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世界半导体集成电路发展史(多图预警)

2018-04-02 15:26 次阅读

半导体集成电路发展史

集成电路从产生到成熟大致经历了如下过程:电子管——晶体管——集成电路——超大规模集成电路

晶体管的演变

集成电路的前奏——电子管、晶体管  

电子管,是一种在气密性封闭容器中产生电流传导,利用电场对真空中的电子流的作用以获得信号放大或振荡的电子器件。由于电子管体积大、功耗大、发热厉害、寿命短、电源利用效率低、结构脆弱而且需要高压电源的缺点,很快就不适合发展的需求,被淘汰的命运就没躲过。

晶体管,是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管很快就成为计算机“理想的神经细胞”,从而得到广泛的使用。虽然晶体管的功能比电子管大了很多,但由于电子信息技术的发展,晶体管也越来越不适合科技的发展,随之出现的就是能力更强的集成电路了。

集成电路的诞生

几根零乱的电线将五个电子元件连接在一起,就形成了历史上第一个集成电路。虽然它看起来并不美观,但事实证明,其工作效能要比使用离散的部件要高得多。历史上第一个集成电路出自杰克-基尔比之手。当时,晶体管的发明弥补了电子管的不足,但工程师们很快又遇到了新的麻烦。为了制作和使用电子电路,工程师不得不亲自手工组装和连接各种分立元件,如晶体管、二极管电容器等。

我国的集成电路产业起步相对来说比较晚,在20世纪60年代中期。到现在已经形成了产品设计、芯片制造、电路封装共同发展的态势。我们相信,随着我国经济的发展和对集成电路的重视程度的提高,我国集成电路事业也会有更大的发展。

集成电路史上最著名的10个人

1、2、3

1,2.3.肖克利、巴丁和布拉顿——晶体管的发明人

晶体管是集成电路的基本,没有晶体管的发明,就不可能发明集成电路,因此我们把肖克莱、巴丁和布拉顿三人放到集成电路发展史中传奇人物第一位。

这三个人中大家最熟悉的应该是肖克利了,他被称为“晶体管之父”,利用他的名声,招募了一批杰出的年青科学家,其中有大名鼎鼎的“八叛逆”,为后续的仙童公司、英特尔公司等一大批知名半导体公司创立打下了基础。

6

6.琼•赫尔尼(Jean Hoern)——奠定了硅作为电子产业中关键材料的地位

琼•赫尔尼,“八叛逆” 之一。1924年出生于瑞士,分别在剑桥大学和日内瓦大学取得博士学位。

1952年, 移居美国在加州理工大学工作,受到威廉·肖克利赏识,几年后加入肖克利半导体公司,然而受不了肖克利的家长制作风,1957年9月,包括琼·赫尔尼在内的八个骨干工程师从肖克利半导体公司辞职。肖克利在震惊之余极其愤怒,称他们为“八个叛逆。”这八个叛逆后来对硅谷的发展起了极其重要的影响。他们组建了仙童公司(Fairchild),1959年,Jean Hoerni发明了平面工艺使用一种叫做光学蚀刻的处理方法,这种方法有些类似于利用底片冲洗照片的过程。开始,他用的是一片锗或硅。然后他在上面喷洒上一层叫做光阻剂的物质。如果你把光照在上面,光阻剂就会变得坚硬,然后你就可以用一种特殊的化学药品清除掉没有被光照射到的光阻剂。所以,赫尔尼就创造了一个光罩,它就像一张底片,上面有一簇小孔,用来过滤掉不清洁的东西,然后让它在光线中翻动。在化学洗涤之后,金属板上只要是留下光阻剂的地方,杂质就不会散落到下面。来解决平面晶体管的可靠性问题,因而使半导体生产发生了革命性的变化。堪称为“20世纪意义最重大的成就之一”,并称其奠定了硅作为电子产业中关键材料的地位。

4

4.杰克•基尔比(Jack S. Kilby)——集成电路之父

杰克•基尔比(Jack Kilby,1923年11月8日-2005年6月20日)。1958年,34岁的基尔比加入德州仪器公司。

1958年9月12日,基尔比研制出世界上第一块集成电路,成功地实现了把电子器件集成在一块半导体材料上的构想,并通过了德州仪器公司高层管理人员的检查。请记住这一天,集成电路取代了晶体管,为开发电子产品的各种功能铺平了道路,并且大幅度降低了成本,使微处理器的出现成为了可能,开创了电子技术历史的新纪元,让我们现在习以为常一切电子产品的出现成为可能。

伟大的发明与人物总会被历史验证与牢记,2000年基尔比因为发明集成电路而获得当年的诺贝尔物理学奖。这份殊荣,经过四十二年的检验显得愈发珍贵,更是整个人类对基尔比伟大发明的充分认可。诺贝尔奖评审委员会的评价很简单:“为现代信息技术奠定了基础”。

5

5.罗伯特•诺伊斯(Robert Noyce)——科学、商业双料巨人

罗伯特•诺伊斯,“八叛逆” 之一。

他是一位科学界和商业界的奇才。他在基尔比的基础上发明了可商业生产的集成电路,使半导体产业由“发明时代”进入了“商用时代”。同时,还共同创办了两家硅谷最伟大的公司:一个是曾经有半导体行业“黄埔军校”之称的-仙童(Fairchild)公司,一个是当今世界上最大设计和生产半导体的科技巨擎英特尔公司。

一个人同时置身科学界和企业界,最终还能功德圆满,实属罕见,而诺伊斯却做到了,他已经成为半导体工业的象征人物,人们尊敬的称他为:“硅谷市长”。这位“硅谷市长”的成就也成为半导体行业工程师日夜奋斗的目标。

7

7.戈登•摩尔(Gordon Moore)—— 一个人一个行业的定律

戈登•摩尔“八叛逆” 之一。1929年1月3日,戈登·摩尔出生在距离旧金山南部的一个小镇。

1954年获物理化学博士学位,1956年同诺伊斯一起创办了传奇般的仙童(Fairchild)公司,主要负责技术研发。1968年在诺伊斯辞职后,戈登·摩尔跟随而去一起创办了Intel,1975年成为公司总裁兼CEO。

10

10.张忠谋——集成电路代工产业的缔造者

一个人定义了一个产业,一个人开创了一个新的代工时代,一个人让整个集成电路行业更有活力,这个人就是张忠谋。

27岁的张忠谋效力于德州仪器公司,并且一干就是25年。1985年,受台湾方面邀请,张忠谋辞去在美国的高薪职位返回台湾,出任台湾工业技术研究院院长,致力于台湾半导体业的崛起和产业升级,1987创建了全球第一家专业代工公司——台湾积体电路制造股份有限公司(台积电)开创了半导体代工时代。

在台积电之前集成电路行业的模式都是一样的:所有的集成电路都是自己设计自己做,Intel、三星等公司集芯片设计和生产于一体,全能但庞大臃肿。正是这种大而全的设计生产方式,带来了高成本,高门槛的弊端,放慢了整个集成电路行业的步伐。

看到这一商业机会的张忠谋,大胆成为第一家“纯”晶圆代工公司,不与客户竞争,不设计或生产自有集成电路,只帮助半导体公司生产已经设计成型的集成电路。正是这种模式为台积电带来巨大财富的同时也创造了两个新的行业-晶圆代工厂,Fabless(无生产线集成电路设计公司)。由于省去了费用高昂的晶圆制造环节,集成电路行业整体门槛降低,诞生了一大批新生的具有活力的集成电路设计公司,为整个集成电路行业带来了新活力与创意。

2007年,英特尔宣布与台积电同时生产45纳米工艺的芯片。这标志着台积电在技术提高方面如此可靠,以至于像英特尔这样的国际性大芯片公司都决定停止或放缓自己生产技术的发展步伐,把更多的精力放在技术研发领域。同时传统芯片公司NXP和德州仪器公司也宣布,将停止开发一些芯片生产技术,转而与台积电等亚洲晶圆代工企业制造芯片,集成电路细分工时代全面到来,一个崭新的更具活力的集成电路行业展现在我们面前。

8

8.安迪•格罗夫(Andy Grove)——微处理器之王狂妄的匈牙利人

“Only the paranoid survive.”只有偏执狂才能生存。说这句话正是安迪·格罗夫。

还记得没有电脑之前的生活吗?可以这样说,没有英特尔的微处理器,就算一万个年少轻狂才华横溢的比尔·盖茨也无济于事。从1987年接过英特尔的CEO接力棒之后,他不断以打破传统、挑战现有逻辑的战略思维,使微处理器这颗数字革命的心脏强劲跳动,为数字时代

提供源源不断的动力。同样地,没有安 迪·格罗夫,也就没有今天最成功的半导体公司英特尔。

9

9.胡正明——FinFET等多种新结构器件的发明人

1947年出生于北京豆芽菜胡同,学术生涯始于加州大学伯克利分校。1973年在伯克利获得博士学位,并一直从事半导体器件的开发及微型化研究。

胡正明教授是微电子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要开拓者,对半导体器件的开发及未来的微型化做出了重大贡献。主要科技成就为:领导研究出BSIM,从实际MOSFET晶体管的复杂物理推演出数学模型,该数学模型于1997年被国际上38家大公司参与的晶体管模型理事会选为设计芯片的第一个且唯一的国际标准;发明了在国际上极受注目的FinFET等多种新结构器件;对微电子器件可靠性物理研究贡献突出:首先提出热电子失效的物理机制,开发出用碰撞电离电流快速预测器件寿命的方法,并且提出薄氧化层失效的物理机制和用高电压快速预测薄氧化层寿命的方法。首创了在器件可靠性物理的基础上的IC可靠性的计算机数值模拟工具。

作为顶级半导体专家,胡正明教授贡献卓著,他是IEEE Fellow、美国工程院院士、中国工程院外籍院士。在台积电担任CTO时获得“台湾第一CTO”的雅号。但胡正明是一位真正的隐世高人,淡泊名利,一生都奉献给了最热爱的半导体产业,并且无怨无悔,用他自己的话说“如果我今天要重新再选一行的话,我还是会选半导体这一行”。2010年后,持续数十年的Bulk CMOS工艺技术在20nm走到尽头,胡教授在20年前开始探索并发明的FinFET和FD-SOI工艺,成为半导体产业仅有的两个重要选择。因为他的两个重要发明,摩尔定律在今天得以再续传奇。

27款震撼世界的芯片

原文标题:世界半导体集成电路发展史(超细、超全)

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发表于 06-02 10:34 114次 阅读
用于带有纹波阻断技术的MIC94355-GYMT 500-mA LDO评估板

芯片失效分析步骤

芯片失效分析步骤 1. 开封前检查,外观检查,X光检查,扫描声学显微镜检查。2. 开封显微镜检查。3. 电性能分析,缺陷定位技术、...
发表于 05-18 14:25 649次 阅读
芯片失效分析步骤

模拟集成电路的分析与设计

模拟集成电路的分析与设计
发表于 05-18 08:50 300次 阅读
模拟集成电路的分析与设计

半导体失效分析方法总结

失效分析(FA)是一门发展中的新兴学科,近年开始从军工向普通企业普及。它一般根据失效模式和现象,通过分析和验证,模拟重现...
发表于 05-15 10:49 284次 阅读
半导体失效分析方法总结

MM74HC02 四路2输入 或 门

02 NOR门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗。所有门带缓冲输出,具有高抗扰度,可以驱动10个LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:8 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电源电流:20 μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 高输出电流:4 mA(最小值) 应用 这个p产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 15:02 74次 阅读
MM74HC02 四路2输入  或  门

MM74HC00 四路2输入NAND门

00 NAND门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗。所有栅极都有缓冲输出。所有器件都有高抗扰度,并且能够驱动10 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:8 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:20μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 14:02 94次 阅读
MM74HC00 四路2输入NAND门

MM74HCU04 六路反相器

U04反相器利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗.MM74HCU04是一款无缓冲反相器。它具有高抗扰度,并且能够驱动15 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:7 ns 15 LS-TTL负载的高扇出 静态功耗:室温条件下最大值为10μA 低输入电流:1μA,最大值 应用 本产品是一般用途,适用于许多不同的产品应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 11:02 103次 阅读
MM74HCU04 六路反相器

MM74HCT164 8位串进/并出移位寄存器

T164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HCT逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS MM.7HCT器件专用于TTL和NMOS组件与标准CMOS器件之间的接口。另外,这些器件也是LS-TTL器件的插件替换件,而且可用于降低现有设计的功耗。 特 典型传播延迟:20 ns 低静态电流:40μA,最大值(74HCT系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 兼容TTL输入 应用 此产品是一般用途,适用于许多不...
发表于 08-02 03:02 51次 阅读
MM74HCT164 8位串进/并出移位寄存器

MM74HC595 带输出闩锁的8位移位寄存器

595高速移位寄存器采用先进的硅栅极CMOS技术。此器件具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。它包含一个8位串进并移位寄存器,可以馈入8位D型存储寄存器。该存储寄存器具有8个3态输出。移位寄存器和存储寄存器都提供独立的时钟。移位寄存器具有直接覆盖清零,串行输入和串行输出(标准)引脚,以用于级联。移位寄存器和存储寄存器都使用正边沿触发时钟。如果两个时钟连接在一起,则移位寄存器状态始终比存储寄存器提前一个时钟脉冲.74HC逻辑系列在速度,功能和引脚输出上与标准74LS逻辑系列兼容。所有输入通过钳位至V CC 和接地的内部二极管加以保护,以免因静电放电而受损。 特性 低静态电流最大值(最大值) / ul> 带存储功能的8位串进并出移位寄存器 宽工作电压范围2V-6V 可级联 移位寄存器具有直接清零引脚 保证移位频率:DC到30MHz 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 02:02 73次 阅读
MM74HC595 带输出闩锁的8位移位寄存器

MM74HC164 8位串进/并出移位寄存器

164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型工作频率:50 MHz 典型传播延迟:19 ns(调时至Q) 宽工作电压范围:2V至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC系列) 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 该产品是一般用途,适用于许多不同的应用...
发表于 08-02 02:02 115次 阅读
MM74HC164 8位串进/并出移位寄存器

MM74HC373 3态八路d型锁存器

373高速8路D类锁存采用先进的硅栅极CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。当MM74HCT373 LATCH ENABLE(锁存使能)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何.74HC逻辑系列在容量。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入[0] > 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 02:02 139次 阅读
MM74HC373 3态八路d型锁存器

MM74HC573 3态八路d型锁存器

573高速八路D型锁存器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。当LATCH ENABLE(LE)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于输出控制OC输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么74HC逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 。信号,也不管存储元件的状态如何。和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值(74HC系列) 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 02:02 40次 阅读
MM74HC573 3态八路d型锁存器

MM74HCT74 带预设和清零功能的双通道d型触发器

T74利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与时钟无关,通过适当输入端的低电平实现.74HCT逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC...
发表于 08-01 22:02 58次 阅读
MM74HCT74 带预设和清零功能的双通道d型触发器

MM74HC175 带清零功能的四通道D型触发器

175高速D型触发器带互补输出,采用先进硅栅极CMOS技术达到标准CMOS集成电路的高抗干扰度和低功耗以及驱动10个LS-TTL负载的能力.MM74HC175 D输入信息在时钟脉冲的正向转换边沿被传输至Q和Q#输出。每个触发器都由外部提供原码和补充输入。所有四个触发器都由一个共用时钟和一个共用CLEAR控制。清零由CLEAR输入的一个负脉冲完成。所有四个Q输出被清零至逻辑“0”,所有四个Q#输出设为逻辑“1”.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:15 ns 宽工作电压范围:2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC) 高输出驱动电流:4 mA最小值(74HC) 应用 此产品是一般的用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 22:02 89次 阅读
MM74HC175 带清零功能的四通道D型触发器

MM74HC574 3态八通道d型边沿触发式触发器

574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口.D输入端符合设置和保持时间要求的数据在时钟(CK)输入的正向转换期间传输到Q输出。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何。 74HC逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延:18 ns 宽工作电压范围2V-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 22:02 94次 阅读
MM74HC574 3态八通道d型边沿触发式触发器

MM74HC74A 带预设和清零功能的双通道d型触发器

74A利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与742C逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:40μA,最大值(74HC系列) 低输入电流: 1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 22:02 80次 阅读
MM74HC74A 带预设和清零功能的双通道d型触发器

MM74HC374 3态八通道d型边沿触发式触发器

574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。在这里(CK)输入的正向转换过程中,D输入端的数据(符合设置和保持时间的要求)被传输到Q输出端。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管74储逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽工作电压范围2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 22:02 139次 阅读
MM74HC374 3态八通道d型边沿触发式触发器

NCV7812 线性稳压器 1 A 12 V.

线性稳压器是单片集成电路,设计用作固定电压调节器,适用于各种应用,包括本地,卡上调节。这些稳压器采用内部限流,热关断和安全区域补偿。通过充分的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器,但这些器件可以与外部元件一起使用,以获得可调电压和电流。 特性 输出电流超过1.0 A 无需外部元件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 输出电压提供1.5%,2%和4%容差 无铅封装可用 应用 可用于Surface Mount D 2 PAK和Standard 3 -Lead Transistor Packages 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 74次 阅读
NCV7812 线性稳压器 1 A 12 V.

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 72次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

NCV896530 双输出降压转换器 低电压 2.1 MHz

530双路降压DC-DC转换器是一款单片集成电路,专用于下游电压轨的汽车驾驶员信息系统。两个通道均可在0.9 V至3.3 V范围内进行外部调节,并可提供高达1600 mA的电流。转换器的工作频率为2.1 MHz,高于敏感的AM频段,并且相位差180°,以减少轨道上的大量电流需求。同步整流提高了系统效率。 NCV896530提供汽车电源系统的其他功能,如集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.1 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCV896530采用节省空间的3 x 3 mm 10引脚DFN封装。 特性 优势 同步整改 效率更高 2.1 MHz开关频率 电感更小,没有AM频段发射 热限制和短路保护 故障保护 2输出为180°异相 降低输入纹波 内部MOSFET 降低成本和解决方案规模 应用 音频 资讯娱乐t 仪器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 05:02 94次 阅读
NCV896530 双输出降压转换器 低电压 2.1 MHz

NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

2双级降压DCDC转换器是一款单片集成电路,专用于为采用1节锂离子电池或3节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用提供新型多媒体设计的核心和I / O电压。两个通道均可在0.9V至3.3V之间进行外部调节,每个通道可提供高达1.6A的电流,最大电流为1.0A。转换器以2.25MHz的开关频率运行,通过允许使用小电感(低至1uH)和电容器并以180度异相工作来减小元件尺寸,从而减少电池的大量电流需求。自动切换PWM / PFM模式和同步整流可提高系统效率。该器件还可以工作在固定频率PWM模式,适用于需要低纹波和良好负载瞬变的低噪声应用。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.25 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCP1532采用节省空间的超薄型3x3 x 0.55 mm 10引脚uDFN封装。 特性 优势 97%效率,50uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和'播放时间' 2.25MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容 模式引脚操作:仅在轻载或PWM模式下自动切换PWM / PFM模式 允许用户在轻载或低噪声和纹波性能之间选择低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 复位输出引脚...
发表于 07-30 03:02 162次 阅读
NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

NCP1522B 降压转换器 DC-DC 3 MHz 600 mA

2B降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,针对便携式应用进行了优化,采用单节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电。该器件采用0.9 V至3.3 V的可调输出电压,可提供高达600 mA的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部部件数量。该器件还内置3 MHz(标称)振荡器,通过允许更小的电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1522B采用节省空间的薄型TSOP5和UDFN6封装。 特性 优势 94%效率,50 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和'播放时间' 3.0 MHz开关频率 允许使用更小的电感(低至1uH)和电容 轻负载条件下PWM和PFM模式之间的自动切换 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 应用 终端产品 电源f或应用处理器 核心电压低的处理器电源 智能手机手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 数码相机和摄像机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 02:02 106次 阅读
NCP1522B 降压转换器 DC-DC 3 MHz 600 mA

NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

9降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,适用于由一节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用。该器件可在外部可调范围为0.9 V至3.9 V或固定为1.2 V或1.35 V的输出范围内提供高达1.0 A的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部元件数量。该器件还内置1.7 MHz(标称)振荡器,通过允许使用小型电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。 其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1529采用节省空间的扁平2x2x0.5 mm UDFN6封装和TSOP-5封装。 特性 优势 96%效率,28 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池续航时间和'播放时间' 1.7 MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容器 在轻负载条件下自动切换PWM和PFM模式 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.9V 即使在PFM模式下,同类最佳低纹波 应用 终端产品 电池供电应用电源管理 核心电压低的处理器电源 USB供电设备 低压直流电源电源管理 手机,智能手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 02:02 231次 阅读
NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.

系列降压开关稳压器是单片集成电路,非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线路和负载调节驱动1.0 A负载。这些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本。 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化电源设计。标准系列电感器针对LM2575进行了优化,由多家不同的电感器制造商提供。 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相比,其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下。在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低,不需要散热器,也不会大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部关断,具有80 uA典型待机电流。输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V至37 V +/- 4%最大线路和负载条件 保证1.0 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...
发表于 07-30 01:02 173次 阅读
NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.