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一个约100Ω的电阻,为何在MOSFET栅极前?

亚德诺半导体 2018-04-16 08:53 次阅读
为了稳定性,必须在 MOSFET 栅极前面放一个 100 Ω 电阻吗?

只要问任何经验丰富的电气工程师——如我们今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 栅极前要放什么,你很可能会听到“一个约 100 Ω 的电阻”。

虽然我们对这个问题的答案非常肯定,但你们或许会继续问——

“为什么呢?他的具体作用是什么呢?电阻值为什么是 100 Ω 呢”

为了满足你们的这种好奇心,我们接下来将通过一个故事来探讨这个问题。

故事开始了

年轻的应用工程师 Neubean 想通过实验证明,为了获得稳定性,是不是真的必须把一个 100 Ω 的电阻放在 MOSFET 栅极前。拥有30 年经验的应用工程师 Gureux 对他的实验进行了监督,并全程提供专家指导。

高端电流检测简介

图1中的电路所示为一个典型的高端电流检测示例。

图1. 高端电流检测

负反馈试图在增益电阻RGAIN上强制施加电压VSENSE。通过RGAIN的电流流过P沟道MOSFET (PMOS),进入电阻ROUT,该电阻形成一个以地为基准的输出电压。总增益为:

电阻ROUT上的可选电容 COUT 的作用是对输出电压滤波。即使 PMOS 的漏极电流快速跟随检测到的电流,输出电压也会展现出单极点指数轨迹。

原理图中的电阻 RGATE放大器与PMOS栅极隔开。其值是多少?经验丰富的 Gureux 可能会说:“当然是100 Ω!”

尝试多个Ω值

我们发现,我们的朋友Neubean,也是Gureux的学生,正在认真思考这个栅极电阻。Neubean在想,如果栅极和源极之间有足够的电容,或者栅极电阻足够大,则应该可以导致稳定性问题。一旦确定RGATE和CGATE相互会产生不利影响,则可以揭开100 Ω或者任何栅极电阻值成为合理答案的原因。

图2所示为用于凸显电路行为的LTspice仿真示例。Neubean通过仿真来展现稳定性问题,他认为,稳定性问题会随着RGATE的增大而出现。毕竟,来自RGATE和CGATE的极点应该会蚕食与开环关联的相位裕量。然而,令Neubean感到惊奇的是,在时域响应中,所有RGATE值都未出现任何问题。

图2. 高端电流检测仿真

结果发现,电路并不简单

在研究频率响应时,Neubean意识到,需要明确什么是开环响应。如果与单位负反馈结合,构成环路的正向路径会从差值开始,结束于结果负输入端。Neubean然后模拟了VS/(VP – VS)或VS/VE,并将结果绘制成图。图3所示为该开环响应的频域图。在图3的波特图中,直流增益很小,并且交越时未发现相位裕量问题。事实上,从整体上看,这幅图显示非常怪异,因为交越频率小于0.001 Hz。

图3. 从误差电压到源电压的频率响应

将电路分解成控制系统的结果如图4所示。就像几乎所有电压反馈运算放大器一样,LTC2063具有高直流增益和单极点响应。该运算放大器放大误差信号,驱动PMOS栅极,使信号通过RGATE – CGATE滤波器。CGATE和PMOS源一起连接至运算放大器的–IN输入端。RGAIN从该节点连接至低阻抗源。即使在图4中,可能看起来RGATE – CGATE滤波器应该会导致稳定性问题,尤其是在RGATE比RGATE大得多的情况下。毕竟,会直接影响系统RGATE电流的CGATE电压滞后于运算放大器输出变化。

图4. 高端检测电路功能框图

对于为什么RGATE和CGATE没有导致不稳定,Neubean提供了一种解释:“栅极源为固定电压,所以,RGATE – CGATE电路在这里是无关紧要的。你只需要按以下方式调整栅极和源即可。这是一个源极跟随器。”

经验更丰富的同事Gureux说:“实际上,不是这样的。只有当PMOS作为电路里的一个增益模块正常工作时,情况才是这样的。”

受此启发,Neubean思考了数学问题——要是能直接模拟PMOS源对PMOS栅极的响应,结果会怎样?换言之,V(VS)/V(VG)是什么?Neubean赶紧跑到白板前,写下了以下等式:

其中,

运算放大器增益为A,运算放大器极点为ωA。

Neubean立刻就发现了重要项gm。什么是gm?对于一个MOSFET,

看着图1中的电路,Neubean心头一亮。当通过RSENSE的电流为零时,通过PMOS的电流应该为零。当电流为零时,gm为零,因为PMOS实际上是关闭的,未被使用、无偏置且无增益。当gm = 0时,VS/VE为0,频率为0 Hz,VS/VG为0,频率为0 Hz,所以,根本没有增益,图3中的曲线图可能是有效的。

试图用LTC2063发现不稳定问题

带来这点启示,Neubean很快就用非零的ISENSE尝试进行了一些仿真。

图5为从VE到VS的响应增益/相位图,该曲线跨越0dB以上到0dB以下,看起来要正常得多。图5应该显示大约2 kHz时,100 Ω下有大量的PM,100 kΩ下PM较少,1 MΩ下甚至更少,但不会不稳定。

图5. 非零检测电流条件下从误差电压到源电压的频率响应

Neubean来到实验室,用高端检测电路LTC2063得到一个检测电流。他插入一个高RGATE值,先是100 kΩ,然后是1 MΩ,希望能看到不稳定的行为,或者至少出现某类振铃。不幸的是,他都没有看到。他尝试加大MOSFET里的漏极电流,先增加ISENSE,然后使用较小的RGAIN电阻值。结果仍然没能使电路出现不稳定问题。

他又回到了仿真,尝试用非零ISENSE测量相位裕量。即使在仿真条件下也很难,甚至不可能发现不稳定问题或者低相位裕度问题。

Neubean找到Gureux,问他为什么没能使电路变得不稳定。Gureux建议他研究一下具体的数字。Neubean已经对Gureux高深莫测的话习以为常,所以,他研究了RGATE和栅极总电容形成的实际极点。在100 Ω和250 pF下,极点为6.4 MHz;在100 kΩ下,极点为6.4 kHz;在1 MΩ下,极点为640 Hz。LTC2063增益带宽积(GBP)为20 kHz。当LTC2063具有增益时,闭环交越频率可能轻松下滑至RGATE – CGATE 极点的任何作用以下。

是的,可能出现不稳定问题

意识到运算放大器动态范围需要延伸至RGATE – CGATE极点的范围以外,Neubean选择了一个更高增益带宽积的运放。LTC6255 5 V运算放大器可以直接加入电路,增益带宽积也比较高,为6.5 MHz。

Neubean急切地用电流、LTC6255、100 kΩ栅极电阻和300 mA检测电流进行了仿真。

然后,Neubean在仿真里添加了RGATE。当RGATE足够大时,一个额外的极点可能会使电路变得不稳定。

图6和图7显示的是在高RGATE值条件下的仿真结果。当检测电流保持300 mA不变时,仿真会出现不稳定情况。

图6. 有振铃的时域图

图7. 增加电流(VE至VS)后的正常波特图,相位裕量表现糟糕

实验结果

为了了解电流是否会在检测非零电流时出现异常行为,Neubean用不同步进的负载电流和三个不同的RGATE值对LTC6255进行了测试。在瞬时开关切入更多并行负载电阻的情况下,ISENSE从60 mA的基数过度到较高值220 mA。这里没有零ISENSE测量值,因为我们已经证明,那种情况下的MOSFET增益太低。

实际上,图8最终表明,使用100 kΩ和1 MΩ电阻时,稳定性确实会受到影响。由于输出电压会受到严格滤波,所以,栅极电压就变成了振铃检测器。振铃表示相位裕量糟糕或为负值,振铃频率显示交越频率。

图8. RGATE = 100 Ω,电流从低到高瞬态

图9. RGATE = 100 Ω,电流从高到低瞬

图10. RGATE = 100 kΩ,电流从低到高瞬态

图11. RGATE = 100 kΩ,电流从高到低瞬态

图12. RGATE = 1 MΩ,电流从低到高瞬态

图13. RGATE = 1 MΩ,电流从高到低瞬态

头脑风暴时间

Neubean意识到,虽然看到过许多高端集成电流检测电路,但不幸的是,工程师根本无力决定栅极电阻,因为这些都是集成在器件当中的。具体的例子有AD8212、LTC6101、LTC6102和LTC6104高电压、高端电流检测器件。事实上,AD8212采用的是PNP晶体管而非PMOS FET。他告诉Gureux说:“真的没关系,因为现代器件已经解决了这个问题。”

好像早等着这一刻,教授几乎打断了Neubean的话,说道:“我们假设,你要把极低电源电流与零漂移输入失调结合起来,比如安装在偏远地点的电池供电仪器。你可能会使用LTC2063或LTC2066,将其作为主放大器。或者你要通过470 Ω分流电阻测到低等级电流,并尽量准确、尽量减少噪声;那种情况下,你可能需要使用ADA4528,该器件支持轨到轨输入。在这些情况下,你需要与MOSFET驱动电路打交道。”

所以……

显然,只要栅极电阻过大,使高端电流检测电路变得不稳定是有可能的。Neubean向乐于助人的老师Gureux谈起了自己的发现。Gureux表示,事实上,RGATE确实有可能使电路变得不稳定,但开始时没能发现这种行为是因为问题的提法不正确。需要有增益,在当前电路中,被测信号需要是非零。

Gureux回答说:“肯定,当极点侵蚀交越处的相位裕量时,就会出现振铃。但是,你增加1 MΩ栅极电阻的行为是非常荒谬的,甚至100 kΩ也是疯狂的。记住,一种良好的做法是限制运算放大器的输出电流,防止其将栅极电容从一个供电轨转向另一个供电轨。”

Neubean表示赞同,“那么,我需要用到哪种电阻值?”

Gureux自信地答道:“100 Ω”。

原文标题:Why 100Ω?较真的教授发现简单结论背后不简单的问题

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LT6100 精准、增益可选高压侧电流检测放大器

LT1995 32MHz,1000V/µs 增益可选放大器

和特点 点击这里下载“The Configurator”软件 内部增益设定电阻器 可通过引脚配置而成为差分放大器、反相放大器和同相放大器 差分放大器: 增益范围 1 至 7 CMRR > 65dB 同相放大器: 增益范围 1至 8 反相放大器 增益范围 -1 至 -7 增益误差:< 0.2% 转换速率:1000V/µs 带宽:32MHz (增益 = 1) 运算放大器输入失调电压:2.5mV (最大值) 静态电流:9mA (最大值) 宽电源范围:±2.5V 至 ±15V 采用 10 引脚 MSOP 和 10 引脚 (3mm×3mm) DFN 封装 产品详情 LT®1995 是一款具有超群 DC 性能的高速、高转换速率、增益可选放大器。可在未采用外部组件的情况下实现 -7 至 8 的增益范围和一个 0.2% 的增益准确度。该器件尤其适于用作差分放大器,在这种场合,超卓的电阻器匹配性能将实现一个 79dB 的典型共模抑制比。该放大器采用的是与 LT1363 相似的单增益级设计,并具有极佳的转换和稳定特性。内部运算放大器的输入失调小于 2.5mV,转换速率为 1000V/µs。输出能在采用 ±5V 电源的情况下驱动一个 150Ω 负载至 ±2.5V,从而使其适合于电缆驱动器应用。电阻器具有卓越的匹配性能,在室温条件下和 -40℃ 至 85℃ 温度范围内...
发表于 02-22 12:29 0次 阅读
LT1995 32MHz,1000V/µs 增益可选放大器

AD8276 低功耗、宽电源电压范围、低成本、单位增益差动放大器

和特点 超出电源电压的宽输入范围 可靠的输入过压保护 低电源电流:每个通道200 μA(最大值) 低功耗:0.5 mW(VS = 2.5 V) 带宽:550 kHz 共模抑制比(CMRR):86 dB(最小值),直流至10 kHz 低失调电压漂移:±2 μV/°C(最大值,B级) 欲了解更多特性,请参考数据手册。 产品详情 AD8276/AD8277均为通用型单位增益差动放大器,主要用于在要求高性能、低功耗的应用中实现精密信号调理。它们在将供电轨以外的信号进行放大时,提供极为出色的共模抑制比(86 dB)和高带宽。片内电阻经过激光调整,以获得出色的增益精度和高共模抑制比(CMRR)。两款器件的增益随温度漂移极低。它们的共模范围几乎是电源电压的两倍,因此非常适合要求高共模电压范围的单电源应用。内部电阻和输入端的ESD电路还为这些运算放大器提供过压保护。AD8276/AD8277为单位增益稳定型放大器。虽然二者经过优化,主要用作差动放大器,但也可以用于高精度、单端配置中,增益为−1、+1和+2。AD8276/AD8277提供集成式精密解决方案,比分立解决方案尺寸更小、成本更低、性能更优。AD8276/AD8277采用2.0 V至36 V单电源或±2 V至±18 V双电源供电。每个通...
发表于 02-22 12:28 0次 阅读
AD8276 低功耗、宽电源电压范围、低成本、单位增益差动放大器

AD8277 低功耗、宽电源电压范围、低成本、单位增益差动放大器

和特点 超出电源电压的宽输入范围 可靠的输入过压保护 低电源电流:每个通道200 μA(最大值) 低功耗:0.5 mW (VS = 2.5 V) 带宽:550 kHz 共模抑制比:86 dB(最小值,DC至10 kHz) 低失调电压漂移:±2 μV/°C(最大值,B级) 低增益漂移:1 ppm/°C(最大值,B级) 增强压摆率:1.1 V/μs 宽电源电压范围单电源:2 V至36 V双电源:±2 V至±18 V 产品详情 AD8276/AD8277均为通用型单位增益差动放大器,主要用于在要求高性能、低功耗的应用中实现精密信号调理。二者不仅提供极为出色的共模抑制比(86 dB)和高带宽,而且可将信号放大至供电轨以外。片内电阻经过激光调整,具有出色的增益精度和高共模抑制比(CMRR)。两款器件的增益随温度漂移极低。这些放大器的共模范围几乎是电源电压的两倍,因此非常适合要求高共模电压范围的单电源应用。内部电阻和输入端的ESD电路还为这些运算放大器提供过压保护。AD8276/AD8277为单位增益稳定型放大器。虽然二者经过优化,主要用作差动放大器,但也可以用于高精度、单端配置中,增益为−1、+1和+2。AD8276/AD8277提供集成式精密解决方案,比分立解决方案尺寸更小、成本更低、性能更优。A...
发表于 02-22 12:28 0次 阅读
AD8277 低功耗、宽电源电压范围、低成本、单位增益差动放大器

AD628 高共模电压、可编程增益差动放大器

和特点 高共模输入电压范围:±120 V (VS = ±15 V) 增益范围:0.1至100 工作温度范围:-40°C至+85°C 电源电压范围双电源:±2.25 V至±18 V单电源:4.5 V至36 V 出色的交流和直流性能 失调温度稳定性RTI:10 µV/°C(最大值) 失调:±1.5 V mV(最大值) CMRR RTI:75 dB(最小值,DC至500 Hz,G = +1) 产品详情 AD628是一款精密差动放大器,具有出色的直流性能与宽频率范围的高共模抑制性能。用于调整高电压时,它可以对单电源ADC采用的标准控制电压或电流进行简单转换。宽带反馈环路可将Σ-Δ型ADC的电容充电所引起的失真效应降至最低。基准引脚(VREF)提供直流偏移,用于将双极性信号转换为单端信号。在单电源ADC的输入范围内,AD628将+5 V、+10 V、±5 V、±10 V和4 mA至20 mA输入信号转换为单端输出。AD628的输入共模和差分模式工作范围为±120 V。高共模输入阻抗使该器件非常适合分流电阻上的高压测量应用。利用缓冲放大器的反相输入,可实现远程开尔文连接。将10 kΩ精密电阻连接至外部引脚,可用于低通滤波器,或用来衰减大差分输入信号。低通滤波器采用单个电容实现。AD628采用单电源或双电源供电,提...
发表于 02-22 12:28 0次 阅读
AD628 高共模电压、可编程增益差动放大器

AD8271 可编程增益精密差动放大器

和特点 无需外部电阻: 差动放大器,增益:½、1或2 单端放大器:40种以上不同增益将基准电压设置为电源电压的一半 出色的交流特性带宽:15 MHz压摆率:30 V/µs 高精度直流性能增益误差:0.08%(最大值)增益漂移:10 ppm/°C(最大值)共模抑制比:80 dB(最小值,G = 2) 10引脚MSOP封装 电源电流:2.6 mA 电源电压范围:±2.5 V至±18 V 产品详情 AD8271是一款低失真、精密差动放大器,内部具有增益设置电阻。它可以配置为高性能差动放大器,增益为½、1或2,而无需外部器件。它也可以提供40种以上的单端配置,增益范围为−2至+3。AD8271采用10引脚MSOP封装。该器件可以采用单电源或双电源供电,最大电源电流仅为2.6 mA。额定温度范围为−40°C至+85°C工业温度范围,并且完全符合RoHS标准。         欲了解AD8271的双通道版本,请参考 AD8270数据手册。应用ADC驱动器仪表放大器构建模块电平转换器自动测试设备高性能音频设备正弦/余弦编码器数据手册, Rev PrA, 10/2008 方框图...
发表于 02-22 12:27 0次 阅读
AD8271 可编程增益精密差动放大器

ADL5536 20 MHz至1.0 GHz中频增益模块

和特点 固定增益:20 dB 工作频率范围:20 MHz至1.0 GHz 输入和输出内部匹配50 Ω 集成偏置控制电路 OIP3 45.0 dBm (190 MHz) 49.0 dBm (380 MHz) 噪声系数 2.6 dB (190 MHz)2.7 dB (380 MHz) P1dB:19.6 dBm (190 MHz) 5 V单电源供电 MSL-1级SOT-89封装 ESD额定值:±2 kV(2类) 与16 dB增益ADL5535引脚兼容 产品详情 ADL5536是一款20 dB线性放大器,工作频率最高达1 GHz,可用于各种蜂窝、有线电视、军事和仪器仪表设备。在现有的内部匹配IF增益模块中,ADL5536提供的动态范围最高。在整个1 GHz频率范围内,同时提供极低的噪声系数和非常高的OIP3特性即可达到这一性能。ADL5536还在整个频率范围内提供极其平坦的增益和P1dB,并且不随温度、电源及器件的不同而改变。ADL5536在输入和输出内部匹配50 Ω,能够简单地使用于各种不同的应用中。只需配置输入/输出交流耦合电容、电源去耦电容和一个外部电感便可工作。ADL5536采用GaAs HBT工艺制造而成,ESD额定值为±2 kV(2类)。 该器件采用MSL-1级SOT-89封装,使用裸露焊盘,热阻性能出色。 采用5 V单电源供电时,ADL5536功耗为1...
发表于 02-22 12:15 0次 阅读
ADL5536 20 MHz至1.0 GHz中频增益模块

ADL5541 射频/中频( RF/IF)增益模块,工作频率50 MHz 至6 GHz ,增益15 dB

和特点 固定增益:15 dB 工作频率:6 GHz 内部匹配的50Ω输入/输出电阻 内置偏置控制电路 输出IP3 44 dBm @ 500 MHz 40 dBm @ 900 MHz 输出1 dB压缩点:19.7 dBm @900 MHz 噪声系数:3.5 dB @ 900 MHz 单电源供电:5V 8引脚LFCSP小尺寸封装 与20 dB增益的ADL5542 引脚兼容 1 kV静电放电(ESD)保护(Class 1C) 产品详情 ADL5541是一款15 dB宽带的线性放大器,工作频率高达6 GHz。该放大器可以用于各种有线电视、手机以及仪器设备。 ADL5541可以提供15 dB增益,在频率、温度与电源范围内稳定工作, 器件一致性好。该增益模块内部匹配输入电阻为50Ω,在6 GHz以内其输入回波损耗为10 dB以下。它工作时只要求输入/输出交流耦合电容器、电源去耦合电容器以及外部电感。 ADL5541采用InGaP HBT工艺制作,静电放电(ESD)保护额定值为1 kV (Class 1C)。它采用3 mm × 3 mm LFCSP封装,带裸露焊盘,具有出色的热阻性能。 ADL5541采用5 V单电源供电,功耗90 mA,工作温度范围:-40°C至+85°C。 现在可以供应完全符合RoHS标准的评估板。 ADL5542为系列产品,可提供增益20 dB,与ADL55...
发表于 02-22 12:14 12次 阅读
ADL5541 射频/中频( RF/IF)增益模块,工作频率50 MHz 至6 GHz ,增益15 dB

HMC589A InGaP HBT增益模块放大器,采用SMT封装,DC - 4 GHz

和特点 P1dB输出功率: +21 dBm 增益: 21 dB 输出IP3: +33 dBm 单电源: +5V 业界标准SOT89封装 产品详情 HMC589AST89E是一款InGaP HBT增益模块MMIC SMT放大器,工作频率范围为DC至4 GHz,采用业界标准SOT89E封装。该放大器可用作可级联50 Ω RF或IF增益级以及LO或PA驱动器,输出功率高达+19 dBm P1dB,适合蜂窝/3G、FWA、CATV、微波无线电和测试设备应用。HMC589AST89E提供20 dB增益,+33 dBm输出IP3 (1 GHz),同时在单正电源下功耗仅为82 mA。HMC589AST89E InGaP HBT增益模块提供出色的输出功率和温度增益稳定性。应用 蜂窝/PCS/3G 固定无线和WLAN 有线电视、电缆调制解调器和数字广播卫星 微波无线电和测试设备 IF和RF应用 方框图...
发表于 02-22 12:13 8次 阅读
HMC589A InGaP HBT增益模块放大器,采用SMT封装,DC - 4 GHz

AD8048 250 MHz、增益2稳定、通用电压反馈型运算放大器

和特点 宽带宽(G = +2)小信号带宽:260 MHz 大信号带宽(2 V 峰峰值):160 MHz 低失真、(SFDR)低噪声-66 dBc(典型值,5 MHz)-54 dBc(典型值,20 MHz)噪声:3.8 nV/√Hz 电源电流:5.8 mA(典型值) 驱动50 pF容性负载 High Speed Slew Rate 1000 V/µsSettling 30 ns to 0.01%, 2 V Step±3 V to ±6 V Supply Operation 高速压摆率:1,000 V/µs0.01%建立时间(2 V步进):30 ns采用±3 V至±6 V电源供电 产品详情 AD8047和AD8048均是极高速、宽带宽放大器。AD8047为单位增益稳定型,AD8048则是在增益为2或更大时保持稳定。AD8047和AD8048采用电压反馈型架构,达到了以前依赖电流反馈型放大器的许多应用的要求。专有电路使这些放大器兼具电流反馈与电压反馈放大器的许多出色特性。AD8047和AD8048的最大功耗为6.6 mA,具有快速且精确的脉冲响应特性(0.01%建立时间为30 ns)、极宽的小信号和大信号带宽以及低失真。AD8047在20 MHz的失真为-54 dBc,小信号带宽为250 MHz,大信号带宽为130 MHz。低失真和容性负载驱动特性使AD8047/AD8048成为高速ADC驱动应用的理想之选,适合用于驱动12位/10 MSPS或8位...
发表于 02-22 12:12 8次 阅读
AD8048 250 MHz、增益2稳定、通用电压反馈型运算放大器

LT1228 具 DC增益控制功能的 100MHz 电流反馈放大器

和特点 非常快速的跨导放大器 带宽:75MHz gm = 10 x ISET 低 THD:0.2% (在 30mVRMS 输入) 宽 ISET 范围:1μA 至 1mA 非常快速的电流反馈放大器 带宽:100MHz 转换速率:1000V/μs 输出驱动电流:30mA 差分增益:0.04% 差分相位:0.1° 高输入阻抗:25MΩ,6pF 宽电源范围:±2V 至 ±15V 输入共模至电源电压的 1.5V 以内 输出摆幅在电源电压的 0.8V 以内 电源电流:7mA 采用 8 引脚 PDIP 封装和 SOIC 封装 产品详情 LT®1228 可轻松地以电子方式来控制 DC 至视频频率之信号的增益。LT1228 利用一个跨导放大器 (电压至电流) 实现了增益控制,此跨导放大器的增益与一个从外部控制的电流成比例。通常使用一个电阻器将输出电流转换为电压,随后由一个电流反馈放大器对该电压进行放大。LT1228 把这两个放大器都集成在一个 8 引脚封装中,并可采用任何介于 4V (±2V) 和 30V (±15V) 的电源电压来运作。利用 LT1228 和区区几个电阻器便可实现一个完整的差分输入、增益控制型放大器。LT1228 跨导放大器具有一个高阻抗差分输入和一个符合宽输出电压要求的电流源输出。跨导 gm 由流入引脚 5 的电流 ISE...
发表于 02-22 12:12 21次 阅读
LT1228 具 DC增益控制功能的 100MHz 电流反馈放大器

LT1920 可利用单个电阻器来设置增益的精准型仪表放大器

和特点 单个增益设定电阻器:G = 1 至 10,000 增益误差:G = 10,0.3% (最大值) 增益非线性度:G = 10,30ppm (最大值) 输入失调电压:G = 10,225μV (最大值) 输入失调电压漂移:1μV/°C (最大值) 输入偏置电流:2nA (最大值) 在 G = 1 时的 PSRR:80dB (最小值) 在 G = 1 时的 CMRR:75dB (最小值) 电源电流:1.3mA (最大值) 宽电源范围:±2.3V 至 ±18V 1kHz 电压噪声:7.5nV/√Hz 0.1Hz 至 10Hz 噪声:0.28μVP-P 采用 8 引脚 PDIP 封装和 SO 封装 采用两个 5k 外部电阻器可满足 IEC 1000-4-2 Level 4 ESD 测试的要求 产品详情 LT®1920 是一款低功率的精准型仪表放大器,其仅需一个外部电阻器便能设定 1 至 10,000 的增益。7.5nV/√Hz (在 1kHz) 的低电压噪声并未因为低功耗 (对于 ±2.3V 至 ±15V 电源,典型消耗电流为 0.9mA) 而打任何折扣。即使对于低至 2k (以前的单片式仪表放大器出于其非线性规格指标的原因而采用 10k) 的负载电阻器,该器件的高准确度 (30ppm 的最大非线性度,0.3% 的最大增益误差 [G = 10] ) 也不会下降。LT1920 经过激光修整,以实现非常低的输入失调电压 (最大值为 125μV)、...
发表于 02-22 12:11 15次 阅读
LT1920 可利用单个电阻器来设置增益的精准型仪表放大器

LT1996 精准、100μA 增益可选放大器

和特点 可通过引脚将该器件配置成差分放大器、反相放大器和同相放大器 差分放大器   增益范围:9 至 117 CMRR > 80dB 同相放大器 增益范围:0.008 至 118 反相放大器   增益范围:–0.08 至 –117 增益误差 < 0.05% 增益漂移:< 3ppm/°C 宽电源电压范围:单 2.7V 至分离型 ±18V 微功率操作:100µA 电源电流 输入失调电压:50µV (最大值) 增益带宽乘积:560kHz 轨至轨输出 节省空间的 10 引脚 MSOP 封装和 DFN 封装 产品详情 LT®1996 将一个精准型运算放大器和 8 个精准电阻器集成为一个单芯片解决方案,以实现电压的准确放大。可在未采用任何外部组件的情况下获得数值为 –117 至 118 的增益和一个 0.05% 的增益准确度。该器件尤其适合用作一个差动放大器,此时,其卓越的电阻器匹配性能将实现一个大于 80dB 的共模抑制比。该放大器具有一个 50µV 的最大输入失调电压和一个 560kHz 的增益带宽乘积。该器件可依靠介于 2.7V 至 36V 之间的任何电源电压工作,当采用一个 5V 电源时,其仅吸收 100µA 的电源电流。输出摆幅在任一个电源轨的 40mV 之内。内部电阻器具有卓越的匹配特性;其匹配偏差在整个工作温度范围内为 ...
发表于 02-22 12:08 11次 阅读
LT1996 精准、100μA 增益可选放大器

ADL5545 30 MHz 至 6 GHz RF/IF 增益模块

和特点 固定增益:24.1 dB 在30 MHz至6 GHz范围内提供宽带操作 输入/输出内部匹配50 Ω 集成偏置控制电路 OIP3:36.4 dBm (900 MHz) P1dB:18.1 dBm (900 MHz) 噪声系数:2.9 dB (900 MHz) 5V单电源供电 低静态电流:56 mA 宽工作温度范围:-40℃至+105℃ 高效散热型SOT-89封装 ESD额定值:±1.5 kV(1C类) 产品详情 ADL5545是一款单端RF/IF增益模块放大器,可在30 MHz至6 GHz范围内提供宽带操作。采用5 V电源供电时,ADL5545功耗仅为56 mA,OIP3超过36dBm。ADL5545具有24 dB增益,增益不随频率、温度、电源、器件而变化。该放大器采用工业标准SOT-89封装,在输入和输出内部匹配50 Ω,能够简单地使用于各种不同的应用中。所需的外部元件只有输入/输出交流耦合电容、电源去耦电容和直流偏置电感。ADL5545采用InGaP HBT工艺制造而成,ESD额定值为±1.5 kV(1C类)。额定温度范围为−40℃至+105℃的宽温度范围,并提供配置齐全且符合RoHS标准的评估板。 方框图...
发表于 02-22 12:07 15次 阅读
ADL5545 30 MHz 至 6 GHz RF/IF 增益模块

HMC396 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 8 GHz

和特点 增益: 12 dB P1dB输出功率: +14 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC396芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至8 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+16 dBm的HMC混频器LO。 HMC396提供12 dB的增益,+30 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供56 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC396可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
发表于 02-22 12:07 17次 阅读
HMC396 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 8 GHz

Vishay宣布推出新款第四代n沟道功率MOSFET 导通电阻比前代器件降低36%

器件采用PowerPAK? SO-8单体封装,栅极电荷为52 nC,输出电荷为68 nC均达到同类产....
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捷捷微电在香港君悦酒店举行麦格理证券2019年A股策略会

集微网消息 2月20日,捷捷微电昨日在香港君悦酒店举行了麦格理证券2019年A股策略会,捷捷微电董事....
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凯利KLS-XM系列可编程无刷正弦波控制器是凯利公司运用先进的矢量算法专为电动摩托车设计的一种静音、....
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星恒电源冯笑先谈第一个初心:在技术和质量上赶超全球领先的企业

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多个电路知识点的讲解

对于三极管开关电路,要使其ON和OFF时间越短越好,为防止在OFF时因晶体管中的残留电荷引起的时间滞....
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详解米勒平台的米勒效应和形成原理

在描述米勒平台(miller plateau)之前,首先来看看“罪魁祸首”米勒效应(miller e....
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低成本的MAX1873R/S/T提供了简单而高效地以高达4A或更高的电压为2、3或4系列锂离子电池充....
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SYKJ3400S MOSFET N通道封装晶体管的数据手册免费下载

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SYKJ3400S MOSFET N通道封装晶体管的数据手册免费下载

SYKJ3401封装MOSFET晶体管数据手册免费下载

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SYKJ3402S封装晶体管MOSFET(N通道)的数据手册免费下载

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SYKJ4407 SOP P通道增强模式MOSFET的数据手册免费下载

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SYKJ4409 P通道增强模式MOSFET的数据手册免费下载

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SYKJ4410N通道增强模式MOSFET

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SYKJ4410N通道增强模式MOSFET

英特尔CPU缺货趋缓 MOSFET首季营运将淡季不淡

由于小尺寸面板驱动IC及微控制器(MCU)投片量明显减少,MOSFET厂第一季可以取得更多晶圆代工产....
的头像 芯闻社 发表于 01-23 15:19 1004次 阅读
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芯闻3分钟:全国首个5G全覆盖产业园开园,最高1亿元研发补助

据消息,5G创新园计划到2020年,打造共享的5G产业服务平台,建成5G测试评估的网络环境,规划优先....
的头像 电子发烧友网 发表于 01-23 10:42 1230次 阅读
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栅极驱动器在太阳能收集设计中的应用

虽然数字逻辑电路在太阳能收集设计中提供关键的监控和控制功能,但功率晶体管为电力输送提供了基础。在这些....
的头像 电子设计 发表于 01-23 08:23 1064次 阅读
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MP4560高频降压开关稳压器的数据手册免费下载

MP4560是一种集成内部高压侧功率MOSFET的高频降压开关稳压器。它提供2A输出电流模式控制,快....
发表于 01-23 08:00 98次 阅读
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FD6287半桥栅极驱动集成电路芯片数据手册免费下载

FD6287 是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片,专为高压、高速驱动 MOSFET 和 ....
发表于 01-18 08:00 342次 阅读
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基本半导体发布高可靠性1200V碳化硅MOSFET

基本半导体1200V 碳化硅MOSFET采用平面栅碳化硅工艺,结合元胞镇流电阻设计,开发出了短路耐受....
的头像 人间烟火123 发表于 01-17 15:40 2313次 阅读
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散热器的选择与设备应用的规格分析

散热片很重要!电路设计的一个重要方面是,它们提供了一种有效的热量输送路径,可以将电子设备(例如BJT....
的头像 电子设计 发表于 01-17 08:15 1073次 阅读
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基本半导体发布国内首款工业级碳化硅MOSFET

新年伊始,基本半导体正式发布国内首款拥有自主知识产权的工业级碳化硅MOSFET,该产品各项性能达到国....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 01-16 09:06 1240次 阅读
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有源钳位吸收器电路设计与数字实现方式

随着MOSFET击穿电压额定值的增大,导通电阻也会增大。在这样场景中如何消除同步整流器上的电压尖峰和....
的头像 Duke 发表于 01-15 16:12 0次 阅读
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从事开发近20年的工程师,谈电源技术的发展与应用

基于客户对该产品的电性要求极其苛刻且产品要快速进入市场,经过长达1个多月的日夜奋战,对产品相关技术的....
的头像 电子发烧友网 发表于 01-15 11:23 1345次 阅读
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