采样过程和模拟输入驱动器应用设计

电子设计 2018-04-16 09:23 次阅读

一个逐次逼近寄存器 (SAR) 模数转换器 (ADC) 通常需要一个驱动器来驱动其模拟输入,以获得所需的精度效果。但是在较低数据吞吐量和较低分辨率应用中,你也许不需要驱动器。让我们来看一看SAR ADC的采样过程和模拟输入结构来了解驱动器的要求。

SAR ADC的模拟输入是一个采样开关、一个电阻器和采样电容器的组合。图1显示针对一个SAR ADC的模拟输入结构。

图1

采样开关在一定的时间周期tACQ(采集时间)内关闭以获得输入信号,并在转换过程期间打开。采样相位期间,通过在模拟输入源和采样电容器之间传递电荷将采样电容器充电至输入电压。对于分辨率为N位的ADC,在采集时间内,采样电容器上的电压应该稳定在 (VIN­ ± ½ LSB) 范围内。

在这里:

  • VIN是需要被采样的模拟输入电压

  • 1 LSB是针对N位ADC的LSB大小(单位伏特)

通常情况下,最好在SAR ADC的输入前面放置一个RC滤波器。这样做是为了在采样相位期间为采样电容器充电,并且减少在这个期间模拟源上出现的电压毛刺脉冲。图2显示了一个用于由模拟源驱动的SAR ADC模拟输入的简化电路。

图2

此模拟源在采样瞬间会出现一个电压毛刺脉冲。

通常将CFLT的值选择为采样电容器电容值的20到60倍。

模拟源的输出阻抗在采样相位期间的输入电压稳定方面发挥了关键作用。输入电压稳定所需要的时间 (tsettle) 随着模拟源输出阻抗的增加而增加。

要实现N位的精度,tsettle ≤ tacq。

下方图3中的波形显示了吞吐率100KSPS的SAR ADC在使用不同的ROUT所获得的稳定时间。

图3

图3显示出输出阻抗1500欧姆的模拟源(实例I)不能在ADC的采样时间内稳定输入信号,但是输出阻抗为500欧姆的模拟源(实例II)能够满足ADC的采样时间要求。所以,实例I需要一个驱动器在SAR ADC的采集时间内稳定输入信号,而实例II不需要。

采集时间通常取决于SAR ADC的吞吐率,吞吐率的减少会导致更高的采集时间。对于实例I也一样,在吞吐率少于100kSPS的情况下,也许就不需要驱动器了。

结论:在较低吞吐率时,较低分辨率SAR ADC的驱动不需要放大器。随着SAR ADC分辨率的增加,稳定时间也增加,而随着吞吐率减少,采集时间减少,所以分辨率和吞吐率较高的SAR ADC需要一个驱动器来减少稳定时间并实现所需的精度。

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SN74ABT16373A 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

SN74ALVCH16820 具有双路输出和三态输出的 3.3V 10 位触发器

这个10位触发器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 < p> SN74ALVCH16820的触发器是边沿触发的D型触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,器件在Q输出端提供真实数据。 缓冲输出使能(OE)输入可用于将10个输出放入正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \输入不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑电平。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。 特性 德州仪器广播公司的成员?系列 数据输入端的总线保持消除了对外部上拉/下拉电阻的需求 每个JESD的闩锁性能超过250 mA 17 ESD保护超过JESD 22 2000-V人体模型(...

发表于 10-11 14:49 2次 阅读
SN74ALVCH16820 具有双路输出和三态输出的 3.3V 10 位触发器

SN74ABT16374A 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器

'ABT16374A是16位边沿触发D型触发器,具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗而设计负载。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,触发器的Q输出采用在数据(D)输入处设置的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 SN54ABT16374A的特点是可在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。 SN74ABT16374A的特点是在-40°C至85°C的温度范围内工作。 特性 ...

发表于 10-11 11:46 2次 阅读
SN74ABT16374A 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器

SN74AHCT16374 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器

'AHCT16374器件是16位边沿触发D型触发器,具有3态输出,专为驱动高电容或相对较低的电容而设计阻抗负载。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,触发器的Q输出取数据(D)输入的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 为了确保上电或断电期间的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 SN54AHCT16374的特点是可在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。 SN74AHCT16374的工作温度范围为-40°C至85°C。   特性 德州仪器WidebusTM家庭成员 EPICTM(...

发表于 10-11 11:32 2次 阅读
SN74AHCT16374 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器

CY74FCT162374T 具有三态输出的 16 位边沿触发 D 类触发器

CY74FCT16374T和CY74FCT162374T是16位D型寄存器,设计用作高速,低功耗总线应用中的缓冲寄存器。通过连接输出使能(OE)和时钟(CLK)输入,这些器件可用作两个独立的8位寄存器或单个16位寄存器。流通式引脚排列和小型收缩包装有助于简化电路板布局。 使用Ioff为部分断电应用完全指定此设备。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。 CY74FCT16374T非常适合驱动高电容负载和低阻抗背板。 CY74FCT162374T具有24 mA平衡输出驱动器,输出端带有限流电阻。这减少了对外部终端电阻的需求,并提供最小的下冲和减少的接地反弹。 CY74FCT162374T非常适合驱动传输线。 特性 Ioff支持部分省电模式操作 边沿速率控制电路用于显着改善的噪声特性 典型的输出偏斜< 250 ps ESD&gt; 2000V TSSOP(19.6密耳间距)和SSOP(25密耳间距)封装 工业温度范围-40°C至+ 85°C VCC= 5V±10% CY74FCT16374T特点: ...

发表于 10-11 11:28 2次 阅读
CY74FCT162374T 具有三态输出的 16 位边沿触发 D 类触发器

SN74ALVCH16260 具有三态输出的 12 位至 24 位多路复用 D 类锁存器

这个12位至24位多路复用D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16260用于必须将两个独立数据路径复用到单个数据路径或从单个数据路径解复用的应用中。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。该器件在存储器交错应用中也很有用。 三个12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或数据传输。输出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)输入控制总线收发器功能。 OE1B \和OE2B \控制信号还允许在A到B方向上进行存储体控制。 可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时,锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时,输入端的数据被锁存并保持锁存,直到锁存使能输入返回高电平为止。 确保上电或断电期间的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 < p> SN74ALVCH16260的工...

发表于 10-11 11:08 6次 阅读
SN74ALVCH16260 具有三态输出的 12 位至 24 位多路复用 D 类锁存器

SN74ALVCH16374 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器

这个16位边沿触发D型触发器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16374特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。它可以用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,触发器的Q输出取数据(D)输入的逻辑电平。 OE \可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 有源总线保持电路将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑状态。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。 特性 德州仪器广播公司的成员?系列 工作电压范围为1.65至3.6 V 最大tpd为4.2 ns,3.3 V ±24-mA输出驱动在3.3 V 数据输入...

发表于 10-11 11:06 2次 阅读
SN74ALVCH16374 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器

SN74ALVCH16373 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

这个16位透明D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16373特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。该器件可用作两个8位锁存器或一个16位锁存器。当锁存使能(LE)输入为高电平时,Q输出跟随数据(D)输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入设置的电平。 缓冲输出使能(OE)输入可用于将8个输出置于正常状态逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 有源总线保持电路将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑状态。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。 特性 德州仪器广播公司的成员?系列 工作电压范围为1.65 V至3.6 V 最大tpd3.6 ns,3.3 V ...

发表于 10-11 11:02 4次 阅读
SN74ALVCH16373 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

SN74LVCH16373A 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

这个16位透明D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 特性 德州仪器宽带总线系列成员 典型VOLP(输出接地反弹) &lt; 0.8 V,VCC= 3.3 V,TA= 25°C 典型VOHV(输出V < sub> OH Undershoot) &gt; 2 V在VCC= 3.3 V,TA= 25°C Ioff支持实时插入,部分 - 电源关闭模式和后驱动保护 支持混合模式信号操作(具有3.3VVCC的5V输入和输出电压) < li>数据输入端的总线保持消除了对外部上拉或下拉电阻的需求 每个JESD的闩锁性能超过250 mA 17 ESD保护超过JESD 22 < ul> 2000-V人体模型(A114-A) 200-V机型(A115-A) 参数 与其它产品相比 D 类锁存器   Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Bits (#) ...

发表于 10-11 11:00 4次 阅读
SN74LVCH16373A 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

SN74ABTH16260 具有三态输出的 12 位至 24 位多路复用 D 类锁存器

SN54ABT16260和SN74ABTH16260是12位至24位多路复用D型锁存器,用于必须复用两条独立数据路径的应用中,或者从单个数据路径中解复用。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。该器件在存储器交错应用中也很有用。 三个12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或数据传输。输出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)输入控制总线收发器功能。 OE1B \和OE2B \控制信号还允许A-to-B方向的存储体控制。 可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时,锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时,输入端的数据被锁存并保持锁存状态,直到锁存使能输入返回高电平为止。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 ...

发表于 10-11 10:51 4次 阅读
SN74ABTH16260 具有三态输出的 12 位至 24 位多路复用 D 类锁存器

SN74ABT162823A 具有三态输出的 18 位总线接口触发器

这些18位总线接口触发器具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现更宽的缓冲寄存器,I /O端口,带奇偶校验的双向总线驱动器和工作寄存器。 ?? ABT162823A器件可用作两个9位触发器或一个18位触发器。当时钟使能(CLKEN)\输入为低电平时,D型触发器在时钟的低到高转换时输入数据。将CLKEN \置为高电平会禁用时钟缓冲器,从而锁存输出。将清零(CLR)\输入设为低电平会使Q输出变为低电平而与时钟无关。 缓冲输出使能(OE)\输入将9个输出置于正常逻辑状态(高电平)或低电平)或高阻抗状态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动器提供了驱动总线线路的能力,无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 输出设计为源电流或吸收电流高达12 mA,包括等效的25- 串联电阻,用于减少过冲和下冲。 这些器件完全符合热插拔规定使用Ioff和上电3状态的应用程序。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间,上电三态电路将输出置...

发表于 10-11 10:48 13次 阅读
SN74ABT162823A 具有三态输出的 18 位总线接口触发器

SN74ABTH162260 具有串联阻尼电阻和三态输出的 12 位到 24 位多路复用 D 类锁存器

'ABTH162260是12位至24位多路复用D型锁存器,用于两个独立数据路径必须复用或复用的应用中。 ,单一数据路径。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。这些器件在存储器交错应用中也很有用。 三个12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或数据传输。输出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)输入控制总线收发器功能。 OE1B \和OE2B \控制信号还允许A-to-B方向的存储体控制。 可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时,锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时,输入端的数据被锁存并保持锁存状态,直到锁存使能输入返回高电平为止。 B端口输出设计为吸收高达12 mA的电流,包括等效的25系列电阻,以减少过冲和下冲。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过...

发表于 10-11 10:45 0次 阅读
SN74ABTH162260 具有串联阻尼电阻和三态输出的 12 位到 24 位多路复用 D 类锁存器

SN74ABT162841 具有三态输出的 20 位总线接口 D 类锁存器

这些20位透明D型锁存器具有同相三态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 ?? ABT162841器件可用作两个10位锁存器或一个20位锁存器。锁存使能(1LE或2LE)输入为高电平时,相应的10位锁存器的Q输出跟随数据(D)输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入设置的电平。 缓冲输出使能(10E或2OE)输入可用于放置输出。相应的10位锁存器处于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。 输出设计为吸收高达12 mA的电流,包括等效的25- 用于减少过冲和下冲的串联电阻。 这些器件完全适用于使用I的热插入应用关闭并启动3状态。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间,上电三态电路将输出置于高阻态,从而防止驱动器冲突。 为确保上电或断电期间的高阻态, OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 OE \不影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据...

发表于 10-11 10:43 4次 阅读
SN74ABT162841 具有三态输出的 20 位总线接口 D 类锁存器

SN74ALVTH16821 具有三态输出的 2.5V/3.3V 20 位总线接口触发器

'ALVTH16821器件是20位总线接口触发器,具有3态输出,设计用于2.5 V或3.3 VVCC操作,但能够为5 V系统环境提供TTL接口。 这些器件可用作两个10位触发器或一个20位触发器。 20位触发器是边沿触发的D型触发器。在时钟(CLK)的正跳变时,触发器存储在D输入端设置的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将10个输出置于正常逻辑状态(高电平或低电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和1.2 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保1.2 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 SN54ALVTH16821的特点是可在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。 SN74ALVTH16821的工作温度范围为-40&de...

发表于 10-11 10:35 2次 阅读
SN74ALVTH16821 具有三态输出的 2.5V/3.3V 20 位总线接口触发器

SN74ALVTH16374 具有三态输出的 2.5V/3.3V 16 位边沿 D 类触发器

'ALVTH16374器件是16位边沿触发D型触发器,具有3态输出,设计用于2.5V或3.3VV < sub> CC 操作,但能够为5 V系统环境提供TTL接口。这些器件特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位触发器或一个16位翻转器。翻牌。在时钟(CLK)的正跳变时,触发器存储在数据(D)输入处设置的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE不影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 /p> 当VCC介于0和1.2 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保1.2 V以上的高阻态,OE应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 SN54ALVTH16374的特点是在-55°C至125°C的整个军用温度...

发表于 10-11 10:31 4次 阅读
SN74ALVTH16374 具有三态输出的 2.5V/3.3V 16 位边沿 D 类触发器

SN74ABTH16823 具有三态输出的 18 位总线接口触发器

这些18位触发器具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现更宽的缓冲寄存器,I /O端口,带奇偶校验的双向总线驱动器和工作寄存器。 'ABTH16823可用作两个9位触发器或一个18位触发器。当时钟使能(CLKEN \)输入为低电平时,D型触发器在时钟的低到高转换时输入数据。将CLKEN \置为高电平会禁用时钟缓冲器,锁存输出。将清零(CLR \)输入置为低电平会使Q输出变为低电平,与时钟无关。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将9个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 ...

发表于 10-10 17:15 11次 阅读
SN74ABTH16823 具有三态输出的 18 位总线接口触发器

SN74AHCT16373 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

SNxAHCT16373器件是16位透明D型锁存器,具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 特性 德州仪器Widebus™系列的成员 EPIC™(增强型高性能注入CMOS)工艺 输入兼容TTL电压 分布式VCC和GND引脚最大限度地提高高速 开关噪声 流通式架构优化PCB布局 每个JESD的闩锁性能超过250 mA 17 ESD保护每个MIL-STD超过2000 V- 883, 方法3015;使用机器型号超过200 V(C = 200 pF,R = 0) 封装选项包括: 塑料收缩小外形(DL)封装 < li>薄收缩小外形(DGG)封装 薄超小外形(DGV)封装 80-mil精细间距陶瓷扁平(WD)封装 25密耳的中心间距 参数 与其它产品相比 D 类锁存器   ...

发表于 10-10 16:23 12次 阅读
SN74AHCT16373 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器