中国研发团队研发出一种新二维非易失性存储芯片

Imagination Tech 2018-04-13 09:06 次阅读

相比三星东芝、美光等公司,中国现在DRAM内存、NAND闪存技术上要落后多年,不过中国的科研人员也一直在追赶最新一代技术,前不久有报道称中国投资130亿元开建PCM相变内存,性能是普通存储芯片的1000倍,现在更厉害的来了——复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏带领的团队研发了一种新的二维非易失性存储芯片,他们使用了半导体结构,研发的存储芯片性能优秀,是传统二维存储芯片的100万倍,而且性能更长,刷新时间是内存的156倍,也就是说具备更强的耐用性。

DIY玩家应该知道内存、闪存各自的优缺点——内存速度极快,但是断电就会损失数据,而且成本昂贵,闪存的延迟比内存高一个量级,但好处就是能保存数据,同时成本更低,所以业界一直在寻找能同时具备内存、闪存优点的存储芯片,也就是能保存数据的同时具备极快的速度。

英特尔研发的3D XPoint闪存就有类似的特性, 号称性能是闪存的1000倍,耐用性是闪存的1000倍,前面新闻提到的PCM相变存储也是类似的技术,能够在断电时保存数据同时性能类似内存,只不过这些新型存储芯片现在还没有达到内存、闪存这样成熟的地步。

中国学者研发的存储芯片也是这个方向的,根据他们发表在《自然·纳米技术》杂志上的论文来看,他们研发的存储芯片使用的不是传统芯片的场效应管原理,因为后者在物理尺寸逐渐缩小的情况下会遇到量子效应干扰,所以张卫、周鹏团队使用的是半浮栅极(semi-floating gate晶体管技术,他们据此展示一种具有范德·瓦尔斯异质结构的近非易失性半浮栅极结构,这种新型的存储芯片具备优异的性能及耐用性。

具体来说,与DRAM内存相比,它的数据刷新时间是前者的156倍,也就是能保存更长时间的数据,同时具备纳秒(ns)级的写入速度(NAND闪存的延迟一般在毫秒级),与传统二维材料相比其速度快了100万倍。,所以这种新型内存有望缩小传统内存与闪存之间的差距。

当然,这个技术进展还是很不错的,只是别指望技术很快量产,更不可能在未来两三年内进入市场,但凡同时具备DRAM、NAND优点的新型存储芯片都有这个问题,并没有成熟到量产上市的地步,传统内存、闪存还有很长的寿命。

原文标题:中国研发新型存储芯片:性能快了100万倍

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laokd
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这款带有存储器的单片四路双输入多路复用器提供了两个独立的MSI功能(SN54LS157 /SN74LS157和SN54LS175 /SN74LS175)的等效功能16引脚封装。 当字选输入为低电平时,字1(A1,B1,C1,D1)应用于触发器。字输入的高输入将导致选择字2(A2,B2,C2,D2)。所选字在时钟脉冲的正向边沿输出到输出端。 典型功耗为37毫瓦。 SN54LS399的特点是可在-55°C至125°C的整个军事范围内工作。 SN74LS399的特点是工作温度范围为0°C至70°C。 特性 'LS399 上的单轨输出选择两个4位数据源中的一个并与系统同步存储数据时钟 应用程序: 算术处理器中操作数和常量的双源;可以释放处理器寄存器文件以获取新数据 实现能够并行交换内容但保留外部负载能力的单独寄存器 用于实现各种移位模式的通用类型寄存器:甚至还有复合左 - 权利能力 参数 与其它产品相比 编码器和解码器   Function Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Channels (#) Voltage (Nom) (V) F @ Nom Voltage (Max) (Mhz) ICC @ Nom Voltage (Max) (mA) tpd @ Nom Voltage (M...

发表于 08-23 16:16 8次 阅读
SN74LS399 具有存储器的四路 2 输入多路复用器