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巧用IC负载开关的特性来安全地降低功耗

模拟对话 2018-03-16 17:59 次阅读

为了最大限度地降低功耗,一个简单的MOSFET通常用于为未使用的电路提供电源。然而,更好的选择是使用负载开关,因为它具有额外的功能来处理电源轨管理的许多微妙和变幻莫测的问题。

负载开关提供一系列来自多个供应商的性能参数和额定值,这使得应用优先级和可用部件之间的配合良好。

本文将简要讨论IC和电路关断概念,然后介绍合适的负载开关选项以及如何使用它们。

掉电选项

通过暂时关闭不需要的功能来最小化功耗是标准的系统策略。出于这个原因,许多IC具有用户导向的超低功耗静态模式。

然而,将IC置于静态模式只会关闭IC而不是关联电路,其中包括其他功耗耗散无源器件(主要是电阻器)以及有源分立器件,如晶体管因此,设计人员常常转向使用简单的MOSFET来关闭整个子部分的电源。

即使通过使能控制线可关闭电源(LDO或开关)以降低其负载子电路的空闲模式功耗,也可能需要此MOSFET。原因在于,虽然节省可能很大,但即使在关机模式下,许多电源的泄漏电流也相对较大,因此节电可能不够。

虽然使用适当大小的MOSFET作为电源导轨开关开关确实可行,但MOSFET单独提供的功能和功能很少,并且通常无法支持其他开/关切换要求。此外,电路设计人员必须为MOSFET提供合适的栅极驱动器,这成为“待办事项”列表中的另一项内容,因此增加了设计复杂性,时间,空间和成本。

负载开关提供了“一体式”解决方案

一种更好的方法是使用“负载开关”IC,这是一种通路元件MOSFET,并在小型封装中增加了额外的电源管理功能。大多数负载开关只有4个引脚,每个引脚有一个用于输入电压,输出电压,逻辑电平使能和接地(图1)。

基本负载开关图四端子设备

图1:基本负载是一个四端器件,它将MOSFET和MOSFET驱动器集成在一个易于使用的封装中。(图片来源:德州仪器

操作非常简单:当负载开关通过ON引脚启用时,通路FET导通,并允许电流从输入(源)电压引脚流向输出(负载)电压引脚。与基本MOSFET一样,通过“开关”的直流电阻仅为几毫欧(mΩ),所以电压降低,相关的功耗也是如此。

负载开关不仅仅是一个MOSFET和一个驱动器,它可以通过简单的逻辑电平信号来开启/关闭。尽管单独使用这种功能可能会使负载开关比采用单独驱动器的MOSFET更好,但负载开关的功能更多(图2)。

负载开关功能的图像

图2:负载开关通常具有其他功能,包括放电控制,摆率控制,各种形式的保护和故障监视。(图片来源:Vishay Siliconix

除了逻辑电平控制功能外,为什么还要使用负载开关?有几个原因:

整体驱动器管理对门极的充电和放电,从而提供MOSFET导通/关断周期上升/下降时间的转换速率控制。这可以优化MOSFET性能,避免过冲和振铃,并将不合需要的EMI / RFI降至最低。

此外,通过控制开关中MOSFET的导通时间,可以防止由于快速尝试对负载电容充电导致的突入电流的突然增加而导致输入电压轨下垂。如果相同的输入轨还为其他必须保持充分供电的子系统供电,则此问题会出现问题。

一些负载开关通过输出和地之间的片上电阻提供快速输出放电(QOD)功能; 当器件通过ON引脚禁用时,该模式被激活。这会使输出节点放电,并防止输出浮空,这会在负载电路未关闭到定义状态时导致不需要的活动。

请注意,此功能有时不受欢迎:如果负载开关的输出连接到电池,当通过ON引脚禁用负载开关时,这种快速输出放电会导致电池耗尽 - 这不是好事!因此,一些供应商将其作为单个设备中的可选功能提供,而另一些供应商提供两种负载开关的变体,一种具有它,另一种不具备。前一种选项允许将多个相同部件用于单个产品,但在不同情况下使用。

负载开关可以包含其他功能,例如热关断,欠压闭锁,电流限制和反向电流保护等,这些功能都可以在电源和导轨上使用。这些保护功能有助于系统级完整性。

与开始使用基本MOSFET来切换电源轨并增加这些功能相比,整体BOM,设计时间和房地产成本可以大大降低。

进一步来说,负载开关的使用并不局限于简单的关闭以节省电力。通过使用一组负载开关,单个较大的电源可以为多个电路子部分供电,这些子部分的上/下功率通过多个数字输出控制下的规定序列和时序实现(图3)。以这种方式,负载开关充当更广泛和有效的电源管理控制方案的门控元件。

负载开关的图像允许单个电源驱动多个负载

图3:负载开关允许单电源驱动多个负载,每个负载都具有独立的开启/关闭和相对定时。(图片来源:德州仪器)

请记住,负载开关在其输入侧需要一个电容(通常为1微法(μF)),以限制由流入放电负载电容的瞬态涌入电流引起的输入电源电压降。他们还需要“看到”一个约为输入电容值十分之一的负载电容; 如果负载小于这个值,应该增加一个小的输出电容。

加载开关参数

负载开关的性能属性从用作开/关开关的标准FET开始。这些包括:

导通电阻(R on)决定负载开关两端的电压降以及开关的功耗。典型值在几十毫欧范围内,但会随个别供应商产品和负载开关电流容量而变化。设计者必须做一些基本的计算来确定应用程序中的最大允许值。

最大电压(V in)和电流(I max)额定值指定了开关可承受的电压有多高以及最大电流有多大。设计师应该检查稳态值以及这些因素的瞬态和峰值。

其他参数是静态电流和关断电流。静态电流是负载开关导通时负载开关所消耗的电流,因此成为浪费的功率。与负载本身消耗的功率相比,这可以忽略不计。关断电流是当开关处于关断模式时从负载开关“泄漏”到负载的电流。

负载切换从简单到复杂

用额外的功能的负载开关的一个很好的例子是NCP330安森美半导体这是一个基本的N沟道MOSFET负载开关,但它包括一个2毫秒的软启动模式,用于突发负载的应用可能有害的情况。在有电池容量有限的移动应用中,这通常是必需的(图4)。

安森美半导体的NCP330负载开关图

图4:安森美半导体的NCP330负载开关包含一个2毫秒的回转模式,因此负载不会突然连接到电源。这可以防止供应和负载的各种操作和性能问题。(图片来源:安森美半导体)

NCP330的导通电阻非常低,只有30mΩ,因此非常适合用于以3安培(A)(5 A峰值)充电的系统电池。如果电源连接到Vin引脚(高电平有效),则1.8 V至5.5 V器件将自动启用。如果没有输入电压,它通过一个内部下拉电阻保持关闭状态。还内置反向电压保护。

Vishay Siliconix提供SiP32408SiP32409摆率控制负载开关(2.5 V 3.6 V时),设计用于1.1 V至5.5 V的操作。SIP32409与SiP32408相同,但具有快速关断输出放电电路。其中一个关键特性是其导通电阻(通常为42mΩ)在1.5至5伏的大部分电源范围内保持平坦。另一个属性是控制使能电压也很低,所以它可以用在低电压电路中而不需要电平转换器(图5)。

控制使能信号低和高逻辑电平阈值与输入电压之间的关系图

图5:来自Vishay Siliconix的SiP32408和类似SiP32409负载开关的控制使能信号低和高逻辑电平阈值与输入电压之间的关系。(图片来源:Vishay Siliconix)

虽然负载开关在封装引脚的数量和功能方面是相对简单的器件,但是当电流流动和可能的寄生效应时,布局仍然是个问题。出于这个原因,最好使用公司建议的印刷电路板布局(图6)以及1×1英寸(2.5×2.5厘米)评估板的顶部和底部布局(图7)。

精心策划的印制电路板布局和元件布局图

图6:需要仔细规划印刷电路板布局和元件布局,以实现负载开关(如SiP32408和SiP32409)的全部性能,以便地噪声,寄生效应和电流不会影响最大性能。(图片来源:Vishay Siliconix)

SiP32408和SiP32409的电路板布局图像

图7:除了展示SiP32408和SiP32409的首选印制电路板布局外,Vishay Siliconix还为这些器件的小型评估板提供布局。(图片来源:Vishay Siliconix)

在越来越常见的较低电压下使用的负载开关是德州仪器Texas Instruments )的TPS22970,它可以在低至0.65 V至3.6 V的输入电压下工作(图8)。导通电阻也很低,从1.8 V输入典型4.7mΩ,在0.65 V时略微上升到6.4mΩ。该开关处理4 A的连续电流,通态静态电流为30μA(典型值)输入电压为1.2 V,输入电压高于1.8 V时的关断状态电流为1μA。

TPS22970的基本应用图

图8:TPS22970的基本应用显示了临界输入(源)电容和有时不必要的输出(负载)电容; 它还清楚地表明负载开关是简单的四端设备。(图片来源:德州仪器)

TPS22970具有150Ω的片内电阻,可在开关禁用时快速放电输出。这可以避免由负载看到浮动电源引起的任何未知状态。在输入电压分别为3.6伏和0.65伏时,摆率控制的开启时间分别为1.5毫秒(ms)和0.8毫秒。全面的数据表(长达25页,用于四端设备)包含许多详细的表格和图表,可以从各种角度全面表征其性能。例如,它显示了四个输入电压中每一个的上升和下降时间与温度的关系(图9)。

上升时间(左)和下降时间(右)与温度的关系图

图9:TPS22970的负载电阻为10Ω,负载电容为0.1μF时的上升时间(左)和下降时间(右)与温度的关系。(图片来源:德州仪器)

结论

MOSFET本身可以提供一个简单的解决方案来打开和关闭DC,以最大限度地降低功耗,实现多个负载的排序以及控制电源时序。但是,集成了MOSFET,驱动器,摆率控制和各种形式的故障保护的负载开关通常是更好的选择,因为它可以在单个小尺寸器件中提供所有这些额外功能。

负载开关提供一系列来自多个供应商的性能参数和额定值,可以很好地适应应用优先级和可用部件。

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发表于 07-13 09:18 132次 阅读
莱迪思半导体软件解决方案Lattice Propel可轻松实现FPGA的设计应用

PMOS开关管的工作原理和如何进行选择

在电路中常见到使用MOSFET场效应管作为开关管使用。下面举例进行说明。
发表于 07-10 14:27 280次 阅读
PMOS开关管的工作原理和如何进行选择

STEVAL-ISA050V1 STEVAL-ISA050V1单片VR用于基于所述PM6641单片VR为芯片组和DDR2芯片组和DDR2 / 3演示板/ 3供应用于超移动PC(UMPC)应用

部为0.8V±1%的电压基准 2.7 V至5.5 V输入电压范围 快速响应,恒定频率,电流模式控制 三个独立,可调节, SMPS对于DDR2 / 3(VDDQ)和芯片组供应 S3-S5状态兼容DDR2 / 3部分 有源软端所有输出 为VDDQ可选跟踪放电 独立的电源良好信号 脉冲在轻负载跳过 可编程电流限制和软启动所有输出 锁存OVP,UVP保护 热保护 参考和终止电压(VTTREF和VTT )±2的.apk LDO为DDR2 / 3端点(VTT)与折返 远程VTT输出感测 在S3高阻VTT输出 ±15 mA低噪声DDR2 / 3缓冲基准(VTTREF) 在STEVAL-ISA050V1演示板是基于PM6641,这是一个单片电压调节器模块,具有内部功率MOSFET,专门设计来提供DDR2 /在超移动PC和房地产便携式系统3内存和芯片组。它集成了三个独立的,可调节的,恒定频率的降压转换器,一个±2的.apk低压降(LDO)线性调节器和±15 mA低噪声缓冲基准。每个调节器提供基本电压下(UV)和过电压(OV)的保护,可编程软启动和电流限制,有源软端的和跳脉冲在轻负载。...
发表于 05-21 05:05 36次 阅读
STEVAL-ISA050V1 STEVAL-ISA050V1单片VR用于基于所述PM6641单片VR为芯片组和DDR2芯片组和DDR2 / 3演示板/ 3供应用于超移动PC(UMPC)应用

AEK-MOT-SM81M1 AEK-MOT-SM81M1根据该L99SM81V用于汽车应用的步进电机驱动器评估板

用于汽车应用L99SM81V可编程步进电机驱动器板的功能: 具有微步进和保持功能 BEMF监测失速检测 经由SPI可编程配置 5V内部线性电压调节器(输出上板连接器可用) 板反向电池保护用STD95N4F3 MOSFET,其可以具有两个被取代可选地安装二极管和一个跨接 输入工作电压范围从6 V至28 V 输出电流至1.35A 板尺寸:65毫米长×81毫米宽×11毫米最大元件高度 WEEE和RoHS标准 所有ST组分是合格汽车级 的AutoDevKit部分™主动 应用:汽车双极步进电动机 在AEK-MOT-SM81M1评估板设计用于驱动在微步进模式中的双极步进电机,与COI升电压监测失速检测。...
发表于 05-20 18:05 44次 阅读
AEK-MOT-SM81M1 AEK-MOT-SM81M1根据该L99SM81V用于汽车应用的步进电机驱动器评估板

ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

或产品号的产品搜索能力 技术数据表下载和离线咨询 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 适用于Android收藏节™和iOS™应用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android™和iOS™的应用程序,它可以让你探索的ST功率MOSFET产品组合使用便携设备。您可以轻松地定义设备最适合使用参数搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
发表于 05-20 17:05 75次 阅读
ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

STSW-BNRG_V1-DK STSW-BNRG_V1-DKBlueNRG-1 DK SW包的BLE堆栈家庭1.x版

® SMART SW包支承BlueNRG-1蓝牙®低功耗(BLE)系统级芯片 BlueNRG-1导航PC应用 BlueNRG-1闪光实用PC应用 蓝牙低功耗堆栈二进制库1.x版和API,事件回调接口 BlueNRG-1蓝牙低功耗演示应用程序 BlueNRG-1 CMSIS文件 BlueNRG-1外围驱动器和相关实施例 BlueNRG-1 SDK和HAL驱动 BlueNRG-1试剂盒,平台支持 在STSW-BNRG_V1-DK评价SW包是基于BlueNRG-1非常低的功率蓝牙低功耗( BLE)单模系统级芯片160 KB闪存,RAM的24KB,32位内核ARM...
发表于 05-20 16:05 28次 阅读
STSW-BNRG_V1-DK STSW-BNRG_V1-DKBlueNRG-1 DK SW包的BLE堆栈家庭1.x版

STSW-BLUETILE-DK STSW-BLUETILE-DK软件开发工具包BlueTile 包括传感器数据流传输BLE HID周和信标

G-2外围设备驱动程序 BlueNRG-2 SDK软件开发工具包 BlueTile传感器驱动LSM6DSO,LIS2MDL,LPS22HH,HTS221,VL53L1X和MP34DT05 -A 使用HAL(硬件抽象层),和CryptoLib BLE软件栈 BlueVoice库过度BLE半双工执行ADPCM压缩和流语音 MotionFX库通过实时运动传感器数据融合估计空间取向 在STSW-BLUETILE-DK延伸STSW-BLUENRG1-DK评价SW包为BlueNRG- 1和BlueNRG-2低功耗蓝牙系统级芯片通过添加驱动程序有关BlueTile试剂盒,中间件库和几个BLE应用实例的所有传感器。...
发表于 05-20 15:05 47次 阅读
STSW-BLUETILE-DK STSW-BLUETILE-DK软件开发工具包BlueTile 包括传感器数据流传输BLE HID周和信标

POE_LIGHTING PoE_Lighting用于STEVAL-POEL45W1 LED驱动器参考设计的Android照明应用

蓝牙低功耗(BLE)连接 设计用于智能照明和的IoT应用 开/关和强度控制 在谷歌播放 与所有的Android设备运行Android 4.3和上述 扫描和显示的兼容设备 在PoE_Lighting应用面向智能照明和的IoT的应用程序,并允许控制(ON / OFF)和改变连接到经由BLE的STEVAL-POEL45W1参考设计负载(光)的强度。该应用程序使用用于与所述装置上的自定义协议GATT连接。
发表于 05-20 14:05 26次 阅读
POE_LIGHTING PoE_Lighting用于STEVAL-POEL45W1 LED驱动器参考设计的Android照明应用

STEVAL-POE006V1 STEVAL-POE006V13.3V / 20A 有源钳位正激转换器 以太网供电(PoE)的IEEE 802.3bt标准的参考设计

805的PoE-PD接口的 特点: 系统在封装中集成一个双活性桥,热插拔MOSFET和PoE的PD 支持传统高功率,4对应用 100伏与0.2Ω总路径电阻N沟道MOSFET,以每个有源桥 标识哪些种PSE(标准或传统)它被连接到,并提供成功的符合IEEE 802.3af / AT / BT分类指示为T0,T1和T2信号的组合(漏极开路) 通过STBY,仿和RAUX控制信号智能操作模式选择的PM8804 PWM控制器的 QFN 56 8x8mm封装43个管脚和6个露出垫 特点: PWM峰值电流模式控制器 输入操作电压高达75伏 内部高电压启动调节器与20毫安能力 可编程固定频率高达1MHz 可设置的时间 软关闭(任选地禁用) 双1A PK ,低侧互补栅极驱动器 GATE2可以被关闭以降低功耗 80 %的最大占空比与内部斜率补偿 QFN 16 3x3mm的封装,带有裸垫 此参考设计表示3.3 V,20 A转换器解决方案非常适合各种应用,包括无线接入点,具有的PoE-PD接口和一个DC-DC有源钳位正激变换器提供。...
发表于 05-20 12:05 50次 阅读
STEVAL-POE006V1 STEVAL-POE006V13.3V / 20A 有源钳位正激转换器 以太网供电(PoE)的IEEE 802.3bt标准的参考设计

STEVAL-ISA165V1 用于与STP120N4F6 LLC谐振转换器SRK2001自适应同步整流控制器

LLC谐振变换器的同步整流器,具有自适应的导通和关断 V CC 范围:4.5 V至32 V 最大频率:500kHz的 对于N沟道MOSFET双栅驱动器(STRD级驱动程序) SR MOSFET类型:STP120N4F6(40 N - 4.3MΩ)TO -220 符合RoHS 在STEVAL-ISA165V1是产品评估电路板,旨在演示SRK2001同步整流控制器的性能。所述SRK2001器具的控制方案特异于在使用的变压器与绕组的全波整流中间抽头次级LLC谐振转换器的次级侧同步整流。它提供了两个高电流栅极驱动输出(用于驱动N沟道功率MOSFET)。每个栅极驱动器被单独地控制和联锁逻辑电路防止两个同步整流器(SR)MOSFET同时导通。装置的操作是基于两者的导通和关断的同步整流MOSFET的自适应算法。在快速的负载转变或上述谐振操作期间,另外的关断机构设置的基础上,比较器ZCD_OFF触发非常快的MOSFET关断栅极驱动电路。该板包括两个SR的MOSFET(在一个TO-220封装),并且可以在一个现有的转换器,作为整流二极管的替代很容易地实现。...
发表于 05-20 12:05 59次 阅读
STEVAL-ISA165V1 用于与STP120N4F6 LLC谐振转换器SRK2001自适应同步整流控制器

STEVAL-IPMM15B STEVAL-IPMM15B基于STIB1560DM2T-L SLLIMM第二系列MOSFET IPM 1500W的电机控制电源板

电压:125 - 400 VDC 额定功率:高达1500W的 允许的最大功率是关系到应用条件和冷却系统 额定电流:最多6 A 均方根 输入辅助电压:高达20 V DC 单或用于电流检测的三分流电阻(与感测网络) 电流检测两个选项:专用的运算放大器或通过MCU 过电流保护硬件 IPM的温度监测和保护 在STEVAL-IPMM15B是配备有SLLIMM(小低损耗智能模制模块)第二串联模块的小型电动机驱动电源板第二系列n沟道超结的MDmesh™DM2快速恢复二极管(STIB1560DM2T-L)。它提供了一种用于驱动高功率电机,用于宽范围的应用,如白色家电,空调机,压缩机,电动风扇,高端电动工具,并且通常为电机驱动器3相逆变器的负担得起的,易于使用的解决方案。...
发表于 05-20 10:05 46次 阅读
STEVAL-IPMM15B STEVAL-IPMM15B基于STIB1560DM2T-L SLLIMM第二系列MOSFET IPM 1500W的电机控制电源板

ARX3A0 560 x 560超低功耗CMOS图像传感器 基于2.2μmBSI像素 最高可达每秒360帧

是一款突破性的CMOS成像传感器。 ARX3A0设计为超小型(1/10英寸光学格式)和超低功耗,为物联网设备,无人机和机器人技术带来了新的选择。该产品具有创新的超级低功耗模式,在激活时功耗小于2.5mW,可以检测运动(或照明条件的变化)并唤醒系统的其余部分。能够达到每秒360帧意味着在许多情况下,ARX3A0可以像全局快门传感器一样工作,同时仍具有2.2μm滚动快门像素的功率,尺寸和性能的所有优势。评估套件和我们行业领先的DevWare评估软件是可用的。请联系您当地的安森美半导体销售代表。 特性 优势 超小1/10英寸光学格式 几乎可以放入任何寻找相机的设备中。 超低功耗操作 适合电池供电的相机 高帧率(360 fps) 可以滚动快门传感器的工作方式类似于全局快门传感器 车载框架保险杠 ...
发表于 08-13 11:02 488次 阅读
ARX3A0 560 x 560超低功耗CMOS图像传感器 基于2.2μmBSI像素 最高可达每秒360帧

NCP81143 VR多相控制器

43多相降压解决方案针对具有用户可配置3/2/1相位的Intel VR12.5兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。该控制系统基于双边沿脉冲宽度调制(PWM)与DCR电流检测相结合,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应。它具有在轻负载运行期间脱落到单相的能力,并且可以在轻负载条件下自动调频,同时保持优异的瞬态性能。 NCP81143提供两个内部MOSFET驱动器,带有一个外部PWM信号。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-09 11:36 352次 阅读
NCP81143 VR多相控制器

FSEZ1016A 带有集成式MOSFET的初级端调节PWM控制器

度集成的PWM控制器具备多种功能,可增强低功率反激转换器的性能.FSEZ1016A专有的拓扑简化了电路设计,特别是电池充电器应用中的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,它成本更低,尺寸更小,具有更轻的充电器。启动电流仅为10μA,允许使用大启动电阻以实现进一步的节能。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供了关断时间调制,以在轻载条件下线性降低PWM频率。绿色模式有助于电源达到节电要求。通过使用FSEZ1016A,充电器可以用极少的外部元件和最低的成本来完成.FSEZ1016A系列控制器提供7引脚SOIC封装。 特性 恒压(CV)和恒流(CC)控制( 通过飞兆专有的TRUECURRENT™技术实现精准恒定电流 绿色模式功能:线性降低PWM频率 42 kHz的固定PWM频率(采用跳频来解决电磁干扰问题) 恒压模式下的电缆补偿 低启动电流:10μA 低工作电流:3.5 mA 恒压模式下的峰值电流模式控制 逐周期限流 V DD 过压保护(带自动重启) V DD 欠压锁定(UVLO) 带闩锁的固定过温保护(OTP) 采用SOIC-7封装 应用 ...
发表于 07-29 19:02 192次 阅读
FSEZ1016A 带有集成式MOSFET的初级端调节PWM控制器

NCP81231 降压控制器 USB供电和C型应用

31 USB供电(PD)控制器是一款针对USB-PD C型解决方案进行了优化的同步降压控制器。它们是扩展坞,车载充电器,台式机和显示器应用的理想选择。 NCP81231采用I2C接口,可与uC连接,以满足USB-PD时序,压摆率和电压要求。 NCP81231工作在4.5V至28V 特性 优势 I2C可配置性 允许电压曲线,转换速率控制,定时等 带驱动程序的同步降压控制器 提高效率和使用标准mosfet 符合USB-PD规范 支持usb-pd个人资料 过压和过流保护 应用 终端产品 USB Type C 网络配件 消费者 停靠站 车载充电器s 网络中心 桌面 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 19:02 213次 阅读
NCP81231 降压控制器 USB供电和C型应用

NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 USB供电和C型应用

39 USB供电(PD)控制器是一种同步降压升压,经过优化,可将电池电压或适配器电压转换为笔记本电脑,平板电脑和台式机系统以及使用USB的许多其他消费类设备所需的电源轨PD标准和C型电缆。与USB PD或C型接口控制器配合使用时,NCP81239完全符合USB供电规范。 NCP81239专为需要动态控制压摆率限制输出电压的应用而设计,要求电压高于或低于输入电压。 NCP81239驱动4个NMOSFET开关,允许其降压或升压,并支持USB供电规范中指定的消费者和供应商角色交换功能,该功能适用​​于所有USB PD应用。 USB PD降压升压控制器的工作电源和负载范围为4.5 V至28 V. 特性 优势 4.5 V至28 V工作范围 各种应用的广泛操作范围 I2C接口 允许uC与设备连接以满足USB-PD电源要求 将频率从150 kHz切换到1200 kHz 优化效率和规模权衡 过渡期间的压摆率控制 允许轻松实施USB-PD规范 支持USB-PD,QC2.0和QC3.0配置文件 过电压和过流保护 应用 终端产品 消费者 计算 销售点 USB Type-C USB PD 桌面 集线器 扩展...
发表于 07-29 19:02 267次 阅读
NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 USB供电和C型应用

ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单相

1是一款高效的单相同步降压开关稳压控制器。凭借其集成驱动器,ADP3211经过优化,可将笔记本电池电压转换为高性能英特尔芯片组所需的电源电压。内部7位DAC用于直接从芯片组或CPU读取VID代码,并将GMCH渲染电压或CPU核心电压设置为0 V至1.5 V范围内的值。 特性 优势 单芯片解决方案。完全兼容英特尔®IMVP-6.5 CPU和GMCH芯片组电压调节器规格集成MOSFET驱动器。 提高效率。 输入电压范围为3.3V至22V。 提高效率。 最差±7mV -case差分感应核心电压误差超温。 提高效率。 自动节电模式可在轻负载运行期间最大限度地提高效率。 提高效率。 软瞬态控制可降低浪涌电流和音频噪声。 当前和音频缩减。 独立电流限制和负载线设置输入,以增加设计灵活性。 改进设计灵活性ity。 内置电源良好屏蔽支持电压识别(VID)OTF瞬变。 提高效率。 具有0V至1.5V输出的7位数字可编程DAC。 提高效率。 短路保护。 改进保护。 当前监听输出信号。 提高效率。 这是一款无铅设备。完全符合RoHS标准和32引...
发表于 07-29 19:02 249次 阅读
ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单相

NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节器 适用于计算应用

49是一款单相同步降压稳压器,集成了功率MOSFET,可为新一代计算CPU提供高效,紧凑的电源管理解决方案。该器件能够在带SVID接口的可调输出上提供高达14A TDC的输出电流。在高达1.2MHz的高开关频率下工作,允许采用小尺寸电感器和电容器,同时由于采用高性能功率MOSFET的集成解决方案而保持高效率。具有来自输入电源和输出电压的前馈的电流模式RPM控制确保在宽操作条件下的稳定操作。 NCP81149采用QFN48 6x6mm封装。 特性 优势 4.5V至25V输入电压范围 针对超极本和笔记本应用进行了优化 支持11.5W和15W ULT平台 符合英特尔VR12.6和VR12.6 +规格 使用SVID接口调节输出电压 可编程DVID Feed - 支持快速DVID的前进 集成栅极驱动器和功率MOSFET 小外形设计 500kHz~1.2MHz开关频率 降低输出滤波器尺寸和成本 Feedforward Ope输入电源电压和输出电压的比例 快线瞬态响应和DVID转换 过流,过压/欠压和热保护 防止故障 应用 终端产品 工业应用 超极本应用程序 笔记本应用程序 集成POL U...
发表于 07-29 19:02 94次 阅读
NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节器 适用于计算应用

NCP81141 Vr12.6单相控制器

41单相降压解决方案针对Intel VR12.6兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。单相控制器采用DCR电流检测,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应.NCP81141集成了内部MOSFET驱动器,可提高系统效率。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 18:02 423次 阅读
NCP81141 Vr12.6单相控制器

NCP81147 低压同步降压控制器

47是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP81147还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 优势 内部高性能运算放大器 简化系统补偿 集成MOSFET驱动器 节省空间并简化设计 热关机保护 确保稳健的设计 过压和过流保护 确保稳健设计 省电模式 在轻载操作期间最大限度地提高效率 支持5.0 V至19 V输入 5.0 V至12 V操作 芯片使能功能通过OSC引脚 保证启动进入预充电负载 内部软启动/停止 振荡器频率范围为100 kHz至1000 kHz OCP准确度,锁定前的四次重入时间 无损耗差分电感电流检测 内部高精度电流感应放大器 20ns内部栅极驱动器的自适应FET非重叠时间 Vout从0.8V到3.3 V(5V,12V VCC) 热能补偿电流监测 ...
发表于 07-29 18:02 404次 阅读
NCP81147 低压同步降压控制器

NCP5230 低压同步降压控制器

0是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP5230还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 高性能误差放大器 >内部软启动/停止 0.5%内部电压精度,0.8 V基准电压 OCP精度,锁存前四次重入时间无损差分电感电流检测内部高精度电流检测放大器振荡器频率范围100 kHz 1000 kHz 20 ns自适应FET内部栅极驱动器非重叠时间 5.0 V至12 V操作支持1.5 V至19 V Vin Vout 0.8 V至3.3 V(具有12 VCC的5 V电压)通过OSC引脚实现芯片功能锁存过压保护(OVP)内部固定OCP阈值保证启动预充电负载 热补偿电流监控 Shutdow n保护集成MOSFET驱动器集成BOOST二极管,内部Rbst = 2.2 自动省电模式,最大限度地提高光效率负载运行同步功能远程地面传感这是一个无铅设备 应用 桌面和服务器系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 17:02 213次 阅读
NCP5230 低压同步降压控制器

NCP3030 同步PWM控制器

0是一款PWM器件,设计用于宽输入范围,能够产生低至0.6 V的输出电压.NCP3030提供集成栅极驱动器和内部设置的1.2 MHz(NCP3030A)或2.4 MHz( NCP3030B)振荡器。 NCP3030还具有外部补偿跨导误差放大器,内置固定软启动。保护功能包括无损耗电流限制和短路保护,输出过压保护,输出欠压保护和输入欠压锁定。 NCP3030目前采用SOIC-8封装。 特性 优势 输入电压4.7 V至28 V 从不同输入电压源调节的能力 0.8 V +/- 1.5%参考电压 能够实现低输出电压 1200 kHz操作(NCP3020B - 2400 kHz) 高频操作允许使用小尺寸电感器和电容器 > 1A驱动能力 能够驱动低Rdson高效MOSFET 电流限制和短路保护 高级保护功能 输出过压和欠压检测 高级保护功能 具有外部补偿的跨导放大器 能够利用所有陶瓷输入和输出电容器 集成升压二极管 减少支持组件数量和成本 受管制的软启动 已结束软启动期间的环路调节可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容(NCV3030) 适用于汽车应用 应用 终端产品 ...
发表于 07-29 17:02 132次 阅读
NCP3030 同步PWM控制器