侵权投诉

对MOSFET与IGBT详细的区别分析以及举例说明

2018-01-31 09:07 次阅读

MOSFETIGBT内部结构不同,

决定了其应用领域的不同。

1. 由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。

2. IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品。

3. 就其应用,根据其特点:MOSFET应用于开关电源,镇流器,高频感应加热,高频逆变焊机,通信电源等等高频电源领域。IGBT集中应用于焊机、逆变器,变频器电镀电解电源、超音频感应加热等领域。

开关电源 (Switch Mode Power Supply;SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择,即开关管和整流器。

虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题,但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较,确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。

本文将对一些参数进行探讨,如硬开关和软开关ZVS (零电压转换) 拓扑中的开关损耗,并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外,还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素,讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。

1

导通损耗

除了IGBT的电压下降时间较长外,IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路(见图1)可看出,完全调节PNP BJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾(voltage tail)出现。

对MOSFET 与 IGBT详细的区别分析以及举例说明

这种延迟引起了类饱和 (Quasi-saturation) 效应,使集电极/发射极电压不能立即下降到其VCE(sat)值。这种效应也导致了在ZVS情况下,在负载电流从组合封装的反向并联二极管转换到 IGBT的集电极的瞬间,VCE电压会上升。

IGBT产品规格书中列出的Eon能耗是每一转换周期Icollector与VCE乘积的时间积分,单位为焦耳,包含了与类饱和相关的其他损耗。其又分为两个Eon能量参数,Eon1和Eon2。Eon1是没有包括与硬开关二极管恢复损耗相关能耗的功率损耗;Eon2则包括了与二极管恢复相关的硬开关导通能耗,可通过恢复与IGBT组合封装的二极管相同的二极管来测量,典型的Eon2测试电路如图2所示。IGBT通过两个脉冲进行开关转换来测量Eon。第一个脉冲将增大电感电流以达致所需的测试电流,然后第二个脉冲会测量测试电流在二极管上恢复的Eon损耗。

对MOSFET 与 IGBT详细的区别分析以及举例说明

在硬开关导通的情况下,栅极驱动电压和阻抗以及整流二极管的恢复特性决定了Eon开关损耗。对于像传统CCM升压PFC电路来说,升压二极管恢复特性在Eon (导通) 能耗的控制中极为重要。除了选择具有最小Trr和QRR的升压二极管之外,确保该二极管拥有软恢复特性也非常重要。软化度 (Softness),即tb/ta比率,对开关器件产生的电气噪声和电压尖脉冲 (voltage spike) 有相当的影响。

某些高速二极管在时间tb内,从IRM(REC)开始的电流下降速率(di/dt)很高,故会在电路寄生电感中产生高电压尖脉冲。这些电压尖脉冲会引起电磁干扰(EMI),并可能在二极管上导致过高的反向电压。

在硬开关电路中,如全桥和半桥拓扑中,与IGBT组合封装的是快恢复管或MOSFET体二极管,当对应的开关管导通时二极管有电流经过,因而二极管的恢复特性决定了Eon损耗。所以,选择具有快速体二极管恢复特性的MOSFET十分重要。不幸的是,MOSFET的寄生二极管或体二极管的恢复特性比业界目前使用的分立二极管要缓慢。因此,对于硬开关MOSFET应用而言,体二极管常常是决定SMPS工作频率的限制因素。

一般来说,IGBT组合封装二极管的选择要与其应用匹配,具有较低正向传导损耗的较慢型超快二极管与较慢的低VCE(sat)电机驱动IGBT组合封装在一起。相反地,软恢复超快二极管,可与高频SMPS2开关模式IGBT组合封装在一起。

除了选择正确的二极管外,设计人员还能够通过调节栅极驱动导通源阻抗来控制Eon损耗。降低驱动源阻抗将提高IGBT或MOSFET的导通di/dt及减小Eon损耗。Eon损耗和EMI需要折中,因为较高的di/dt 会导致电压尖脉冲、辐射和传导EMI增加。为选择正确的栅极驱动阻抗以满足导通di/dt 的需求,可能需要进行电路内部测试与验证,然后根据MOSFET转换曲线可以确定大概的值 (见图3)。

对MOSFET 与 IGBT详细的区别分析以及举例说明

假定在导通时,FET电流上升到10A,根据图3中25℃的那条曲线,为了达到10A的值,栅极电压必须从5.2V转换到6.7V,平均GFS为10A/(6.7V-5.2V)=6.7mΩ。

对MOSFET 与 IGBT详细的区别分析以及举例说明

公式1 获得所需导通di/dt的栅极驱动阻抗

把平均GFS值运用到公式1中,得到栅极驱动电压Vdrive=10V,所需的 di/dt=600A/μs,FCP11N60典型值VGS(avg)=6V,Ciss=1200pF;于是可以计算出导通栅极驱动阻抗为37Ω。由于在图3的曲线中瞬态GFS值是一条斜线,会在Eon期间出现变化,意味着di/dt也会变化。呈指数衰减的栅极驱动电流Vdrive和下降的Ciss作为VGS的函数也进入了该公式,表现具有令人惊讶的线性电流上升的总体效应。

同样地,IGBT也可以进行类似的栅极驱动导通阻抗计算,VGE(avg) 和 GFS可以通过IGBT的转换特性曲线来确定,并应用VGE(avg)下的CIES值代替Ciss。计算所得的IGBT导通栅极驱动阻抗为100Ω,该值比前面的37Ω高,表明IGBT GFS较高,而CIES较低。这里的关键之处在于,为了从MOSFET转换到IGBT,必须对栅极驱动电路进行调节。

2

传导损耗需谨慎

在比较额定值为600V的器件时,IGBT的传导损耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。这种比较应该是在集电极和漏极电流密度可明显感测,并在指明最差情况下的工作结温下进行的。例如,FGP20N6S2 SMPS2 IGBT 和 FCP11N60 SuperFET均具有1℃/W的RθJC值。图4显示了在125℃的结温下传导损耗与直流电流的关系,图中曲线表明在直流电流大于2.92A后,MOSFET的传导损耗更大。

不过,图4中的直流传导损耗比较不适用于大部分应用。同时,图5中显示了传导损耗在CCM (连续电流模式)、升压PFC电路,125℃的结温以及85V的交流输入电压Vac和400 Vdc直流输出电压的工作模式下的比较曲线。图中,MOSFET-IGBT的曲线相交点为2.65A RMS。对PFC电路而言,当交流输入电流大于2.65A RMS时,MOSFET具有较大的传导损耗。2.65A PFC交流输入电流等于MOSFET中由公式2计算所得的2.29A RMS。MOSFET传导损耗、I2R,利用公式2定义的电流和MOSFET 125℃的RDS(on)可以计算得出。把RDS(on)随漏极电流变化的因素考虑在内,该传导损耗还可以进一步精确化,这种关系如图6所示。

对MOSFET 与 IGBT详细的区别分析以及举例说明

一篇名为“如何将功率MOSFET的RDS(on)对漏极电流瞬态值的依赖性包含到高频三相PWM逆变器的传导损耗计算中”的IEEE文章描述了如何确定漏极电流对传导损耗的影响。作为ID之函数,RDS(on)变化对大多数SMPS拓扑的影响很小。例如,在PFC电路中,当FCP11N60 MOSFET的峰值电流ID为11A——两倍于5.5A (规格书中RDS(on) 的测试条件) 时,RDS(on)的有效值和传导损耗会增加5%。

在MOSFET传导极小占空比的高脉冲电流拓扑结构中,应该考虑图6所示的特性。如果FCP11N60 MOSFET工作在一个电路中,其漏极电流为占空比7.5%的20A脉冲 (即5.5A RMS),则有效的RDS(on)将比5.5A(规格书中的测试电流)时的0.32欧姆大25%。

公式2 CCM PFC电路中的RMS电流

式2中,Iacrms是PFC电路RMS输入电流;Vac是 PFC 电路RMS输入电压;Vout是直流输出电压。

在实际应用中,计算IGBT在类似PFC电路中的传导损耗将更加复杂,因为每个开关周期都在不同的IC上进行。IGBT的VCE(sat)不能由一个阻抗表示,比较简单直接的方法是将其表示为阻抗RFCE串联一个固定VFCE电压,VCE(ICE)=ICE×RFCE+VFCE。于是,传导损耗便可以计算为平均集电极电流与VFCE的乘积,加上RMS集电极电流的平方,再乘以阻抗RFCE。

图5中的示例仅考虑了CCM PFC电路的传导损耗,即假定设计目标在维持最差情况下的传导损耗小于15W。以FCP11N60 MOSFET为例,该电路被限制在5.8A,而FGP20N6S2 IGBT可以在9.8A的交流输入电流下工作。它可以传导超过MOSFET 70% 的功率。

虽然IGBT的传导损耗较小,但大多数600V IGBT都是PT (Punch Through,穿透) 型器件。PT器件具有NTC (负温度系数)特性,不能并联分流。或许,这些器件可以通过匹配器件VCE(sat)、VGE(TH) (栅射阈值电压) 及机械封装以有限的成效进行并联,以使得IGBT芯片们的温度可以保持一致的变化。相反地,MOSFET具有PTC (正温度系数),可以提供良好的电流分流。

3

关断损耗 —问题尚未结束

在硬开关、钳位感性电路中,MOSFET的关断损耗比IGBT低得多,原因在于IGBT 的拖尾电流,这与清除图1中PNP BJT的少数载流子有关。图7显示了集电极电流ICE和结温Tj的函数Eoff,其曲线在大多数IGBT数据表中都有提供。 这些曲线基于钳位感性电路且测试电压相同,并包含拖尾电流能量损耗。

图2显示了用于测量IGBT Eoff的典型测试电路, 它的测试电压,即图2中的VDD,因不同制造商及个别器件的BVCES而异。在比较器件时应考虑这测试条件中的VDD,因为在较低的VDD钳位电压下进行测试和工作将导致Eoff能耗降低。

降低栅极驱动关断阻抗对减小IGBT Eoff损耗影响极微。如图1所示,当等效的多数载流子MOSFET关断时,在IGBT少数载流子BJT中仍存在存储时间延迟td(off)I。不过,降低Eoff驱动阻抗将会减少米勒电容 (Miller capacitance) CRES和关断VCE的 dv/dt造成的电流注到栅极驱动回路中的风险,避免使器件重新偏置为传导状态,从而导致多个产生Eoff的开关动作。

ZVS和ZCS拓扑在降低MOSFET 和 IGBT的关断损耗方面很有优势。不过ZVS的工作优点在IGBT中没有那么大,因为当集电极电压上升到允许多余存储电荷进行耗散的电势值时,会引发拖尾冲击电流Eoff。ZCS拓扑可以提升最大的IGBT Eoff性能。正确的栅极驱动顺序可使IGBT栅极信号在第二个集电极电流过零点以前不被清除,从而显著降低IGBT ZCS Eoff。

MOSFET的 Eoff能耗是其米勒电容Crss、栅极驱动速度、栅极驱动关断源阻抗及源极功率电路路径中寄生电感的函数。该电路寄生电感Lx (如图8所示) 产生一个电势,通过限制电流速度下降而增加关断损耗。在关断时,电流下降速度di/dt由Lx和VGS(th)决定。如果Lx=5nH,VGS(th)=4V,则最大电流下降速度为VGS(th)/Lx=800A/μs。

4

总结:

在选用功率开关器件时,并没有万全的解决方案,电路拓扑、工作频率、环境温度和物理尺寸,所有这些约束都会在做出最佳选择时起着作用。

在具有最小Eon损耗的ZVS 和 ZCS应用中,MOSFET由于具有较快的开关速度和较少的关断损耗,因此能够在较高频率下工作。

对硬开关应用而言,MOSFET寄生二极管的恢复特性可能是个缺点。相反,由于IGBT组合封装内的二极管与特定应用匹配,极佳的软恢复二极管可与更高速的SMPS器件相配合。

后语:MOSFE和IGBT是没有本质区别的,人们常问的“是MOSFET好还是IGBT好”这个问题本身就是错误的。至于我们为何有时用MOSFET,有时又不用MOSFET而采用IGBT,不能简单的用好和坏来区分,来判定,需要用辩证的方法来考虑这个问题。

原文标题:MOSFET ? IGBT?傻傻分不清楚

文章出处:【微信号:iawbs2016,微信公众号:宽禁带半导体技术创新联盟】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
分享:

评论

yg_311
感谢楼主分享!!!!!!

相关推荐

东芝成功将控制下一代功率半导体的高性能驱动IC单芯片化

突破性模拟。数字混合ic将噪声降低51% 在控制下一代功率半导体的驱动IC方面,株式会社东芝(下称“....
的头像 东芝半导体 发表于 11-26 15:15 922次 阅读
东芝成功将控制下一代功率半导体的高性能驱动IC单芯片化

东芝减少测试周期发布高精度SPICE模型

硬件开发者的好消息来了! 东芝已在网上发布用于PSpice和LTspice的MOSFET器件SPIC....
的头像 东芝半导体 发表于 11-26 15:11 261次 阅读
东芝减少测试周期发布高精度SPICE模型

东芝低尖峰型MOSFET降低EMI的好帮手TPHR7404PU

TPHR7404PU 做电源设计的工程师朋友都知道,MOSFET由于其快速开关,导通电压低等特性,在....
的头像 东芝半导体 发表于 11-26 15:08 242次 阅读
东芝低尖峰型MOSFET降低EMI的好帮手TPHR7404PU

户外电源需求转旺,哪些器件需求会增加?

据业内人士透露,今年下半年开始,原本主要出口海外的移动储能设备---户外电源在国内的销量也开始转旺。....
的头像 荷叶塘 发表于 11-26 09:38 1058次 阅读
户外电源需求转旺,哪些器件需求会增加?

pt8205 20V增强型双N沟道MOSFET_骊微电子

pt8205 20V增强型双N沟道MOSFET
发表于 11-26 09:21 2次 阅读

看懂MOSFET数据表第5部分—开关参数

最后,我们来到了这个试图破解功率MOSFET数据表的“看懂MOSFET数据表”博客系列的收尾部分。在....
的头像 电子设计 发表于 11-24 14:31 116次 阅读
看懂MOSFET数据表第5部分—开关参数

如何选择变容二极管?

在二极管大家族中,变容二极管(Varactor Diodes、Varicap Diodes,Tunn....
发表于 11-24 14:27 40次 阅读
如何选择变容二极管?

看懂MOSFET数据表第3部分—连续电流额定值

嗨,我的FET狂热爱好者同行们,欢迎回到“看懂MOSFET数据表”博客系列的第3部分!今天我们来谈一....
的头像 电子设计 发表于 11-24 11:36 90次 阅读
看懂MOSFET数据表第3部分—连续电流额定值

看懂MOSFET数据表第2部分—安全工作区(SOA)图

嗨,我的FET狂热爱好者同行们,欢迎回到“看懂MOSFET数据表”博客系列的第2部分!作为一名功率M....
的头像 电子设计 发表于 11-24 11:32 82次 阅读
看懂MOSFET数据表第2部分—安全工作区(SOA)图

看懂MOSFET数据表第1部分—UIS/雪崩额定值

在看到MOSFET数据表时,你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼,也一目了然(BVDS、RD....
的头像 电子设计 发表于 11-24 11:22 67次 阅读
看懂MOSFET数据表第1部分—UIS/雪崩额定值

如何为应用的实用性测试GaN的可靠性

作者:Sandeep Bahl 最近,一位客户问我关于氮化镓(GaN)可靠性的问题:“JEDEC(电....
的头像 电子设计 发表于 11-23 14:36 133次 阅读
如何为应用的实用性测试GaN的可靠性

功率MOSFET的驱动电路设计论文

功率MOSFET的驱动电路设计论文
发表于 11-22 15:57 37次 阅读

贸泽备货Skyworks收购的Silicon Labs汽车和基础设施产品线

贸泽电子即日起扩大其分销的Skyworks Solutions产品阵容,备货Skyworks近期收购....
发表于 11-22 15:22 713次 阅读
贸泽备货Skyworks收购的Silicon Labs汽车和基础设施产品线

蓝光激光在有色金属加工领域飞跃发展

应用于材料加工的激光光源发展迅速。全新蓝光激光棒的光功率可以高达100瓦。红外激光棒可实现以前被认为....
的头像 艾迈斯欧司朗 发表于 11-22 11:24 291次 阅读

为什么关掉电源后电路却依然工作

作者:Chris Cockrill    德州仪器 让您的最新逻辑电路运行起来,一切都按设计要求运....
的头像 电子设计 发表于 11-21 16:23 159次 阅读
为什么关掉电源后电路却依然工作

开关电源中的功率级拓扑、分析与设计

开关电源中的功率级拓扑、分析与设计
发表于 11-21 09:26 42次 阅读

如何在设计中防止过电应力造成的产品失效

作者: TI 专家 Bruce Trump 翻译: TI信号链工程师 Tom Wang (王中南) ....
的头像 电子设计 发表于 11-19 17:50 164次 阅读

光电二极管和相关电路的问题

Other Parts Discussed in Post: OPT101作者:  TI专家 Bru....
的头像 电子设计 发表于 11-19 16:45 133次 阅读

能把运算放大器用作比较器使用吗

Other Parts Discussed in Post: UA741, OP07, OPA277....
的头像 电子设计 发表于 11-19 15:18 141次 阅读

减少体二极管导电并最终提高整体系统效率

Other Parts Discussed in Post: UCC28950作者:Michael ....
的头像 电子设计 发表于 11-19 14:46 128次 阅读

STD10PF06条形场效应管功率MOSFET

STD10PF06条形场效应管功率MOSFET
发表于 11-19 11:51 20次 阅读

SRV05-4 ESD二极管参数

ESD静电保护器,也就是行业人常说的ESD静电保护二极管、ESD二极管、ESD、静电保护器件、TVS....
的头像 东沃 发表于 11-18 13:49 27次 阅读
SRV05-4 ESD二极管参数

逆变器电路浅析

PWM 是一种对模拟信号电平进行数字编码的方法。通过高分辨率计数器的使用,方波的占空比被调制用来对一个具体模拟信号的电平进...
发表于 11-18 07:00 838次 阅读

SR05-4二极管参数 5V电压 0.7pF低结电容

很多客户前来东沃电子DOWOSEMI询料,比较关注ESD静电保护器件的封装、工作电压、击穿电压、脉冲....
的头像 东沃 发表于 11-17 18:13 12次 阅读
SR05-4二极管参数 5V电压 0.7pF低结电容

ASEMI快恢复二极管MUR2060AC规格书下载

ASEMI快恢复二极管MUR2060AC规格书下载
发表于 11-17 16:20 22次 阅读

ASEMI快恢复二极管MUR1660AC规格书下载

ASEMI快恢复二极管MUR1660AC规格书下载
发表于 11-17 16:17 17次 阅读

米家无线除螨仪怎么样 如何实现“螨”盘皆吸

这款产品整体结构使用大量卡扣设计、在结合合理的螺丝位置布局的前提下,既满足产品结构的强度,也满足成本....
的头像 大比特资讯 发表于 11-17 10:48 595次 阅读
米家无线除螨仪怎么样 如何实现“螨”盘皆吸

用于Buck和Buck-Boost拓扑的高效低成本离线恒定电压稳压器

WD5202集成了500V MOSFET,用于Buck和Buck-Boost拓扑的高效低成本离线恒定电压稳压器。WD5202只需要很少的外部元件...
发表于 11-17 07:13 0次 阅读

DIY电源拓扑线相关资料分享

记一些小事。一、材料及工具:电源座DC-005、热熔胶、废弃PCB、锡线、导线、电烙铁、热风枪(或打火机、热熔胶枪)二、使用...
发表于 11-17 07:07 0次 阅读

功率地和小信号地单点单连怎么去做呢

1.电流可以分为三种:矩形的,三角形的,平稳的。在Buck中:红色区域就是矩形的,蓝色区域就是三角形的,要减小EMI,最重要的...
发表于 11-17 07:01 0次 阅读

DIY电源拓扑线相关资料推荐

记一些小事。一、材料及工具:电源座DC-005、热熔胶、废弃PCB、锡线、导线、电烙铁、热风枪(或打火机、热熔胶枪)二、使用...
发表于 11-17 06:33 0次 阅读

ASEMI超快恢复二极管SFF3006规格书下载

ASEMI超快恢复二极管SFF3006规格书下载
发表于 11-16 18:07 25次 阅读

IGBT器件静态参数测试需要哪些仪器呢

IGBT器件静态参数测试需要哪些仪器呢?IGBT模组静态参数测试需要的仪器是一系列的
发表于 11-16 17:17 128次 阅读

MOSFET跨导及夹断区是什么

相比于晶体管,MOSFET这个管子相对来说比较复杂,它的工作过程理解起来还是有一定难度的。那么这其中....
的头像 张飞实战电子 发表于 11-16 16:39 412次 阅读

过冲的定义及解决办法

定义过冲:输出电压波形第一个峰值或者谷值超过设定直流电压的幅度值------对于上升沿是指最高电压,对于下降沿是指最低电压。下...
发表于 11-16 09:44 0次 阅读

肖特基二极管工作原理及特点

肖特基二极管工作原理肖特基二极管的特点肖特基二极管的结构肖特基二极管与普通二极管的区别肖特基二极管的工作状态肖特基二极管...
发表于 11-16 08:08 0次 阅读

DC/DC变换器的典型拓扑有哪些呢

按照隔离和非隔离分类的话:非隔离型有 buck、boost、buck-boost、cuk等;隔离型的有正激、反激、推挽、桥式电路;...
发表于 11-16 07:51 0次 阅读

常用的几种二极管型号及区别

0.文中很多资料都摘自网上,也有自己整理的部分,如果不当使用了您的文章,请联系我我会及时处理。此外,这篇文章并不包含所有的...
发表于 11-16 07:30 0次 阅读

是什么原因造成肖特基二极管损坏的

  1、运行管理欠佳。值班运行人员工作不负责任,对外界负荷的变化(特别是在深夜零点至第二天上午6点之间)不了解,或是当外界发...
发表于 11-16 07:03 0次 阅读

国外碳化硅大厂:产能疯狂扩张 丰富的产品组合

电子发烧友网报道(文/李诚)碳化硅、氮化镓这两种新型半导体材料,凭借其耐高温、耐高压、高频的特性在功....
的头像 电子发烧友网 发表于 11-13 09:58 726次 阅读

SiC需求爆发 赛道正式开启国内企业迅速就位

电子发烧友网报道(文/李诚)功率器件从硅基向碳化硅的转型,成为了半导体集成电路领域快速发展的一个缩影....
的头像 电子发烧友网 发表于 11-13 09:49 577次 阅读

新能源汽车中IGBT的具体应用有哪几方面?

新能源汽车作为发展可替代能源,是建设可持续低碳社会的重要一环,并且越来越受到世界各国的高度重视。那么....
发表于 11-12 16:51 361次 阅读

浅谈功率半导体烧结贴片技术

银 (Ag)/铜 (Cu) 压力烧结(见图 1)是一种应用于粉末材料(即纳米颗粒)的热处理工艺,以提....
发表于 11-12 11:24 413次 阅读
浅谈功率半导体烧结贴片技术

IGBT在变频电源中的应用

IGBT是变频电源内部最核心的重要元器件之一,在变频电源内部担任非常重要的角色。其所发挥的作用是将直....
发表于 11-11 11:02 97次 阅读

特斯拉、比亚迪、蔚来等都用了 碳化硅产业站上风口

电子发烧友网报道(文/李弯弯)近年来,电动汽车的销量持续快速提升,从中国市场来看,中汽协公布数据显示....
的头像 电子发烧友网 发表于 11-11 09:58 1057次 阅读

从离散到集成,电机驱控的三大选择

电子发烧友网报道(文/李宁远)目前电机控制一般分成电机驱动器IC,栅极驱动器IC加上MOS/IGBT....
的头像 电子发烧友网 发表于 11-11 09:31 2650次 阅读
从离散到集成,电机驱控的三大选择

SRII重磅亮相CICD 2021,以先进ALD技术赋能第三代半导体产业

思锐智能不仅在GaN器件的ALD镀膜上实现了量产化的解决方案,也在持续挖掘ALD技术之于传统硅基,S....
发表于 11-10 14:13 224次 阅读
SRII重磅亮相CICD 2021,以先进ALD技术赋能第三代半导体产业

第1部分:体二极管反向恢复

Other Parts Discussed in Post: LMG5200, TPS40170作为....
发表于 11-10 09:40 18次 阅读
第1部分:体二极管反向恢复

无刷直流电机加速设计周期的3种方法分析

Other Parts Discussed in Post: MCF8316A, MCT8316A全....
发表于 11-10 09:32 1667次 阅读
无刷直流电机加速设计周期的3种方法分析

中科同志获2021年中国国际车规级功率器件封装优质供应商奖

2021年11月4日-5日举办的2021年中国国际车规级功率半导体年会上,中科同志获得2021年度中....
的头像 科技见闻网 发表于 11-10 09:18 2011次 阅读
中科同志获2021年中国国际车规级功率器件封装优质供应商奖

常用二极管作用图解

0.文中很多资料都摘自网上,也有自己整理的部分,如果不当使用了您的文章,请联系我我会及时处理。此外,....
发表于 11-09 15:06 341次 阅读
常用二极管作用图解

各种二极管的区别

这里写自定义目录标题欢迎使用Markdown编辑器新的改变功能快捷键合理的创建标题,有助于目录的生成....
发表于 11-09 12:21 60次 阅读
各种二极管的区别

IGBT反并联二极管的功能

最近看到网友们对IGBT反并联二极管存在着很大的误解,特写此文告诉大家真相。此图是三相双向逆变电路,....
发表于 11-09 11:36 98次 阅读
IGBT反并联二极管的功能

IGBT总结

IGBT的内部结构及特点:本文通过等效电路分析,通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用,并精简的指出....
发表于 11-09 10:36 148次 阅读
IGBT总结

电子行业的金九银十行情市场去哪了?

金九银十行情对于很多行业企业来说,电子元器件的需求也是非常旺盛的,以上为小编企业走访电子元器件同行业....
的头像 张盛文 发表于 11-09 09:49 44次 阅读
电子行业的金九银十行情市场去哪了?

UMW SI2300A产品规格书

UMW SI2300A产品规格书
发表于 11-08 16:31 39次 阅读

LDO稳压器详解(三)-导通组件拓扑

线性稳压器电路包含四个功能区块,分别是参考电压、导通组件(pass element)、取样电阻及误差....
发表于 11-08 12:51 32次 阅读
LDO稳压器详解(三)-导通组件拓扑

【二极管】稳压二极管全面分析

一、什么是稳压二极管1、稳压管简介稳压二极管有时候又叫齐纳二极管,稳压管二极管的一种,它比较特殊,基....
发表于 11-07 18:21 98次 阅读
【二极管】稳压二极管全面分析

快恢复二极管工作原理、反向恢复时间详解

快恢复二极管工作原理及特点作用快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半....
发表于 11-07 13:35 72次 阅读
快恢复二极管工作原理、反向恢复时间详解

提高迟滞,实现平稳的欠压和过压闭锁

电阻分压器可将高电压衰减至低压电路能够承受的电平,且低压电路不会出现过载或损坏。
发表于 11-05 11:30 505次 阅读
提高迟滞,实现平稳的欠压和过压闭锁

MAX16141AAAF/VY+ Maxim Integrated MAX16141理想二极管控制器

Integrated MAX16141理想二极管控制器具有各种系统故障保护特性,例如反向电流保护、过流保护、输入过压/欠压保护以及过热保护。MAX16141二极管控制器具有3.5V至36V的工作电压范围和5μA(典型值)关断电流。这些MAX16141控制器采用集成电荷泵,可驱动源极连接上方9V背对背外部nFET的栅极。这样可最大限度降低源极和负载之间的功率损耗。MAX16141控制器采用低功耗关断,可减少电池耗电量。这些MAX16141二极管控制器通过开路双向电流阻断和开路双向电压将故障电源与负载隔离。 MAX16141控制器具有可为负载提供有限功率的低功耗模式,以及有助于在关断模式下降低功耗的内部开关 这些MAX16141二极管控制器还具有故障输出,可在故障条件下发出信号。典型应用包括汽车电源系统、网络/电信电源系统、RAID系统、服务器和以太网供电 (PoE) 系统。 特性 宽电源电压范围: 工作电压范围:3.5V至36V 保护电压范围:-36V至60V 消除了分立二极管功耗 低功耗关断模式可降低电池耗电量: ...
发表于 10-21 11:10 126次 阅读

STEVAL-ISA050V1 STEVAL-ISA050V1单片VR用于基于所述PM6641单片VR为芯片组和DDR2芯片组和DDR2 / 3演示板/ 3供应用于超移动PC(UMPC)应用

部为0.8V±1%的电压基准 2.7 V至5.5 V输入电压范围 快速响应,恒定频率,电流模式控制 三个独立,可调节, SMPS对于DDR2 / 3(VDDQ)和芯片组供应 S3-S5状态兼容DDR2 / 3部分 有源软端所有输出 为VDDQ可选跟踪放电 独立的电源良好信号 脉冲在轻负载跳过 可编程电流限制和软启动所有输出 锁存OVP,UVP保护 热保护 参考和终止电压(VTTREF和VTT )±2的.apk LDO为DDR2 / 3端点(VTT)与折返 远程VTT输出感测 在S3高阻VTT输出 ±15 mA低噪声DDR2 / 3缓冲基准(VTTREF) 在STEVAL-ISA050V1演示板是基于PM6641,这是一个单片电压调节器模块,具有内部功率MOSFET,专门设计来提供DDR2 /在超移动PC和房地产便携式系统3内存和芯片组。它集成了三个独立的,可调节的,恒定频率的降压转换器,一个±2的.apk低压降(LDO)线性调节器和±15 mA低噪声缓冲基准。每个调节器提供基本电压下(UV)和过电压(OV)的保护,可编程软启动和电流限制,有源软端的和跳脉冲在轻负载。...
发表于 05-21 05:05 158次 阅读

ULN2801A ULN2801A八个达林顿阵列

达林顿晶体管具有共同发射极 输出电流500 mA的电流 输出电压至50V 积分抑制二极管 对于所有流行的逻辑系列版本 输出可以并联 输入钉扎相对输出到简化电路板布局 在ULN2801A,ULN2802A,ULN2803A和ULN2804A各自包含具有共同的发射器和用于电感性负载积分抑制二极管8个达林顿晶体管。每个达林顿设有一个峰值负载电流额定值600毫安(500 mA连续)的,并能承受至少50 V在关断状态。输出可以并联,以更高的电流能力。...
发表于 05-21 05:05 430次 阅读

AEK-MOT-SM81M1 AEK-MOT-SM81M1根据该L99SM81V用于汽车应用的步进电机驱动器评估板

用于汽车应用L99SM81V可编程步进电机驱动器板的功能: 具有微步进和保持功能 BEMF监测失速检测 经由SPI可编程配置 5V内部线性电压调节器(输出上板连接器可用) 板反向电池保护用STD95N4F3 MOSFET,其可以具有两个被取代可选地安装二极管和一个跨接 输入工作电压范围从6 V至28 V 输出电流至1.35A 板尺寸:65毫米长×81毫米宽×11毫米最大元件高度 WEEE和RoHS标准 所有ST组分是合格汽车级 的AutoDevKit部分™主动 应用:汽车双极步进电动机 在AEK-MOT-SM81M1评估板设计用于驱动在微步进模式中的双极步进电机,与COI升电压监测失速检测。...
发表于 05-20 18:05 228次 阅读

ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

或产品号的产品搜索能力 技术数据表下载和离线咨询 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 适用于Android收藏节™和iOS™应用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android™和iOS™的应用程序,它可以让你探索的ST功率MOSFET产品组合使用便携设备。您可以轻松地定义设备最适合使用参数搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
发表于 05-20 17:05 226次 阅读

STEVAL-POE006V1 STEVAL-POE006V13.3V / 20A 有源钳位正激转换器 以太网供电(PoE)的IEEE 802.3bt标准的参考设计

805的PoE-PD接口的 特点: 系统在封装中集成一个双活性桥,热插拔MOSFET和PoE的PD 支持传统高功率,4对应用 100伏与0.2Ω总路径电阻N沟道MOSFET,以每个有源桥 标识哪些种PSE(标准或传统)它被连接到,并提供成功的符合IEEE 802.3af / AT / BT分类指示为T0,T1和T2信号的组合(漏极开路) 通过STBY,仿和RAUX控制信号智能操作模式选择的PM8804 PWM控制器的 QFN 56 8x8mm封装43个管脚和6个露出垫 特点: PWM峰值电流模式控制器 输入操作电压高达75伏 内部高电压启动调节器与20毫安能力 可编程固定频率高达1MHz 可设置的时间 软关闭(任选地禁用) 双1A PK ,低侧互补栅极驱动器 GATE2可以被关闭以降低功耗 80 %的最大占空比与内部斜率补偿 QFN 16 3x3mm的封装,带有裸垫 此参考设计表示3.3 V,20 A转换器解决方案非常适合各种应用,包括无线接入点,具有的PoE-PD接口和一个DC-DC有源钳位正激变换器提供。...
发表于 05-20 12:05 113次 阅读

STEVAL-ISA165V1 用于与STP120N4F6 LLC谐振转换器SRK2001自适应同步整流控制器

LLC谐振变换器的同步整流器,具有自适应的导通和关断 V CC 范围:4.5 V至32 V 最大频率:500kHz的 对于N沟道MOSFET双栅驱动器(STRD级驱动程序) SR MOSFET类型:STP120N4F6(40 N - 4.3MΩ)TO -220 符合RoHS 在STEVAL-ISA165V1是产品评估电路板,旨在演示SRK2001同步整流控制器的性能。所述SRK2001器具的控制方案特异于在使用的变压器与绕组的全波整流中间抽头次级LLC谐振转换器的次级侧同步整流。它提供了两个高电流栅极驱动输出(用于驱动N沟道功率MOSFET)。每个栅极驱动器被单独地控制和联锁逻辑电路防止两个同步整流器(SR)MOSFET同时导通。装置的操作是基于两者的导通和关断的同步整流MOSFET的自适应算法。在快速的负载转变或上述谐振操作期间,另外的关断机构设置的基础上,比较器ZCD_OFF触发非常快的MOSFET关断栅极驱动电路。该板包括两个SR的MOSFET(在一个TO-220封装),并且可以在一个现有的转换器,作为整流二极管的替代很容易地实现。...
发表于 05-20 12:05 112次 阅读

STEVAL-IPMM15B STEVAL-IPMM15B基于STIB1560DM2T-L SLLIMM第二系列MOSFET IPM 1500W的电机控制电源板

电压:125 - 400 VDC 额定功率:高达1500W的 允许的最大功率是关系到应用条件和冷却系统 额定电流:最多6 A 均方根 输入辅助电压:高达20 V DC 单或用于电流检测的三分流电阻(与感测网络) 电流检测两个选项:专用的运算放大器或通过MCU 过电流保护硬件 IPM的温度监测和保护 在STEVAL-IPMM15B是配备有SLLIMM(小低损耗智能模制模块)第二串联模块的小型电动机驱动电源板第二系列n沟道超结的MDmesh™DM2快速恢复二极管(STIB1560DM2T-L)。它提供了一种用于驱动高功率电机,用于宽范围的应用,如白色家电,空调机,压缩机,电动风扇,高端电动工具,并且通常为电机驱动器3相逆变器的负担得起的,易于使用的解决方案。...
发表于 05-20 10:05 157次 阅读

NCP81143 VR多相控制器

43多相降压解决方案针对具有用户可配置3/2/1相位的Intel VR12.5兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。该控制系统基于双边沿脉冲宽度调制(PWM)与DCR电流检测相结合,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应。它具有在轻负载运行期间脱落到单相的能力,并且可以在轻负载条件下自动调频,同时保持优异的瞬态性能。 NCP81143提供两个内部MOSFET驱动器,带有一个外部PWM信号。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-09 11:36 594次 阅读

FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初级侧调节PWM

代初级侧调节(PSR)和高度集成的PWM控制器提供多种功能,以增强低功耗反激式转换器的性能。 FSEZ1317WA的专有拓扑结构TRUECURRENT®可实现精确的CC调节,并简化电池充电器应用的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,可以实现低成本,更小,更轻的充电器。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供关断时间调制,以在轻载时线性降低PWM频率条件。绿色模式有助于电源满足节能要求。 通过使用FSEZ1317WA,可以用很少的外部元件实现充电器并降低成本。 特性 30mW以下的低待机功率 高压启动 最少的外部元件计数 恒压(CV)和恒流(CC)控制无二次反馈电路 绿色模式:线性降低PWM频率 固定频率为50kHz的PWM频率以解决EMI问题 CV模式下的电缆补偿 CV中的峰值电流模式控制模式 逐周期电流限制 V DD 使用Auto Restar进行过压保护t V DD 欠压锁定(UVLO) 栅极输出最大电压钳位在15V 自动重启固定过温保护 7导联SOP 应用 电子书阅读器 外部AC-DC商用电源 - 便携消费型 外部AC-D...
发表于 07-29 19:02 338次 阅读

FSEZ1016A 带有集成式MOSFET的初级端调节PWM控制器

度集成的PWM控制器具备多种功能,可增强低功率反激转换器的性能.FSEZ1016A专有的拓扑简化了电路设计,特别是电池充电器应用中的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,它成本更低,尺寸更小,具有更轻的充电器。启动电流仅为10μA,允许使用大启动电阻以实现进一步的节能。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供了关断时间调制,以在轻载条件下线性降低PWM频率。绿色模式有助于电源达到节电要求。通过使用FSEZ1016A,充电器可以用极少的外部元件和最低的成本来完成.FSEZ1016A系列控制器提供7引脚SOIC封装。 特性 恒压(CV)和恒流(CC)控制( 通过飞兆专有的TRUECURRENT™技术实现精准恒定电流 绿色模式功能:线性降低PWM频率 42 kHz的固定PWM频率(采用跳频来解决电磁干扰问题) 恒压模式下的电缆补偿 低启动电流:10μA 低工作电流:3.5 mA 恒压模式下的峰值电流模式控制 逐周期限流 V DD 过压保护(带自动重启) V DD 欠压锁定(UVLO) 带闩锁的固定过温保护(OTP) 采用SOIC-7封装 应用 ...
发表于 07-29 19:02 1483次 阅读

NCP81231 降压控制器 USB供电和C型应用

31 USB供电(PD)控制器是一款针对USB-PD C型解决方案进行了优化的同步降压控制器。它们是扩展坞,车载充电器,台式机和显示器应用的理想选择。 NCP81231采用I2C接口,可与uC连接,以满足USB-PD时序,压摆率和电压要求。 NCP81231工作在4.5V至28V 特性 优势 I2C可配置性 允许电压曲线,转换速率控制,定时等 带驱动程序的同步降压控制器 提高效率和使用标准mosfet 符合USB-PD规范 支持usb-pd个人资料 过压和过流保护 应用 终端产品 USB Type C 网络配件 消费者 停靠站 车载充电器s 网络中心 桌面 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 19:02 506次 阅读

NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 USB供电和C型应用

39 USB供电(PD)控制器是一种同步降压升压,经过优化,可将电池电压或适配器电压转换为笔记本电脑,平板电脑和台式机系统以及使用USB的许多其他消费类设备所需的电源轨PD标准和C型电缆。与USB PD或C型接口控制器配合使用时,NCP81239完全符合USB供电规范。 NCP81239专为需要动态控制压摆率限制输出电压的应用而设计,要求电压高于或低于输入电压。 NCP81239驱动4个NMOSFET开关,允许其降压或升压,并支持USB供电规范中指定的消费者和供应商角色交换功能,该功能适用​​于所有USB PD应用。 USB PD降压升压控制器的工作电源和负载范围为4.5 V至28 V. 特性 优势 4.5 V至28 V工作范围 各种应用的广泛操作范围 I2C接口 允许uC与设备连接以满足USB-PD电源要求 将频率从150 kHz切换到1200 kHz 优化效率和规模权衡 过渡期间的压摆率控制 允许轻松实施USB-PD规范 支持USB-PD,QC2.0和QC3.0配置文件 过电压和过流保护 应用 终端产品 消费者 计算 销售点 USB Type-C USB PD 桌面 集线器 扩展...
发表于 07-29 19:02 723次 阅读

ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单相

1是一款高效的单相同步降压开关稳压控制器。凭借其集成驱动器,ADP3211经过优化,可将笔记本电池电压转换为高性能英特尔芯片组所需的电源电压。内部7位DAC用于直接从芯片组或CPU读取VID代码,并将GMCH渲染电压或CPU核心电压设置为0 V至1.5 V范围内的值。 特性 优势 单芯片解决方案。完全兼容英特尔®IMVP-6.5 CPU和GMCH芯片组电压调节器规格集成MOSFET驱动器。 提高效率。 输入电压范围为3.3V至22V。 提高效率。 最差±7mV -case差分感应核心电压误差超温。 提高效率。 自动节电模式可在轻负载运行期间最大限度地提高效率。 提高效率。 软瞬态控制可降低浪涌电流和音频噪声。 当前和音频缩减。 独立电流限制和负载线设置输入,以增加设计灵活性。 改进设计灵活性ity。 内置电源良好屏蔽支持电压识别(VID)OTF瞬变。 提高效率。 具有0V至1.5V输出的7位数字可编程DAC。 提高效率。 短路保护。 改进保护。 当前监听输出信号。 提高效率。 这是一款无铅设备。完全符合RoHS标准和32引...
发表于 07-29 19:02 508次 阅读

NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节器 适用于计算应用

49是一款单相同步降压稳压器,集成了功率MOSFET,可为新一代计算CPU提供高效,紧凑的电源管理解决方案。该器件能够在带SVID接口的可调输出上提供高达14A TDC的输出电流。在高达1.2MHz的高开关频率下工作,允许采用小尺寸电感器和电容器,同时由于采用高性能功率MOSFET的集成解决方案而保持高效率。具有来自输入电源和输出电压的前馈的电流模式RPM控制确保在宽操作条件下的稳定操作。 NCP81149采用QFN48 6x6mm封装。 特性 优势 4.5V至25V输入电压范围 针对超极本和笔记本应用进行了优化 支持11.5W和15W ULT平台 符合英特尔VR12.6和VR12.6 +规格 使用SVID接口调节输出电压 可编程DVID Feed - 支持快速DVID的前进 集成栅极驱动器和功率MOSFET 小外形设计 500kHz~1.2MHz开关频率 降低输出滤波器尺寸和成本 Feedforward Ope输入电源电压和输出电压的比例 快线瞬态响应和DVID转换 过流,过压/欠压和热保护 防止故障 应用 终端产品 工业应用 超极本应用程序 笔记本应用程序 集成POL U...
发表于 07-29 19:02 326次 阅读

NCP81174 具有省电模式和PWM VID接口的多相同步降压控制器

74是一款通用型四相同步降压控制器。它结合了差分电压检测,差分相电流检测和PWM VID接口,为计算机或图形控制器提供精确的稳压电源。它可以从处理器接收节电命令(PSI),并以单相二极管仿真模式工作,以获得轻载时的高效率。双边沿多相PWM调制确保快速瞬态响应,并尽可能减少电容。 应用 终端产品 GPU和CPU电源 显卡的电源管理 台式电脑 笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 18:02 757次 阅读

NCP81141 Vr12.6单相控制器

41单相降压解决方案针对Intel VR12.6兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。单相控制器采用DCR电流检测,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应.NCP81141集成了内部MOSFET驱动器,可提高系统效率。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 18:02 718次 阅读

NCP81147 低压同步降压控制器

47是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP81147还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 优势 内部高性能运算放大器 简化系统补偿 集成MOSFET驱动器 节省空间并简化设计 热关机保护 确保稳健的设计 过压和过流保护 确保稳健设计 省电模式 在轻载操作期间最大限度地提高效率 支持5.0 V至19 V输入 5.0 V至12 V操作 芯片使能功能通过OSC引脚 保证启动进入预充电负载 内部软启动/停止 振荡器频率范围为100 kHz至1000 kHz OCP准确度,锁定前的四次重入时间 无损耗差分电感电流检测 内部高精度电流感应放大器 20ns内部栅极驱动器的自适应FET非重叠时间 Vout从0.8V到3.3 V(5V,12V VCC) 热能补偿电流监测 ...
发表于 07-29 18:02 610次 阅读

NCP5230 低压同步降压控制器

0是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP5230还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 高性能误差放大器 >内部软启动/停止 0.5%内部电压精度,0.8 V基准电压 OCP精度,锁存前四次重入时间无损差分电感电流检测内部高精度电流检测放大器振荡器频率范围100 kHz 1000 kHz 20 ns自适应FET内部栅极驱动器非重叠时间 5.0 V至12 V操作支持1.5 V至19 V Vin Vout 0.8 V至3.3 V(具有12 VCC的5 V电压)通过OSC引脚实现芯片功能锁存过压保护(OVP)内部固定OCP阈值保证启动预充电负载 热补偿电流监控 Shutdow n保护集成MOSFET驱动器集成BOOST二极管,内部Rbst = 2.2 自动省电模式,最大限度地提高光效率负载运行同步功能远程地面传感这是一个无铅设备 应用 桌面和服务器系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 17:02 541次 阅读

NCP3030 同步PWM控制器

0是一款PWM器件,设计用于宽输入范围,能够产生低至0.6 V的输出电压.NCP3030提供集成栅极驱动器和内部设置的1.2 MHz(NCP3030A)或2.4 MHz( NCP3030B)振荡器。 NCP3030还具有外部补偿跨导误差放大器,内置固定软启动。保护功能包括无损耗电流限制和短路保护,输出过压保护,输出欠压保护和输入欠压锁定。 NCP3030目前采用SOIC-8封装。 特性 优势 输入电压4.7 V至28 V 从不同输入电压源调节的能力 0.8 V +/- 1.5%参考电压 能够实现低输出电压 1200 kHz操作(NCP3020B - 2400 kHz) 高频操作允许使用小尺寸电感器和电容器 > 1A驱动能力 能够驱动低Rdson高效MOSFET 电流限制和短路保护 高级保护功能 输出过压和欠压检测 高级保护功能 具有外部补偿的跨导放大器 能够利用所有陶瓷输入和输出电容器 集成升压二极管 减少支持组件数量和成本 受管制的软启动 已结束软启动期间的环路调节可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容(NCV3030) 适用于汽车应用 应用 终端产品 ...
发表于 07-29 17:02 360次 阅读
NCP3030 同步PWM控制器