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RF MEMS国内外现状及发展趋势

半导体动态 2018-03-07 11:22 次阅读

摘要:概述基于MEMS(Micro-Electro-Mechanical System,微机电系统)技术的各类射频RF( Radio Frequency)无源器件及微小型单片集成系统的概念与内涵及其应用市场,重点介绍RF MEMS电容电感、开关、移相器、谐振器滤波器、微型同轴结构、天线、片上集成微纳系统等的国内外研究现状、典型研究成果和产品、技术方案和微纳制造工艺及性能特点等,最后浅析RF MEMS领域的发展趋势。

引言

RF MEMS是指利用MEMS/NEMS技术微纳精细制造实现的射频微波结构、器件、单片集成子系统等。它具有小型化、低功耗、低成本、集成化等方面的优势,逐渐广泛应用于军民各领域,包括:①个人通讯,如移动电话、PDA( Personal Digital Assistant)、便携式计算机的数据交换;②车载、机载、船载收发机和卫星通信终端、GPS接收机等;③信息化作战指挥、战场通信、微型化卫星通信系统、相控阵雷达等。图1为RF MEMS应用领域示意图。

图1 RF MEMS应用领域示意图

从技术层面上,RF MEMS主要包括: ①由微机械开关、可变电容、电感、谐振器组成的基础结构单元层面;②由移相器、滤波器、VCO等组成的组件层面;③由T/R组件、单片接收机、变波束雷达、相控阵天线等组成的应用系统层面。下面主要从器件层面介绍RF MEMS现状和发展趋势,基础结构单元是组成器件的要素,片上集成子系统是器件发展的趋势。

1. RF MEMS市场

RF MEMS是MEMS的一个重要的应用领域,全球RF MEMS市场正在经历着营收和出货量的双重增长。2016年,RF MEMS成熟市场占据了大部分的市场份额,预计未来几年新兴市场的复合年增长率将超过成熟市场。未来,全球RF MEMS市场将获得高速增长,就营收而言,复合年增长率将达到16.7%;就出货量而言,复合年增长率将达到21%;就应用类型而言,移动终端将是市场龙头,这是因为RF MEMS已广泛应用于3G、4G和下一代5G移动设备, 用于提升网络和数据传输性能。军用市场,也因小型化、智能化的发展趋势,对RF MEMS器件和子系统的需求量巨大。2015~2021年MEMS市场份额预测如图2所示,2017~2022年MEMS市场增长预测如图3所示。

图2 2015~2021年MEMS市场预测

图3 2017~2022年MEMS市场增长预测(含RF MEMS未来趋势)

2. RF MEMS器件

RF MEMS器件主要有:①基于开关基本结构单元的移相器、可调滤波器、可变波束天线等,应用于相控阵雷达系统、平面阵列扫描天线等;②硅基/熔融石英基的高性能滤波器,应用于军用雷达/卫星通信、电子对抗等;③超小型化的声波滤波器(SAW、FBAR),大量应用于手机、无线人机交互设备、导航、微纳卫星等;④微纳电感、电容结构组成的天线阵列,用于雷达、电子对抗等;⑤微纳传输线/波导结构(如微同轴结构)组成的高性能T/R组件等。各类RF MEMS器件及其应用方向和优势特点见表1。

表1 各类RF MEMS器件及其应用方向和优势特点

目前, RF MEMS领域的技术引领者主要是美国、日本及欧洲一些高科技企业,研究机构主要有HRL Laboratories、LLC、Royal Society of Chemistry、Texas Instruments、 University of Michigan - Ann Arbor、UC Berkeley、Northeastern University、MIT Lincoln、Analog Devices、Raytheon、Motorola等,主要供货商包括Avago、Infineon、Radent MEMS、XCOM Wireless、Panasonic MEW、WiSpry、Epcos(NXP Semiconductor)、RFMD、DelfMEMS、OMRON、Advantest、Toshiba、MEMTronics、SiTime、Discera Silicon Clocks等。

国内对RF MEMS的研究始于二十世纪九十年代后期, 主要研究机构有清华大学(开关、 滤波器)、北京大学(开关)、中电13所及美泰科技公司(滤波器)、中电55所(滤波器、开关)、东南大学(微波结构设计)、浙江大学(理论分析)、天津大学和中兴通讯公司(FBAR滤波器)、中物院电子工程所和电子科大(THz滤波器)、中科院上海微系统所、微电子所、电子所等。已经实现较好实际应用的主要是中电13所和中电55所的滤波器产品,其他大部分器件还处于实验室研究阶段。

2.1 电容、电感基本器件单元

在RF MEMS器件单元中,电感和电容是重要的基本元器件,是各类部件的重要组成部分,影响着谐振电路、阻抗匹配网络、低噪声放大器、压控振荡器的性能。利用MEMS技术制作的电容、电感元件可以实现高Q值(100~400),而其更大的优势在于易集成和灵活性,适合现代射频微波领域对低损耗、小体积、低成本器件的要求。基于MEMS技术的可变电容、电感可以用于构建可重构滤波器、可重构网络等,对于实现可重构射频微波前端模块具有重要的意义。

RF MEMS电容主要有平板结构和叉指结构,常见的驱动方式有静电驱动、压电驱动、电磁驱动、热驱动、 压阻驱动,其中静电驱动工艺简单,是最常用的方式。美国加州大学伯克利分校(UC Berkley)研究的电容基本单元,如图4(a)所示。RF MEMS电感是实现滤波、调谐、放大、阻抗耦合、频率耦合的重要器件,使用高频性能优异的片上电感能够大大提高射频滤波器、谐振器、PLL、VCO和LNA等射频单元的性能,Q值是电感的一个极为重要的参数,高 Q 值的片上电感对于实现高性能的滤波、调谐、放大有着极为重要的意义。美国密歇根大学(University of Michigan,简写为UoM)和Radant公司研究的电感基本单元,如图4(b)所示。

图4 MEMS电容和电感基本器件单元

2.2 开关及衍生器件

RF MEMS开关及衍生器件大量应用在射频微波单机和系统领域,如美国Randent MEMS公司、RockWell公司、MEMTronics 公司(从Raython公司独立出来)生产的基于开关的产品大量应用于DARPA和NASA主导的军事用途设备和系统中,日本Omron公司、美国WiSpry公司(被瑞声科技收购)生产的开关系列产品应用于民用领域,包括智能手机、导航终端、物联网等。目前商业化的MEMS开关产品比较见表2。

表2 商业化RF MEMS开关产品对比

基于RF MEMS开关基本结构单元可以构建移相器、可调滤波器、可变波束天线等。图5为各类RF MEMS开关及衍生器件。

图5 各类RF MEMS开关及衍生器件

RF MEMS开关按照驱动方式不同,可以分为静电驱动开关、电磁驱动开关、热驱动开关、压电驱动开关等;按照电路结构,可以分为串联开关和并联开关;按照接触方式不同,可以分为接触式开关和电容式开关等。目前,研究较为深入、已经产品化的RF MEMS开关是静电驱动的串联接触式和并联电容式开关。

RF MEMS开关的主要性能参数包括驱动电压、插入损耗、隔离度等,理想的开关具有极低驱动电压、零插入损耗、无限大的隔离度。

RF MEMS开关及衍生器件和子系统的发展趋势:更高性能指标(高频带、低插损、高隔离度、低驱动电压);高可靠性、长寿命;更简单的微纳工艺、更低的成本;更高灵活性和集成度。

2.3 滤波器

滤波器是构建射频微波子系统最重要、用量最大的器件之一,也是研究最广泛、成熟度最高的器件。RF MEMS滤波器有微带线滤波器、带状线滤波器、硅基腔体滤波器、熔融石英SIW滤波器、SAW滤波器、BAW和FBAR滤波器等,如图6所示。

图6 各类RF MEMS滤波器

针对高性能指标、高可靠性、高功率容量的军工市场需求,RF MEMS滤波器主要有:①微带线滤波器;②硅基SIW和腔体滤波器,国内中电13所和55所研制的该类型产品已达到实用化程度;③MEMTronics公司的高性能熔融石英SIW滤波器,主要供应军工高端市场;④Avago公司FBAR和TriQuint公司BAW滤波器,主要针对超小体积、高性能的应用领域,如智能手机、消费电子无线终端、微纳卫星等。

民用市场的射频微波滤波器主要以SAW、BAW滤波器以及近年来的FBAR滤波器为主,SAW滤波器主要供应商有日本EPCOS、村田制作所、富士通MediaDevice、欧姆龙、MUTATA公司及国内的中电55所、中电26所等。SAW滤波器主要针对2GHz以下的应用领域,如早期的2G通信等。

FBAR滤波器频带可以达到20GHz,体积小到1mm x 1mm x 1.5mm,近年来受到RF MEMS业界极大关注,其主要供应商有Avago公司和TriQuint公司。其中,Avago公司的FBAR滤波器和双工器在2014年度销售额近4亿美元,相比2013年度增长23%;而TriQuint公司的RF MEMS产品在2014年度销售额近3.5亿美元(抢占了Avago的市场份额),相比2013年度更是增长141%。国内中电13所、55所也对FBAR滤波器展开研究,已研制出原理芯片,天津大学在此领域也有较好研究。

RF MEMS滤波器的发展趋势:针对高性能、大功率容量的军工应用需求,采用新材料(如熔融石英)、新结构(SIW、腔体式)、新加工手段(Wafer级微电子式微纳工艺、飞秒激光精密加工)等方案降低成本;采用更多新原理现象(FBAR)、新材料(AlN)满足更高的性能需求;将滤波器器件与其他无源器件集成在一起,实现更小体积、更轻重量的片上射频微波子系统。

2.4 微型同轴结构

基于RF MEMS技术的全金属微型同轴结构, 可以构建多种高性能的射频微波器件和前端子系统,如功率调制器、耦合器、功分器、高性能滤波器、高功率天线阵列等。该类器件性能指标可以达到很高,但所需MEMS工艺技术也很复杂,难度大,成本较高,主要应用于军事领域的高性能雷达子系统、导引头、电子对抗等。

国际上,在二十世纪八十年代,ITT公司就已申请专利技术,提出了MEMS微型同轴传输线的结构雏形,并通过LIGA技术实现了微同轴传输线的原理样件,但由于成本及加工成品率问题,该公司并未能实现该类产品的商业化。近十年来,随着新型技术手段的发展,美国Colorado大学和Nuvotronics公司(DARPA和NASA支撑)研究微型同轴线结构已非常接近实用化,频带达到 2GHz~250GHz,如图7所示。

图7 国际先进水平RF MEMS微型同轴结构图示

国内在RF MEMS微同轴结构方面的主要研究机构有北京遥测技术研究所、中北大学、北京邮电大学等。但他们大都是近年来新开展的此项研究,目前还处于理论设计与仿真分析及单项加工工艺实验阶段。

RF MEMS微型同轴结构的发展趋势,主要是突破复杂的加工工艺,降低制造成本,提高成品率,追求更高的单片集成度。

2.5 微型天线

用MEMS技术可以构建超低成本的轻型相控阵雷达、多波段相控阵天线、动态自适应天线、共形天线阵列等,它们具有微型化、轻量化、可重构等特点和优势。

2009年,美国Colorado大学研制了基于三维射频MEMS同轴器件制备的对数周期天线,该天线工作频率范围2GHz~110GHz,驻波比小于1.5。天线上采用三维射频 MEMS 技术集成了馈电线和阻抗变换器,中心导体通过周期分布的介电带支撑,所设计的结构能够在DC~250GHz频率范围内获得单TEM模传输特性,如图8(a)和图8(b)所示。2015年,美国Nuvotronics公司展示了其最新的Ka频段功率放大器及10层以上工艺制造的天线模块,如图8(c)所示。

图8 RF MEMS微型天线图例

RF MEMS微型天线的发展趋势:更高的单片集成度,与其他射频前端器件模块集成一起,实现更多复杂功能;随着微纳加工工艺的发展,实现三维高性能天线结构的低成本制造。

3. RF MEMS集成微纳系统

MEMS技术的最大优势在于单片集成和低成本量产, RF MEMS追求的重要目标之一就是将更多射频前端器件和模块集成到单片上,实现高性能指标和微小型化,类似于微电子制造工艺批量化低成本实现。

2015年,美国Nuvotronics公司研制的Ka频段射频前端模块集成了功率放大器、天线、表面贴装阻容器件及处理芯片等。它采用了MEMS微纳加工工艺及三维异质集成互联技术,使整体结构的两端接口最终形成标准的同轴插口。该集成射频前端模块是MEMS工艺优势和高集成度的集中体现,多种器件均互联在模块内部,可采用垂直互联的电铸工艺直接实现该模块制备,这样信号传输线和屏蔽结构仅需要较小空间即可集成在一起,同时能够保证它们不会相互干扰,如图9所示。

图9 基于RF MEMS技术的高性能射频前端模块和子系统

2012年,美国Colorado大学的Cullens E D等人研制的基于MEMS技术的集成频率扫描狭缝波导阵列,工作频率为130GHz~180GHz,整个频率范围内的扫描角为32.5°,10个单元的阵列150GHz频率下的增益为15.5dBi。

2012年,美国Virginia Tech公司无线微系统实验室的研究人员采用液态金属垂直互连的方式将砷化镓MMIC芯片和3D微同轴传输线连接在一起。经过测试,在 4.9GHz~8.5GHz的工作频率范围内,MMIC芯片的增益下降了1.4dB。

除美国以外,国际上在RF MEMS集成微纳系统方面还有英国BAE系统公司、韩国大田电子信息研究所、韩国工业大学、新加坡南洋理工大学等研究机构。其中,英国的BAE系统公司和韩国大田电子信息研究所与美国Colorado大学和Nuvotronics公司开展了相关合作。

RF MEMS集成微纳系统是MEMS技术与射频技术相结合的发展趋势,它将对传统射频微波的设计、系统集成及制造实现方式产生重大革新。

4. RF MEMS发展趋势浅论

结合前文对RF MEMS领域市场状态、发展情况、成熟产品、各类新型器件和微型片上系统的研究现状及技术现状等的论述和分析,给出如下六点发展趋势:

①进一步提高性能指标、可靠性和寿命等,例如频带和带宽(THz)、插入损耗、隔离度、耐受功率容量、开关次数及寿命等。

②进一步缩小体积、减轻重量、降低成本,例如优化单步微纳加工工艺和工艺集成创新,实现标准化工艺、大尺寸晶圆级加工和晶圆级封装,以及后端工艺和测试检验的智能自动化等。

③采用新材料、新工艺、新原理、新结构形式满足未来射频微波系统的更高需求,例如熔融石英材料的超低损耗正切角值和极小温度系数可帮助实现超高性能的滤波器,基于AlN材料的特定微纳工艺实现的FBAR滤波器可以达到超高性能指标和超小体积,采用易于MEMS工艺实现的SIW、腔体、微型同轴等结构形式制造片上集成射频前端子系统等。

④集成化程度进一步提高,例如各类无源器件(低损微型传输线、滤波器、移相器、功分器、耦合器、阻抗匹配网络、天线等)的单片集成,无源器件与射频微波前段有源低噪声放大芯片的异质集成等。

⑤设计模式和途径手段进一步丰富和智能化,效率提升,市场响应时间缩短,例如IP模型库进一步标准化和多量化,精确全波仿真分析等,各类不同设计分析手段的无缝配合协同可大大提升效率。

⑥MEMS专业与射频微波专业的深度融合, 用MEMS技术创新性解决射频微波领域的瓶颈问题,提升产品性能指标,满足市场新需求,例如基于MEMS技术开发更多新类型射频器件,利用MEMS工艺微纳精细加工实现射频微波毫米波太赫兹单片子系统等。

来源:北京遥测技术研究所  作者:焦海龙、赵广宏、李文博、骆 伟、金小锋

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ADL5367 900 MHz 平衡混频器,内置高端本振(LO)缓冲器和RF巴伦

和特点 功率转换损耗:7.0 dB RF频率范围:500 MHz至1500 MHz IF频率范围:DC至450 MHz 10 dBm阻塞单边带噪声指数:17 dB 输入IP3:37 dBm 输入P1dB :25 dBm 本振驱动:0 dBm(典型值) 单端50Ω RF与本振输入端口 高隔离度单刀双掷(SPDT)本振输入开关 单电源电压:3.3至5 V 5 mm × 5 mm,20引脚裸露焊盘LFCSP封装 2000V HBM / 500V FICDM ESD性能产品详情 ADI参考设计:混合信号数字预失真(MSDPD)平台ADL5367利用一个高线性度双平衡无源混频器内核以及集成的RF与本振平衡电路来实现单端工作。ADL5367内置一个RF巴伦,能够利用高端本振注入,在700至1000 MHz的RF输入频率范围内实现最佳性能。(用于低端本振注入的引脚兼容器件也已供应。)平衡的无源混频器提供良好的本振至射频泄漏(典型值优于-20 dBm),以及出色的互调性能。在手机应用中,带内阻塞信号可能会导致动态性能下降,ADL5367的平衡混频器内核能够提供极高的输入线性度,非常适合于要求严苛的手机应用。对于低压应用,ADL5367能在低至3V的电压下工作,并大幅降低直流电流。两个数字逻辑输入使得用户能够控制一个内部电阻串数模...
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ADL5367 900 MHz 平衡混频器,内置高端本振(LO)缓冲器和RF巴伦

ADL5604 400 MHz至2700 MHz 1W RF驱动器放大器

和特点 工作频率范围:400 MHz至2700 MHz 增益:14.1 dB (2140 MHz) OIP3:42.2 dBm (2140 MHz) P1dB: 28.8 dBm (2140 MHz) 噪声系数:4.8 dB (2140 MHz) 电源电流:325 mA(典型值) 电源:5 V 内部有源偏置 省电功能 仅需很少的匹配器件 高效散热型4 mm × 4 mm、16引脚LFCSP封装 ESD额定值:±1 kV(1C类) 产品详情 ADL5604是一款宽带、线性放大器/末级RF放大器,工作频率范围为400 MHz至2700 MHz。该器件适合各种有线和无线应用,包括ISM、WLL、PCS、GSM、CDMA、W-CDMA和LTE。ADL5604采用5 V电源供电,电源电流为325 mA。ADL5604采用GaAs HBT工艺制造,提供低成本、4 mm × 4 mm、16引脚LFCSP封装,使用裸露焊盘以获得出色的热阻抗性能。工作温度范围为−40°C至+85°C,同时提供配置齐全的评估板。 方框图...
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ADL5604 400 MHz至2700 MHz 1W RF驱动器放大器

ADUCRF101 集成ARM Cortex M3和RF收发器的精密模拟微控制器

和特点 模拟I/O 6通道、12位SAR ADC单端和差分输入可编程数据速率高达167kSPS片内基准电压源范围:2.2V至3.6V 功耗280 nA(关断模式,非保留状态)1.9 µA(关断模式,处理器存储器和收发器存储器保留) 210 µA / MHz(Cortex-M3处于活动模式)收发器:12.8 mA(接收模式,Cortex-M3处于关断模式)收发器:9 mA至32 mA(发射模式,Cortex-M3处于关断模式) RF收发器频段:862 MHz至928 MHz和431 MHz至464 MHz支持多种配置接收器灵敏度(BER):−107.5 dBm(38.4 kbps,2FSK)单端和差分PA低外部BOM 微控制器32位ARM Cortex-M3处理器串行线下载和调试用于唤醒定时器的外部时钟晶体具有8路可编程分频器的16 MHz内部振荡器 存储器128kB Flash/EE存储器、16kB SRAMFlash/EE耐久性:10,000周期Flash/EE保持时间:10年通过串行线和UART在线下载 片内外设 UART、I2C 和SPI串行I/O28引脚GPIO端口2个通用、16位定时器32位唤醒定时器16位看门狗定时器8通道脉宽调制(PWM) 封装64引脚、9 mm × 9 mm LFCSP温度范围: −40°C至+85℃ 工具低成本开发系统支持第三方编译...
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ADUCRF101 集成ARM Cortex M3和RF收发器的精密模拟微控制器

ADL5541 射频/中频( RF/IF)增益模块,工作频率50 MHz 至6 GHz ,增益15 dB

和特点 固定增益:15 dB 工作频率:6 GHz 内部匹配的50Ω输入/输出电阻 内置偏置控制电路 输出IP3 44 dBm @ 500 MHz 40 dBm @ 900 MHz 输出1 dB压缩点:19.7 dBm @900 MHz 噪声系数:3.5 dB @ 900 MHz 单电源供电:5V 8引脚LFCSP小尺寸封装 与20 dB增益的ADL5542 引脚兼容 1 kV静电放电(ESD)保护(Class 1C) 产品详情 ADL5541是一款15 dB宽带的线性放大器,工作频率高达6 GHz。该放大器可以用于各种有线电视、手机以及仪器设备。 ADL5541可以提供15 dB增益,在频率、温度与电源范围内稳定工作, 器件一致性好。该增益模块内部匹配输入电阻为50Ω,在6 GHz以内其输入回波损耗为10 dB以下。它工作时只要求输入/输出交流耦合电容器、电源去耦合电容器以及外部电感。 ADL5541采用InGaP HBT工艺制作,静电放电(ESD)保护额定值为1 kV (Class 1C)。它采用3 mm × 3 mm LFCSP封装,带裸露焊盘,具有出色的热阻性能。 ADL5541采用5 V单电源供电,功耗90 mA,工作温度范围:-40°C至+85°C。 现在可以供应完全符合RoHS标准的评估板。 ADL5542为系列产品,可提供增益20 dB,与ADL55...
发表于 02-22 12:14 12次 阅读
ADL5541 射频/中频( RF/IF)增益模块,工作频率50 MHz 至6 GHz ,增益15 dB

AD8341 RF矢量调制器,1.5 GHz 至2.4 GHz

和特点 工作频率范围:1.5 GHz至2.4 GHz 幅度控制范围:30 dB 笛卡尔I/Q基带频率范围:DC至230 MHz 输出三阶交调截点:+17.5 dBm 相位控制范围:360° 输出1dB压缩点:+8.5 dBm 输出开关禁用功能 5V单电源 与AD8340引脚兼容 产品详情 单芯片RF振幅与移相器AD8341是一款高性能RF矢量调制器,输入频率范围为1.5 GHz至2.4 GHz,可连续、独立地调整振幅和相位。通过宽带笛卡尔I/Q接口,可实现完整的360°相位调整和30 dB以上的增益控制。I和Q接口提供230 MHz的全功率信号带宽,可通过单端或差分方式驱动,具有±500 mV满量程输入。AD8341采用24引脚LFCSP封装,额定温度范围为–40°C至+85°C。供货提供样片和评估板,产品型号分别为AD8341ACP和AD8341-EVAL。同类产品AD8302 - 低频至2.7 GHz RF/IF增益相位检波器AD8340 - RF矢量调制器,700 MHz至1000 MHz其它调制器/解调器产品AD8345 - 250 MHz至1000 MHz低噪声RF/IF调制器AD8346 - 800 MHz至2.5 GHz低功耗直接上变频调制器AD8347 - 800 MHz至2.7 GHz直接变频解调器AD8348 - 50 MHz至1000 MHz RF/IF正交解调器AD...
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AD8341 RF矢量调制器,1.5 GHz 至2.4 GHz

LTC2997 远程 / 内部温度传感器

和特点 可将远程传感器或内部二极管温度转换为模拟电压±1°C 远程温度准确度±1.5°C 内部温度准确度内置串联电阻抵消2.5V 至 5.5V 电源电压 1.8V 基准电压输出 3.5ms VPTAT 更新时间4mV/Kelvin 输出增益 170μA 静态电流采用 6 引脚 2mm x 3mm DFN 封装 产品详情 LTC®2997 是一款高准确度模拟输出温度传感器。该器件可将一个外部传感器的温度或其自身的温度转换为一个模拟电压输出。一种内置算法能够消除 LTC2997 与传感器二极管之间的串联电阻所引起的误差。LTC2997 可利用低成本二极管连接的 NPN 或 PNP 晶体管、或者利用微处理器或 FPGA 上的集成型温度晶体管来提供准确的测量结果。将引脚 D+ 连接至 VCC 便可把 LTC2997 配置为一个内部温度传感器。LTC2997 提供了一个附加的 1.8V 基准电压输出,该输出既可用作一个 ADC 基准输入,也可用于产生与 VPTAT 输出进行比较的温度门限电压。LTC2997 提供了一款适合于准确温度测量的精准和通用型微功率解决方案。Applications温度测量远程温度测量环境监视系统热控制台式电脑和笔记本电脑网络服务器 方框图...
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LTC2997 远程 / 内部温度传感器

ADXRS645 高温、抗振动、±2000°/s陀螺仪

和特点 高性能、±2000°/s角速率传感器 长寿命: 保证1000小时(TA = 175°C) 创新型陶瓷垂直贴装封装,适合于俯仰或滚动速率响应 宽工作温度范围: -40°C至175°C 可在宽频率范围内提供高振动抑制特性 抗冲击能力:10,000 g 输出与基准电源成比率 5 V单电源供电 根据数字命令执行自测 温度传感器输出产品详情 ADXRS645是一款高性能角速率传感器,具有出色的抗振动能力,可用于高温环境中。 ADXRS645采用ADI公司取得专利的大规模BiMOS表面微加工工艺制造,多年实际应用证明性能稳定可靠。 先进的差分四传感器设计提供出色的加速和振动抑制。 输出信号RATEOUT是电压值,与围绕封装顶部垂直轴转动的角速率成比例。 最小测量范围为±2000°/,加入单个外部电阻之后可扩展至±5000°/s。 输出与所提供的基准电源成比率。 芯片工作还需要其它几个外部电容。 该器件提供温度输出,用于补偿技术。 两路数字自测输入通过机电方式激励传感器,以测试传感器和信号调理电路是否正常工作。 ADXRS645 提供 8 mm × 9 mm × 3 mm、15引脚钎焊引脚三列直插式封装。应用 地质勘探中的井下测量 极高温度工业应用 恶劣的机械环境方框图...
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ADXRS645 高温、抗振动、±2000°/s陀螺仪

ADGM1004 带集成驱动器的0 Hz至13 GHz、2.5kV HBM ESD SP4T MEMS开关

和特点 完全工作频率低至0 Hz/dc 导通电阻:1.8 Ω(典型值) 关断泄漏:0.5 nA(最大值) −3 dB带宽 RF2、RF3为13 GHz(典型值) RF1、RF4为10.8 GHz(典型值) RF性能特性 插入损耗:0.45 dB(典型值,2.5 GHz) 隔离:24 dB(典型值,2.5 GHz) IIP3:67 dBm(典型值) 射频(RF)功率:32 dBm(最大值) 驱动寿命:10亿周期(最小值) 密封开关触点 开关导通时间:30 μs(典型值) 静电放电(ESD)人体模型(HBM)额定值 5 kV(对于RF1至RF4和RFC引脚) 2.5 kV(对于所有其他引脚) 集成驱动器,无需外部驱动器 电源电压:3.1 V至3.3 V CMOS/LVTTL兼容 并行接口和独立控制开关 没有电源时,开关处于开路状态有关避免所有RF引脚上出现浮空节点的要求,请参见“应用信息”部分 5 mm × 4 mm × 1.45 mm、24引脚LFCSP 产品详情 ADGM1004是一款宽带、单刀四掷(SP4T)开关,采用ADI公司的微型机电系统(MEMS)开关技术制造而成。该技术支持小型、宽带宽、高线性、低插入损耗开关,能够在低至直流的频率范围内工作,是各种RF应用的理想解决方案。集成控制芯片可生成通过CMO...
发表于 02-22 12:10 26次 阅读
ADGM1004 带集成驱动器的0 Hz至13 GHz、2.5kV HBM ESD SP4T MEMS开关

ADA4304-4 1:4单端、低成本有源RF分路器

和特点 有线电视和地面应用的理想选择−3 dB带宽:2.4 GHz1 dB平坦度:54 MHz至865 MHz低噪声系数:4.6 dB低失真复合二次失真(CSO):−62 dBc复合三次差拍(CTB):−72 dBc标称增益:每个输出通道3 dB输出与输出间隔离:25 dB(50 MHz至1000 MHz)75 Ω输入和输出小尺寸封装:16引脚、3 mm × 3 mm LFCSP封装 产品详情 ADA4304-3/ADA4304-4是75 Ω有源分路器,适用于要求无损信号分离的应用。典型应用包括多调谐器数字机顶盒、有线分路器模块、多调谐器/支持数字有线功能(DCR)的电视以及家庭网关。对于这些应用,传统解决方案要求采用分立无源分路器模块以及独立的固定增益放大器。        ADA4304-3/ADA4304-4采用ADI公司专有的硅-锗(SiGe)互补双极性工艺制造,可实现极低的失真水平,噪声系数为4.6 dB。该器件是一种低成本替代解决方案,它将信号分路器元件和增益模块集成于单芯片中,从而得以简化设计、改善系统性能。ADA4304-3/ADA4304-4采用16引脚LFCSP封装,工作温度范围为−40°C至+85°C工业温度范围。应用机顶盒家庭网关有线电视分配系统分路器模块支持数字有线功能(DCR)的电...
发表于 02-22 12:10 0次 阅读
ADA4304-4 1:4单端、低成本有源RF分路器

AD8351 低失真RF/IF差分放大器

和特点 3 dB带宽:2.2 GHz (AV = 12 dB) 单电阻可编程增益  0 dB ≤ AV≤ 26 dB 差分接口 低噪声输入级:2.7 nV/√Hz (AV = 10 dB) 低谐波失真  –79 dBc(二阶,70 MHz)  –81 dBc(三阶,70 MHz) OIP3:31 dBm (70 MHz) 单电源供电: 3 V至5.5 V 低功耗: 28 mA (5 V) 可调输出共模电压 快速建立和过驱恢复 压摆率:13,000 V/μs 省电功能 产品详情 AD8351是一款完全差分放大器,可用于在通信收发器中,以中频频率驱动高分辨率(10-14位)/高速ADC (240 MSPS)。AD8351简化了ADC驱动,用户可以通过一个外部电阻调整增益(最高26 dB),同时集成了输出共模调整电路,以降低输入ADC中的驱动电平。AD8351是一种极低失真增益级,同时具有低噪声和宽增益带宽特性,因而非常适合数字通信中频接收机使用。该器件可以在多种常用中频频率70/140/240 MHz下工作。关于驱动12/14位分辨率ADC以及用该器件进行单端至差分信号转换的详细电路信息,参见AD8351产品数据手册。AD8351采用先进的硅双极性工艺制造,以3 V或5 V单电源供电,提供节省空间的10引脚微型SOIC封装,额定温度范围为–40ºC至+...
发表于 02-22 12:09 0次 阅读
AD8351 低失真RF/IF差分放大器

ADIS16228 数字三轴振动传感器,集成FFT分析和存储系统

和特点 频域三轴振动传感器 平坦的频率响应:最高至5 kHz 数字加速度数据,± 18 g测量范围数字范围设置:0 g至1 g/5 g/10 g/20 g 实时采样模式:20.48 kSPS(单轴) 捕获采样模式:20.48 kSPS(三轴)触发器模式:SPI、计时器、外部可编程抽取滤波器,11种速率设置选定的滤波器设置支持多记录捕获手动捕获模式支持时域数据采集 针对所有三轴(x, y, z)的512点实数值FFT 3种窗口选项:矩形、Hanning、平顶 可编程FFT均值功能:最多255个均值 存储系统:所有三轴(x, y, z)上14个FFT记录产品详情 ADIS16228 iSensor® 是一款完整的振动检测系统,集三轴加速度检测与先进的时域和频域信号处理于一体。时域信号处理包括可编程抽取滤波器和可选的窗函数。频域处理包括针对各轴的512点、实数值FFT和FFT均值功能,后一功能可降低噪底变化,从而提高分辨率。通过14记录FFT存储系统,用户可以追踪随时间发生的变化,并利用多个抽取滤波器设置捕获FFT。20.48 kSPS采样速率和5 kHz平坦频段提供的频率响应适合许多机械健康状况检测应用。铝芯可实现与MEMS加速度传感器的出色机械耦合。在所有操作中,内部时钟驱动数据采样和信号处理系统...
发表于 02-22 12:07 22次 阅读
ADIS16228 数字三轴振动传感器,集成FFT分析和存储系统

ADL5545 30 MHz 至 6 GHz RF/IF 增益模块

和特点 固定增益:24.1 dB 在30 MHz至6 GHz范围内提供宽带操作 输入/输出内部匹配50 Ω 集成偏置控制电路 OIP3:36.4 dBm (900 MHz) P1dB:18.1 dBm (900 MHz) 噪声系数:2.9 dB (900 MHz) 5V单电源供电 低静态电流:56 mA 宽工作温度范围:-40℃至+105℃ 高效散热型SOT-89封装 ESD额定值:±1.5 kV(1C类) 产品详情 ADL5545是一款单端RF/IF增益模块放大器,可在30 MHz至6 GHz范围内提供宽带操作。采用5 V电源供电时,ADL5545功耗仅为56 mA,OIP3超过36dBm。ADL5545具有24 dB增益,增益不随频率、温度、电源、器件而变化。该放大器采用工业标准SOT-89封装,在输入和输出内部匹配50 Ω,能够简单地使用于各种不同的应用中。所需的外部元件只有输入/输出交流耦合电容、电源去耦电容和直流偏置电感。ADL5545采用InGaP HBT工艺制造而成,ESD额定值为±1.5 kV(1C类)。额定温度范围为−40℃至+105℃的宽温度范围,并提供配置齐全且符合RoHS标准的评估板。 方框图...
发表于 02-22 12:07 15次 阅读
ADL5545 30 MHz 至 6 GHz RF/IF 增益模块

ADXRS910 侧翻检测层内陀螺仪

和特点 高性能、层内滚动速率陀螺仪 温度补偿,高精度偏移和灵敏度性能 陀螺仪噪声:2°/s rms(最大值) 16位数据字串行端口接口(SPI)数字输出 静态功耗:<20 mA 3.3 V和5 V电源供电 温度范围:-40°C至+105°C 针对层内滚动速率检测的16引脚SOIC_CAV表贴封装 通过汽车应用认证 产品详情 ADXRS910是一款针对汽车侧翻检测应用的高性能层内陀螺仪。ADXRS910还具有内部温度传感器,用于补偿偏移和灵敏度性能,在−40°C至+105°C温度范围内提供出色的稳定性。该陀螺仪提供±300°/s满量程性能,灵敏度为80 LSB/°/s。其谐振磁盘传感器结构可实现围绕层内轴的角速率测量。-3 dB滤波器转折频率可选择为24.6 Hz、49 Hz、102 Hz或201 Hz。该器件的传感器数据输出为包含在32位SPI处理中的16位、二进制补码字。SPI通信兼容频率高达10 MHz。ADXRS910采用16引脚倒腔SOIC封装。ADXRS910的额定工作电压为3.3 V至5 V此,功耗小于20 mA。其规格对−40°C至+105°C的温度范围有效。应用 侧翻检测 方框图...
发表于 02-22 12:07 17次 阅读
ADXRS910 侧翻检测层内陀螺仪

ADF7023 高性能、低功耗ISM频段FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收发器IC

和特点 超低功耗、高性能收发器 工作频段862 MHz至928 MHz431 MHz至464 MHz 支持的数据速率:1 kbps至300 kbps 电源电压范围:2.2 V至3.6 V 单端和差分PA 中频带宽可编程的低中频接收机:100 kHz、150 kHz、200 kHz、300 kHz 接收机灵敏度(BER)−116 dBm(1.0 kbps,2FSK、GFSK)−107.5 dBm(38.4 kbps,2FSK、GFSK)−102.5 dBm(150 kbps,GFSK、GMSK)−100 dBm(300 kbps,GFSK、GMS)−104 dBm(19.2 kbps,OOK) 极低功耗 RF输出功率范围:−20 dBm至+13.5 dBm(单端PA) 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情 ADF7023是一款工作在862 MHz至931 MHz和431 MHz至464 MHz频段的极低功耗、高集成度2FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收发器,这些频段覆盖免许可的433MHz、868MHz和915MHz ISM频段。它适合欧洲ETSI EN300-220、北美FCC (Part 15)、中国短程无线监管标准或其它类似地区标准下的电路应用。支持1 kbps至300 kbps的数据速率。发射RF频率合成器包含一个VCO和一个输出通道频率分辨率为400 Hz的低噪声小数N分频锁相环(PLL)。VCO的工作频...
发表于 02-22 12:06 24次 阅读
ADF7023 高性能、低功耗ISM频段FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收发器IC

ADRF6601 750 MHz至1160 MHz接收混频器,集成小数N分频PLL和VCO

和特点 集成小数N分频PLL的接收混频器 RF输入频率范围:300 MHz至2500 MHz 内部LO频率范围:750 MHz至1160 MHz 输入P1dB:14.5 dBm 输入IP3:31 dBm 通过外部引脚优化IIP3 SSB噪声系数IP3SET引脚断开:13.5 dBIP3SET引脚接3.3 V电压:14.6 dB 电压转换增益:6.7 dB 200 Ω IF输出匹配阻抗 IF 3 dB带宽:500 MHz 可通过三线式SPI接口进行编程 40引脚、6 mm × 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6601是一款高动态范围有源混频器,集成锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO)。PLL/频率合成器利用小数N分频PLL产生fLO输入,供给混频器。基准输入可以进行分频或倍频,然后施加于PLL鉴频鉴相器(PFD)。PLL支持12 MHz至160 MHz范围内的输入基准频率。PFD输出控制一个电荷泵,其输出驱动一个片外环路滤波器。然后,环路滤波器输出施加于一个集成式VCO。VCO输出(2 × fLO)再施加于一个LO分频器和一个可编程PLL分频器。可编程PLL分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在1至2047范围内编程。有源混频器可将单端50 Ω RF输入转换为200 Ω差分IF输出。...
发表于 02-22 12:06 31次 阅读
ADRF6601 750 MHz至1160 MHz接收混频器,集成小数N分频PLL和VCO

ADRF6720-27 宽带(400 MHz至3 GHz)正交调制器,集成PLL/VCO和2.68 V输入偏置

和特点 集成小数N分频PLL的I/Q调制器 RF输出频率范围: 400 MHz至3,000 MHz 内部LO频率范围: 356.25 MHz至2855 MHz 输出P1dB: 10.8 dBm (2140 MHz) 输出IP3: 31.1 dBm (2140 MHz) 载波馈通: −44.3 dBm (2140 MHz) 边带抑制: -40.8 dBc(2,140 MHz) 噪底: −159.5 dBm/Hz (2140 MHz) 基带1 dB调制带宽: >1000 MHz 基带输入偏置电平: 2.68 V 电源: 3.3 V /425 mA 集成式RF可调谐巴伦,允许单端RF输出 多核集成式VCO HD3/IP3优化 边带抑制和载波馈通优化 高端/低端LO注入 可通过三线式串行端口接口(SPI)进行编程 40引脚6 mm x 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6720-27是一款集成频率合成器的宽带正交调制器,非常适合用于3G和4G通信系统。 ADRF6720-27内置一个高线性度宽带调制器、一个集成式小数N分频锁相环(PLL),以及四个低相位噪声多核压控振荡器(VCO)。 ADRF6720-27本振(LO)信号可从内部通过片内整数N分频或小数N分频频率合成器产生,也可从外部通过高频、低相位噪声LO信号产生。 内部集成式频率合成器利用多核VCO,实现356.25 MHz到28...
发表于 02-22 12:06 20次 阅读
ADRF6720-27 宽带(400 MHz至3 GHz)正交调制器,集成PLL/VCO和2.68 V输入偏置

AD6677 80 MHz带宽中频接收机

和特点 JESD204B Subclass 0或Subclass 1编码串行数字输出 信噪比(SNR):71.9 dBFS(185 MHz AIN,250 MSPS,NSR设为33%) 无杂散动态范围(SFDR):87 dBc(185 MHz AIN,250 MSPS) 总功耗:435 mW (250 MSPS) 1.8 V电源电压 1至8整数输入时钟分频器 采样速率最高达250 MSPS 中频采样频率最高达400 MHz 模数转换器(ADC)内置基准电压源 灵活的模拟输入范围-- 1.4 V p-p至2.0 V p-p(标称值1.75 V p-p) ADC时钟占空比稳定器(DCS) 串行端口控制 节能的掉电模式 产品详情 AD6677是一款11位、250 MSPS中频(IF)接收机,专门针对要求高动态范围性能、低功耗和小尺寸的电信应用中支持多天线系统而设计。该器件包括高性能模数转换器(ADC)和噪声整形再量化器(NSR)数字模块。ADC由多级、差分流水线架构组成,并集成了输出纠错逻辑,每个ADC差分流水线的第一级包含一个宽带宽开关电容采样网络。集成基准电压源可简化设计。占空比稳定器(DCS)补偿ADC时钟占空比的波动,使转换器保持出色的性能。ADC的输出内部连接到NSR模块。集成NSR电路能够提高奈奎斯特带宽内较小频...
发表于 02-22 12:05 21次 阅读
AD6677 80 MHz带宽中频接收机

ADRF6658 集成IF放大器的宽带双通道RX混频器

和特点 宽带、双通道、有源下变频混频器 低失真、快速建立、IF DGA RF输入频率范围:690 MHz至3.8 GHz RF输入端的可编程巴伦 差分和单端LO输入模式 差分IF输出阻抗:100 Ω 可通过三线式串行端口接口(SPI)进行编程 对于RF=1950 MHz、IF=281 MHz、高线性度模式: 电压转换增益,包括IF滤波器损耗:−5至+26.5 dB (更多详细信息,请参见数据手册) 灵活的省电模式,针对低功耗操作 通道使能后的上电时间:100 ns,典型值 3.3 V单电源 高线性度模式:440 mA 低功耗模式:260 mA 产品详情 ADRF6658是一款高性能、低功耗、宽带、双通道无线电频率(RF)下变频器,集成中频(IF)数字控制放大器(DGA),适用于宽带、低失真基站无线电接收机。 双通道Rx混频器为双平衡吉尔伯特单元混频器,具有高线性度和出色的图像抑制能力。 两款混频器均可将50 Ω RF输入转换为开集宽带IF输出。 在混频器输入前,RF输入端的内部可调谐巴伦可抑制RF信号谐波并衰减带外信号,从而减少输入反射和带外干扰信号。 灵活的本振(LO)架构允许使用差分或单端LO信号。 双通道IF DGA基于ADL5201和ADL5202,固定差分输出...
发表于 02-22 12:05 21次 阅读
ADRF6658 集成IF放大器的宽带双通道RX混频器

基于MEMS热式流量传感器的工商业大流量远传燃气表的原理及设计

今天为大家介绍一项国家发明授权专利——一种基于MEMS热式流量传感器的工商业大流量远传燃气表。该专利....
发表于 02-22 11:40 128次 阅读
基于MEMS热式流量传感器的工商业大流量远传燃气表的原理及设计

赛灵思Zynq UltraScale + RFSoC再添新员 具备更高射频性能

赛灵思 RFSoC 产品系列,是行业唯一一款可满足当前及未来行业需求的单芯片自适应射频平台。
的头像 人间烟火123 发表于 02-22 08:35 1680次 阅读
赛灵思Zynq UltraScale + RFSoC再添新员 具备更高射频性能

射频GaN需求飙升,专利申请战全面启动

RF GaN已被工业公司认可并成为主流。从知识产权的角度来看,美国和日本主导着整个RF GaN知识产....
发表于 02-21 10:26 512次 阅读
射频GaN需求飙升,专利申请战全面启动

全球尺寸领先的防水型温度压力传感器

该传感器模块基于世界领先的MEMS技术和电通纬创十几年的大规模IC封测生产制造经验和专业知识。
的头像 MEMS 发表于 02-20 15:28 405次 阅读
全球尺寸领先的防水型温度压力传感器

2019~2022年8寸晶圆厂产量预计将增加70万片

MEMS和传感器相关晶圆厂产能有望增长25%,功率器件和晶圆代工产能预计将分别提高23%和18%。
的头像 MEMS 发表于 02-17 10:26 1332次 阅读
2019~2022年8寸晶圆厂产量预计将增加70万片

探究MEMS红外探测器发展趋势及应用前景

热红外探测器发展方向:继续提高芯片性能和集成度、降低制造成本。
的头像 MEMS 发表于 02-15 17:08 1063次 阅读
探究MEMS红外探测器发展趋势及应用前景

深度分析MEMS固体波动陀螺谐振子现状及发展

MEMS固体波动陀螺谐振子的3D超精密加工等是迫切需要解决的技术难题。
的头像 MEMS 发表于 02-15 16:44 692次 阅读
深度分析MEMS固体波动陀螺谐振子现状及发展

MEMS典型的失效机理

静电力是另一种可能引起粘附的作用力。在静电驱动或摩擦的作用下,残余电荷会集聚在MEMS器件中的绝缘部....
的头像 MEMS技术 发表于 02-14 14:08 637次 阅读
MEMS典型的失效机理

一种微型能量采集器,其设计过程更加灵活多变

新型 MEMS 能量采集器的采集原理如图 2 所示。驻极体电路的电容是固定的(Cfix),而 MEM....
的头像 IEEE电气电子工程师学会 发表于 02-14 09:25 614次 阅读
一种微型能量采集器,其设计过程更加灵活多变

探析GaN在雷达和太空领域的应用

目前,氮化镓(GaN)技术已经不再局限于功率应用,其优势也在向射频/微波行业应用的各个角落渗透,而且....
的头像 GaN世界 发表于 02-13 09:16 1088次 阅读
探析GaN在雷达和太空领域的应用

从“惊天三连跳”说起,解读机器人灵巧行走背后的技术秘密

然而在机器人快速发展的今天,有多少人知道曾经的“傻宝”机器人?那种一步歪步步歪、平地缓行都能跌倒的痛....
发表于 02-11 12:57 514次 阅读
 从“惊天三连跳”说起,解读机器人灵巧行走背后的技术秘密

日本科学家研发新型MEMS能量收集器,利用机械振动等环境能源运行

据麦姆斯咨询报道,东京工业大学的科学家开发出了一种新型MEMS能量收集器,与传统的将整个系统包含在单....
发表于 02-10 09:01 276次 阅读
日本科学家研发新型MEMS能量收集器,利用机械振动等环境能源运行

惯性传感器在运动感应游戏中的应用

另一个很好的例子是ADI公司的ADIS16407 iSensor器件,一个完整的惯性系统包括三轴陀螺....
的头像 电子设计 发表于 02-06 09:58 470次 阅读
惯性传感器在运动感应游戏中的应用

RF工业设备可用无人机轻松入侵

调查的所有供应商中没有任何一家在发送紧急停机(E-Stop)数据包时运用了加密或特殊传输协议。 广泛....
的头像 独爱72H 发表于 02-05 11:38 751次 阅读
RF工业设备可用无人机轻松入侵

国内外RF MEMS厂商大盘点 5G对我国的RF MEMS厂商来说是机遇也是挑战

射频微机电系统(RF MEMS)是MEMS技术的重要应用领域之一,也是二十世纪九十年代以来MEMS领....
发表于 02-04 16:54 640次 阅读
国内外RF MEMS厂商大盘点 5G对我国的RF MEMS厂商来说是机遇也是挑战

电源调制PSMR与PSRR的原理介绍和它们有什么样的不同说明

许多雷达系统要求低相位噪声以最大限度抑制杂波。高性能雷达需要特别关注相位噪声,导致在降低频率合成器的....
的头像 亚德诺半导体 发表于 02-03 12:58 823次 阅读
电源调制PSMR与PSRR的原理介绍和它们有什么样的不同说明

霍尼韦尔高可靠性和高坚固性的9轴MEMS惯性传感器

据麦姆斯咨询介绍,霍尼韦尔9轴MEMS惯性传感器HG1120CA50是一款紧凑型9轴惯性模组,尤其适....
的头像 MEMS 发表于 01-30 14:43 1510次 阅读
霍尼韦尔高可靠性和高坚固性的9轴MEMS惯性传感器

浅谈MEMS惯性传感器

麦姆斯咨询:高精度惯性传感器主要用于测量倾角、加速度和振动等。惯性传感器作为MEMS器件,以单晶硅传....
的头像 MEMS 发表于 01-29 16:35 985次 阅读
浅谈MEMS惯性传感器

12款年度新品正是对NI“引领创新”的最好诠释

在5G领域,NI的软件一直跟随3GPP规范的步伐进行演变。NI推出一款Sub-6GHz 5G测试参考....
的头像 恩艾NI知道 发表于 01-29 14:53 910次 阅读
12款年度新品正是对NI“引领创新”的最好诠释

DL-RXS2016B高灵敏度ASK无线接收模块的数据手册免费下载

DL-RXS2016B 是一款微功耗、高灵敏度的超外差接收模块。具有高稳定性、抗干扰性强、外围电路简....
发表于 01-28 08:00 62次 阅读
DL-RXS2016B高灵敏度ASK无线接收模块的数据手册免费下载

基于低压驱动器实现RF功率放大器效率的提高

对于发射机的功率放大器(PA)来说,由于其需要在应对最新蜂窝标准所用复杂宽带调制方案所需高峰值平均功....
发表于 01-26 09:51 356次 阅读
基于低压驱动器实现RF功率放大器效率的提高

探析MEMS时钟技术对5G的重要性

振荡器(下称XO)是一种利用谐振器和振荡电路生成时钟信号的有源电子器件,由于时钟信号需要稳定,因此频....
的头像 MEMS技术 发表于 01-24 13:58 530次 阅读
探析MEMS时钟技术对5G的重要性

剖析MEMS传感器在汽车电子中的应用

MEMS技术是随着半导体集成电路微细加工技术和超精密机械加工技术的发展而发展起来的,它开辟了一个全新....
的头像 MEMS技术 发表于 01-24 11:06 943次 阅读
剖析MEMS传感器在汽车电子中的应用

随着电子设备的增加 从RF收集能量作为电源的方案越来越普遍

日常生活中的电子设备越来越多了,它们都需要某种形式的电源才能维持正常工作。幸运的是,我们周围存在很多....
发表于 01-23 14:59 303次 阅读
随着电子设备的增加 从RF收集能量作为电源的方案越来越普遍

Mirrorcle携最新MEMS微镜应用亮相CES 2019

基于MEMS的光束控制(扫描)微镜及相关产品的制造商Mirrorcle近日在拉斯维加斯举办的2019....
的头像 MEMS 发表于 01-22 17:44 851次 阅读
Mirrorcle携最新MEMS微镜应用亮相CES 2019

从四方面解析我国传感器行业的发展现状

在国际经济形势面临挑战的背景下,新的一年我国经济工作的重心将会放在哪里?近日,在中央经济工作会议上5....
发表于 01-20 07:11 328次 阅读
从四方面解析我国传感器行业的发展现状

集成式检波器缓冲输出如何驱动ADC?

集成式RF和微波检波器具有众多优势。集成式温度补偿电路提供即用型输出电压,其在宽温度范围内可以稳定在....
的头像 Duke 发表于 01-18 15:51 1846次 阅读
集成式检波器缓冲输出如何驱动ADC?

现代高速无线链路的保护设计与技巧

随着我们将运动鞋,冰箱,咖啡机和我们的心脏起搏器和门锁等所有东西连接起来,限制访问机密信息等安全问题....
的头像 电子设计 发表于 01-18 09:20 1234次 阅读
现代高速无线链路的保护设计与技巧

IMU为嵌入式应用提供更精细的定位分辨率

全球导航卫星系统 (GNSS) 非常有用,能够定位全球任意位置已正确启用此功能的系统,但仅仅使用 G....
的头像 电子设计 发表于 01-17 08:40 570次 阅读
IMU为嵌入式应用提供更精细的定位分辨率