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天时地利人和,兆易创新深度布局存储芯片产业链

芯榜 2018-04-16 09:36 次阅读

4月15日,兆易创新(603986)发布2017年年报,公司2017年1-12月实现营业收入20.30亿元,同比增长36.32%;半导体及元件行业平均营业收入增长率为22.78%;归属于上市公司股东的净利润3.97亿元,同比增长125.26%,半导体及元件行业平均净利润增长率为28.02%,公司每股收益为1.99元。

公司表示,(一)主营业务影响:报告期内市场需求大幅增加、新产品的推出、销售产品结构调整,从而使归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润与上年同期相比增加1.65亿元1.95亿元。(二)非经营性损益的影响:出售部分可供出售金融资产获得的投资收益,以及对被投资企业不再具有重大影响导致长期股权投资转为可供出售金融资产核算时确认的投资收益,带来非经常性损益增加0.42亿元。

“大基金”加持,兆易创新从非主流到主流

存储芯片“NOR Flash” 领域跻身世界前三,兆易创新迅速成为资本市场追捧的香饽饽。

上市后连拉18个涨停板,2017年8月至今涨幅更是超过120%。股价大涨背后,是一连串运作——收购北京矽成(因北京矽成供应商原因最终终止),联合合肥产投进军DRAM领域,国家大基金受让为公司第二大股东,入股中芯国际,拟收购上海思立微电子。

在国产芯片崛起,以及国家集成电路产业战略逐步落地的背景下,兆易创新表现得十分抢眼。

但接受《英才》记者专访时,董事长朱一明表示,兆易创新绝不单纯搞资本。“兆易创新任何的投资,都不会是财务投资,兆易做的投资都是战略投资。”

2017年可谓是中国半导体投资元年,各地掀起芯片投资热潮,十余家产业链相关企业登陆资本市场。

资本火热、产业沸腾,一家上市不久的公司如何利用资本市场快速崛起?在百舸争流的半导体热潮中,如何走出自己的发展道路?

世界前三受益于需求端大幅增长的影响,各大存储芯片企业在2017年都取得了不俗的业绩。据兆易创新三季报显示,前三季度公司实现营收15.17亿元,同比增长44.69%;归母净利润3.39亿元,同比增长134.74%。

按照此前NOR Flash竞争格局,美国企业赛普拉斯市占率为25%,排名第一;台湾两大巨头旺宏、美光市占率分别为24%、18%紧随其后,之后才是华邦电子与兆易创新。

2017年2月,美光科技宣布剥离旗下NOR芯片业务,转而全力冲刺DRAM和NAND Flash.4月,赛普拉斯表示,将退出中低容量的NOR Flash市场,专注高容量的车用和工规领域。

“这两大公司退出既是意料之外也是意料之中。”朱一明对《英才》记者分析道,“美国公司更注重战略聚焦以及毛利率。美光要专注于更大的市场,而赛普拉斯则更要聚焦于物联网。”

美光、赛普拉斯两大巨头的退出,令兆易创新升至世界第三的位置。不过,竞争并非由此减弱。

由于起步早,规模大,台湾旺宏、华邦电子抢占先机。“整体来说,对台湾公司更有利。他们经营的时间更久,国际知名度更高。”

“但问题是你如何做到世界第一,这才是关键。”朱一明向《英才》记者指出,做成第一,才能够具有一定地位。存储芯片产业本身是全球产业,如何变成全球第一,永远是我们需要考虑的问题。

由于市场环境趋严,兆易创新曾经试图并购ISSI进而做大做强的计划搁浅,但一步步挺进主流市场领域的战略并没有动摇。

“大基金”加持受全球闪存芯片供应偏紧及需求增长的影响,NOR Flash 产能供应也一度考验着各参与者。

2017年11月29日,兆易创新公告显示,以每股10.65港元的价格认购中芯国际(00981.HK)发行股份。认购成功后,公司约持有中芯国际1.02%的股份。

中芯国际是中国第一大晶圆代工企业,同时也是兆易创新最主要的代工厂。战略入股中芯国际,显然将有助于保障产能供应。

“这是一个起点,不是终点。”朱一明对《英才》记者表示,“跟晶圆制造厂的战略关系会越来越紧密。而且,不仅仅是产能的合作,未来各种技术合作战略合作会进一步深化。”

作为全球领先的闪存芯片及MCU供应商,国家集成电路产业投资基金也在资本市场给予了兆易创新实质性的认可。

通过股份转让,国家大基金受让启迪中海和盈富泰克持有的公司股份。目前,大基金持有兆易创新11%的股份,为公司第二大股东。

国家大基金的战略入股,使兆易创新成为国家集成电路战略落地的产业平台。朱一明表示,“国家大基金投我们,绝对不仅为了拿股权,也不单纯为了赚钱。从产业布局上来说,希望兆易能够在国家战略里扮演更大的作用。”

从非主流到主流全球来看,NOR Flash 市场规模仅有30亿美元,和DRAM、NAND Flash 动辄300亿-400亿美元的量级相去甚远。要想深入掘金,就必须聚焦于更广阔的市场。

2017年10月26日,兆易创新与合肥产投签署了合作协议,双方合作开发19nm的12英寸晶圆存储器(含DRAM等)研发,项目预算约为180亿元。

但这一行业长期处于高度垄断的状态,三星、海力士和美光三家几乎垄断了全球DRAM 98%的市场。

进军DRAM领域,意味着要和世界巨头抢食吃。市场不免担心,布局如此高门槛的领域,兆易创新的底气何来。

按照计划,该项目资金由兆易创新与合肥产投根据1:4的比例负责筹集,即兆易创新出资36亿元,余下的144亿元由合肥产投出资。

对比IPO时募资的5.17亿元,资金缺口还是比较大。但朱一明告诉《英才》记者:“公司融资渠道丰富,并不是难事。合肥项目,我们说的少,做得多,目前进展还是非常快的。”

对比其他城市,朱一明更加看好合肥的发展前景。尤其是京东方投资458亿元建设的合肥10.5代线提前投产,令他触动颇深。

朱一明相信,京东方的成功可以复制。而且和曾经布局集成电路产业最终失败的城市相比,“合肥没有历史包袱,地方政府没有投资失败的阴影。因此成功率更高一些。”

他认为,中国芯片企业对标的目标是三星、SK海力士等巨头,但商业竞争的方案要考虑自身的盈利能力,并多次强调了现金流的重要性。

“要把阶段性的事情做好,是不是有市场,市场阶段性是不是能养活你,有没有足够多的现金?能否自我造血?如果说你不能活,你越活越差,不停要靠输血,最后都可能会失败。这不就是下一个乐视吗?”

“毕竟,能够活下去,才有动力往前走”,朱一明补充道。

天时地利人和,兆易创新深度布局存储芯片产业链

在半导体领域“得存储者,得天下”,这句话一点都不夸张。2017年三星正是借着全球存储芯片大涨价之际,一举将英特尔挑下台,成为了全球最大芯片制造商。

根据SIA公布的数据显示,2017年全球半导体销售金额为4200亿美金,其中仅存储芯片销售就达1200亿美金。这也意味着,存储芯片占据整个半导体领域三分之一市场。

在相当长的一段时间里,受限于技术、资金、专利、人才等制约,中国在存储芯片领域基本处于空白。不过,近几年这一情况正在发生变化,以兆易创新为代表的中国公司正在快速崛起。

兆易创新NOR Flash打进三星旗舰机供应链背后

就在本月初,来自拆解网站iFixit拆解报告显示,兆易创新已成功打进三星旗舰智能手机供应链,旗下32Mb的序列式NOR Flash获三星的Galaxy S9采用。

有行业人士表示,虽然在存储芯片中NOR Flash是相对门槛较低的一类,但此次兆易创新进入三星旗舰机供应链仍能说明兆易的技术与供应链保证能力。

过去几年,兆易创新在NOR Flash领域上演逆袭之路。2005年朱一明从美国硅谷回到中国后创办了兆易创新,一开始就选择了中国处于空白地位的存储芯片领域。在他的带领下,公司在技术和市场领域飞速发展,先后推出国内第一颗 Serial Flash产品、第一颗静态存储器及IP技术、第一款 GigaROM 产品,开创了中国存储器制造先河。

不仅在技术上,在市场上兆易创新也获得认可。据IHS的最新数据显示,截止到2017年第三季度,兆易创新的NOR Flash市场份额高达8%,全球排名第五。在序列式NOR Flash领域,公司更是从2013年就已经成为了全球三大供应商之一,累计出货量达到100亿颗。

“在技术和市场成熟的NOR Flash领域,兆易创新的取胜秘诀绝不仅仅是性价比。比如,当前供应链保证能力也是公司的核心竞争力之一。”一位行业人士说道。

事实上,去年开始存储芯片行业大的背景是缺货与涨价。而兆易创新凭借与外协厂商多年积累的良好协作关系,优化供应链管理,调配各供应商产能,同时强化供应链各环节的产销衔接,针对新产品、新应用开发、新技术和新流程,降低成本,提高良率,维持稳定供货。

例如,在去年9月兆易创新为保障长期稳定的产能供应,进一步增强竞争优势,与中芯国际签署《战略合作协议》。该协议为供货合作协议,合同标的为原材料晶圆,协议约定至2018年底采购金额为12亿元或以上。

IoT浪潮爆发将继续推动兆易NOR Flash成长

除了自身实力不断提升外,兆易创新NOR Flash 业务高成长还受到巨头的退出与产业环境利好多种因素叠加。

2017年2月,美光科技宣布剥离旗下NOR芯片业务,转而全力冲刺DRAM和NAND Flash。4月,赛普拉斯表示,将退出中低容量的NOR Flash市场,专注高容量的车用和工规领域。

美光与赛普拉斯逐步退出不仅推动2017年NOR Flash 市场的价格,而且也给兆易创新来了更多的市场空间。分析师预测,NOR Flash国产渗透的空间足够满足兆易创新未来3年预测期出货量15%、20%和25%的成长。

当然,行业要发展最根本还是要有市场需求推动,这一轮存储芯片涨价缺货潮根本还是IoT产业的爆发。

NOR Flash作为代码型闪存芯片,主要用来存储代码及部分数据。目前除了传统的应用领域如手机、机顶盒、电视等提供稳定需求之外,智能家居、智能建筑、智能车辆和无人机等新兴的应用领域也在大举导入NOR Flash作为存储驱动程序代码的存储设备,为NOR Flash带来新的需求增量。

而兆易创新很早就看到了这一市场趋势。此前公司公告称,针对物联网(IoT)市场,公司推出了超低功耗的NOR Flash 产品;适用性广泛的1.65V~3.6V宽电源电压 NOR Flash 产品实现量产;适用车载和高性能市场,支持 DDR 接口的高速度传输速率 NOR Flash 研发成功并量产;公司持续推进先进工艺技术,NOR Flash 稳步推进 45nm NOR Flash 产品研发,保持在 NOR Flash 技术的业界领先,为公司在高容量产品的市场扩大和产品竞争力做好技术储备。

NOR+NAND+DRAM全产业链布局,打造全球存储芯片龙头

在NOR Flash领域站稳只是兆易创新的第一步。相比NOR Flash 市场规模仅有30亿美元,DRAM、NAND Flash 动辄300亿-400亿美元的量级,这一领域才是兆易创新未来重点开拓的市场。

在NAND Flash业务方面,公司自研NAND Flash已在2017年Q3季度量产,目前产品性能和可靠性超过一般市面同类产品。同时,公司还在研发不断推进24nm NAND。

在DRAM领域,2017年10月26日,兆易创新与合肥产投签署了合作协议,双方合作开发19nm的12英寸晶圆存储器研发,项目预算约为180亿元。依据1:4负责筹集资金,目标是在2018年12月31日前研发成功,即实现产品良率(测试电性良好的晶片占整个晶圆的比例)不低于10%。

从大的方向上看,目前兆易创新正在构建NOR+NAND+DRAM 全存储芯片产品体系。在国家产业政策的支持、市场与资本助力下,兆易创新正处于天时、地利、人和的绝佳历史窗口期,相信经过这一轮的产业发展与变革,兆易创新有望成长为全球存储芯片龙头。

原文标题:刚刚!兆易创新发年报,利润惊人!

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三星开始大规模生产MRAM记忆体,结合DRAM和NAND闪存特性

三星已将下一代嵌入式半导体存储器产品MRAM纳入生产制造范畴,并在韩国器兴厂区率先进入大规模生产。M....
的头像 渔翁先生 发表于 03-06 16:43 1899次 阅读
三星开始大规模生产MRAM记忆体,结合DRAM和NAND闪存特性

EEPROM的存储器映射是否有标准

大家好。我使用PIC32 MX370F512H控制器,在EEPROM中有8KB的内存空间。目前在EEPROM中占用的内存大约是2KB...
发表于 03-06 15:14 58次 阅读
EEPROM的存储器映射是否有标准

FPGA视频教程之SF-EP1C开发板基于M4K块的单口RAM配置仿真实验说明

FPGA器件中通常嵌入一-些用户可配置的存储块,altera 的Cyclone家族器件也不例外。Cy....
发表于 03-06 11:14 40次 阅读
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U-Boot如何在64位多内核MIPS处理器上进行移植

介绍了源码开放的通用启动模块U-Boot 的文件结构,并以Broadcom 公司的4 内核处理器BC....
发表于 03-06 11:03 44次 阅读
U-Boot如何在64位多内核MIPS处理器上进行移植

中国多管齐下促进集成电路发展,大基金助推我国集成电路发展

2019年政策、资金、需求悉数到位持续加码半导体国产化随着美国、西欧乃至日本等传统半导体强国再次将半....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 03-05 16:46 1236次 阅读
中国多管齐下促进集成电路发展,大基金助推我国集成电路发展

一文看懂中国存储“芯”希望—兆易创新

NOR flash、目前工艺平台仍以65nm为主,55nm正在持续研发中,产品结构来看32M以上占比....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 03-05 16:38 3924次 阅读
一文看懂中国存储“芯”希望—兆易创新

FPGA视频教程之在SF-EP1C开发板进行AS和JTAG配置方式的详细资料介绍

与CPLD不同,FPGA是基于SRAM结构的(Actel也有基于Flash结构的FPGA,但不是今天....
发表于 03-05 14:16 41次 阅读
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内部总线、系统总线和外部总线汇总

I2S(Inter-IC Sound Bus)是飞利浦公司为数字音频设备之间的音频数据传输而制定的一....
的头像 电子发烧友网 发表于 03-05 10:14 531次 阅读
内部总线、系统总线和外部总线汇总

MCS-51单片机的硬件结构详细资料分析

本文档的主要内容详细介绍的是MCS-51单片机的硬件结构详细资料分析主要内容包括了:1 MCS-51....
发表于 03-05 08:00 58次 阅读
MCS-51单片机的硬件结构详细资料分析

ADSP-BF514F16 集成16 MB FLASH存储器和RSI的BLACKFIN嵌入式处理器

和特点 高达400MHz的高性能Blackfin处理器2个16位MAC、2个40位ALU、4个8位视频ALUs、40位移位器RISC式寄存器和指令模型,简化编程并提供编译器相关支持 宽工作电压范围 通过汽车应用认证 168引脚CSP_BGA封装或176引脚LQFP_EP封装(裸露焊盘) 存储器116KB片内存储器外部存储器控制器无缝支持SDRAM和异步8/16位存储器带引导选项的可选16Mb SPI闪存 外设IEEE 802.3兼容型10/100以太网MAC,支持IEEE 1588(仅限ADSP-BF518/ADSP-BF518F16)并行外设接口(PPI),支持ITU-R 656视频数据格式 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情 ADSP-BF512、ADSP-BF514/ADSP-BF514F16、ADSP-BF516、ADSP-BF518/ADSP-BF518F16处理器属于Blackfin®系列产品,采用ADI公司/Intel公司的微信号架构(MSA)。 Blackfin处理器将先进的双MAC信号处理引擎、干净且正交的RISC式微处理器指令集的优势和单指令、多数据流(SIMD)多媒体能力结合为一个指令集架构。ADSP-BF514F16产品可代替现已停产的ADSP-BF51xF产品。 这些处理器与其它Blackfin处理...
发表于 02-22 14:50 0次 阅读
ADSP-BF514F16 集成16 MB FLASH存储器和RSI的BLACKFIN嵌入式处理器

ADSP-BF518F16 集成16 MB FLASH存储器并支持IEEE-1588的BLACKFIN嵌入式处理器

和特点 高达400MHz的高性能Blackfin处理器2个16位MAC、2个40位ALU、4个8位视频ALUs、40位移位器RISC式寄存器和指令模型,简化编程并提供编译器相关支持 宽工作电压范围 通过汽车应用认证 168引脚CSP_BGA封装或176引脚LQFP_EP封装(裸露焊盘) 存储器116KB片内存储器外部存储器控制器无缝支持SDRAM和异步8/16位存储器带引导选项的可选16Mb SPI闪存 外设IEEE 802.3兼容型10/100以太网MAC,支持IEEE 1588(仅限ADSP-BF518/ADSP-BF518F16)并行外设接口(PPI),支持ITU-R 656视频数据格式 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情 ADSP-BF512、ADSP-BF514/ADSP-BF514F16、ADSP-BF516、ADSP-BF518/ADSP-BF518F16处理器属于Blackfin®系列产品,采用ADI公司/Intel公司的微信号架构(MSA)。 Blackfin处理器将先进的双MAC信号处理引擎、干净且正交的RISC式微处理器指令集的优势和单指令、多数据流(SIMD)多媒体能力结合为一个指令集架构。ADSP-BF518F16产品可代替现已停产的ADSP-BF51xF产品。 这些处理器与其它Blackfin处理...
发表于 02-22 14:49 0次 阅读
ADSP-BF518F16 集成16 MB FLASH存储器并支持IEEE-1588的BLACKFIN嵌入式处理器

LTC3676 面向应用处理器的电源管理解决方案

和特点 4 通道 I2C 可调高效率降压型 DC/DC 转换器:2.5A、2.5A、1.5A、1.5A3 个 300mA LDO 稳压器 (有 2 个是可调的)具有 VTT 和 VTTR 基准的 DDR 电源解决方案具有系统复位功能的按钮 ON / OFF 控制独立的使能引脚搭接或 I2C 排序可编程自主型断电控制动态电压调节电源良好和复位功能可选的 2.25MHz 或 1.12MHz 开关频率始终保持运行的 25mA LDO 稳压器12μA 待机电流扁平 40 引线 6mm x 6mm QFN 和 48 引线裸露焊盘 LQFP 封装 产品详情 LTC®3676 是一款完整的电源管理解决方案,适合基于高级便携式应用处理器的系统。该器件包含 4 个用于内核、存储器、I/O 和片上系统 (SoC) 电源轨的同步降压型 DC/DC 转换器,以及 3 个用于低噪声模拟电源的 300mA LDO 稳压器。LTC3676-1 具有一个专为支持 DDR 终端和一个 VTTR 基准输出而配置的 ±1.5A 降压型稳压器。一个 I2C 串行端口用于控制稳压器使能、断电排序、输出电压电平、动态电压调节、操作模式和状态报告。稳压器启动的排序操作通过按期望的次序将其输出连接至使能引脚或通过 I2C 端口来完成。系统上电、断电和复位功能受控于按钮接口、...
发表于 02-22 14:30 0次 阅读
LTC3676 面向应用处理器的电源管理解决方案

LTC3612 3A、4MHz、单片式同步降压型 DC/DC 转换器

和特点 3A 输出电流 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 低输出纹波突发模式 (Burst Mode®) 操作:IQ = 70μA ±1% 输出电压准确度 输出电压低至 0.6V 高效率:达 95%低压差操作:100% 占空比停机电流:≤1μA可调开关频率:高达 4MHz可任选的有源电压定位 (AVP) 和内部补偿可选的脉冲跳跃 / 强制连续 / 具可调突发箝位的突发模式操作可编程软起动用于启动跟踪或外部基准的输入DDR 存储模式,IOUT = ±1.5A采用耐热性能增强型 20 引脚 (3mm x 4mm) QFN 和 TSSOP 封装 产品详情 LTC®3612 是一款低静态电流、单片式、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。睡眠模式中的无负载 DC 电源电流仅为 70μA,并在无负载条件下保持了输出电压 (突发模式操作),在停机模式中电流降至零。2.25V 至 5.5V 的输入电源电压范围使 LTC3612 非常适合于单节锂离子电池和固定低电压输入应用。100% 占空比能力可提供低压差操作,从而延长了电池供电型系统中的工作时间。该器件的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。对于那些对开关噪声敏感的应用,可以使 LTC3612 同步至一个频率高达 4MHz 的外部时...
发表于 02-22 14:28 0次 阅读
LTC3612 3A、4MHz、单片式同步降压型 DC/DC 转换器

LTC3616 6A、4MHz、单片式同步降压型 DC/DC 转换器

和特点 6A 输出电流 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 低输出纹波突发模式 (Burst Mode®) 操作:IQ = 75μA ±1% 输出电压准确度 输出电压低至 0.6V 高效率:达 95% 低压差操作:100% 占空比 SW 节点上的可编程转换速率降低了噪声和 EMI 可调开关频率:高达 4MHz 可任选的有源电压定位 (AVP) 和内部补偿 可选的脉冲跳跃 / 强制连续 / 具可调突发箝位的突发模式操作 可编程软起动 用于启动跟踪或外部基准的输入 DDR 存储模式,IOUT = ±3A 采用耐热性能增强型 24 引脚 3mm x 5mm QFN 封装 产品详情 LTC®3616 是一款低静态电流、单片式、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。睡眠模式中的无负载 DC 电源电流仅为 70μA,并在无负载条件下保持了输出电压 (突发模式操作),在停机模式中降至零电流。2.25V 至 5.5V 的输入电源电压范围使 LTC3616 非常适合于单节锂离子电池和固定低电压输入应用。100% 占空比能力可提供低压差操作,从而延长了电池供电型系统中的工作时间。 该器件的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。对于那些对开关噪声敏感的应用,可以使 LTC3616 同步至...
发表于 02-22 14:28 0次 阅读
LTC3616 6A、4MHz、单片式同步降压型 DC/DC 转换器

LTC3614 4A、4MHz、单片式同步降压型 DC/DC 转换器

和特点 4A 输出电流 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 低输出纹波突发模式 (Burst Mode®) 操作:IQ = 75μA ±1% 输出电压准确度 输出电压低至 0.6V 高效率:达 95%低压差操作:100% 占空比SW 节点上的可编程转换速率降低了噪声和 EMI可调开关频率:高达 4MHz可任选的有源电压定位 (AVP) 和内部补偿可选的脉冲跳跃 / 强制连续 / 具可调突发箝位的突发模式操作可编程软起动用于启动跟踪或外部基准的输入DDR 存储模式,IOUT = ±3A采用耐热性能增强型 24 引脚 3mm x 5mm QFN 封装 产品详情 LTC®3614 是一款低静态电流、单片式、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。睡眠模式中的无负载 DC 电源电流仅为 75μA,并在无负载条件下保持了输出电压 (突发模式操作),在停机模式中降至零电流。2.25V 至 5.5V 的输入电源电压范围使 LTC3614 非常适合于单节锂离子电池和固定低电压输入应用。100% 占空比能力可提供低压差操作,从而延长了电池供电型系统中的工作时间。 该器件的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。对于那些对开关噪声敏感的应用,可以使 LTC3614 同步至一个频率高达 4M...
发表于 02-22 14:27 0次 阅读
LTC3614 4A、4MHz、单片式同步降压型 DC/DC 转换器

LTC3617 用于 DDR 终端的 ±6A、单片式、同步降压型稳压器

和特点 ±6A 输出电流 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 ±10mV 输出电压准确度 专为低至 0.5V 的低输出电压而优化 高效率 用于 VTTR = VDDQIN • 0.5 的集成型缓冲器 停机电流:<1μA 可调开关频率:高达 4MHz 任选的内部补偿 内部软起动 电源良好状态输出 输入过压保护 耐热性能增强型 24 引脚 3mm x 5mm QFN 封装 产品详情 LTC®3617 是一款高效率、单片式、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。该器件的工作输入电压范围为 2.25V 至 5.5V,并提供了一个等于 0.5 • VDDQIN 的稳定输出电压,同时可供应和吸收高达 6A 的负载电流。内部放大器可提供一个等于 0.5·VDDQIN 的 VTTR 输出电压,并具有 ±10mA 的输出电流能力。此 IC 的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。对于那些对开关噪声敏感的应用,可以使 LTC3617 同步至一个频率高达 4MHz 的外部时钟。LTC3617 中的强制连续模式操作可降低噪声及 RF 干扰。可调的外部补偿使得能够在一个很宽的负载和输出电容范围内优化瞬态响应。内部同步开关提升了效率,并免除了增设一个外部箝位二极管的需要,从而最大...
发表于 02-22 14:24 0次 阅读
LTC3617 用于 DDR 终端的 ±6A、单片式、同步降压型稳压器

LTC3615 双通道、4MHz、3A、同步降压型 DC/DC 转换器

和特点 高效率:达 94% 具 2 x 3A 输出电流能力的双路输出 低输出纹波突发模式 (Burst Mode®) 操作:IQ = 130μA 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 ±1% 输出电压准确度 输出电压低至 0.6V 开关引脚上的可编程转换速率 低压差操作:100% 占空比 停机电流:≤1μA 可调开关频率:高达 4MHz 内部或外部补偿 可选的脉冲跳跃 / 强制连续 / 具可调突发箝位的突发模式操作 可任选的有源电压定位 (AVP) 和内部补偿 通道之間的 0° / 90° / 180° (LTC3615) 或 140° / 180° 可選相移 固定内部和可编程外部软起动 准确的启动跟踪能力 DDR 存储模式的 IOUT = ±1.5A 采用 4mm x 4mm QFN-24 封装和 TSSOP-24 封装   产品详情 LTC®3615 / LTC3615-1 是一款双通道、3A、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。DC 电源电流仅为 130μA (在无负载时执行突发模式操作),并保持了输出电压,在停机模式中降至零电流。2.25V 至 5.5V 的输入电源范围使器件非常适合于单节锂离子电池应用。100% 占空比能力可提供低压差操作,从而延长了电池供电式系统中的工作时间。 该器件的工作频率可在外部设置至高达 4MHz...
发表于 02-22 14:23 0次 阅读
LTC3615 双通道、4MHz、3A、同步降压型 DC/DC 转换器

LTM4632 用于 DDR-QDR4 存储器的超薄、三路输出、降压型 μModule 稳压器

和特点 包括 VDDQ、VTT、VTTR (或 VREF) 的完整 DDR-QDR4 SRAM 电源解决方案占板面积为 0.5cm2 (双面 PCB) 的解决方案宽输入电压范围:3.6V 至 15V3.3V 输入可兼容连接至 INTVCC 的 VIN0.6V 至 2.5V 输出电压范围双路 ±3A DC 输出电流 (具有提供和吸收能力)±1.5%、±10mA 缓冲 VTTR = VDDQ/2 输出3A VDDQ + 3A VTT 或双相单路 6A VTT在整个负载、电压和温度范围内具有 ±1.5% 的最大总输出电压调节误差电流模式控制,快速瞬态响应外部频率同步多相可并联和均流可选的突发模式 (Burst Mode®) 操作过压输入和过热保护电源良好指示器超薄型 6.25mm x 6.25mm x 1.82mm LGA 封装和超薄型 6.25mm x 6.25mm x 2.42mm BGA 封装 产品详情 LTM®4632 是一款超薄的三路输出降压型 μModule® (电源模块) 稳压器,可提供用于 DDR-QDR4 SRAM 的完整电源解决方案。LTM4632 可在一个 3.6V 至 15V 的输入电压范围内运作,支持两个用于 VDDQ 和 VTT 的 ±3A 输出电源轨 (两者均可吸收和提供电流) 和一个 10mA 低噪声基准 VTTR 输出。VTT 和 VTTR 皆跟踪并等于 VD...
发表于 02-22 14:14 8次 阅读
LTM4632 用于 DDR-QDR4 存储器的超薄、三路输出、降压型 μModule 稳压器

LTC3876 用于 DDR 电源的双通道 DC/DC 控制器具有差分 VDDQ 检测功能和 ±50mA VTT 基准

和特点 具 VTT 基准的完整 DDR 电源解决方案 宽 VIN 范围:4.5V 至 38V,VDDQ:1V 至 2.5V ±0.67% VDDQ 输出电压准确度 VDDQ 和 VTT 终端控制器 ±1.2% ±50mA 线性 VTTR 基准输出 受控导通时间、谷值电流模式控制 频率可编程范围:200kHz 至 2MHz 可同步至外部时钟 tON(MIN) = 30ns,tOFF(MIN) = 90ns RSENSE 或电感器 DCR 电流检测 电源良好输出电压监视器 过压保护和电流限值折返 耐热性能增强型 38 引脚 (5mm x 7mm) QFN 封装和 TSSOP 封装产品详情 LTC®3876 是一款完整的 DDR 电源解决方案,可兼容 DDR1、DDR2、DDR3 及未来的较低电压 DDRX标准。LTC3876 包括 VDDQ 和 VTT DC/DC 控制器和一个高精度线性 VTT 基准。一个差分输出检测放大器与高精度的内部基准相组合,可提供一个准确的 VDDQ 电源。VTT 控制器负责跟踪高精度的 VTTR 线性基准,并具有 <20mV 的总 DC 误差。对于一个 ±50mA 基准负载,当跟踪二分之一 VDDQ 时,高精度的 VTTR 基准可在整个温度范围内保持 1.2% 的调节准确度。LTC3876 允许在 4.5V 至 38V (最大...
发表于 02-22 14:11 0次 阅读
LTC3876 用于 DDR 电源的双通道 DC/DC 控制器具有差分 VDDQ 检测功能和 ±50mA VTT 基准

LTC3831-1 用于 DDR 存储器终端的高功率同步开关稳压控制器

和特点 VOUT低至 0.4V 用于 DDR 存储器终端的高功率开关稳压控制器 VOUT跟踪 1/2 of VIN或外部VREF 无需电流检测电阻器 低 VCC 电源:3V 至 8V 在整个温度范围内的最大占空比 >91% 驱动全 N 沟道外部 MOSFET 高效率:达 95% 可编程固定频率操作:100kHz 至 500kHz 外部时钟同步操作 可编程软启动 低停机电流:<10μA 过热保护 采用 16 引脚窄体 SSOP 封装   产品详情 LTC®3831-1 是一款专为 DDR 存储器终端而设计的高功率、高效率开关稳压控制器。LTC3831-1 可产生一个等于 1/2 外部电源或基准电压的输出电压。LTC3831-1 采用同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外,该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流,因而能够在无需使用电流检测电阻器的情况下提供一个可调电流限值。 LTC3831-1 可在输入电源电压低至 3V 的条件下运作,并具有一个 >91% 的最大占空比。该器件包括一个固定频率 PWM 振荡器,用于实现低输出纹波操作。300kHz 的自由运行时钟频率可从外部进行调节,或利用一个外部信号进行同步处理 (同步范围为 100kHz 至高于 500kHz)。在停机模式...
发表于 02-22 14:11 0次 阅读
LTC3831-1 用于 DDR 存储器终端的高功率同步开关稳压控制器

LTC3717 用于 DDR/QDR 存储器终端的宽工作范围、No RSENSE 降压型控制器

和特点 VOUT = 1/2 VIN (电源分离器) 可调和对称的吸收 / 供应电流限值 (高达 20A) ±0.65% 输出电压准确度 效率高达 97% 无需检测电阻器 超快的瞬态响应 真正的电流模式控制 2% 至 90% 的占空比 (在 200kHz) tON(MIN) ≤ 100ns 可在采用陶瓷输出电容器 COUT 时保持稳定 双路 N 沟道 MOSFET 同步驱动 电源良好输出电压监视器 宽 VCC 范围:4V 至 36V 高达 1.5MHz 的可调开关频率 输出过压保护 任选的短路停机定时器 采用 16 引脚窄体 SSOP 封装 产品详情 LTC®3717 是一款用于双倍数据速率 (DDR) 和四倍数据速率 (QDR) 存储器终端的同步降压型开关稳压控制器。该控制器采用一种谷值电流控制架构以提供非常低的占空比,并不需要使用一个检测电阻器。工作频率利用一个外部电阻器来选择,并针对 VIN 的变化进行补偿。强制连续操作可降低噪声及 RF 干扰。输出电压在内部设定为 VREF 的一半,这可由用户设置。故障保护由一个输出过压比较器和任选的短路停机定时器提供。针对电源排序的软启动能力采用一个外部定时电容器来实现。稳压器电流限制水平是对称的并可由用户设置。宽电源范围允许器件在 4V 至 36V 的 VCC...
发表于 02-22 14:10 4次 阅读
LTC3717 用于 DDR/QDR 存储器终端的宽工作范围、No RSENSE 降压型控制器

LTC3831 用于 DDR 存储器终端的高功率同步开关稳压控制器

和特点 用于 DDR 存储器终端的高功率开关稳压控制器 VOUT 跟踪 1/2 VIN 或外部 VREF 无需电流检测电阻器 低输入电源电压范围:3V 至 8V 在整个温度范围内的最大占空比 >91% 驱动全 N 沟道外部 MOSFET 高效率:可达 95% 以上 可设置固定频率操作:100kHz 至 500kHz 外部时钟同步操作 可设置软起动 低停机电流:<10μA 过热保护 采用 16 引脚窄体 SSOP 封装  产品详情 LTC®3831 是一款专为 DDR 存储器终端而设计的高功率、高效率开关稳压控制器。LTC3831 可产生一个等于 1/2 外部电源或基准电压的输出电压。LTC3831 采用同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外,该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流,因而能够在无需使用电流检测电阻器的情况下提供一个可调电流限值。 LTC3831 可在输入电源电压低至 3V 的条件下运作,并具有一个 >91% 的最大占空比。它包括一个固定频率 PWM 振荡器,用于实现低输出纹波操作。200kHz 的自由运行时钟频率可从外部进行调节,或利用一个外部信号进行同步处理(同步范围为 100kHz 至 500kHz 以上)。在停机模式中,LTC3831 的电...
发表于 02-22 14:10 0次 阅读
LTC3831 用于 DDR 存储器终端的高功率同步开关稳压控制器

LTC3776 用于 DDR/QDR 存储器终端的双输出、两相、No RSENSE™ 同步控制器

和特点 无需电流检测电阻器 异相控制器减小了所需的输入电容 VOUT2 跟踪 1/2 VREF 对称的输出电流供应/吸收能力 (VOUT2) 扩频操作 (当被使能时) 宽 VIN 范围:2.75V 至 9.8V 恒定频率电流模式操作 0.6V±1.5% 电压基准 (VOUT1) 低压差操作:100% 占空比 用于频率锁定或调节的真正 PLL 内部软起动电路 电源良好输出电压监视器 输出过压保护 微功率停机模式:IQ = 9μA 纤巧型扁平(4mm x 4mm)QFN 封装和窄体 SSOP 封装 产品详情 LTC®3776 是一款面向 DDR/QDR 存储器终端应用的两相、双输出同步降压型开关稳压控制器。第二个控制器负责将其输出电压调节至 1/2 VREF,并提供了对称的输出电压供应和吸收能力。 无检测电阻器 (No RSENSE) 型恒定频率电流模式架构免除了增设检测电阻器的需要,并改善了效率。通过使两个控制器异相工作,最大限度地降低了由输入电容的 ESR 所引起的功耗和噪声。 开关频率可被设置为高达 750kHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器和电容器。对于那些对噪声敏感的应用,可以从外部对 LTC3776 的开关频率进行同步处理 (同步范围为 250kHz 至 850kHz),也可启用...
发表于 02-22 14:10 14次 阅读
LTC3776 用于 DDR/QDR 存储器终端的双输出、两相、No RSENSE™ 同步控制器

LTC3718 用于 DDR/QDR 存储器终端的低输入电压 DC/DC 控制器

和特点 非常低的 VIN(MIN):1.5V 超快的瞬态响应 真正的电流模式控制 用于 N 沟道 MOSFET 的 5V 驱动免除了 5V 辅助电源 无需检测电阻器 采用标准的 5V 逻辑电平 N 沟道 MOSFET VOUT(MIN):0.4V VOUT 跟踪 1/2 VIN 或外部 VREF 对称的供应和吸收输出电流限制 可调的开关频率 tON(MIN) < 100ns 电源良好输出电压监视器 可编程软启动 输出过压保护 任选的短路停机定时器 小外形 24 引脚 SSOP 封装 产品详情 LTC®3718 是一款用于 DDR 和 QDR™ 存储器终端的高电流、高效率同步开关稳压控制器。该器件采用一个低至 1.5V 的输入工作,并提供一个等于 (0.5)VIN 的稳定输出电压。该控制器采用一种谷值电流控制架构以实现高工作频率和非常低的接通时间,而无需使用一个检测电阻器。工作频率利用一个外部电阻器来选择,并针对 VIN 及 VOUT 中的变化进行补偿。LTC3718 采用一对标准的 5V 逻辑电平 N 沟道外部 MOSFET,从而免除了增设昂贵 P 沟道或低门限器件的需要。强制连续操作可降低噪声及 RF 干扰。故障保护由内部折返电流限制、一个输出过压比较器和任选的短路停机定时器提供。针...
发表于 02-22 14:10 11次 阅读
LTC3718 用于 DDR/QDR 存储器终端的低输入电压 DC/DC 控制器

LTC3717-1 用于 DDR/QDR 存储器终端的宽工作范围、No RSENSE™ 降压型控制器

和特点 VOUT = 1/2 VREF 可调和对称的吸收 / 供应电流限值 (高达 20A) 真正的电流模式控制,可选择使用检测电阻器 VON 和 ION 引脚在输入和输出电压变化期间允许执行恒定频率操作 ±0.65% 输出电压准确度 效率高达 97% 超快的瞬态响应 2% 至 90% 的占空比 (在 200kHz) tON(MIN) ≤ 100ns 可在采用陶瓷输出电容器 COUT 时保持稳定 电源良好输出电压监视器 宽 VIN 范围:4V 至 36V 高达 1.5MHz 的可调开关频率 输出过压保护 任选的短路停机定时器 采用 5mm x 5mm QFN 封装 产品详情 LTC®3717-1 是一款用于双倍数据速率 (DDR) 和四倍数据速率 (QDR) 存储器终端的同步降压型开关稳压控制器。该控制器采用一种谷值电流控制架构,以在采用和未采用检测电阻器的情况下提供非常低的占空比。工作频率利用一个外部电阻器来选择,并针对 VIN 和 VOUT 中的变化进行补偿。强制连续操作可降低噪声及 RF 干扰。输出电压在内部被设定为 VREF 的一半,这可由用户设置。故障保护由一个输出过压比较器和任选的短路停机定时器提供。针对电源排序的软启动能力采用一个外部定时电容器来实现。稳压器电流限制水平是对称的,并可由用户...
发表于 02-22 14:09 8次 阅读
LTC3717-1 用于 DDR/QDR 存储器终端的宽工作范围、No RSENSE™ 降压型控制器

LTC1262 12V、30mA 闪速存储器编程电源

和特点 稳定的 12V ±5% 输出电压无电感器电源电压范围:4.75V 至 5.5V有保证的 30mA 输出低功率:ICC = 500μA停机模式中的 ICC:0.5μA8 引脚 PDIP 封装或 SO-8 封装 产品详情 LTC®1262 是一款稳定的 12V、30mA 输出 DC/DC 转换器。该器件专为提供对字节宽闪速存储器进行编程所必需的 12V ±5% 输出而设计。输出将从低至 4.75V 的输入电压提供高达 30mA 电流,并未采用任何电感器。只需 4 个外部电容器即可构成一款尺寸极小的完整表面贴装型电路。TTL 兼容型停机引脚可以直接连接至一个微处理器,并把电源电流减小至低于 0.5μA。LTC1262 提供了改善的停机电流性能,且所需的外部组件少于同类竞争解决方案。LTC1262 采用 8 引脚 PDIP 封装或 SO-8 封装。应用12V 闪速存储器编程电源紧凑型 12V 运放电源电池供电型系统 方框图...
发表于 02-22 13:42 0次 阅读
LTC1262 12V、30mA 闪速存储器编程电源

LTC1263 12V、60mA 闪速存储器编程电源

和特点 有保证的 60mA 输出稳定的 12V ±5% 输出电压无电感器电源电压范围:4.75V 至 5.5V停机模式中的 ICC 为 0.5μA (典型值)低功率:ICC = 300μA8 引脚 SO 封装引出脚配置与 LTC1262 和 MAX662 相同 产品详情 LTC®1263 是一款稳定的 12V、60mA 输出 DC/DC 转换器。该器件可提供对双字节宽闪速存储器进行编程所必需的 12V ±5% 输出。输出将从低至 4.75V 的输入电压提供 60mA 电流,并未采用任何电感器。只需 4 个外部电容器即可构成一款尺寸极小的完整表面贴装型电路。输出可以短促地短接至地,并不会损坏器件。高电平有效的 TTL 兼容型停机引脚可以直接连接至一个微处理器。在停机模式中,电源电流通常降至 0.5μA。 LTC1263 采用 8 引脚 SO 封装。应用 12V 闪速存储器编程电源 紧凑型 12V 运放电源 电池供电型系统方框图...
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LTC1263 12V、60mA 闪速存储器编程电源

LTC3634 用于 DDR 电源的 15V、双通道、3A、单片式、降压型稳压器

和特点 3.6V 至15V 输入电压范围每通道的输出电流为±3A效率高达 95%通道之间的 90°/180° 可选相移可调开关频率范围:500kHz 至 4MHzVTTR = VDDQ / 2 = VTT基准准确度为 ±1.6% 的 VTTR (在 0.75V)最佳 VOUT范围:0.6V 至 3V±10mA 缓冲输出负责提供 VREF 基准电压旨在实现超卓的电压和负载瞬态响应的电流模式操作外部时钟同步短路保护输入过压和过热保护电源良好状态输出采用 (4mm x 5mm) QFN-28 封装和耐热性能增强型 28 引脚 TSSOP 封装 产品详情 LTC®3634 是一款高效率、双通道、单片式、同步降压型稳压器,可为 DDR1、DDR2 和 DDR3 SDRAM 控制器提供电源及总线终端电压轨。该器件的工作输入电压范围为 3.6V 至 15V,从而使其适合于那些采用一个 5V 或 12V 输入的负载点电源应用以及各种电池供电型系统。VTT 稳定输出电压等于 VDDQIN • 0.5。一个能驱动 10mA 负载的片内缓冲器可提供一个也等于 VDDQIN • 0.5 的低噪声基准输出 (VTTR)。此 IC 的工作频率可利用一个外部电阻器在 500kHz 至 4MHz 的范围内进行设置和同步处理。两个通道能够 180°...
发表于 02-22 12:18 19次 阅读
LTC3634 用于 DDR 电源的 15V、双通道、3A、单片式、降压型稳压器

LTC3618 用于 DDR 终端的双通道、4MHz、±3A、同步降压型稳压器

和特点 DDR 电源、终端和基准高效率:达 94% 具 ±3A 输出电流能力的双通道输出 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 ±1% 输出电压准确度 VTT 输出电压低至 0.5V 停机电流:≤1μA VTTR = VDDQIN/2,VFB2 = VTTR 可调开关频率:高达 4MHz 内部补偿或外部补偿 通道之间的 0° / 90° / 180° 可选相移 内部或外部软起动用于 VDDQ,内部软起动用于 VTT 电源良好状态输出 扁平 4mm x 4mm QFN-24 封装和 TSSOP-24 封装产品详情 LTC®3618 是一款双通道、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。该器件提供了一款完整的 DDR 解决方案,具有一个 2.25V 至 5.5V 的输入电压范围。第一个降压型稳压器的输出提供了一个高准确度的 VDDQ 电源。一个缓冲基准可产生等于 50% VDDQIN 的 VTTR,并驱动高达 ±10mA 的负载。第二个稳压器可产生等于 VTTR 的 DDR 终端电压 (VTT)。在 1MHz 开关频率下,两个稳压器均能够提供 ±3A 的负载电流。此 IC 的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。在两个通道之间可以选择 0°、90°或 180°的相移,以最大限度地减小输...
发表于 02-22 12:05 23次 阅读
LTC3618 用于 DDR 终端的双通道、4MHz、±3A、同步降压型稳压器