介绍一种模拟控制器最合适控制方案

电子设计 2018-03-12 09:17 次阅读

48V-12V双电池电源系统正普通用于轻度混合动力电动车。车辆的动态工作条件可能需要在两个电池轨道之间来回传送高达10kW的电功率。由于移动车辆中的各种操作情况,控制一个方向或另一个方向上的功率流需求可以说是一个相当复杂的任务,需要数字控制方案的智能。因此,当领先的汽车制造商和一级供应商开始开发48V-12V双向电源转换器时,大多数都采用了全数字方法。

全数字解决方案成本昂贵,因为它们需要许多离散的模拟电路。这些模拟电路包括精密电流检测放大器、功率MOSFET栅极驱动器、监视和保护电路等。由于电路板上的设备数量庞大,离散解决方案显得笨重且不可靠。为了减少解决方案尺寸和降低成本,同时提高性能和系统级可靠性,一些一级供应商正在寻找一种混合架构,其中微控制器处理更高级别的智能管理,且高度集成的模拟控制器实现电源转换器级。在这篇博文中,我将讨论如何确定这种模拟控制器的最合适的控制方案。

表1总结了不同控制方案的优点和缺点。

6.png

表1:控制方案比较

A48V-12V双向转换器通常必须具有高精度的电流调节(优于3%),以便精确地控制从一个电池轨到另一个电池轨传输的功率量。由于高功率,系统通常需要交错并行操作中的多相电路,以共享总负载,并且共享应当在各个相之间均衡。因此,电压控制模式不适合,因为其不能实现多相共享。

基于峰值电感器电流生成脉冲宽度调制(PWM)信号的峰值电流模式控制方案可实现多相共享。然而,共享平衡很大程度上受功率电感器公差的影响。功率电感器通常具有±10%的公差,导致显著的共享误差,从而导致不同相位的失衡功率耗散。更糟的是,电感器的峰值电流具有与DC电流的固有误差,导致电流调节较不精确,进而导致功率输送不太准确。

传统的平均电流模式控制方案解决了峰值电流模式控制的电流误差问题,因为它调节了平均电感电流,并消除了电感公差对电流调节的影响。然而,电厂传递函数随着工作电压和电流条件而变化,并且双向操作需要两种不同的环路补偿。

为了克服常规平均电流模式控制方案的挑战并简化实际电路实现,TI为48V-12V双向转换器工作开发了创新的平均电流模式控制方案,如图1和表1所示。功率级包括:

高侧FET(Q1)。

低侧FET(Q2)。

功率电感器(Lm)。

电流检测电阻(Rcs)。

两个电池,一个在HV端口,另一个在LV端口。

控制电路包括:

增益为50的电流检测放大器,通过方向指令DIR(“0”或“1”)进行方向转向。

跨导放大器用作电流环路误差放大器,在非反相引脚施加参考信号(ISET),以设置相位直流电流调节值。

PWM比较器

与HV-Port电压成比例的斜坡信号。

由DIR控制的转向电路,用于施加PWM信号以控制Q1或Q2作为主开关。

COMP节点处的环路补偿网络。

Rcs感应电感电流,且信号被放大50倍。该信号被发送到跨导放大器的反相输入,导致COMP节点处的误差信号,该节点也是PWM比较器的非反相输入的节点。比较误差信号和斜坡信号产生PWM信号。由DIR命令控制,PWM信号可控制Q1进行降压模式操作,并强制电流从HV端口流向LV端口,或当发送到Q2时,反转电流流动的方向。

图1:TI专用平均电流模式控制方案的双向电流转换器

7.png

表2:变流器功率装置传递函数(KFF是斜坡发生器系数;Vramp = KFF×VHV-端口;Rs是沿着功率流路径的有效总电阻,不包括Rcs)

表2所示为新控制方案的优点。电厂传递函数对于双向操作是相同的,它是一阶系统。此外,传递函数与诸如端口电压和负载电流水平的操作条件无关。因此,应用单个II型补偿网络将在所有工作条件下始终稳定双向转换器,大大简化了实际电路的运用,并提高了性能。

TI的专有平均电流模式控制方案适用于汽车48V-12V双向电流控制器。它需要单个II型补偿网络来覆盖双向操作,而不管操作条件如何。电流调节精度——尽管存在电感公差,但均匀共享高功率等的自然的多相并联操作将大大简化高性能的双向转换器设计。TI在LM5170-Q1多相双向电流控制器中实现了这种控制方案。阅读博文“双电池系统中的汽车48V和12V电源互联”,了解如何克服设计混合电动车电源的挑战。

热门推荐

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

MOSFET供需仍存缺口 明年供给不足

新的应用对功率元件的需求很大,他认为,功率元件市场未来几年还是会往上走。

的头像 芯闻社 发表于 12-14 10:07 399次 阅读
MOSFET供需仍存缺口 明年供给不足

使用Gen2 SiC功率MOSFET进行全桥LLC ZVS谐振变换器设计说明

LLC谐振拓扑原理介绍和使用Gen2 SiC功率MOSFET的全桥LLC ZVS谐振变换器设计资料说....

发表于 12-13 13:53 19次 阅读
使用Gen2 SiC功率MOSFET进行全桥LLC ZVS谐振变换器设计说明

盘点东芝功率MOSFET在汽车应用的发展

“安全”是人们车途驾驶的第一保障,作为汽车及零部件的每一个制造厂商都会把“安全”作为研发生产的首要目....

的头像 东芝半导体与存储产品 发表于 12-13 08:49 383次 阅读
盘点东芝功率MOSFET在汽车应用的发展

JW5022S电流模式单片降压转换器的数据手册免费下载

JW5022S是一种电流模式单片降压转换器。JW5022S以4.5-24V的输入范围工作,通过两个集....

发表于 12-13 08:00 21次 阅读
JW5022S电流模式单片降压转换器的数据手册免费下载

电机控制电路求分析

今天遇到的一个电机控制电路的问题,实在是想不出来如何控制的,所以到来论坛问一下大家。 其中 AO4606  1278是N...

发表于 12-12 16:29 166次 阅读
电机控制电路求分析

如何让Genesys接受英飞凌0级MOSFET模型

我正在尝试使用英飞凌IPW60R125CP设备的型号。 英飞凌为这些设备发布0级,1级和3级模型。 我意识到我不能使用除0级模型之...

发表于 12-12 16:21 28次 阅读
如何让Genesys接受英飞凌0级MOSFET模型

3V至6V输入、5V/0.5A 1MHz隔离型反激式功率级设计方案

描述             此参考设计使用 TPS61175 升压转换器驱动反激式功率级。通过使...

发表于 12-12 11:40 129次 阅读
3V至6V输入、5V/0.5A 1MHz隔离型反激式功率级设计方案

英飞凌电机控制开发板XMC4500 Relax Lite Kit

日前,英飞凌社区邀请工程师对英飞凌推广的XMC4000开发板做了评测,从产品特性、、板载资源、上电使用、基于DAVE3的开发等...

发表于 12-12 09:44 132次 阅读
英飞凌电机控制开发板XMC4500 Relax Lite Kit

对于过流和短路保护,除保险丝外其实还有更多选择!

最简单的直接测量方法是使用分流(串联)电流检测电阻器来测量电流,其特点是简单和线性化。 根据欧姆定律,电阻器两端电压代表电...

发表于 12-11 14:40 439次 阅读
对于过流和短路保护,除保险丝外其实还有更多选择!

120VAC输入5V/1.25W输出超紧凑隔离式SEPIC电压电平转换器件

描述             PMP6711 电压电平转换器件可在不到 1 平方英寸的电路板空间中...

发表于 12-10 11:32 291次 阅读
120VAC输入5V/1.25W输出超紧凑隔离式SEPIC电压电平转换器件

18Vdc-60Vdc输入和3.3V 25A输出的有源钳位正向设计

描述             PMP6753 参考设计可通过宽范围 18V-60V 电信输入提供 3.3V...

发表于 12-10 11:25 311次 阅读
18Vdc-60Vdc输入和3.3V 25A输出的有源钳位正向设计

MOSFET高速驱动设计

摘要: 本文阐述了MOSFET驱动的基本要求以及在各种应用中如何优化驱动电路的设计 关键词: MOSFET 驱动, MOSF...

发表于 12-10 10:04 53次 阅读
MOSFET高速驱动设计

直流无刷电机开发套件201210KIT_BLDC

开发套件: 直流无刷电机开发套件 套件简介: 学习关于无刷直流(BLDC)电机的基础知识,从未像现在这样轻松。利用传统“电...

发表于 12-10 10:02 77次 阅读
直流无刷电机开发套件201210KIT_BLDC

MP2560高频降压开关稳压器的数据手册免费下载

MP2560是一种高频降压开关稳压器,具有集成的内部高压功率MOSFET。它提供2.5A输出与电流模....

发表于 12-10 08:00 35次 阅读
MP2560高频降压开关稳压器的数据手册免费下载

请问升压斩波电源怎么具体使用

在做课程设计时,老师让使用MATLAB软件做“电力MOSFET升压斩波电路电源对三相变压器进行仿真”,可实在不知升压斩波...

发表于 12-07 13:59 86次 阅读
请问升压斩波电源怎么具体使用

四种基于电机控制的简化设计系统模型

基于电机控制系统模型的设计价值,旨在帮助简化使用传统非自动化方法进行控制系统设计时所遭遇的固有困难与....

的头像 电机控制设计加油站 发表于 12-07 09:31 254次 阅读
四种基于电机控制的简化设计系统模型

LLC是什么LLC谐振电路的详细资料介绍

要了解 LLC,就要先了解软开关。对于普通的拓扑而言,在开关管开关时,MOSFET 的 D-S 间的....

发表于 12-07 08:00 58次 阅读
LLC是什么LLC谐振电路的详细资料介绍

电子开关一种基于集成电路技术的智能型器件

AAT4610将6V/2A的P沟道MOSFET场效应管与栅极驱动器、电压基准、限流比较器和欠压闭锁电....

的头像 电子发烧友网工程师 发表于 12-06 13:49 296次 阅读
电子开关一种基于集成电路技术的智能型器件

8英寸晶圆供给吃紧造成MOSFET涨价缺货,可能将持续到明年上半年

8英寸晶圆供给吃紧,带动MOSFET涨价缺货,厂商杰力预计MOSFET供不应求情况将持续到明年上半年....

的头像 芯闻社 发表于 12-05 16:40 433次 阅读
8英寸晶圆供给吃紧造成MOSFET涨价缺货,可能将持续到明年上半年

MOSFET的缺货、涨价潮早已不是什么新鲜事

今日消息,继上周末G20峰会之后,中美贸易紧张情势趋缓,晶圆与MOSFET在市场持续供不应求,缺货情....

的头像 电子发烧友网工程师 发表于 12-04 11:26 658次 阅读
MOSFET的缺货、涨价潮早已不是什么新鲜事

晶圆与MOSFET未来营运依然成长可期

MOSFET的缺货从2016年下半年就已经开始,一直持续至今,主要由于上游晶圆代工厂产能有限,加之需....

的头像 ICChina 发表于 12-04 11:25 556次 阅读
晶圆与MOSFET未来营运依然成长可期

如何使用蓝牙系统的CMOS进行低噪声放大器的设计

利用中芯国际0118Lm 工艺设计出可实现蓝牙应用的低噪声放大器 各项指标良好 证明了CMO S 工....

发表于 12-04 08:00 43次 阅读
如何使用蓝牙系统的CMOS进行低噪声放大器的设计

浅析MOSFET电容在LLC串联谐振电路中的应用

LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通(ZVS),MOSFET....

的头像 张飞实战电子 发表于 12-03 16:59 383次 阅读
浅析MOSFET电容在LLC串联谐振电路中的应用

MOSFET与IGBT的本质区别是什么

由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但耐压能力没有IGBT强。

的头像 玩转单片机 发表于 12-03 11:21 653次 阅读
MOSFET与IGBT的本质区别是什么

BLDC有哪些控制要点详细资料说明

无刷电机属于自换流型(自我方向转换),因此控制起来更加复杂。BLDC电机控制要求了解电机进行整流转向....

发表于 11-30 17:14 68次 阅读
BLDC有哪些控制要点详细资料说明

电动车发展使MOSFET市场需求仍大于供给

吴嘉连指出,一般汽车所使用的功率元件占21%,电动车则呈倍数增长到55%。主要原因是,汽车产业相当高....

的头像 皇华电子元器件IC供应商 发表于 11-30 14:07 378次 阅读
电动车发展使MOSFET市场需求仍大于供给

Renesas宣布推出RX66T系列微控制器,全部采用全新的第三代RXv3 CPU内核

随着机器人、电源调节器、洗衣机和烘干机等越来越多的设备接入物联网,这些电动设备需要在其整个生命周期内....

的头像 瑞萨电子 发表于 11-30 09:23 729次 阅读
Renesas宣布推出RX66T系列微控制器,全部采用全新的第三代RXv3 CPU内核

SY59109N1线性AC DC驱动器的数据手册免费下载

SY59109N1是一个线性AC/DC驱动器,集成350VMOSFET用于LED照明。它与领先/后缘....

发表于 11-30 08:00 97次 阅读
SY59109N1线性AC DC驱动器的数据手册免费下载

GGP系列全固态高频感应焊管设备的介绍和使用手册免费下载

本使用说明是针对用户操作人员和维护人员编写的,主要目的是为了用户能够正确使用、操作本设备,对设备的异....

发表于 11-30 08:00 54次 阅读
GGP系列全固态高频感应焊管设备的介绍和使用手册免费下载

支持在Mathworks MATLAB环境中的电机控制设计

该视频推出了一种电机控制设计流程,支持在Mathworks MATLAB环境中设计和仿真高级模型。

的头像 Xilinx视频 发表于 11-30 06:13 113次 观看
支持在Mathworks MATLAB环境中的电机控制设计

带多轴电机控制和EtherCAT网络的集成驱动系统的演示

该视频演示展示了一个带有多轴电机控制和EtherCAT网络的集成驱动系统。 QDesys实现的单....

的头像 Xilinx视频 发表于 11-30 06:12 129次 观看
带多轴电机控制和EtherCAT网络的集成驱动系统的演示

LLC谐振变换器中MOSFET为什么会出现失效模式详细资料分析

提高功率密度已经成为电源变换器的发展趋势。为达到这个目标,需要提高开关频率,从而降低功率损耗、系统整....

发表于 11-29 08:00 59次 阅读
LLC谐振变换器中MOSFET为什么会出现失效模式详细资料分析

功率MOSFET的基础知识描述和FSC数据簿规范的详细资料介绍

双极功率晶体管(BPT)作为电力应用的开关器件,有一些缺点。这导致了功率MOSFET(金属氧化物半导....

发表于 11-29 08:00 48次 阅读
功率MOSFET的基础知识描述和FSC数据簿规范的详细资料介绍

功率MOSFET的详细资料介绍

MOSFET是一种三端器件,在基本方面表现为压控开关——参见图1。该器件仅在向栅极施加适当电压时才允....

发表于 11-28 08:00 88次 阅读
功率MOSFET的详细资料介绍

5Gsps数据采集和电机控制的展示介绍

ADI公司展示了将Fidus模拟到数字FMC板上的两个AD9625 2.5Gsps转换器交叉到基于X....

的头像 Xilinx视频 发表于 11-26 06:50 180次 观看
5Gsps数据采集和电机控制的展示介绍

IRFP4668PBF HEXFET功率MOSFET的规格数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是IRFP4668PBF HEXFET功率MOSFET的规格数据手册免费下....

发表于 11-21 08:00 55次 阅读
IRFP4668PBF HEXFET功率MOSFET的规格数据手册免费下载

首个5微米的Ga2O3MOSFET问世

半导体世界可能会有一个新的参与者,它以氧化镓技术的形式出现。

的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 11-20 14:24 476次 阅读
首个5微米的Ga2O3MOSFET问世

探讨功率器件的应用及发展趋势

由于以前器件的存在,多是分离式器件(discrete device)或模块(module)形式,而不....

的头像 DIGITIMES 发表于 11-16 16:23 535次 阅读
探讨功率器件的应用及发展趋势

针对LED照明的全集成开关型变换方案

LED照明较其他照明产品具有绿色、节能、环保、长寿命等优点,随着整体成本降低,LED照明开始广泛使用....

的头像 电子发烧友网 发表于 11-16 08:51 434次 阅读
针对LED照明的全集成开关型变换方案

华虹半导体第三季度出货晶圆达53万片

11月8日,全球领先的特色工艺纯晶圆代工厂华虹半导体公布第三季度业绩报告。

的头像 半导体投资联盟 发表于 11-15 17:03 680次 阅读
华虹半导体第三季度出货晶圆达53万片

影响BUCK电源效率的因素有哪些

影响效率的因素主要有Rds(on),开关频率,有效值电流。

的头像 玩转单片机 发表于 11-15 14:11 328次 阅读
影响BUCK电源效率的因素有哪些

LM25574-Q1降压开关稳压器的中文数据手册免费下载

LM25574-Q1 是一款易于使用的降压开关稳压器,可使设计工程师使用最少的组件设计并优化可靠的电....

发表于 11-12 08:00 63次 阅读
LM25574-Q1降压开关稳压器的中文数据手册免费下载

如何通过调整门极驱动负压,来限制SiC MOSFET阈值漂移的方法

由于宽禁带半导体SiC的固有特征,以及不同于Si材料的半导体氧化层界面特性,会引起阈值电压变化以及漂....

的头像 英飞凌工业半导体 发表于 11-08 16:48 725次 阅读
如何通过调整门极驱动负压,来限制SiC MOSFET阈值漂移的方法

安森美半导体推用于电源转换和电机控制的新功率集成模块

新的功率集成模块将在Electronica展展出,配以最新的智能功率模块、MOSFET、IGBT和集....

的头像 人间烟火123 发表于 11-08 14:19 1540次 阅读
安森美半导体推用于电源转换和电机控制的新功率集成模块

STM32F103试用体验:水共震准备材料中的过程

我这次要做的东东是一个水共震系统,说明:水共震系统是指在一个水盆里,有一个执行单元,通过电机和皮带,....

发表于 11-08 10:38 350次 阅读
STM32F103试用体验:水共震准备材料中的过程

华润微电子建设国内首座12吋功率半导体晶圆生产线

华润12吋晶圆生产线项目投资约100亿元,建设国内首座本土企业的12吋功率半导体晶圆生产线,主要生产....

的头像 中国半导体论坛 发表于 11-08 10:15 550次 阅读
华润微电子建设国内首座12吋功率半导体晶圆生产线

探讨功率半导体的市场及发展前景

功率半导体器件也叫电力电子器件,它的作用是进行功率处理的,是处理高电压、大电流的。IGBT和功率MO....

的头像 芯闻社 发表于 11-07 16:54 760次 阅读
探讨功率半导体的市场及发展前景

浅析磁隔离对延迟时序性能的改善

本文将讨论这两种隔离解决方案,重点论述磁隔离对延迟时序性能的改善,以及由此给电机控制应用在系统层面带....

的头像 电机控制设计加油站 发表于 11-07 14:21 441次 阅读
浅析磁隔离对延迟时序性能的改善

JW1130单片LED驱动器的数据手册免费下载

JW1130是一种电流模式单片LED驱动器。LED电流可以用模拟输入电压来控制。利用高端LED电流传....

发表于 11-05 08:00 60次 阅读
JW1130单片LED驱动器的数据手册免费下载

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

支持电动和混合动力汽车、数据中心和辅助电源等高频、高效电源控制应用 Littelfuse公司,今日宣....

的头像 电子发烧友网工程师 发表于 11-03 11:02 449次 阅读
Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

MOSFET驱动器如何与MOSFET进行匹配

目前有许多MOSFET技术和硅工艺,每天都有新的进展。基于电压/电流额定值或芯片尺寸来对MOSFET....

发表于 11-01 16:19 84次 阅读
MOSFET驱动器如何与MOSFET进行匹配

如何针对特定设计选择正确的MOSFET

随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选最合适的电子器件。MO....

的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 10-30 11:44 613次 阅读
如何针对特定设计选择正确的MOSFET

MGJ系列DC-DC转换器的介绍和应用的详细资料概述

在高功率,逆变器或转换器通常使用“桥”配置来产生线频交流或提供双向PWM驱动到电机,变压器或其他负载....

发表于 10-29 08:00 86次 阅读
MGJ系列DC-DC转换器的介绍和应用的详细资料概述

TPH1R712MD MOSFET硅P沟道MOS芯片的数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是TPH1R712MD MOSFET硅P沟道MOS芯片的数据手册免费下载。

发表于 10-26 08:00 92次 阅读
TPH1R712MD MOSFET硅P沟道MOS芯片的数据手册免费下载

TK40P03M1 MOSFET硅N沟道MOS的详细数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是TK40P03M1 MOSFET硅N沟道MOS的详细数据手册免费下载。

发表于 10-26 08:00 94次 阅读
TK40P03M1 MOSFET硅N沟道MOS的详细数据手册免费下载

2N7000和2N7002及NDS2N7000AN沟道增强型场效应晶体管的数据手册

这些N通道增强模式场效应转换器是使用F空童的专有技术,高信元密度,DMOS技术生产的。这些产品被设计....

发表于 10-25 11:16 87次 阅读
2N7000和2N7002及NDS2N7000AN沟道增强型场效应晶体管的数据手册

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET产品

今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,扩充了其碳化硅MOS....

的头像 人间烟火123 发表于 10-23 11:34 1236次 阅读
Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET产品

STM8S207主控芯片的变频器源码和STM8S电机控制固件库资料免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是STM8S207主控芯片的变频器源码和STM8S电机控制固件库资料免费下....

发表于 10-19 08:00 118次 阅读
STM8S207主控芯片的变频器源码和STM8S电机控制固件库资料免费下载

UCC27528-Q1 UCC27528-Q1 基于 CMOS 输入阈值的双路 5A 高速低侧栅极驱动器

UCC27528-Q1器件是一款双通道,高速,低侧栅极驱动器,能够高效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关.UCC27528-Q1器件采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供高达5A的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为17ns)。除此之外,此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟,这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极输入引脚阈值基于CMOS逻辑,此逻辑是VDD电源电压的一个函数。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗噪性。使能引脚基于TTL和COMS兼容逻辑,与VDD电源电压无关。 UCC27528-Q1是一款双通道同相驱动器。当输入引脚处于悬空状态时,UCC27528-Q1器件可UCC27528-Q1器件特有使能引脚(ENA和ENB),能够更好地控制此驱动器应用的运行。这些引脚内部上拉至VDD电源以实现高电平有效逻辑运行,并且可保持断开连接状态以实现标准运行。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100器件温度等级1 工业标准引脚分配 两个独立的栅极驱动通道 5A峰值供源和吸收驱动电流 互补金属氧化...

发表于 10-16 11:19 4次 阅读
UCC27528-Q1 UCC27528-Q1 基于 CMOS 输入阈值的双路 5A 高速低侧栅极驱动器

UCC27211A 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver

UCC27211A器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的性能提升。 峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。> UCC27211A的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27210A(a CMOS输入)和UCC27211A(TTL输入)已经增加了落后特性,从而使得用于模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器的接口具有增强的抗扰度。 低端和高端栅极驱动器是独立控制的,并且在彼此的接通和关断之间实现了至2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平...

发表于 10-16 11:19 25次 阅读
UCC27211A 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver

UCC27518A-Q1 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载,此电容负载提供了轨到轨驱动的双极型晶体管(IGBT)开关。借助于固有的大大减少击穿电流的设计能力以及极小传播延迟(典型值为17ns)。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在VDD = 12V时提供4A拉电流和4A灌电流(对称驱动)峰值驱动电流功能。 /p> UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在4.5V至18V的宽VDD范围以及-40°C到140°C的宽温度范围内运行.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路保持VDD运行范围之外的输出低电平。能够运行在诸如低于5V的低电压电平上,连同同类产品中最佳的开关特性,使得此器件非常适合于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市UCC27519A-Q1可按需提供(只用于预览)。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1的输入引脚阀值基于CMOS逻辑电路,此逻辑电路的阀值电压是VDD电源电压的函数。通常情况下,输入高阀值(V IN-H )是V DD 的55%,而输入低阀值(V IN-L...

发表于 10-16 11:19 10次 阅读
UCC27518A-Q1 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27211A-Q1器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的性能提升。 < p>峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC27211A-Q1的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27211A-Q1已经增加了落后特性,从而使得用于模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器的接口具有增强的抗扰度。 低端和高端栅极驱动器独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了至2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。 UCC27211A-Q1器件采用8引脚SO-...

发表于 10-16 11:19 18次 阅读
UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

TPS51604-Q1 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

TPS51604-Q1驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有精简死区时间驱动和自动零交叉等高级特性,可用于在整个负载范围内优化效率。 SKIP 引脚提供立即CCM操作以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604-Q1还支持两种低功耗模式。借助于三态PWM输入,静态电流可减少至130μA,并支持立即响应。当跳过保持在三态时,电流可减少至8μA。此驱动器与适当的德州仪器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系统。 TPS51604-Q1器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至125°C。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100的下列结果: 器件温度等级1:-40°C至125°C 器件人体模型静电放电(ESD)分类等级H2 器件的充电器件模型ESD分类等级C3B 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本(超极)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V...

发表于 10-16 11:19 20次 阅读
TPS51604-Q1 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC27532-Q1是一款单通道高速栅极驱动器,此驱动器可借助于高达2.5A的源电流和5A的灌电流(非对称驱动)峰值电流来有效驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和IGBT电源开关。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生米勒接通效应的能力.UCC27532-Q1器件还特有一个分离输出配置,在此配置中栅极驱动电流从OUTH引脚拉出并从OUTL引脚被灌入。这个引脚安排使得用户能够分别在OUTH和OUTL引脚采用独立的接通和关闭电阻器,并且能很轻易地控制开关的转换率。 此驱动器具有轨到轨驱动功能以及17ns(典型值)的极小传播延迟。 UCC27532-Q1器件具有CMOS输入阀值,此阀值在VDD低于或等于18V时介于比VDD高55%的电压值与比VDD低45%的电压值范围内。当VDD高于18V时,输入阀值保持在其最大水平上。 此驱动器具有一个EN引脚,此引脚有一个固定的TTL兼容阀值.EN被内部上拉;将EN下拉为低电平禁用驱动器,而将其保持打开可提供正常运行。EN引脚可被用作一个额外输入,其性能与IN引脚一样。 将驱动器的输入引脚保持开状态将把输出保持为低电平。此驱动器的逻辑运行方式显示在,,和中。 VDD引脚...

发表于 10-16 11:19 12次 阅读
UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC27516 4A/4A Single Channel High-Speed Low-side Gate Driver

UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(当前VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围,以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保...

发表于 10-16 11:19 8次 阅读
UCC27516 4A/4A Single Channel High-Speed Low-side Gate Driver

UCC27324-Q1 汽车类双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器

UCC27324-Q1高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流。采用本质上最小化直通电流的设计,这些驱动器在MOSFET开关转换期间在Miller平台区域提供最需要的4A电流。独特的双极和MOSFET混合输出级并联,可在低电源电压下实现高效的电流源和灌电流。 该器件采用标准SOIC-8(D)封装。 特性 符合汽车应用要求 行业标准引脚 高电流驱动能力±4位于Miller Plateau Region的 即使在低电源电压下也能实现高效恒流源 TTL和CMOS兼容输入独立于电源电压 典型上升时间为20 ns,典型下降时间为15 ns,负载为1.8 nF 典型传播延迟时间为25 ns,输入下降,输入时间为35 ns上升 电源电压为4 V至15 V 供电电流为0.3 mA 双输出可以并联以获得更高的驱动电流 额定值从T J = -40°C至125°C TrueDrive输出架构使用并联双极晶体管和CMOS晶体管 参数 与其它产品相比 低侧驱动器   Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Time (ns) Fall Time (ns) Prop Delay (ns) Input T...

发表于 10-16 11:19 4次 阅读
UCC27324-Q1 汽车类双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器

LM5100C 1A 高电压高侧和低侧闸极驱动器

LM5100A /B /C和LM5101A /B /C高压栅极驱动器设计用于驱动高侧和低侧N. - 同步降压或半桥配置的通道MOSFET。浮动高侧驱动器能够在高达100 V的电源电压下工作.A版本提供完整的3-A栅极驱动,而B和C版本分别提供2 A和1 A.输出由CMOS输入阈值(LM5100A /B /C)或TTL输入阈值(LM5101A /B /C)独立控制。 提供集成高压二极管为高端栅极充电驱动自举电容。稳健的电平转换器以高速运行,同时消耗低功率并提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低侧和高侧电源轨均提供欠压锁定。这些器件采用标准SOIC-8引脚,SO PowerPAD-8引脚和WSON-10引脚封装。 LM5100C和LM5101C也采用MSOP-PowerPAD-8封装。 LM5101A还提供WSON-8引脚封装。 特性 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET ...... 独立高低 - 驱动器逻辑输入 自举电源电压高达118 V DC 快速传播时间(典型值为25 ns) 驱动1000-pF负载,8- ns上升和下降时间 优秀的传播延迟匹配(3 ns 典型值) 电源轨欠压锁定 低功耗< /li> 引脚与HIP2100 /HIP2101兼容 参数 与其它产品相比 半桥驱动器   Number of Ch...

发表于 10-16 11:19 35次 阅读
LM5100C 1A 高电压高侧和低侧闸极驱动器

TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向双路高速 MOSFET 驱动器

TPS2811双通道高速MOSFET驱动器能够为高容性负载提供2 A的峰值电流。这种性能是通过一种设计实现的,该设计本身可以最大限度地减少直通电流,并且比竞争产品消耗的电源电流低一个数量级。 TPS2811驱动器包括一个稳压器,允许在14 V和14 V之间的电源输入工作。 40 V.稳压器输出可以为其他电路供电,前提是功耗不超过封装限制。当不需要稳压器时,REG_IN和REG_OUT可以保持断开状态,或者两者都可以连接到V CC 或GND。 TPS2811驱动器采用8引脚TSSOP封装并在-40°C至125°C的环境温度范围内工作。 特性 符合汽车应用要求 行业标准驱动程序更换 25-ns Max Rise /下降时间和40-ns Max 传播延迟,1-nF负载,V CC = 14 V 2-A峰值输出电流,V CC < /sub> = 14 V 输入电压高或低的5μA电源电流 4 V至14 V电源电压范围;内部调节器将范围扩展至40 V -40°C至125°C环境温度工作范围 参数 与其它产品相比 低侧驱动器   Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Tim...

发表于 10-16 11:19 2次 阅读
TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向双路高速 MOSFET 驱动器

UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27511和UCC27512单通道高速低侧栅极驱动器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27511和UCC27512采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为13ns)。 UCC27511特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚均可用于控制驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保 UCC27 511器件的输入引脚阈值基于与TTL和COMS兼容的低电压逻辑电路,此逻辑电路是固定的且与V DD 电源电压无关。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗扰度。 UCC27511和UCC27512提供4A拉电流,8A灌电流(非对称驱动)峰值驱动电流能力。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生,米勒接通效应的能力.UCC27511器件还具有一个独特的分离输出配置,其中的栅极驱动电流通过OUTH引脚拉出,通过OUTL引脚灌入。这种独特的引脚排列使...

发表于 10-16 11:19 17次 阅读
UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(当前VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围,以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保...

发表于 10-16 11:19 14次 阅读
UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和独立的高侧和低侧驱动器输入以实现最大的控制灵活这允许在半桥,全桥,双开关正向和有源钳位正激转换器中进行N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器可独立控制,并在相互之间的开启和关断之间匹配1 ns。 片内自举二极管消除了外部分立二极管。为高侧驱动器和低侧驱动器提供欠压锁定,如果驱动器电压低于指定阈值,则强制输出为低电平。 提供两种版本的UCC2720x-Q1 - UCC27200-Q1具有高噪声免疫CMOS输入阈值,UCC27201-Q1具有TTL兼容阈值。 两款器件均采用8引脚SO PowerPAD(DDA)封装。对于所有可用封装,请参见数据手册末尾的可订购附录。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1: -40°C至125°C环境工作温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C5 驱动两个高侧和低侧配置的N沟道MOSFET 最大启动电压:120 V 最大V DD < /sub>电压:20 V 片内0.65 V VF,0.6ΩRD自举二极管 大于1 MHz的工作 20- ns传播延迟时间 3-A漏极,3A源输出电流 8-ns上升和...

发表于 10-16 11:19 21次 阅读
UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

UCC27538 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

发表于 10-16 11:19 12次 阅读
UCC27538 栅极驱动器

UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管UCC27517A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载值为13ns)。 UCC27517A-Q1器件在输入上处理-5V电压。 当V DD = 12V时,UCC27517A-Q1可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27517A-Q1在4.5V至18V的宽V DD 范围以及-40°C至140° C的宽温度范围内运行.V DD 引脚上的内部欠压锁定(UVLO)电路可在V DD 超出运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中最佳的开关特性,因此非常适用于驱动诸的GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100标准的下列结果: 符合汽车应用要求的器件温度1级:-40°C至125°C的环境运行温度范围 器件人体放电模式(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件组件充电模式(CDM)ESD分类等级C6 低成本栅极驱动器件提供NPN和PNP离散解决方案的高品质替代产品 4A峰值拉电流和灌电流对称驱动 能够输入上处理负...

发表于 10-16 11:19 2次 阅读
UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27210和UCC27211驱动器是基于广受欢迎的UCC27200和UCC27201 MOSFET驱动器,但性能得到了显着提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。现在,输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC2721x的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27210(a CMOS输入)和UCC27211( TTL输入)已经增加了滞后特性,从而使得到模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器接口的抗扰度得到了增强。 低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了2ns的延迟匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低...

发表于 10-16 11:19 40次 阅读
UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27710 具有互锁功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27710是一款620V高侧和低侧栅极驱动器,具有0.5A拉电流,1.0A灌电流能力,专用于驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT,建议的VDD工作电压为10V至20V,对于MOSFET,建议的VDD工作电压为17V。 UCC27710包含保护特性,在此情况下,当输入保持开路状态时,或当未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外,该器件可接受的偏置电源范围宽幅达10V至20V,并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO保护。 该器件采用TI先进的高压器件技术,具有强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA),以及互锁。 该器件包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO),后者专用于自电源或隔离式电源操作。该器件具有快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配。在UCC27710上,每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。 特性 高侧和低侧配置 双输入,带输出互锁和150ns死区时间 在高达620V的电压下完全可正常工作,HB引脚上的绝对最高电压为700V VDD建...

发表于 10-16 11:19 34次 阅读
UCC27710 具有互锁功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27533 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

发表于 10-16 11:19 35次 阅读
UCC27533 栅极驱动器

UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

发表于 10-16 11:19 14次 阅读
UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

TPS51604驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有降低死区时间驱动和自动零交越等 SKIP 引脚提供CCM操作选项,以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604支持两种低功耗模式。借助于脉宽调制(PWM)输入三态,静态电流被减少至130μA,并支持立即响应。当 SKIP 被保持在三态时,电流被减少至8μA(恢复切换通常需要20μs)。此驱动器与合适的德州仪器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系统。 TPS51604器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至105°C。 特性 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本(超极本)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V IN < /sub>):4.5V至28V 2mm×2mm 8引脚WSON散热垫封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 半桥驱动器   Number of Channels (#) ...

发表于 10-16 11:19 24次 阅读
TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

低噪声放大器(LNA)的介绍和详细资料免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是1.LNA的功能和性能指标 2.MOSFET的噪声模型 3.MOSF....

发表于 10-11 08:00 138次 阅读
低噪声放大器(LNA)的介绍和详细资料免费下载

Trinamic大功率步进电机的完美电流控制

TRINAMIC发布了全新的高性能步进电机驱动器TMC2160。该多功能芯片结合强大的外部MOSFE....

的头像 章鹰 发表于 10-10 14:23 1386次 阅读
Trinamic大功率步进电机的完美电流控制