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特朗普对华发起贸易战包括信息技术而中国没有反制的原因是什么

2018-03-28 08:34 次阅读

日前,“国际半导体展SEMICON/FPDChina2018”在上海举行,在大会上发布了2017年中国集成电路产业业绩,全年实现销售额达5411.3亿元,同比增长24.8%。其中,芯片制造业增速最高,达到28.5%。

不过,2017年中国集成电路进出口逆差再创新高,达1932.6亿美元,较2016年增长16.6%。就在不久前,美国总统特朗普对华发起贸易战,非常有意思的是,信息技术位列其中,而中国却没有在信息技术方面进行反制。

那么,美国为何在许多自己的强项上制裁中国,中国又为何不对进口额超过石油的集成电路产品征收高关税呢?

国产芯片设计厂商与境外大厂有较大差距

就集成电路来说,我们最熟悉的莫过于CPUGPU、NAND Flash和Dram,这些芯片广泛应用于智能手机、个人电脑等已经融入我们生活的电子产品。然而,这几种芯片基本被境外大厂垄断,桌面和服务器CPU的霸主是美国英特尔公司,桌面GPU的领头羊是美国英伟达公司,NAND Flash和Dram被三星、SK海力士、东芝、镁光、西部数据等厂商垄断。

DSPFPGA,以及MEMS传感器射频芯片来说,DSP的老大是美国德州仪器,国内虽然有华睿DSP,不过主要应用于特殊领域。

FPGA则被美国赛灵思和阿尔特拉垄断,国内厂商与这两大巨头的差距在10年以上。

MEMS传感器的主要玩家是意法半导体博世德州仪器,一些体制内单位能够做出供特殊领域的产品,但价格异常昂贵,而美新半导体能够做出一些具有商业竞争力的产品,但性能又和国外大厂有差距。

在射频上,Skyworks、Qorvo博通、恩智浦、英飞凌等公司处于领先地位,国内公司与外商差距明显。

真正在商业上比较成功的是智能手机芯片,也就是常说的手机SoC。不过,国内手机芯片厂商能够在商业上取得成功,并非自身技术实力有多强,而是得益于ARM的商业模式。虽然国内一些芯片设计公司开发出了手机芯片,而且国内一些手机芯片设计公司宣传芯片的CPU、GPU等达到国际一流水平,但实际上,这些手机芯片设计公司仅仅是买别人写好的代码做集成而已。由于CPU核本身就是ARM设计的,买CPU核做集成设计出的SoC,其CPU性能自然是处于国际一流水平。

ARM公司的工程师就打过一个比喻,ARM设计CPU核就好比从打地基开始设计、建造一幢毛胚房,而国内手机芯片设计公司买CPU核做集成的行为就好比买下毛胚房做软装。以最负盛名的华为麒麟芯片为例,从最早的K3到最新的麒麟970,历经数代产品使用过ARM的ARM11、ARM Cortex A9、A7、A15、A53、A72、A73等等,在近10年时间里,所有的CPU源码都是从ARM手里买的,可谓“引进一代、淘汰一代、反复引进”。

换言之,国内手机芯片设计公司只是把ARM公司设计的CPU核与GPU核买回来,然后把这些CPU核、GPU核等模块拼成设计图,然后拿到台积电流片,最后获得的芯片被称为SoC。在最关键的CPU核设计、制造工艺上完全依赖ARM、台积电等境外企业,国产手机SoC的商业意义远远大于技术价值。

因此,虽然在商业上,中国手机芯片比较成功,国产手机芯片的出货量早已突破10亿大关,但在技术上,目前还没有设计出拥有自主CPU核的手机芯片。

总而言之,即便是商业上最成功的手机SoC也在技术上高度依赖国外厂商,在集成电路设计方面,中国与外国有较大的差距。

设备、制造、原材料差距明显

就原材料来说,制造芯片需要硅晶圆。而全球晶圆基本被日本信越、日本Sumco,德国Siltronic、美国SunEdison、韩国LGSiltron垄断,市场份额分别为27%、26%、14%、11%、10%,5大巨头加起来的市场份额超过80%,国内企业在晶圆上基本依赖进口。这使国内企业时不时会遭遇晶圆供应不足的局面,比如在2017年5月,日本Sumco就砍掉了长江存储的晶圆订单,优先供货给台积电、英特尔、镁光等大厂。

就制造芯片所需的设备来看,基本被美国应用材料、科林、科磊,荷兰艾司摩尔、东京电子等公司垄断,像荷兰艾司摩尔公司的EUV光刻机价格每台高达1亿美元,中国企业想要购买必须排队,而且必须在下单后2年才有可能买到设备,这还是西方政府不从中作梗的前提下才能获得的待遇。

在2018年,半导体设备全球市场总额将达到500亿美元,但国内半导体设备企业所占据的市场份额非常低,美国、日本、荷兰的十家企业预计垄断超过80%的份额。即便少数在局部做的比较好国内半导体设备商,也需要从美国上游供应商购买一些核心元器件

就制造环节来说,国内企业和英特尔、台积电、三星等境外大厂至少有2代的技术代差。目前,台积电已经开始商业化量产10nm芯片,中国大陆的企业还没有完全吃透28nm工艺。特别是在良率上,中国大陆企业与境外大厂差距较大,这使得即便是使用28nm工艺流片,国内华为、小米、展讯等公司出于商业利益方面的考虑,往往优先选择台积电。只有美国高通公司在被发改委开出巨额反垄断罚单之后,因为非商业方面的因素,把大量订单交给中国大陆企业。

“农业国制裁工业国”只是戏言

中国信息技术产业有两个特点,一个是在硬件上,整机产品强,核心元器件弱,另一个是在软件上,应用软件强,基础软件弱。虽然还不清楚美国制裁信息技术的具体对象,但考虑到中国在这方面的强项,美国有一定可能会制裁中国的整机产品。

不过,这仅仅是可能,本次中国和美国的贸易战,更像是彼此之间进行试探,基本上处于斗而不破的状态。

举例来说,中国近年来每年集成电路产品进口额都超过2000亿美元,但实际上真正自己用的只有600—800亿美元,由于中国的整机厂非常强势,进口的大部分芯片都是做到整机产品里销往国外的。像华为、中兴、联想、小米等国内整机厂的电信设备、个人电脑、智能手机等产品都高度依赖国外核心元器件供应商。

因此,如果特朗普真的要强势制裁中国大陆整机厂,只需要卡住美国的上游元器件供应,牺牲一部分美国科技公司的利益,中国大陆的整机厂就会彻底溃败,韩国、中国台湾的整机厂将迅速填补掉市场空白,甚至美国和日本的整机厂也能在中国大陆企业的尸体上重新崛起。

同样,中国大陆也有反制的手段,比如在日用品上,如果牺牲一部分中国大陆企业的利益,甚至不惜让部分工人下岗,美国人的生活成本将大幅推高,这会极大的激化美国目前已经非常激烈的贫富矛盾、种族矛盾等社会问题,当美国人民生活水平在特朗普的政策下大幅下降的情况下,很难说特朗普是否能够顺利连任。

另外,中国市场已经是高通、苹果、英特尔、微软等公司不可忽视的利润来源。一旦特朗普准备酝酿极端制裁政策,中国为了反制必然会对这些科技巨头下手,这些大公司为了保护自己的利益,会充分动员一切能量进行游说,把特朗普的极端政策扼杀在萌芽状态。

与信息技术领域类似,在特朗普制裁的医疗器械、生物医药、新材料、航空设备等方面,美国都比中国强很多,这种在自己强势领域制裁中国的做法,对中国工业的实际影响非常小。因为在这些领域,中国企业连在本国市场都打不赢美国企业,更遑论去美国市场上与美国企业争高下。而美国企业只要卡一下供应链,很多中国企业就会停摆,比如美国在航空发动机上卡一下脖子,C919在未来5—8年内恐怕就只能呆在地上了。因此,一些媒体将这次美国制裁中国称为“农业国制裁工业国”,是并不准确的。

可以说,特朗普之所以选择这些领域,主要是为了做姿态,既不会对中国造成巨大且直接的影响,又能对中国施加压力,对中国进行讹诈,逼迫中国在某些地方让步。中国和美国的这一轮贸易战,极有可能是“雷声大、雨点小”。以中美两国领导人的政治智慧,会保持斗而不破的状态。

原文标题:美国选信息技术等强项制裁中国 恰恰说明“斗而不破”

文章出处:【微信号:guanchacaijing,微信公众号:科工力量】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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MM74HC00 四路2输入NAND门

MM74HCU04 六路反相器

U04反相器利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗.MM74HCU04是一款无缓冲反相器。它具有高抗扰度,并且能够驱动15 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:7 ns 15 LS-TTL负载的高扇出 静态功耗:室温条件下最大值为10μA 低输入电流:1μA,最大值 应用 本产品是一般用途,适用于许多不同的产品应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 11:02 81次 阅读
MM74HCU04 六路反相器

MM74HCT164 8位串进/并出移位寄存器

T164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HCT逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS MM.7HCT器件专用于TTL和NMOS组件与标准CMOS器件之间的接口。另外,这些器件也是LS-TTL器件的插件替换件,而且可用于降低现有设计的功耗。 特 典型传播延迟:20 ns 低静态电流:40μA,最大值(74HCT系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 兼容TTL输入 应用 此产品是一般用途,适用于许多不...
发表于 08-02 03:02 48次 阅读
MM74HCT164 8位串进/并出移位寄存器

MM74HC595 带输出闩锁的8位移位寄存器

595高速移位寄存器采用先进的硅栅极CMOS技术。此器件具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。它包含一个8位串进并移位寄存器,可以馈入8位D型存储寄存器。该存储寄存器具有8个3态输出。移位寄存器和存储寄存器都提供独立的时钟。移位寄存器具有直接覆盖清零,串行输入和串行输出(标准)引脚,以用于级联。移位寄存器和存储寄存器都使用正边沿触发时钟。如果两个时钟连接在一起,则移位寄存器状态始终比存储寄存器提前一个时钟脉冲.74HC逻辑系列在速度,功能和引脚输出上与标准74LS逻辑系列兼容。所有输入通过钳位至V CC 和接地的内部二极管加以保护,以免因静电放电而受损。 特性 低静态电流最大值(最大值) / ul> 带存储功能的8位串进并出移位寄存器 宽工作电压范围2V-6V 可级联 移位寄存器具有直接清零引脚 保证移位频率:DC到30MHz 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 02:02 69次 阅读
MM74HC595 带输出闩锁的8位移位寄存器

MM74HC164 8位串进/并出移位寄存器

164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型工作频率:50 MHz 典型传播延迟:19 ns(调时至Q) 宽工作电压范围:2V至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC系列) 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 该产品是一般用途,适用于许多不同的应用...
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MM74HC164 8位串进/并出移位寄存器

MM74HC373 3态八路d型锁存器

373高速8路D类锁存采用先进的硅栅极CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。当MM74HCT373 LATCH ENABLE(锁存使能)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何.74HC逻辑系列在容量。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入[0] > 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 02:02 137次 阅读
MM74HC373 3态八路d型锁存器

MM74HC573 3态八路d型锁存器

573高速八路D型锁存器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。当LATCH ENABLE(LE)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于输出控制OC输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么74HC逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 。信号,也不管存储元件的状态如何。和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值(74HC系列) 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 02:02 35次 阅读
MM74HC573 3态八路d型锁存器

MM74HCT74 带预设和清零功能的双通道d型触发器

T74利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与时钟无关,通过适当输入端的低电平实现.74HCT逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC...
发表于 08-01 22:02 54次 阅读
MM74HCT74 带预设和清零功能的双通道d型触发器

MM74HC175 带清零功能的四通道D型触发器

175高速D型触发器带互补输出,采用先进硅栅极CMOS技术达到标准CMOS集成电路的高抗干扰度和低功耗以及驱动10个LS-TTL负载的能力.MM74HC175 D输入信息在时钟脉冲的正向转换边沿被传输至Q和Q#输出。每个触发器都由外部提供原码和补充输入。所有四个触发器都由一个共用时钟和一个共用CLEAR控制。清零由CLEAR输入的一个负脉冲完成。所有四个Q输出被清零至逻辑“0”,所有四个Q#输出设为逻辑“1”.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:15 ns 宽工作电压范围:2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC) 高输出驱动电流:4 mA最小值(74HC) 应用 此产品是一般的用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 22:02 81次 阅读
MM74HC175 带清零功能的四通道D型触发器

MM74HC574 3态八通道d型边沿触发式触发器

574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口.D输入端符合设置和保持时间要求的数据在时钟(CK)输入的正向转换期间传输到Q输出。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何。 74HC逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延:18 ns 宽工作电压范围2V-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 22:02 72次 阅读
MM74HC574 3态八通道d型边沿触发式触发器

MM74HC74A 带预设和清零功能的双通道d型触发器

74A利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与742C逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:40μA,最大值(74HC系列) 低输入电流: 1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 22:02 76次 阅读
MM74HC74A 带预设和清零功能的双通道d型触发器

MM74HC374 3态八通道d型边沿触发式触发器

574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。在这里(CK)输入的正向转换过程中,D输入端的数据(符合设置和保持时间的要求)被传输到Q输出端。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管74储逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽工作电压范围2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 22:02 120次 阅读
MM74HC374 3态八通道d型边沿触发式触发器

NCV7812 线性稳压器 1 A 12 V.

线性稳压器是单片集成电路,设计用作固定电压调节器,适用于各种应用,包括本地,卡上调节。这些稳压器采用内部限流,热关断和安全区域补偿。通过充分的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器,但这些器件可以与外部元件一起使用,以获得可调电压和电流。 特性 输出电流超过1.0 A 无需外部元件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 输出电压提供1.5%,2%和4%容差 无铅封装可用 应用 可用于Surface Mount D 2 PAK和Standard 3 -Lead Transistor Packages 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 70次 阅读
NCV7812 线性稳压器 1 A 12 V.

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 70次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

NCV896530 双输出降压转换器 低电压 2.1 MHz

530双路降压DC-DC转换器是一款单片集成电路,专用于下游电压轨的汽车驾驶员信息系统。两个通道均可在0.9 V至3.3 V范围内进行外部调节,并可提供高达1600 mA的电流。转换器的工作频率为2.1 MHz,高于敏感的AM频段,并且相位差180°,以减少轨道上的大量电流需求。同步整流提高了系统效率。 NCV896530提供汽车电源系统的其他功能,如集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.1 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCV896530采用节省空间的3 x 3 mm 10引脚DFN封装。 特性 优势 同步整改 效率更高 2.1 MHz开关频率 电感更小,没有AM频段发射 热限制和短路保护 故障保护 2输出为180°异相 降低输入纹波 内部MOSFET 降低成本和解决方案规模 应用 音频 资讯娱乐t 仪器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 05:02 90次 阅读
NCV896530 双输出降压转换器 低电压 2.1 MHz

NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

2双级降压DCDC转换器是一款单片集成电路,专用于为采用1节锂离子电池或3节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用提供新型多媒体设计的核心和I / O电压。两个通道均可在0.9V至3.3V之间进行外部调节,每个通道可提供高达1.6A的电流,最大电流为1.0A。转换器以2.25MHz的开关频率运行,通过允许使用小电感(低至1uH)和电容器并以180度异相工作来减小元件尺寸,从而减少电池的大量电流需求。自动切换PWM / PFM模式和同步整流可提高系统效率。该器件还可以工作在固定频率PWM模式,适用于需要低纹波和良好负载瞬变的低噪声应用。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.25 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCP1532采用节省空间的超薄型3x3 x 0.55 mm 10引脚uDFN封装。 特性 优势 97%效率,50uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和'播放时间' 2.25MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容 模式引脚操作:仅在轻载或PWM模式下自动切换PWM / PFM模式 允许用户在轻载或低噪声和纹波性能之间选择低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 复位输出引脚...
发表于 07-30 03:02 156次 阅读
NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

NCP1522B 降压转换器 DC-DC 3 MHz 600 mA

2B降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,针对便携式应用进行了优化,采用单节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电。该器件采用0.9 V至3.3 V的可调输出电压,可提供高达600 mA的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部部件数量。该器件还内置3 MHz(标称)振荡器,通过允许更小的电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1522B采用节省空间的薄型TSOP5和UDFN6封装。 特性 优势 94%效率,50 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和'播放时间' 3.0 MHz开关频率 允许使用更小的电感(低至1uH)和电容 轻负载条件下PWM和PFM模式之间的自动切换 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 应用 终端产品 电源f或应用处理器 核心电压低的处理器电源 智能手机手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 数码相机和摄像机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 02:02 100次 阅读
NCP1522B 降压转换器 DC-DC 3 MHz 600 mA

NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

9降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,适用于由一节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用。该器件可在外部可调范围为0.9 V至3.9 V或固定为1.2 V或1.35 V的输出范围内提供高达1.0 A的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部元件数量。该器件还内置1.7 MHz(标称)振荡器,通过允许使用小型电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。 其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1529采用节省空间的扁平2x2x0.5 mm UDFN6封装和TSOP-5封装。 特性 优势 96%效率,28 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池续航时间和'播放时间' 1.7 MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容器 在轻负载条件下自动切换PWM和PFM模式 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.9V 即使在PFM模式下,同类最佳低纹波 应用 终端产品 电池供电应用电源管理 核心电压低的处理器电源 USB供电设备 低压直流电源电源管理 手机,智能手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 02:02 206次 阅读
NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.

系列降压开关稳压器是单片集成电路,非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线路和负载调节驱动1.0 A负载。这些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本。 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化电源设计。标准系列电感器针对LM2575进行了优化,由多家不同的电感器制造商提供。 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相比,其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下。在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低,不需要散热器,也不会大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部关断,具有80 uA典型待机电流。输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V至37 V +/- 4%最大线路和负载条件 保证1.0 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...
发表于 07-30 01:02 165次 阅读
NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.