAW/BAW Filter,多路开关等元器件。这些元器件需要电路和工艺的协同优化,可以说是电路设计和Fab缺一不可。因为需要从工艺层面到设计层面都打通,所以技术积累需求极高且工程规模很大。目前射频前端最好的设计掌握在Qorvo,Skyworks,Avago等美国公司手里。

国内智能手机在射频前端方面对Skyworks、Avago、Qorvo等美国企业的依赖度较高,以华为荣耀手机为例,Skyworks供应产品主要是射频前端模组(FEM),包括天线调谐器,射频开关,PA模组以及SkyOne系列集成化FEM,这些FEM在一部手机中的价值达到了8美元以上。

国内的三安光电及信维通信已经在大力发展射频滤波器功率放大器了,三安光电计划投资333亿发展半导体化合物产业,信维通信联合中电55所,也取得了一定的进展,一季度已经实现小量出货了。另外还有卓胜微电子,主要发展射频开关及低噪声放大器,这几年发展迅猛,目前也在发展滤波器及功率放大器。

设备是发展半导体产业的根本,中美半导体设备对美依赖度大

高端装备是发展半导体产业的基础,目前国内半导体设备这一块对美企业的依赖度还较高,每年都进口很多关键设备,如果美国半导体设备对中国禁售,会对中国半导体产业的发展不利。

中国台湾、大陆和韩国成为最大的半导体设备市场,超过日本和北美。SEMI 预计 2018年半导体设备市场规模还将继续增长 7.7%,达到 532 亿美元。其中韩国市场规模为 134 亿美元,中国大陆将突破至 110 亿美元,台湾则下降为109 亿美元。

目前中国半导体设备产业发展还很薄弱,但是近几年也取得了比较好的进展,如北方华创、中微半导体等,都实现了国产替代,其中中微半导体的MOCVD设备及半导体刻蚀机,更是取得了较好的突破。

中美贸易摩擦,中国电子、半导体产业挑战与机遇并存

美国的贸易保护,破坏市场公平竞争环境,不利于推进产业发展,提高关税会导致商品价格增长,但最终都转嫁给消费者买单,抑制需求,导致产业增长放缓甚至下滑,对双都是不利的。

目前中国半导体产业发展整体处在起步阶段,较为薄弱,仍缺失竞争力,需要奋起直追。在CPU、逻辑电路、存储器、设备、材料等领域,中国还没有进入全球排名前20的企业。

中国电子、半导体产业发展之路任重道远,目前虽然薄弱,但是具备一定的技术、资金实力,再加上经历这么多次的中美贸易摩擦事件,会加大发展力度,实现自主可控,目前中国正在通过一系列措施推进集成电路产业发展,包括万亿级国家战略性新兴产业发展基金有望年内设立,大基金二期有望撬动超万亿的集成电路产业投资,大力度税收优惠,符合条件的集成电路企业,免征企业所得税5年,制造业增值税税率由17%降至16%等。

综合分析,我们认为,此次的“中兴事件”,包括未来可能会发生的中美贸易摩擦升级,国内的电子产业短期会受到影响,中国智能手机芯片及射频前端、功率半导体分立器件、高性能模拟/混合信号电路及半导体设备对美依赖度较高,摩擦升级会破坏市场公平竞争环境,不利于国内电子产业的发展。但是也会带来发展机遇,中国电子产业已具备一定的资金、技术实力,再加上经历这么多次的中美贸易摩擦事件,会加大发展力度,逐步实现自主可控,看好设备、存储、射频前端、功率半导体分立器件等国产替代机会,受惠厂商:北方华创、晶盛机电、中微半导体、兆易创新、三安光电、信维通信、卓胜微电子、扬杰科技。

二、贸易战升级下通信行业走势分化

美国禁运若实施将导致两败俱伤,最终将走向和解。我们认为美国商务部对中兴通讯的权限禁令若不能在1-2月内达成和解,会对中兴的通信设备和手机业务产生一定影响。中兴通讯约有25%至30%的元器件由总部在美国的厂商供应,中兴通讯需要的高速ADC/DAC、3D MIMO芯片、调制器、高性能锁相环、中频VGA等产品,目前暂时没有国产芯片厂商可提供替代品。据了解,中兴备有供2个月左右生产的零部件存货,若不能尽快与美国政府达成和解,会影响其相关业务。同时,若禁运实施,对部分美国企业也将产业巨大负面影响。目前与中兴合作的美国企业众多,最近几年来,中兴通讯已经在美国芯片和美国设备上投入140亿美元,并为美国市场直接和间接地创造了20000个就业岗位。从中兴通讯北美供应商情况来看,2017年Oclaro中兴采购占18%营收(1.05亿美元),Acacia中兴采购占30%营收(1.16亿美元),同时大部分北美光通信、射频器件、处理器厂商在中国地区的营收增速超过30%。如果禁运实行,对中美两国将是两败俱伤。我们认为,此次禁运正值中美贸易战之际,美方以此作为谈判筹码的可能性极大,根据类似历史案例,最终在双方政府的干预下将走向和解。

我们认为中美贸易摩擦背后是科技和战略主导权之争,此次中兴事件并非独立事件,未来存在继续升级的可能。如果中美两国贸易战继续升级,对未来通信行业各板块的影响不一,走势可能出现分化。

光纤光缆或受积极影响:从行业的子版块来看,中国对美采取反倾销政策的主要是光纤光缆及光纤预制棒行业,原有反倾销政策将在2018年到期,若美方对中国信息技术领域加征关税,我国大概率延续反倾销税政策。

目前北美光纤光缆市场被康宁、OFS等龙头企业垄断,国内光纤光缆企业对美出口量较少。若美国加征关税,有望推动光纤预制棒价格进一步上涨,从而推动下游光纤光缆价格稳中有升。对中国光纤光缆企业出口影响有限,整体将对光纤光缆行业带来积极影响。亨通光电、中天科技海外收入占比较小,受政策直接影响不大,若价格上涨,则直接带动利润上涨,对国内自主光棒企业可谓利好。

光模块行业短期承压,长期看利好上游自主芯片技术突破:目前我国光模块行业高端原材料芯片仍依赖进口,海外芯片厂商议价能力较强。中国光模块/器件厂商高端产品成本端较刚性,若美国对中国出口的光模块加征关税,中国厂商或将分摊一部分税收负担,对厂商盈利能力带来一定影响。从国内光模块龙头中际旭创来看,其73%的产品销往海外,大部分为美国数通中心,因此对中际旭创影响较大。但目前北美光模块厂商,包括AAOI、Finisar等,均在中国境内设有代工厂,若美国对中国出口的光模块加征关税,美国企业盈利能力同样带来影响。

从长期来看,国内光器件龙头企业有望在国家政策(例如《中国光电子器件产业技术发展路线图》)、资金等资源支持下,实现上游自主芯片技术突破,降低对海外厂商依赖度。因此利好向上游突破关键芯片及部件(包括高速光电芯片、通讯芯片等)企业,加速自主研发和国产化替代,建议关注光迅科技。

三、贸易战对云领域影响非常有限,建议关注自主可控和网络安全版块

国内对外资云计算公司的监管,主要是出于国家安全战略和行业监管的选择:在国内云计算市场蓬勃发展的过程中,国家产业政策部门,对云计算领域的监管,主要经历了两个重要的阶段:

(1)2015年12月,工信部发布《电信业务分类目录(2015年版)》,明确将云计算及服务,划归为第一类增值电信业务,实行许可制度。港澳台地区的电信业务经营者,可依据相关的规定和程序,在境内设立合资公司(持股比例不超过50%),申请经营IDC业务的电信业务经营许可证。而互联网数据中心(IDC)业务,按照WTO承诺,不属于WTO承诺简章表中的业务类型,因此互联网数据中心(IDC)业务原则上,也并未对外资开放。

(2)云服务牌照许可制:根据工信部发布的《工业和信息化部关于清理规范互联网网络接入服务的通知》表明,云服务作为IDC新的业务形态进行许可,从2018年1月1日起,必须要获得相应的云服务许可,才能开展相应的业务。截止到2018年4月8日,共有196家国内企业获得云服务牌照。

备注:根据《电信业务分类目录(2015年版)》规定,互联网数据中心(IDC)属于第一类增值电信业务,且也包括互联网资源协作服务业务,比如通过互联网或其他网络以随时获取、按需使用、随时扩展、协作共享等方式,为用户提供的数据存储、互联网应用开发环境、互联网应用部署和运行管理等服务。

我们认为,国内相关部门,对外资云计算厂商的监管,更多出于国家信息安全战略以及电信行业合规监管的选择,监管政策是鼓励外资云计算厂商与国内合作伙伴合作,共同培育和支持整个国内云计算产业的发展。一系列产业监管政策的推出,更多是一个对行业监管与时俱进的过程,通过亚马逊AWS大中华区、微软云等快速增长的势头来看,行业监管政策并未对外资云计算厂商的经营规模进行限制。

我们从全球公有云竞争格局,以及全球化布局公有云业务的阿里云、腾讯云的营收结构来看,最终对中国云计算领域公司整体影响有限:根据Gartner对全球2016年公有云市场的统计分析来看,亚马逊AWS占据了44%左右的市场份额,第二到第九名合计占有19.2%,国内企业中只有阿里云占比3.05%,排全球第三位。从云计算产业发展的时间、市场成熟度、竞争厂商的竞争力等,美国市场上,本土公有云供应商整体上会显著优于国内厂商。阿里云2017年全球化布局加速,在全球范围内,在17个地域开放了34个可用区,成为亚洲唯一能与美国云计算巨头抗衡的云计算厂商。017年,阿里云在海外市场的营收规模同比增长超过400%,但其绝对数额仍然较小,从客户结构来看,阿里云在东南亚、美国市场,更多只是承担国内企业全球化布局的需求,如游戏公司在全球开展业务等。

因此,我们认为,若美国市场对阿里云等云计算公司,推出限制其发展规模,意义有限,对中国云计算领域公司整体影响将会很小。

自主可控是大势所趋,相关高技术产业升级、国产化势在必行:从中兴事件以及美国可能对云计算等高技术领域的可能限制,针对网络安全、高端服务器、芯片等技术和产品的国产化是当务之急,自主可控是大势所趋。我们看好,在国家信息安全战略、云计算产业政策、基金的支撑下,依托国内庞大的市场规模,具备自主知识产权的软件、高端服务器等产业和公司的发展。

综上,我们认为,美国针对云计算领域的可能限制,对国内云计算产业的发展整体影响非常有限,继续看好国内云计算产业快速发展的势头。同时,中美贸易战,特别是针对高新技术的限制,进一步凸显了自主可控、网络安全的重要战略价值。

原文标题:设备,中国半导体的死穴!

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2018年8月,台积电被爆厂区计算机遭病毒感染事件,引起业内一片哗然。时隔半年不到,台积电又出事故了....
的头像 DIGITIMES 发表于 02-12 09:45 439次 阅读
台积电水逆来袭 上万晶圆报废

半导体厂商蜂拥而上,产业链厂商步步紧跟

中微半导体成立于2004年5月,法定代表人尹志尧。截至申请提交日,公司无实际控制人,持股5%以上股东....
的头像 半导体投资联盟 发表于 02-11 17:12 1351次 阅读
半导体厂商蜂拥而上,产业链厂商步步紧跟

汇顶科技又迎来了一波减持潮

公开资料显示,杨奇志出生于1965 年生,专科学历。曾担任成都电焊条厂、深圳大学、成都华美电子科技有....
的头像 TechSugar 发表于 02-11 16:40 721次 阅读
汇顶科技又迎来了一波减持潮

晶晨半导体已经开启IPO通道 将登陆科创板

国内知名的半导体厂商Amlogic(晶晨半导体)已经开启IPO通道,正计划成为首批登陆科创板的企业。....
的头像 满天芯 发表于 02-11 16:39 673次 阅读
晶晨半导体已经开启IPO通道 将登陆科创板

台积电南科晶圆厂发生了晶圆污染事件,预估报废上万片晶圆

问题是在生产过程中检查不到瑕疵晶圆,只能等生产后才能确认,所以台积电目前也不知道到底影响有多大,但传....
的头像 中国半导体论坛 发表于 02-11 16:02 1652次 阅读
台积电南科晶圆厂发生了晶圆污染事件,预估报废上万片晶圆

业界首个硅晶圆级砷化镓及SOI异质集成射频前端模组

uWLSI®为中芯宁波的注册商标,意指“晶圆级微系统集成”;它是中芯宁波自主开发的一种特种中后段晶圆....
的头像 中国半导体论坛 发表于 02-11 15:59 641次 阅读
业界首个硅晶圆级砷化镓及SOI异质集成射频前端模组

晶晨半导体正计划成为首批登陆科创板的企业

晶晨半导体正计划成为首批登陆科创板的企业,业界透露晶晨半导体此次募资上市重点在于加码IPC(网络摄像....
的头像 中国半导体论坛 发表于 02-11 15:57 1638次 阅读
晶晨半导体正计划成为首批登陆科创板的企业

华为已要求全球最大晶圆代工厂台积电,将部分晶圆生产线移至大陆!

华为先前在深圳召开核心应用商大会时,首度公布核心供应商名单,华为核心供应商共有92家,其中台湾厂商有....
的头像 中国半导体论坛 发表于 02-11 15:53 2012次 阅读
华为已要求全球最大晶圆代工厂台积电,将部分晶圆生产线移至大陆!

又一存储器项目助力合肥市打造IC之都

该项目将于合肥经开区建设康佳存储器事业总部和科研创新中心,引入国内外半导体设计公司和集成电路产业链项....
的头像 半导体行业联盟 发表于 02-11 15:33 330次 阅读
又一存储器项目助力合肥市打造IC之都

半导体芯片知识科普

制程并不能无限制的缩小,当我们将晶体管缩小到 20 奈米左右时,就会遇到量子物理中的问题,让晶体管有....
的头像 TechSugar 发表于 02-11 14:36 548次 阅读
半导体芯片知识科普

半导体供应链去库存化浪潮,多家晶圆代工厂下调代工报价

受全球经济放缓、智能手机需求低迷、加密货币疲软以及存储芯片市场供给过剩等因素影响,全球电子供应链正在....
的头像 半导体行业联盟 发表于 02-11 14:34 618次 阅读
半导体供应链去库存化浪潮,多家晶圆代工厂下调代工报价

半导体大厂台积电12寸厂再爆生产事故,同天同厂区爆发一大一小“受污”事件

业界透露,台积电使用的光刻胶供应商有日商信越、JSR等,以及美商陶氏电子(Dow Electroni....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-11 14:14 2256次 阅读
半导体大厂台积电12寸厂再爆生产事故,同天同厂区爆发一大一小“受污”事件

晶圆探针去嵌入技术有什么看法吗?

我们想要描述SMA连接器和尖端之间的共面晶圆探针。 我们正在考虑使用“微波测量手册”第9.3.1节中的“使用单端口校准进行夹具...
发表于 01-23 15:24 45次 阅读
晶圆探针去嵌入技术有什么看法吗?

欧姆社学习-漫画半导体

《欧姆社学习漫画》是日本欧姆社自2004年7月开始出版的一系列漫画类学习教材。该图书主要讲述了电气学,物理学,数学以及生物科学...
发表于 01-17 22:25 510次 阅读
欧姆社学习-漫画半导体

MQ-K1型半导体气敏元件规格书

MQ-K1型半导体气敏元件规格书
发表于 01-16 09:06 202次 阅读
MQ-K1型半导体气敏元件规格书

产品说明70820-5:提高半导体器件表征中的Delta时间精度

Product Note 70820-5: Microwave Transition Analyzer: Improve Delta Time Accuracies in Semiconductor Device M...
发表于 01-09 15:53 66次 阅读
产品说明70820-5:提高半导体器件表征中的Delta时间精度

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 471次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 37次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 34次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 40次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 42次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 34次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 41次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 69次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 141次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 44次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 47次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 59次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 37次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 63次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 64次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
发表于 01-08 17:51 45次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 57次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 66次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 48次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 46次 阅读
LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

简化半导体器件的直流表征和分析(AN 383-1)

This Application Note is for information only. Keysight no longer sells or supports these products....
发表于 01-04 15:51 86次 阅读
简化半导体器件的直流表征和分析(AN 383-1)

2019云计算七个预测

随着企业使其计算和网络架构现代化,云原生架构是主要的目标。云计算已成为企业应用程序的主要范式,随着企业使其计算和网络架构...
发表于 01-03 18:06 265次 阅读
2019云计算七个预测

半导体电容特性分析

Describes how to use the 4280A to make semiconductor CV measurements, Ct measurements, perform Zerbst analysis, an...
发表于 01-02 17:25 100次 阅读
半导体电容特性分析

将独立拆分半导体业务?夏普回应确有此事

近日,有消息称夏普将拆分半导体业务。对此,夏普在12月26日正式发布公告证实,夏普确实要剥离一些业务,以子公司的形式独立运营...
发表于 12-29 16:38 139次 阅读
将独立拆分半导体业务?夏普回应确有此事